JPH01263914A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に適した垂直磁気記録用の磁
気記録媒体に関する。

従来の技術 近年、磁気記録の高密度化の進歩により、これまで実用
に供されてきた、長手記録に変シ、記録減磁の小さい、
磁性層面内に垂直な反平行磁界で残留磁化を保持するい
わゆる垂直磁気記録が注目されている。かかる磁気記録
の実現には、垂直磁化可能な磁気記録層を必要とし、従
来、垂直磁化用の磁気記録層は、Ｃｏ　−Ｏｒ　、　Ｇ
ｏ　−Ｖ　、　Ｇｏ−Ｍｏ等のコバルトと他の金属との
合金をスパッタリングや真空蒸着により薄膜化したもの
（特開昭５５−１２２２３２号公報、特開昭５６−１０
７５０６号公報）、Ｃｏ−Ｃｒスパッタ膜から成る第１
の垂直磁化膜の上に、保磁力の異なるＣｏ−Ｃｒのスパ
ッタ膜（特開昭５７−１７９９４２号公報）やＦｅ３Ｏ
４スパツタ摸（特開昭５９−１１９５３３号公報）から
成る第２の垂直磁化膜を積層したものが知られる。

しかしこのような垂直磁化膜は、耐久性が十分でないこ
とから、高分子フィルム上に微細な突起を配し、磁気記
録層自体に急峻な突起を形成することで走行性やスチル
耐久性を改善することがＣｏ−Ｎｉ等で試みられ（例え
ば特開昭６８−１００２２１号公報、特開昭６０−２１
９８２１号公報）でいることから、垂直磁化膜の耐久性
の向上の為にも同様の技術思想の適用が想到される。

その−例は、第２図に磁気記録媒体の拡大断面図で示し
たような構成をもつものである。即ち、第２図で、１は
ポリエチレンテレフタレートフィルム、ホリエチレンナ
フタレートフイ７レム、ポリフェニレンサルファイド、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド等の高分子フ
ィルムで、２はＡ（１２０３，Ｃ’ａ　Ｃｏ３．　Ｔ　
ｔ○２　、　Ｚ　ｒ　０２　ｒ　Ｓ　ｎｏ　２　＋　Ｉ
　ｎ２０３　。

Ｃｒ２Ｏ３等の無機微粒子、ポリエチレン球、ポリイミ
ド球等の有機微粒子を固定した、微粒子塗布層である。

３はＣｏ−Ｃｒ　、Ｃｏ　−Ｍｏ　、Ｃｏ−Ｔｉ　。

Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｒｕ等の垂直磁化膜で、４はＢＮ＠、ＢＣ膜、カーボ
ン膜。

プラズマ重合膜等の保護膜で、５は脂肪酸、パーフルオ
ロアルキルカルボン酸、パーフルオロポリエーテル 発明が解決しようとする課題 かかる構成の垂直磁気記録媒体は、微細突起をもたない
フィルム上に得られている特性のものが得られず、斜め
蒸着膜のＣｏ−Ｎｉ−０　　膜系の高保磁力品との対比
で特に優れたＣ／Ｎが得られるものではないことから、
改善が望まれていた。本発明は上記した事情に鑑みなさ
れたもので、優れた広帯域Ｃ／Ｎを示す、耐久性の良好
な垂直磁気記録用の磁気記録媒体を提供するものである
。

課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体は
、平滑な高分子フィルム上に垂直磁化膜を配し、その上
に島状に金属を蒸着した後、酸素注入した層を介して、
ダイアモンド状硬質炭素薄膜を配したものである。

作　　用 本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、垂直磁化
膜の性能が微視的な均一性の改善によりはかられること
から、雑音が改良され、更に、磁気ヘッドからみて、微
視的なスペーシングの変化による変調雑音も改良される
ことから全帯域での低雑音化により、出力は変らなくて
もＣ／Ｎとしては改善され、突起を配したことによる接
触面積の低下にもとず〈耐久性の向上は従来と同様に得
られる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明する。第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡
大断面図で、６はポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポ
リエーテルサルフオン，ポリエーテルエーテルケトン、
ポリアミド。

ポリイミド等の高分子フィルムで、外部添加微粒子を含
むものであっても、平均粗さは６０Å以下が好ましく、
外部添加微粒子を含まず、傷や表面欠陥°の少ないもの
か、無いものは更に好ましい。

７はＧｏ−Ｃｒ　、Ｃｏ　−Ｍｏ　、Ｇｏ−Ｗ，Ｃｏ−
Ｔａ　、Ｃｏ−Ｃｔ−Ｎｂ。

Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｈ等の垂直磁化膜で高周波スパッタリン
グ、電子ビーム蒸着法等の薄膜形成法で形成されるもの
で、膜厚は０．０６μｍから０．３μｍが好ましい。

