JPH04143919A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度、広帯域の磁気記録に適した磁気記録媒
体に関する。

従来の技術 近年、磁気記録の高密度化は、短波長化と狭トラツク化
による面密度向上によって進展し、光記録に近い　ＧＢ
Ｐ工２　の達成の報告（１９９０、国際応用磁気学会講
演概要集ＦＡ−ｏ１（１９９０）参照〕も見られ、現状
より更に１〜３桁記録密度を向上できるとの期待が高ま
っている。これらは垂直磁化による短波長域での減磁か
らの解放により得られる特性である。

垂直磁化膜の代表的なものは、スパッタリング伝や高温
での電子ビーム蒸着伝により形成されたＣｏ−Ｃｒ膜〔
日本応用磁気学会、第６３回研究会資料、参照〕である
が、近年、耐久性の面でＣ０−０系垂直磁化膜が注目さ
れている〔特開平１−１０９５３１　　号公報、特開平
２−２１６６１０　号公報等参照〕。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、Ｃｏ−０系垂直磁化膜は、短波長記録特
性は優れているものの、長波長域での特性が十分とはぎ
えず、広帯域化して記録再生を行う際の高密度記録媒体
としての周波数特性はＣｏ−Ｃｒ膜に劣り、トライポロ
ジー的にＣｏ−Ｃｒより有利であっても、現天には、ト
ー・タル的に同等以下のまと１りしか得られず改善が期
待されている。本発明は上記した事情に鑑みなされたも
ので、広帯域Ｃ／Ｎと優れた耐久性を兼ね備えた磁気記
録媒体を提供するものである。

課題を解決するだめの手段 上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体は
、Ｃｏ−○又はＣｏ−Ｎｉ−０薄膜を構成する柱状微粒
子が入射角９００からθ　の範囲で、θ１ｌｆｆ は２０〜１０度の範囲であって、かつ４０〜θヨの範囲
の飽和磁束密度が５ｏ○０〜８０００（Ｇ）の範囲にあ
るようにしたものである。

作　　　用 本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、垂直磁
化成分が増大し、短波長域が改善されかつ長波長域での
出力は９０度から４０度までの斜方成分が補うためにバ
ランスのよい周波数特性が得られ、酸化膜がヘッド材料
との凝着を防き摩擦も小さくなり耐久性も兼ね備えるこ
とができるものである。

実施例 以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例について
説明する。第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の
拡大断面図である第１図で、１は、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレン−２゜６−ナフタレート、ポリ
フエニレンザルフフイド。

ポリエーテルサルフオン、ポリエーテルエーテルケトン
、ポリアミド、ポリイミド等の高分子フィルムで、粒状
性塗布を施したものが適している。

又は、ＣＯ−○、又はＣｏ−Ｎｉ−〇薄膜で回転支持体
に沿わせて９０度から蒸着を開始し、θ　で蒸着鳳ｍ 全完了させて得られるものであり、θ１を２０度から１
０度の範囲とし、４０度からθ　の範囲の１端 飽和磁束密度を５０００〜８０００（Ｇ）としたもので
ある。この範囲の最適性を理論的にクリアに説明はでき
ないが、第２図に、天険的に好ましい範囲として存在す
ること金示したように、製造条件にはよらないものであ
る。４０度に臨界がおるのは、斜め蒸着の効果が４５度
以上で明確化することの裏返しであって垂直成分の寄与
が短波長での減磁作用全改善することからきているもの
と推察される。Ｃｏ−Ｎｉ−○に於いて、Ｎ１　　の比
率はＣｏ　に対し、１０〜３０　ｗｔ％の範囲が好まし
い。３は保護潤滑層で、プラズマ重合膜、窒イ譲、愁寵
、閲Ｗの保護膜に、パーフルオロカルボン酸、脂肪酸ア
ミド、パーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を組み合わ
せたものか、潤滑剤のみを配したものが常法で構成され
る。４はフィラーと樹脂又は必要に応じて潤滑剤を含む
バックコート層である。

以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。

厚み９μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に
、高さ１２０人、直径１８０へのＳｔ○２微粒子を４０
ケア／μ２　含むミミズ状隆起層を配して、直径３０乍
　、５０α、１ｍの円筒キャンに沿わせて９０度から０
４１でｃｏ又はＣｏ−Ｎｉを電子ビーム蒸着しく蒸着速
度に平均値で １ｏｏ（人／ＳＬ！ｃ）〜８０ｏＯ（入／５ｅｃ）ノ範
囲でｆ化させた）酸素イオン照射により、飽和磁束密度
を変化させ磁気記録層を形成し、その上にグラフアイＩ
−’（ｉ７ターゲノトにして、　Ａｒ　＋　Ｎ２　ガス
をスパッタリングガスとして用い、高周波マグネトロン
スパッタリング法で、ダイヤモンド状硬質炭素膜を１０
ＯＡ配し、更にその上にパーフルオロポリエーテルオレ
イｌｖ’ｆｃ　４０人配し、ポリエステル樹脂と等重量
の１０００人径のカーボンを含むバックコート層を０．
５μｍ磁気記録層と反対面に配し８ミリ幅の磁気テープ
とした。

比較例は、高周波スパッタリング法で Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｒ；２２ｗｔ％）をスパッタして形成し
た０、２μｍのＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜と、入射角４０度
から１５度の範囲でＣｏ　ｆ電子ビーム蒸着し、その際
、４０度側から酸素、１５度側からＡｒ　　ガスを導入
し、Ｃｏ−０垂直磁化膜を０．２μｍ形成した〔飽和磁
束密度７０００　（Ｇ　）、垂直抗磁力１４００（○ｅ
）］他は実施例と同じ条件でテープ化したものを用いた
。夫々のテープをハイバンド８ミリを改造して、ギャッ
プ長０．１５７１ｍ　のメタルインギャップ型センダス
トヘッドで、ビット長０．１９μｍ　トラックピッチ４
μｍのディジタ／Ｉ／記録を（帯域として１２用使用）
行い広帯域Ｃ／Ｈに対応するエラレイ）１比較計価した
。その結果とテープ要件を表にまとめて示した。

（以　下　余　白） 本発明は、磁性層を基本要件をみたす柱状微粒子全２回
ないし３回重ねた多層型として用いることもできるもの
である。

発明の効果 以上のように本発明によれば、広帯鳳Ｃ７”　Ｎと耐久
性を兼ね備えた高密度磁気記録媒体が得られるといった
すぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図に本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面ニ
ス、第２図は不発明の要件を示す特注線図である。 １・・・・・面分子フィルム　２・・・・Ｃｏ−０又は
Ｃｏ−Ｎｉ−○薄膜、３・　・保護潤滑層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｃｏ−Ｏ又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏ薄膜を構成する柱状微粒子
   が入射角９０゜からθ＿ｍ＿ｉ＿ｎの範囲で、θ＿ｍ＿
   ｉ＿ｎが２０〜１０度の範囲であって、かつ４０度から
   θ＿ｍ＿ｉ＿ｎの範囲の飽和磁束密度が５０００〜８０
   ００（Ｇ）の範囲であることを特徴とする磁気記録媒体
   。