JPH04147419A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH04147419A JPH04147419A JP27395590A JP27395590A JPH04147419A JP H04147419 A JPH04147419 A JP H04147419A JP 27395590 A JP27395590 A JP 27395590A JP 27395590 A JP27395590 A JP 27395590A JP H04147419 A JPH04147419 A JP H04147419A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
記録再生機器の小型化、高性能化の為に記録密度向上の
努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄膜
を磁気記録層として実用化することが待望されるに至っ
ている[IEEE TRANSACTIONS O
N MAGNETIC3Vo1.MAG−21,Il
b、3.p、p、1217〜1220 (1985)]
。強磁性金属薄膜は材料としての組合わせは多数考えら
れるが、現実的な可能性が示されているものは少く、C
o−Cr等の垂直磁化膜[特公昭58−91号公報、特
開昭61−120331号公報]やCo−Ni、C。
努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄膜
を磁気記録層として実用化することが待望されるに至っ
ている[IEEE TRANSACTIONS O
N MAGNETIC3Vo1.MAG−21,Il
b、3.p、p、1217〜1220 (1985)]
。強磁性金属薄膜は材料としての組合わせは多数考えら
れるが、現実的な可能性が示されているものは少く、C
o−Cr等の垂直磁化膜[特公昭58−91号公報、特
開昭61−120331号公報]やCo−Ni、C。
Ni−0等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜[特公昭411
9389号公報、特開昭53−4.2010号公報]等
で、実用化の目的で最近ではもっばら保護潤滑層の開発
が検討の中心となっている。現状ではポリエチレンテレ
フタレートフィルム等の高分子フィルム上に直接あるい
は微粒子などの下塗りを行った後、電子ビーム蒸着法や
スパッタリング法で強磁性金属薄膜を配し、その面に直
接溶剤に脂肪酸やパーフルオロポリエーテル等の潤滑剤
を溶かした溶液を塗布乾燥する法[特開昭571799
48号公報、特開昭61−178718号公報]や、酸
化膜を介して潤滑剤を配する[特開昭61−15183
0号公報]ことや、炭素膜とフロロカーボン系の組み合
わせ[特開昭61142525号公報1等が提案され、
磁気ディスクではまだ炭素膜が厚いとはいうものの一部
実用化され、炭素質についても検討が進み硬度を高める
ことの有用性[米国特許4717622号公報]も知ら
れるに至っている。
9389号公報、特開昭53−4.2010号公報]等
で、実用化の目的で最近ではもっばら保護潤滑層の開発
が検討の中心となっている。現状ではポリエチレンテレ
フタレートフィルム等の高分子フィルム上に直接あるい
は微粒子などの下塗りを行った後、電子ビーム蒸着法や
スパッタリング法で強磁性金属薄膜を配し、その面に直
接溶剤に脂肪酸やパーフルオロポリエーテル等の潤滑剤
を溶かした溶液を塗布乾燥する法[特開昭571799
48号公報、特開昭61−178718号公報]や、酸
化膜を介して潤滑剤を配する[特開昭61−15183
0号公報]ことや、炭素膜とフロロカーボン系の組み合
わせ[特開昭61142525号公報1等が提案され、
磁気ディスクではまだ炭素膜が厚いとはいうものの一部
実用化され、炭素質についても検討が進み硬度を高める
ことの有用性[米国特許4717622号公報]も知ら
れるに至っている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、粒子塗布面に形成した強磁性金属薄膜で
より高密度記録を進め、とりわけ狭トラツク記録を行う
と、クロストーク量が増大し、単一オントラック状態で
得られるピュアな高C/Nが実機で得られないといった
課題があり、改善が望まれていた。
より高密度記録を進め、とりわけ狭トラツク記録を行う
と、クロストーク量が増大し、単一オントラック状態で
得られるピュアな高C/Nが実機で得られないといった
課題があり、改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、耐久性の
ある粒状性を示す磁気記録層での狭トラツクC/Nを改
善した磁気記録媒体を提供するものである。
ある粒状性を示す磁気記録層での狭トラツクC/Nを改
善した磁気記録媒体を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
磁気記録層を構成する柱状微粒子の微粒子径が、平滑部
の粒子径に比して、粒状部の粒子系を1.5〜3倍の範
囲内であるよう構成したものである。
磁気記録層を構成する柱状微粒子の微粒子径が、平滑部
の粒子径に比して、粒状部の粒子系を1.5〜3倍の範
囲内であるよう構成したものである。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、磁気特
性の微視的均一性が、実質的に確保でき、狭トラツク化
されてもC/Nの改善がはかれるものである。
性の微視的均一性が、実質的に確保でき、狭トラツク化
されてもC/Nの改善がはかれるものである。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明する。第1図は本発明の要部拡大断面図である。図で
1はポリエチレンテレフタレート。
明する。第1図は本発明の要部拡大断面図である。図で
1はポリエチレンテレフタレート。
ポリエチレン−2,6−ナフタレート、ポリフェニレン
サルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサフォン、ポリイミド、アラミド等の高分子フィル
ムで、2はS i 02.T i 02゜Ae203.