８はＴＬ，ＡＩ，ＳＬ，Ｚτ，Ｂ，Ｃｒ等の島状金属膜
で、９は酸素イオン注入層で、４Ｘ１０９−６×１ｏ１
４１ｏｎｓ／ｃ４の注入量でイオンのエネルギーは２０
ｋｅｖ〜１２０ｋｅｖ　　が好ましい。１ｏはダイアモ
ンド状硬質炭素薄膜で、炭化水素系ガスのプラズマ加速
法，グラフ１イトのスパッタリング法，イオンビームデ
ポジション法等により形成され、膜厚は、１５０Å以下
、好ましくは６０入〜１００人が適切である。１１は脂
肪酸，脂肪酸アミド、パーフルオロカルボン酸等の潤滑
剤で、３０人から７ｏ人程変が適当で、製法は、公知の
いずれでもよい。尚本発明の実施態様は、磁気ディスク
、磁気テープのいずれでもよいのは勿論である。

以下、更に具体的に本発明の実施例について、比較例と
の対比で詳しく説明する。

厚み１０μｍの表面粗さが平均粗さで２５人の平滑なポ
リエチレンテレフタレートフィルムヲ用い、１　０ＫＨ
ｚ　　６　８　ｏＷ　、　０２　、　０．１　Ｔｏｒｒ
　Ｏグロー放電処理により２秒間処理した後、直径５。

αの円筒キャン（表面温度６５℃）に沿わせて、１　３
、５　６ＭＨｚ　２．２　ＫＷ　、　Ａｒ　：　０．０
８　Ｔｏｒｒの高周波グロー放電によりスパッタリング
を行って、Ｃｏ−Ｃｒ　（　Ｃｒ　：　２　０．５　ｗ
ｔ％）垂直磁化膜を０．２μｍ形成し、その上に、同じ
く高周波スパッタリング法でＢを島状に形成した。Ｂの
面積被覆率は２４％でＢの高さは６０人である。

その後、酸素イオンを１　０　　ｔｏｎｓ／ｃｄ，　２
　０　ｋｅｖの条件でイオン注入してから、グラファイ
トをターゲットにして、Ａｒ＋Ｈ２＝０．０８Ｔｏｒｒ
　　Ａｒ：Ｈ２＝　１　：　３　、１３．５６ＭＨｚ　
　１．３　ＫＷのグロー放電によるスパッタリングによ
り、ダイアモンド状硬質炭素薄膜を８０人形成し、更に
真空蒸着法により、パーフルオロオクタン酸を４０人配
し、８ミリ幅の磁気テープを製造した。

一方比較例は、同じフィルムを用い、直径８０人の５ｉ
Ｑ２微粒子を４０ケ／（μｍ）２配してから、垂直磁化
膜を同じ条件で０．２μｍ形成し、ダイアモンド状硬質
炭素薄膜、パーフルオロオクタン酸を同じ条件で配し、
８ミリ幅の磁気テープにしたものである。

両者を、改造した８ミリビデオを用いて、ギャップ長０
．１８μｍのアモルファスヘッドニヨリ、ビット長０．
２μｍトラックピッチ６μｍの信号を記録し、帯域１０
ＭＨｚ　　のＣ／Ｎを比較した。

初期のＣ／Ｎは比較例より実施例の方が２．９　ｄＢ良
好であった。又４０℃ｓｓ％ＲＨの環境下で、１２０回
くり返し走行後のＣ／Ｎは、実施例が初期値に対し−０
，３〜−〇、ｅｄＢ、比較例が初期に対し、−１，１〜
−１，４ｄＢで、スチル時のノイズの発生を画像目視判
定で比較した結果、実施例が６５〜６７分、比較例が４
９〜５４分で、耐久性についてみても、実施例は劣るこ
とはないことから優れたＣ／Ｎは高く評価できる。

発明の効果 以上のように本発明によれば、耐久性を落さずに、広帯
域Ｃ／Ｎの改善された垂直磁気記録用の磁気記録媒体が
得られるといったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
、第２図は従来の磁気記録媒体の拡大断面図である。 ６・・・・・・高分子フィルム、７・・・・・・垂直磁
化膜、８・・・・・・島状金属膜、９・・・・・・酸素
イオン注入層、１゜・・・・・・ダイアモンド状硬質炭
素薄膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 平滑な高分子フィルム上に垂直磁化膜を配し、その上に
   島状に金属を蒸着した後、酸素注入した層を介してダイ
   アモンド状硬質炭素薄膜を配したことを特徴とする磁気
   記録媒体。