JPS63102042A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS63102042A JPS63102042A JP24780486A JP24780486A JPS63102042A JP S63102042 A JPS63102042 A JP S63102042A JP 24780486 A JP24780486 A JP 24780486A JP 24780486 A JP24780486 A JP 24780486A JP S63102042 A JPS63102042 A JP S63102042A
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- film
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- hydroxide
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/312—Non-condensed aromatic systems, e.g. benzene
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体の製造方
法に関する。
法に関する。
従来の技術
記録の高密度化を目的として、磁気記録媒体の面内磁化
の利用でなく、垂直方向の磁化を用いる垂直磁気記録方
式が開発されている。この記録方式には、基板に垂直方
向に磁化できる媒体が必要で、塗布型ではバリウムフェ
ライト粉を用いたもの〔例えば東芝レビュー、４０巻１
３号、１１０４〜１１０６ （１９８５）） 、薄膜型
では、Ｃｏ −Ｃｘスパ２１・−７ ツタ膜が代表的である〔例えば、アイイーイーイー ト
ランザクションズ オン マグネティクス（ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ ｍａｇｎｅｔｉｃｓ
） Ｖｏｌ。
の利用でなく、垂直方向の磁化を用いる垂直磁気記録方
式が開発されている。この記録方式には、基板に垂直方
向に磁化できる媒体が必要で、塗布型ではバリウムフェ
ライト粉を用いたもの〔例えば東芝レビュー、４０巻１
３号、１１０４〜１１０６ （１９８５）） 、薄膜型
では、Ｃｏ −Ｃｘスパ２１・−７ ツタ膜が代表的である〔例えば、アイイーイーイー ト
ランザクションズ オン マグネティクス（ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ ｍａｇｎｅｔｉｃｓ
） Ｖｏｌ。
ＭＡＧ−１５、１４５６（１９７９）） 。
薄膜型は高密度化に適するものの、現実には摩耗やすり
傷の問題が深刻で、保護膜の開発が盛んである。しかし
ながら保護膜は厚くすると、せっかくの高密度特性が失
われるため実用に近い系を見出すに至っていない。一方
、強磁性薄膜自身の耐久性の良い、酸化物、窒化物で垂
直磁化膜を構成する検討が行われ、磁気特性からみると
、垂直磁化膜となっていることが確認されている〔例え
ばジャーナル オン アプライド フィジックス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
ＶｏＬ６ア。
傷の問題が深刻で、保護膜の開発が盛んである。しかし
ながら保護膜は厚くすると、せっかくの高密度特性が失
われるため実用に近い系を見出すに至っていない。一方
、強磁性薄膜自身の耐久性の良い、酸化物、窒化物で垂
直磁化膜を構成する検討が行われ、磁気特性からみると
、垂直磁化膜となっていることが確認されている〔例え
ばジャーナル オン アプライド フィジックス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
ＶｏＬ６ア。
扁１，４０３４〜４０３６（１９８５））。
Ｃｏ酸化物系の垂直磁化膜の形成は、電子ビーム蒸着法
、スパッタリング法で行えるが、電子ビーム蒸着法では
、電磁変換特性が不十分で、スパッタリング法が期待さ
れている。
、スパッタリング法で行えるが、電子ビーム蒸着法では
、電磁変換特性が不十分で、スパッタリング法が期待さ
れている。
発明が解決しようとする問題点
３ ・ −７
しかしながら、ＣＯ又はＣｏ Ｎ ｉをターゲットとし
て、Ａ ｒ ＋ ０２を放電ガスとしてスパッタリング
して得られる垂直磁化膜は、成膜速度が小さいうえ、特
性もＣｏ −Ｃｒ系に比較して劣り、耐久性をＣｏ −
Ｃｒ膜で向上させるために保護膜としてダイアモンド状
硬質炭素膜を２００人配１たものにくらべ、記録ビット
長が、０．３μｍ以下では信号対雑音比（Ｃ／Ｎ と
記す、）が３ｄＢ以上低いため改善が望まれている。本
発明は上記した事情に鑑み、なされたものでＣＯ又はＣ
ｏ Ｎ ｉの酸化物系の垂直磁化膜でＣ／Ｈの優れたも
のを得ることのできる製造方法を提供するものである。
