JPH02149926A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH02149926A JPH02149926A JP30287188A JP30287188A JPH02149926A JP H02149926 A JPH02149926 A JP H02149926A JP 30287188 A JP30287188 A JP 30287188A JP 30287188 A JP30287188 A JP 30287188A JP H02149926 A JPH02149926 A JP H02149926A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体の製造方
法に関する。
法に関する。
従来の技術
近年、磁気記録の高密度化の進歩は著しいものがあり斜
め蒸着膜を高分子フィルム上に配した、蒸着テープとリ
ング型磁気ヘッドとの組み合わせによシ、4×108ピ
ツト/(インチ)2の記録密度が達成できると予測され
るに至シ、それ以上に高密度化するためには、膜面に垂
直な方向に磁化可能な、いわゆる垂直磁気記録媒体と高
能率磁気ヘッドとの組み合わせでの最適化に期待が集ま
っている〔例えば、外国論文誌 I EEETRANS
ACTIONS ON MAGNETICS vot
。
め蒸着膜を高分子フィルム上に配した、蒸着テープとリ
ング型磁気ヘッドとの組み合わせによシ、4×108ピ
ツト/(インチ)2の記録密度が達成できると予測され
るに至シ、それ以上に高密度化するためには、膜面に垂
直な方向に磁化可能な、いわゆる垂直磁気記録媒体と高
能率磁気ヘッドとの組み合わせでの最適化に期待が集ま
っている〔例えば、外国論文誌 I EEETRANS
ACTIONS ON MAGNETICS vot
。
M−AG−21、&−3、p、p、 1217〜122
0(1985)参照〕。最近では既存のインターフェー
スが利用できるCo −Cr −Nb等の単層膜による
高密度化がはかられる〔特開昭61−77128号公報
参照〕等の改善が進んでいる。
0(1985)参照〕。最近では既存のインターフェー
スが利用できるCo −Cr −Nb等の単層膜による
高密度化がはかられる〔特開昭61−77128号公報
参照〕等の改善が進んでいる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、垂直磁気記録をテープ状で実施するには
、電子ビーム蒸着法でポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム上に
、高性能な垂直磁化膜を形成できるようにする必要があ
るが、現状では、高温での製膜を必要としていることか
ら改善が望まれていた。
、電子ビーム蒸着法でポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム上に
、高性能な垂直磁化膜を形成できるようにする必要があ
るが、現状では、高温での製膜を必要としていることか
ら改善が望まれていた。
本弁明は上記した事情に鑑みなされたもので、ポリエス
テルフィルム上に高速で、高性能な垂直磁化膜を形成す
る製造方法を提供するものである。
テルフィルム上に高速で、高性能な垂直磁化膜を形成す
る製造方法を提供するものである。
課題を解決するだめの手段
本発明の製造方法は、移動するポリエステルフ4 /レ
ム上に水素雰囲気でチタン、Si、Goのいずれかを電
子ビーム蒸着した後、Co糸金合金垂直磁化膜電子ビー
ム蒸着法で形成するようにしたことを特徴とするもので
ある。
ム上に水素雰囲気でチタン、Si、Goのいずれかを電
子ビーム蒸着した後、Co糸金合金垂直磁化膜電子ビー
ム蒸着法で形成するようにしたことを特徴とするもので
ある。
作 用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、−1−1記した構
成により、チタン、SN。GeにょるCo−Cr 等の
垂直磁化膜の垂直配向を向」二させる効果に、吸蔵され
た水素ガスがCo−Cr等の電子ビーム蒸着の初期の結
晶性低下を防ぐ作用を加えることで、形成し7た垂直磁
化膜全厚みが良好な磁化特性を有し高C/Nを達成でき
るように構成することができるのである。
成により、チタン、SN。GeにょるCo−Cr 等の
垂直磁化膜の垂直配向を向」二させる効果に、吸蔵され
た水素ガスがCo−Cr等の電子ビーム蒸着の初期の結
晶性低下を防ぐ作用を加えることで、形成し7た垂直磁
化膜全厚みが良好な磁化特性を有し高C/Nを達成でき
るように構成することができるのである。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する11図は、本発明の製造方法により製造される磁気
記録媒体の拡大断面図である。図で、1はポリエチレン
テレフタレート、ポリエチ1/ンナフタレー)雪のポリ
エステル樹脂中ノ、であるが、エステル結合以外の結拾
を導入した他のフィルムに適用することを阻むものでは
ない、、2は水素雰囲気で電子ビーノ・蒸着′1z)こ
とで得たチタン、Si。
する11図は、本発明の製造方法により製造される磁気
