JPS6326820A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に適する垂直磁気記録用の磁
気記録媒体に関する。

従来の技術 Ｃｏ−Ｃｒスパッタ膜のうち、垂直方向に磁化容易軸を
もついわゆる垂直磁化膜を用いての高密度磁気記録の研
究が盛んに行われた結果、初期的には高密度記録再生特
性が優れていることが実証されたが耐久性が不十分で未
だに実用化に到達していない。

従って最近では、電磁変換特性が短波長になる程、表面
保護層で生じるスペーシング損失により圓下することか
ら、効果的な耐久保護膜の検討が盛んに行われるように
なり、改善が進んでいる。

中でもフッ素潤滑剤を塗布する方法〔ダイジェスト　オ
プ　インターマグ　（Ｄｉｇｅｓｔ　ｏｆ　ＩＮＴＥＲ
ＭＡＧ）ｓｓ　、ＥＡ−１ｏ（１９８５））、酸化膜を
スパッタコートする方法〔第９回目本応用磁気学会学術
講演概要集　２６　ａ　Ａ−１１（１９８５，１１））
等が注目されている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記した構成では、保護効果を十分大き
くしようとすると、スペーシング損失が無視できなくな
り改善が望まれていた。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、高密度記
録が可能で強磁性薄膜自身の耐久性が改良された磁気記
録媒体を提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記した問題点を解決するため、本発明の磁気記録媒体
は１粒状突起を有する高分子フィルム上に配した垂直磁
化可能な強磁性金萬薄膜がＣＯ−α−Ｎ系金属から成り
、α元素が、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ。

Ｔａから選ばれたいずれかであり１表面偏析部が主とし
てαＮｘより成るものでちる。

作　　　用 本発明の磁気記録、燦体は上記した構成により。

磁気ヘッドとの高速での摺動により受ける応力が突起の
先端にて大きくなるが、ａＮｘの極圧潤滑作用により、
薄膜が受ける摩耗や破壊はなくせることてなり、保護膜
としての厚みを小さくしてスペーシング損失の小さい状
態で、耐久性を確保できるものである。

実施例 以下、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
しく説明する。第１図は本発明の第１の実施列の磁気記
録媒体の拡大断面図で、１は厚み１４μｍのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムからなる高分子フィルムで、
２は粒状突起を形成するための下塗り層で、平均粒子径
１３０人のチタニア粒子を７Ｘ１０’個／ｄとなるよう
にポリエステル樹脂で分散固定したものである。

３はＣｏ−Ｔｉ−Ｎ垂直磁化膜であり、膜厚は０．２２
Ｐ１で、垂直方向の保磁力は６０５　（Ｏｅ　）である
。この膜はＣｏ−Ｔｉ　（Ｔｉ　：２１．４ｗｔ％′）
をターゲットとして。

ＡＴ　とＮＨ３混合ガス（Ａｒ：ＮＨ３−６：　１　）
を導入して放電ガスとして用い、スパッタ蒸着して得た
ものである。高分子フィルムの回転支持体温度ば１２５
°Ｃとし、スパッタリング前に真空槽内を４　Ｘ　１０
　　（Ｔｏｒｒ）まで排気した。厳密には、大気中にと
り出した時酸化を受けてとり込まれる酸素が、全体に対
して、２〜６原子係含まれるが。

これについては自然に含まれるもので本発明を構成する
要件として省いた。

強磁性薄膜を構成する柱状微粒子は表面に偏析するＴｉ
が窒化されＴｉＮｘ　（ｘ＝ｏ、　６〜α９　）となっ
ている。

４は保護膜で、真空蒸着により形成した約６０へのステ
アリン酸アミド膜である。

比較例として、ｋ　のみでスパッタし、Ｃｏ−Ｔｉ垂直
磁化膜を形成した以外は同じ構成の媒体を準備した。ギ
ャップ長０．１８μｍのセンダストスパッタヘッドを用
いて、ビット長０．３μｍの矩形波を記録再生し、信号
出力の変化と、エラー率の変ｆヒを比較した。