て、Ａ ｒ ＋ ０２を放電ガスとしてスパッタリング
して得られる垂直磁化膜は、成膜速度が小さいうえ、特
性もＣｏ −Ｃｒ系に比較して劣り、耐久性をＣｏ −
Ｃｒ膜で向上させるために保護膜としてダイアモンド状
硬質炭素膜を２００人配１たものにくらべ、記録ビット
長が、０．３μｍ以下では信号対雑音比（Ｃ／Ｎ と
記す、）が３ｄＢ以上低いため改善が望まれている。本
発明は上記した事情に鑑み、なされたものでＣＯ又はＣ
ｏ Ｎ ｉの酸化物系の垂直磁化膜でＣ／Ｈの優れたも
のを得ることのできる製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した問題点を解
決するため、ＣＯ又はＣｏ Ｎ ｉの水酸化物をターゲ
ットとしてスパッタリング法にて垂直磁化膜を形成する
ものである。
決するため、ＣＯ又はＣｏ Ｎ ｉの水酸化物をターゲ
ットとしてスパッタリング法にて垂直磁化膜を形成する
ものである。
作 用
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、水酸化物がスパッタ中にＨ２ガスを一部生成するため
、垂直方向の結晶配向性を改良し、しかもその作用はタ
ーゲット自身からＨ２ガスが生成されるため、外部より
強制的にＨ２を導入するよりは均一に作用するため、微
視的に磁気特性を均一にするので、ノイズが改良され、
Ｃ／Ｎ が改良されるのと、水酸化物は非磁性である
からマグネトロン磁界の活用でスパッタリングの高速化
ができるのである。
、水酸化物がスパッタ中にＨ２ガスを一部生成するため
、垂直方向の結晶配向性を改良し、しかもその作用はタ
ーゲット自身からＨ２ガスが生成されるため、外部より
強制的にＨ２を導入するよりは均一に作用するため、微
視的に磁気特性を均一にするので、ノイズが改良され、
Ｃ／Ｎ が改良されるのと、水酸化物は非磁性である
からマグネトロン磁界の活用でスパッタリングの高速化
ができるのである。
寸だ得られるＣｏ又はＣｏＮｉの酸化物は、同じく水素
ガスの均一作用によりち密になり、耐久性も改良される
のである。
ガスの均一作用によりち密になり、耐久性も改良される
のである。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。図は本発明の実施のために用いたスパッタリング
装置の要部構成図である。図で１は高分子フィルムで、
ポリエチレンテレフタレート、ポリサルフォン、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリエーテルサルフォン等が適してい
る。２は円筒キャンで、一定の表面温度に保てるよう構
成され、直径３ｏｔＭから１ｍ程度のものが多く用いら
れる。３は送９出し軸、４は巻取り軸、５はターゲット
でＣＯの水酸化物又はＣｏ −Ｎ ｉの水酸化物から成
るもので、６はマグネトロン放電を誘起するだめの磁界
発生器、７は高周波電源、８は真空容器、９はガス導入
ポート、１０は可変り−ク弁、１１は排気孔で真空ポン
プＰへ連結される。
する。図は本発明の実施のために用いたスパッタリング
装置の要部構成図である。図で１は高分子フィルムで、
ポリエチレンテレフタレート、ポリサルフォン、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリエーテルサルフォン等が適してい
る。２は円筒キャンで、一定の表面温度に保てるよう構
成され、直径３ｏｔＭから１ｍ程度のものが多く用いら
れる。３は送９出し軸、４は巻取り軸、５はターゲット
でＣＯの水酸化物又はＣｏ −Ｎ ｉの水酸化物から成
るもので、６はマグネトロン放電を誘起するだめの磁界
発生器、７は高周波電源、８は真空容器、９はガス導入
ポート、１０は可変り−ク弁、１１は排気孔で真空ポン
プＰへ連結される。
１２は高圧導入端子である。
図の装置を用いて、厚み１２μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルム上に垂直磁化膜の形成を行い、ギャッ
プ長０．１６μｍのフェライトヘッドでビット長０．２
５μｍの矩形波を記録し、再生時のＣ／Ｎ を相対比較
した。
タレートフィルム上に垂直磁化膜の形成を行い、ギャッ
プ長０．１６μｍのフェライトヘッドでビット長０．２
５μｍの矩形波を記録し、再生時のＣ／Ｎ を相対比較
した。
実施例は、ＣＯの水酸化物をターゲットとして、１３．
５６ （ＭＨｚ ）の高周波グロー放電を用いテ、ＣＯ
の酸化物とＣＯの混合系の垂直磁化膜を形成した。
５６ （ＭＨｚ ）の高周波グロー放電を用いテ、ＣＯ
の酸化物とＣＯの混合系の垂直磁化膜を形成した。
放電ガスはＨｅで４ Ｘ １０−３（Ｔｏｒｒ ）で３
．３（ＫＷ）投入し、磁界はターゲット表面で１６０（
Ｇ）の磁束密度となるように電流調整した。その結果厚