記録媒体の拡大断面図である。図で、1はポリエチレン
テレフタレート、ポリエチ1/ンナフタレー)雪のポリ
エステル樹脂中ノ、であるが、エステル結合以外の結拾
を導入した他のフィルムに適用することを阻むものでは
ない、、2は水素雰囲気で電子ビーノ・蒸着′1z)こ
とで得たチタン、Si。
Goのいずれかの薄膜で300八から1000人までが
適1〜でいる1、水素雰囲気は、電子ビ〜・ム蒸盾速度
により加減し、薄膜中に5〜15原子チ含1れるように
調整゛ノーる3、5原子チ以下では、垂直磁化膜形成時
に結晶配向を改善する度合が弱く、15原子チ以上、に
なると、チタン、SN、Geの結晶性が乱ノ1.て、そ
のためのしよう乱が次の垂直磁化膜に及ぶことからこの
範囲で実施するのが好ましい、、3はCo−CroCo
−Ru 、 Co−Ta 、 C。
適1〜でいる1、水素雰囲気は、電子ビ〜・ム蒸盾速度
により加減し、薄膜中に5〜15原子チ含1れるように
調整゛ノーる3、5原子チ以下では、垂直磁化膜形成時
に結晶配向を改善する度合が弱く、15原子チ以上、に
なると、チタン、SN、Geの結晶性が乱ノ1.て、そ
のためのしよう乱が次の垂直磁化膜に及ぶことからこの
範囲で実施するのが好ましい、、3はCo−CroCo
−Ru 、 Co−Ta 、 C。
Mo 、 Go−B4n 、 Co −W 、 Co−
Ti 、 Co−Cr−Nb等の垂直磁化膜で、いずれ
も電子ビーム蒸着によって形成したものである。4は保
護潤滑層でプラズマ重合膜、酸化膜、カーボン膜。脂肪
酸。
Ti 、 Co−Cr−Nb等の垂直磁化膜で、いずれ
も電子ビーム蒸着によって形成したものである。4は保
護潤滑層でプラズマ重合膜、酸化膜、カーボン膜。脂肪
酸。
脂肪酸ニスデル、変性シリコーンオイル、弗素オイル等
からコj宜選択1〜、公知の方法で形成することができ
る。5はバックコート層で、樹脂にカーボン、AZ O
CaCO3等のフィラー、必要に2 3′ 応じ潤滑剤を混入し2て成るもので溶液塗布法で形成さ
れるものである。
からコj宜選択1〜、公知の方法で形成することができ
る。5はバックコート層で、樹脂にカーボン、AZ O
CaCO3等のフィラー、必要に2 3′ 応じ潤滑剤を混入し2て成るもので溶液塗布法で形成さ
れるものである。
以下、本発明の実施例について比較例との対比で詳しく
説明する。
説明する。
〔実施例−1〕
厚み10μmのポリエチ1/ンテレフタ+ノートフィル
ム上に直径90人のTiO2微粒子幻5ケ/(μrn)
2配し、直径50(mの円筒キャン(キャン温度10”
C)に沿わせて、入射角30度以内で、水素ガスをo、
et7馴導入し、チタンを電子ビーム蒸着し、500人
のチタン薄膜を形成しくこの薄膜には水素原子が9at
%含1れている。)引き続き別の真空室の直径60αの
円筒キャン(キャン温度40℃)に沿わせて、7 X
10−7(Torf) 、入射角13度以内で、Co−
Cr (Go:sowt % )を電子ビーム蒸着し、
1600へのCo−Cr垂直磁化膜を形成しまた。この
時のフィルムの移動速度は22 m /rrinであ−
)た。Co −Cr膜上に、パーフルオロポリエーテル
として市販のモンテフルオス社製の6フオンブリンZ−
2a′を2.5り/R塗布し、カーボンをポリエステル
樹脂中に重量で5゜チ含む量分散させたバラフコ−1・
層を0.4μm配し、8ミリ幅のテープとした。
ム上に直径90人のTiO2微粒子幻5ケ/(μrn)
2配し、直径50(mの円筒キャン(キャン温度10”
C)に沿わせて、入射角30度以内で、水素ガスをo、
et7馴導入し、チタンを電子ビーム蒸着し、500人
のチタン薄膜を形成しくこの薄膜には水素原子が9at
%含1れている。)引き続き別の真空室の直径60αの
円筒キャン(キャン温度40℃)に沿わせて、7 X
10−7(Torf) 、入射角13度以内で、Co−
Cr (Go:sowt % )を電子ビーム蒸着し、
1600へのCo−Cr垂直磁化膜を形成しまた。この
時のフィルムの移動速度は22 m /rrinであ−
)た。Co −Cr膜上に、パーフルオロポリエーテル
として市販のモンテフルオス社製の6フオンブリンZ−
2a′を2.5り/R塗布し、カーボンをポリエステル
樹脂中に重量で5゜チ含む量分散させたバラフコ−1・
層を0.4μm配し、8ミリ幅のテープとした。
〔実施例−2〕
実施例−1でチタンの代りにSiとGoを用い、Siを
400人(水素を11原子チ含む) 、 Gef:es
o人(水素を6原子係含む)薄膜化し、+51を配した
ものを八、 Goを配したものをBとし、他は実施例−
1と同じ構成で8ミリテープを試作した。
400人(水素を11原子チ含む) 、 Gef:es
o人(水素を6原子係含む)薄膜化し、+51を配した
ものを八、 Goを配したものをBとし、他は実施例−
1と同じ構成で8ミリテープを試作した。
〔実施例−3〕
実施例−1でCo −Crの代シにCo −Ti (C
o 。
o 。
79 wt % )を5 X 1 O−’ (Torx
)入射角12度以内で蒸着し、1700人のCo−T
i垂直磁化膜を形成しくフィルム移動速度20 m /
mjR) 、他は実施例−1と同じ構成で8ミリテーグ
を試作した。
)入射角12度以内で蒸着し、1700人のCo−T