Eu2O3,Sn○2. Cr203. WO2等の微
粒子で、3はポリエステル、ポリウレタン、ポリスルフ
ォン等の固定樹脂である。
サルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエー
テルサフォン、ポリイミド、アラミド等の高分子フィル
ムで、2はS i 02.T i 02゜Ae203.
Eu2O3,Sn○2. Cr203. WO2等の微
粒子で、3はポリエステル、ポリウレタン、ポリスルフ
ォン等の固定樹脂である。
微粒子2は、80A〜300人の範囲で用いられ、密度
は5ケ/μ2〜100ケ/μ2の範囲が好ましい。
は5ケ/μ2〜100ケ/μ2の範囲が好ましい。
4.5は磁気記録層を構成する柱状微粒子で、4は、平
滑部に成長した柱状微粒子Aで、5は上記した微粒子2
の影響を受けて成長した柱状微粒子Bである。4と5に
は、粒径に於て好ましい範囲があり、4の粒径をdl、
5の粒径をd2とした時d+/d2が1.5から3の間
が後述するように高密度記録性能面から要請されること
である。ここで粒径の定義は高分解能走査型電子顕微鏡
、高エネルギー透過型電子顕微鏡等で柱状微粒子構造を
固定した時に、膜厚をtoとした時に表面より0.1t
oの位置での直径に相当するものとする。
滑部に成長した柱状微粒子Aで、5は上記した微粒子2
の影響を受けて成長した柱状微粒子Bである。4と5に
は、粒径に於て好ましい範囲があり、4の粒径をdl、
5の粒径をd2とした時d+/d2が1.5から3の間
が後述するように高密度記録性能面から要請されること
である。ここで粒径の定義は高分解能走査型電子顕微鏡
、高エネルギー透過型電子顕微鏡等で柱状微粒子構造を
固定した時に、膜厚をtoとした時に表面より0.1t
oの位置での直径に相当するものとする。
こう定義した粒径は、30Aから200Aの範囲で、上
記した関係を満足することで本発明の効果を十分得るこ
とができるものである。
記した関係を満足することで本発明の効果を十分得るこ
とができるものである。
d2/d+の制御は、粒状部でのCo、Co−Ni。
Co−Cr、Co−Ta、Co−Mo等の蒸着原子の易
動度を、平滑部と同じか、それに近づけることで行える
。その為の方法として一例を挙げれば、酸素トラップ効
果の大きいAeを高分子フィルムに対して90’〜70
’の高入射角範囲内で計算上の膜厚を5〜20A程度蒸
着してから、酸素中でCo、Co−Ni等を3000人
/ s e c以上、好ましくは5000A/see以
上で蒸着する方法がある。加えて、高分子フィルムを支
持するキャンを一30’C〜−40℃に冷却することで
も制御できる。
動度を、平滑部と同じか、それに近づけることで行える
。その為の方法として一例を挙げれば、酸素トラップ効
果の大きいAeを高分子フィルムに対して90’〜70
’の高入射角範囲内で計算上の膜厚を5〜20A程度蒸
着してから、酸素中でCo、Co−Ni等を3000人
/ s e c以上、好ましくは5000A/see以
上で蒸着する方法がある。加えて、高分子フィルムを支
持するキャンを一30’C〜−40℃に冷却することで
も制御できる。
以上のべた構成要素に加えて、保護潤滑層は、プラズマ
重合膜、酸化膜、炭素膜、脂肪族アルコール、パーフル
オロカルボン酸、パーフルオロポリエーテル等の組み合
わせの中で、スペーシング損失を考慮して、50A〜2
00八で優れた耐久信頼性の得られる構成を選べばよい
。バックコート層も必要であれば配するこ七も当然性わ
れることである。
重合膜、酸化膜、炭素膜、脂肪族アルコール、パーフル
オロカルボン酸、パーフルオロポリエーテル等の組み合
わせの中で、スペーシング損失を考慮して、50A〜2
00八で優れた耐久信頼性の得られる構成を選べばよい
。バックコート層も必要であれば配するこ七も当然性わ
れることである。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み10μmの平均粗さ20A、最大粗さ40Aの特別
に内在粒子を持たない平滑なポリエチレンテレフタレー
トフィルム上に、直径150Aの超遠心分離5i02微
粒子を20ケ/μ2.ポリエステル樹脂で固定し、その