環境条件は、−６°Ｃと４０’ＣＢ７％ＲＨの２条件と
し、初期出力に対して、３ｄＢ　低下するまでのパス回
数ＮＡと、エラー率が初期値の１０倍に一増大するまで
のパス回数ＮＢを比較した。

本発明の実施例は、−６°ＣでＮＡ＝４，３００万バス
、ＮＢ＝４９５０万パス、４ｏ’ｃでＮＡ＝４６００万
パス、　ＮＢ−＝５０５４万バス、比較例は、−５°Ｃ
ではＮ　Ａ＝　３６６万パス、　Ｎ　Ｂ＝３１０万パス
、４０″ＣではＮＡ＝　３７１万パス、ＮＢ＝３５２万
パスであった。

第２図は本発明の第２の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図で、６は厚み１０μｍのポリイミドフィルムからな
る高分子フィルムで、６は平均粒子径２００人ノＡｌ２
Ｏ３微粒子を４×１０　個／ｄポリイミド樹脂で分散固
定した下塗り層である。７は下地層で１１５°Ｃにした
回転キャンに沿わせてフィルムを移動しながら、最小入
射角５０度で電子ビーム蒸着により形成した厚み０．０
７μｍのチタン薄膜である。

８はイオンブレーティング法で形成した０、２μｍのＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｎ膜で、浮子チ比で７５．５：１８．９：５
，６で高周波グロー放電（放電ガスＮＨ＝９．５Ｘ１０
−５Ｔｏｒｒ）を利用し、絶縁キャンの温度を１２０°
Ｃとして、Ｃｒｙ、７Ｎに等価なＣｒ　　の窒化膜が表
面偏析するようにしたものである。

９　ハ厚ミ７０　Ａのパー７０ロシクロブタンのフ。

ラズマ重合膜である。

比較例として、ＮＨ３の代りにＡｒ　を用いてイオンブ
レーティング法で形成したＣｏ−Ｃτ膜以外は同じ構成
としたものを準備した。

ギャップ長０．１３μｍのセンダストヘッドを用いて、
ビット長０．２μｍの矩形波を記録再生し、信号出力の
変化とエラー率の変化を比較した。

環境条件は、０″Ｃと４０°Ｃ１０％ＲＨｔ７）２条件
とし、初期出力に対して出力が３ｄＢ低下するまでのバ
ス回数をＮＡ（パス）、エラー率が初期の１０倍に増大
するまでのパス回数をＮＢ（パス）で示した。

本実施例は、０°ＣではＮＡ＝４．１５０万バス。

ＮＢ＝４，９００万パス、４０°ＣではＮＡ＝３，９０
０万パス、ＮＢ＝４，０００万パス、比較例は０°Ｃで
ＮＡ＝　２７５万パス、ＮＢ＝３０６万パス、４０°Ｃ
でＮＡ＝６６万パス、　ＮＢ＝＝　　６９万パスであっ
た。

上記した各実施列では、高分子フィルムとしてポリエチ
レンテレフタレートとポリイミドフィルムとしたが、他
にポリフェニレンサルファイド。

ポリエチレンナフタレート、ポリアミドイミド等であっ
てもよい。

又粒状突起の形成に用いる微粒子は、チタニア。

アルミナの他に、　ＢａＳＯ４＃　ＣａＣＯ２，５ｉ０
２．ポリエステル球、カーボン等であってもよい。

発明の効果 以上のように本発明によれば、スペーシング損失を小さ
くして高密度磁気記録でかつ高出力、吐エラー率を実現
し、且つ耐用回数も良好な磁気記録媒体が得られるとい
ったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図、第２図は本発明の第２の実施例の磁気記録媒体の
拡大断面図である。 １．５・・・・・・高分子フィルム、２，６・・・・・
・下塗り層、７・・・・・・下地層、３，８・・・・・
・Ｃｏ−α−Ｎ系垂直磁化膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 粒状突起を有する高分子フィルム上に配した垂直磁化可
   能な強磁性金属薄膜がＣｏ−α−Ｎ系金属から成り、α
   がＴｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａから選ばれた
   元素で、表面偏折部が主としてαＮｘより成ることを特
   徴とする磁気記録媒体。