i垂直磁化膜を形成しくフィルム移動速度20 m /
mjR) 、他は実施例−1と同じ構成で8ミリテーグ
を試作した。
〔比較例−1〕
厚み10μmのポリエチ1/ンナフタレートフィルムを
用い、直径90へのTlO2微粒子を16ケ/(μm)
2配し、その上に直径6ocIIIの円筒キャンに沿わ
セテ、13 、56 (MHz ) 220 (W)
。
用い、直径90へのTlO2微粒子を16ケ/(μm)
2配し、その上に直径6ocIIIの円筒キャンに沿わ
セテ、13 、56 (MHz ) 220 (W)
。
Ar : 8 X 10−2(Torr)でチタンをス
パッタリングして560人形成し、更にCo −Cr
(Co :80wt%)を13.56 (MHz )
1.3 (KW) 、 Arをa x 1o (To
rr )で1500人形成し、6フオンブリンZ−25
″とバックコート層を配し8ミリテープとした。スパッ
タリング時のフィルム移動速度はo、4m/mであった
。
パッタリングして560人形成し、更にCo −Cr
(Co :80wt%)を13.56 (MHz )
1.3 (KW) 、 Arをa x 1o (To
rr )で1500人形成し、6フオンブリンZ−25
″とバックコート層を配し8ミリテープとした。スパッ
タリング時のフィルム移動速度はo、4m/mであった
。
〔比較例−2〕
比較例−1でチタンをs x 10−’(Torr)で
電子ビーム蒸着し、460人の薄膜を形成し、直径5o
c!Hの円筒キャン(キャン温度105“C)に沿わせ
て、8X10 (Torr)、入射角9度以内でCo
−Cr(Co : 80wt % )を1600人電子
ビーム蒸着しくフィルム移動速度1a m /rtiy
t ) 、他は同じ構成の8ミリテープを試作した。
電子ビーム蒸着し、460人の薄膜を形成し、直径5o
c!Hの円筒キャン(キャン温度105“C)に沿わせ
て、8X10 (Torr)、入射角9度以内でCo
−Cr(Co : 80wt % )を1600人電子
ビーム蒸着しくフィルム移動速度1a m /rtiy
t ) 、他は同じ構成の8ミリテープを試作した。
上記したテープを8ミリビデオを改造し、C/Nを比較
した。周波数は5 (MHz )が標準であるが、更に
短波長域まで比較するため7 (MHz ) 、 10
(MHz)についても比較した。用いたヘッドはギャッ
プ長0.2μmのセンダヌトスバッタ膜を用いたメタル
インギャップヘッドである。測定結果は比較例−1を夫
々o(dB)として、相対比較したもので、表にまとめ
て示した。
した。周波数は5 (MHz )が標準であるが、更に
短波長域まで比較するため7 (MHz ) 、 10
(MHz)についても比較した。用いたヘッドはギャッ
プ長0.2μmのセンダヌトスバッタ膜を用いたメタル
インギャップヘッドである。測定結果は比較例−1を夫
々o(dB)として、相対比較したもので、表にまとめ
て示した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、C/Nの優れた垂直磁気
記録媒体を高速で得られ、ポリエステルフィルムを用い
て製造できるといったすぐれた効果がある。
記録媒体を高速で得られ、ポリエステルフィルムを用い
て製造できるといったすぐれた効果がある。
図は本発明の製造方法により製造できる磁気記録媒体の
拡大断面図である。 1・・・・・・ポリエステルフィルム、2・・・・・・
Ti(Go。 St)膜、3・・・・・・Co系合金垂直磁化膜。
拡大断面図である。 1・・・・・・ポリエステルフィルム、2・・・・・・
Ti(Go。 St)膜、3・・・・・・Co系合金垂直磁化膜。
Claims (1)
- 移動するポリエステルフィルム上に、水素雰囲気でチタ
ン、Si、Geのいずれかを電子ビーム蒸着した後Co
系合金垂直磁化膜を電子ビーム蒸着法で形成することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30287188A JPH02149926A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30287188A JPH02149926A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02149926A true JPH02149926A (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=17914107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30287188A Pending JPH02149926A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02149926A (ja) |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30287188A patent/JPH02149926A/ja active Pending
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