面を0.08 (To r r)[初期排気3X10
’ (Torr) ]の酸素分圧で、15 (kW2>
600 (W)のグロー放電処理を2秒間行ってから
、Aeを電子ビーム蒸着した。
に内在粒子を持たない平滑なポリエチレンテレフタレー
トフィルム上に、直径150Aの超遠心分離5i02微
粒子を20ケ/μ2.ポリエステル樹脂で固定し、その
面を0.08 (To r r)[初期排気3X10
’ (Torr) ]の酸素分圧で、15 (kW2>
600 (W)のグロー放電処理を2秒間行ってから
、Aeを電子ビーム蒸着した。
その上に直径1mの円筒キャンに沿わせて、最小入射角
と、酸素導入量、キャン温度を夫々、10”〜58°、
0.11〜1.3 (e /m1n)、−35℃〜+3
0℃の範囲で変化させ、Co−Ni (Ni: 20w
t%)を0.17 ttm電子ビーム蒸着し、粒子系を
変化させ、磁気記録層を形成した。
と、酸素導入量、キャン温度を夫々、10”〜58°、
0.11〜1.3 (e /m1n)、−35℃〜+3
0℃の範囲で変化させ、Co−Ni (Ni: 20w
t%)を0.17 ttm電子ビーム蒸着し、粒子系を
変化させ、磁気記録層を形成した。
比較例の一部はAe処理なしで常法によった。夫々の磁
気記録層形成後、その表面にパーフルオロポリエーテル
リルイルを約40A塗布し、反対面に0.4μmのポリ
エステルとCaCoOs、カーボンの混合フィラー(1
: 1)を重量で同じ配合の塗布液を塗布乾燥して得た
バックコート層を配し、8ミリ幅の磁気テープとした。
気記録層形成後、その表面にパーフルオロポリエーテル
リルイルを約40A塗布し、反対面に0.4μmのポリ
エステルとCaCoOs、カーボンの混合フィラー(1
: 1)を重量で同じ配合の塗布液を塗布乾燥して得た
バックコート層を配し、8ミリ幅の磁気テープとした。
夫々を8ミリビデオを改造し、狭トラツクC/Nを訂価
し、あわせてスチル耐久性についての任意の10ケ所で
評価した。磁気記録媒体の構成要件と、特性を第1表に
まとめて示した。
し、あわせてスチル耐久性についての任意の10ケ所で
評価した。磁気記録媒体の構成要件と、特性を第1表に
まとめて示した。
ミ駅m啄j
第1表よりわかるように、d2/dIが1.5以下では
、スチル耐久性の面で弱(なり、3.0以上では狭トラ
ツクC/Nで特性が劣化するので、1.5から3の範囲
で構成するのが好ましいといえる。
、スチル耐久性の面で弱(なり、3.0以上では狭トラ
ツクC/Nで特性が劣化するので、1.5から3の範囲
で構成するのが好ましいといえる。
次にCo−0垂直磁化膜の例について説明する。
厚み9μmのアラミドフィルム(平均粗さ25人。
最大粗さ35人)の表面にCo−Fe微粒子(微粒子径
100A、Co1Fe=45:55at%〉を30ケ/
μ2配した。固定樹脂はポリアミドで均一膜厚換算で、
2OAとした。表面をAr0.09(To r r )
13.56 (MHz) 、 1 (kW)でスパッ
タエツチングして、Co−Fe表面を露出させ、粒径制
御範囲を広く行うようにした。
100A、Co1Fe=45:55at%〉を30ケ/
μ2配した。固定樹脂はポリアミドで均一膜厚換算で、
2OAとした。表面をAr0.09(To r r )
13.56 (MHz) 、 1 (kW)でスパッ
タエツチングして、Co−Fe表面を露出させ、粒径制
御範囲を広く行うようにした。
直径50cmの円筒キャン(キャン温度−10℃〜+1
50℃)に沿わせて、Coを入射角35度から12度の
範囲で電子ビーム蒸着し0.2μmのCo−0垂直磁化
膜を形成した。酸素ガスは入射角12度を限定するマス
クの先端部のノズルより り導入し、入射角35度を限定するマスク部の先端のノ
ズルよりHeガスを導入し、柱状粒子径を調整した。C
o−0膜状にパーフルオロポリエーテルステアリルアミ
ドを約50人塗布し、0.4μmのバックコート層を配
し、8ミリ幅のテープに加工した。比較例は、直径12
0AのCr2O3微粒子を25ケ/μ2塗布し、スパッ
タエツチングなしで、Co−0膜を形成した以外は実施
例と同じ条件で製作したものを用いた。
50℃)に沿わせて、Coを入射角35度から12度の