み０．２μｍの垂直磁化膜が４ｍ１ｍ１ｎで得られた。
．３（ＫＷ）投入し、磁界はターゲット表面で１６０（
Ｇ）の磁束密度となるように電流調整した。その結果厚
み０．２μｍの垂直磁化膜が４ｍ１ｍ１ｎで得られた。
そして磁気特性は、飽和磁束密度が２５０（ｅ、ｍ、ｕ
μ〕で垂直保磁力は６００ （Ｏｅ ）であった。
μ〕で垂直保磁力は６００ （Ｏｅ ）であった。
比較例Ａば、ＣＯをターゲットとし、放電ガスはＡｒ＋
１０％０２ で圧力１×１０ （Ｔｏｒｒ）で１３ 、
５６ （ＭＨｚ ） ４．２ （ＫＷ）を投入し、０．
２μｍのＣｏ−Ｃｏｏ系垂直磁化膜を０．６ｍ／ｍｉｎ
で得たもので、磁気特性は２５５［：ｅ 、ｍ、ｕ／ｃ
ｃ）、６０６ （Ｏｅ）である。
１０％０２ で圧力１×１０ （Ｔｏｒｒ）で１３ 、
５６ （ＭＨｚ ） ４．２ （ＫＷ）を投入し、０．
２μｍのＣｏ−Ｃｏｏ系垂直磁化膜を０．６ｍ／ｍｉｎ
で得たもので、磁気特性は２５５［：ｅ 、ｍ、ｕ／ｃ
ｃ）、６０６ （Ｏｅ）である。
比較例Ｂは、Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０．６ｗｔ％）で垂直
磁化膜を形成したもので、０．２μｍのＣｏ −Ｃｒ膜
は０．５ ｍ ７ｍｍで得たもので、１３ 、５６ （
ＭＨｚ ）４（ＫＷ）、Ａｒガス圧８×１Ｏ−３（Ｔｏ
ｒｒ） の条件とし、得られた磁気特性は２５０（ｅ
ｏｍ、ｕ／ｃｃ）。
磁化膜を形成したもので、０．２μｍのＣｏ −Ｃｒ膜
は０．５ ｍ ７ｍｍで得たもので、１３ 、５６ （
ＭＨｚ ）４（ＫＷ）、Ａｒガス圧８×１Ｏ−３（Ｔｏ
ｒｒ） の条件とし、得られた磁気特性は２５０（ｅ
ｏｍ、ｕ／ｃｃ）。
保磁力６１０（Ｏｅ）である。
保護膜は、ダイアモンド状カーボン膜で構成し、比較例
Ｂが２００人、比較例Ａが１００人、実施例が９ｏへの
厚みのものを比較した。
Ｂが２００人、比較例Ａが１００人、実施例が９ｏへの
厚みのものを比較した。
初期のＣ／Ｎ は比較例Ｂをｏ（ｄＥ）とすると、比較
例Ａが−２，９（ｄＢ）、実施例は＋２．１ （ｄＢ
）であった。
例Ａが−２，９（ｄＢ）、実施例は＋２．１ （ｄＢ
）であった。
７′−７
２４℃１５％ＲＨで３００万パス後のＣ／Ｎは、比較例
Ｂが−１，９（ｄＢ）、比較例Ａが−４，ａ（ｄＢ）。
Ｂが−１，９（ｄＢ）、比較例Ａが−４，ａ（ｄＢ）。
実施例は＋１．５（ｄＢ）であった。
発明の効果
以上のように本発明によればＣ／Ｎ と耐久性の良好
な垂直磁気記録媒体を高速に製造できるといったすぐれ
た効果を奏するものである。
な垂直磁気記録媒体を高速に製造できるといったすぐれ
た効果を奏するものである。
図は本発明を実施するのに用いたスパンタリング装置の
一例の要部構成図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・円筒キ
ャン、５・・・・水酸化物ターゲット。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ−
勘遡ス２レム ２−Ｆ’ｌ箇青丁ン
一例の要部構成図である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・円筒キ
ャン、５・・・・水酸化物ターゲット。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆ−
勘遡ス２レム ２−Ｆ’ｌ箇青丁ン
Claims (1)
- 移動する高分子フィルム上に酸化物垂直磁化膜の形成を
Ｃｏ又はＣｏＮｉの水酸化物をターゲットとしたスパッ
タリングで行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24780486A JPS63102042A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24780486A JPS63102042A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102042A true JPS63102042A (ja) | 1988-05-06 |
Family
ID=17168902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24780486A Pending JPS63102042A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102042A (ja) |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP24780486A patent/JPS63102042A/ja active Pending
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