範囲で電子ビーム蒸着し0.2μmのCo−0垂直磁化
膜を形成した。酸素ガスは入射角12度を限定するマス
クの先端部のノズルより り導入し、入射角35度を限定するマスク部の先端のノ
ズルよりHeガスを導入し、柱状粒子径を調整した。C
o−0膜状にパーフルオロポリエーテルステアリルアミ
ドを約50人塗布し、0.4μmのバックコート層を配
し、8ミリ幅のテープに加工した。比較例は、直径12
0AのCr2O3微粒子を25ケ/μ2塗布し、スパッ
タエツチングなしで、Co−0膜を形成した以外は実施
例と同じ条件で製作したものを用いた。
夫々のテープをビット長0.17μm、)ラックピッチ
10μmと5μmでC/Nを相対比較した結果を第2表
に示した。
10μmと5μmでC/Nを相対比較した結果を第2表
に示した。
(以 下 余 白)
■
既にのべた実施例の他にも、スパッタリング法で形成し
たCo−Cr (Cr20wt%)垂直磁化膜、電子ビ
ーム蒸着法で形成したco−O斜め蒸着膜の2層構成の
もの等でも同様の効果を確認した。
たCo−Cr (Cr20wt%)垂直磁化膜、電子ビ
ーム蒸着法で形成したco−O斜め蒸着膜の2層構成の
もの等でも同様の効果を確認した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、狭トラツク化による高密
度記録に於いても良好なC/Nを得ることができ、耐久
性も実用域に保持できるといったすぐれた効果がある。
度記録に於いても良好なC/Nを得ることができ、耐久
性も実用域に保持できるといったすぐれた効果がある。
第1図は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の要部拡
大断面図である。
大断面図である。
Claims (1)
- 磁気記録層を構成する柱状微粒子の微粒子径が平滑部の
粒子径に対して、粒状部の粒子径が1.5〜3倍の範囲
であることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27395590A JP2594380B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP27395590A JP2594380B2 (ja) | 1990-10-11 | 1990-10-11 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
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JPH04147419A true JPH04147419A (ja) | 1992-05-20 |
JP2594380B2 JP2594380B2 (ja) | 1997-03-26 |
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JP (1) | JP2594380B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5378496A (en) * | 1992-12-03 | 1995-01-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic recording medium |
-
1990
- 1990-10-11 JP JP27395590A patent/JP2594380B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5378496A (en) * | 1992-12-03 | 1995-01-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing magnetic recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2594380B2 (ja) | 1997-03-26 |
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