JPH11328652A - 磁気記録媒体及びその製造法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造法Info
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- JPH11328652A JPH11328652A JP7679899A JP7679899A JPH11328652A JP H11328652 A JPH11328652 A JP H11328652A JP 7679899 A JP7679899 A JP 7679899A JP 7679899 A JP7679899 A JP 7679899A JP H11328652 A JPH11328652 A JP H11328652A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より高い保磁力とより大きな飽和磁化とを有
しているとともに、ノイズが少なく、高周波領域におけ
る出力が大きく、再生波形の歪みの無いコバルト含有マ
グヘマイト磁性薄膜を基体の材質に制約されることがな
く、工業的、経済的に有利に得る。 【解決手段】 プラスチック基体と該プラスチック基体
上に形成されるコバルト含有マグヘマイト薄膜とからな
る磁気記録媒体において、上記基体と上記コバルト含有
マグヘマイト薄膜との間にニッケル酸化物下地膜を形成
するとともに、上記コバルト含有マグヘマイト薄膜が
（３１１）面における面間隔が２．５１０Å以下、（２
２２）面における面間隔が２．４１５Å以下又は（２２
０）面における面間隔が２．９５０Å以下のいずれかに
該当する面間隔を有しており、且つ、上記（３１１）
面、上記（２２２）面及び上記（２２０）面の各面にお
けるＸ線回折パターンのピーク強度値のいずれかが（４
００）面におけるＸ線回折パターンのピーク強度値に対
し０．５を越えることを特徴とする磁気記録媒体。
しているとともに、ノイズが少なく、高周波領域におけ
る出力が大きく、再生波形の歪みの無いコバルト含有マ
グヘマイト磁性薄膜を基体の材質に制約されることがな
く、工業的、経済的に有利に得る。 【解決手段】 プラスチック基体と該プラスチック基体
上に形成されるコバルト含有マグヘマイト薄膜とからな
る磁気記録媒体において、上記基体と上記コバルト含有
マグヘマイト薄膜との間にニッケル酸化物下地膜を形成
するとともに、上記コバルト含有マグヘマイト薄膜が
（３１１）面における面間隔が２．５１０Å以下、（２
２２）面における面間隔が２．４１５Å以下又は（２２
０）面における面間隔が２．９５０Å以下のいずれかに
該当する面間隔を有しており、且つ、上記（３１１）
面、上記（２２２）面及び上記（２２０）面の各面にお
けるＸ線回折パターンのピーク強度値のいずれかが（４
００）面におけるＸ線回折パターンのピーク強度値に対
し０．５を越えることを特徴とする磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リング型磁気ヘッドを
使用している現行の磁気記録システムに好適であって、
且つ、プラスチック基体の使用が可能な高密度記録用磁
気記録媒体を提供するものであり、詳しくは、より高い
保磁力とより高い飽和磁化とを有しているとともに、ノ
イズが少なく、高周波領域における出力が大きく、再生
波形の歪みが無い磁気記録媒体及び該磁気記録媒体を工
業的、経済的に有利に得るための製造法に関する。
使用している現行の磁気記録システムに好適であって、
且つ、プラスチック基体の使用が可能な高密度記録用磁
気記録媒体を提供するものであり、詳しくは、より高い
保磁力とより高い飽和磁化とを有しているとともに、ノ
イズが少なく、高周波領域における出力が大きく、再生
波形の歪みが無い磁気記録媒体及び該磁気記録媒体を工
業的、経済的に有利に得るための製造法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、ハードディスクなどの磁気記録装置
においては、情報機器やシステムの小型化と高信頼性化
の傾向が顕著であり、大容量のデータを取り扱うために
は、高密度記録化できる磁気記録媒体を必要とし、その
要求が益々高まってきている。
においては、情報機器やシステムの小型化と高信頼性化
の傾向が顕著であり、大容量のデータを取り扱うために
は、高密度記録化できる磁気記録媒体を必要とし、その
要求が益々高まってきている。
【０００３】このような特性を満たす磁気記録媒体とし
ては、できるだけ高い保磁力と高い飽和磁化とを有して
いることが強く要求される。
ては、できるだけ高い保磁力と高い飽和磁化とを有して
いることが強く要求される。
【０００４】高い保磁力と高い飽和磁化とを有する磁気
記録媒体として基体と該基体上に形成された磁性薄膜と
からなる磁気記録媒体が広く知られている。
記録媒体として基体と該基体上に形成された磁性薄膜と
からなる磁気記録媒体が広く知られている。
【０００５】実用化されている磁性薄膜としては、大別
してマグヘマイト等の酸化物磁性薄膜（社団法人電子通
信学会発行、「電子通信学会技術報告」、（１９８１
年）ＭＲ８１−２０、５〜１２頁）とＣｏＣｒ合金等の
合金薄膜とがある。
してマグヘマイト等の酸化物磁性薄膜（社団法人電子通
信学会発行、「電子通信学会技術報告」、（１９８１
年）ＭＲ８１−２０、５〜１２頁）とＣｏＣｒ合金等の
合金薄膜とがある。
【０００６】前者は、酸化物であるため耐酸化性や耐食
性に優れており、その結果、経時安定性に優れ、経時に
よる磁気特性の変化が小さいという特徴を有するが、保
磁力は高々７００Ｏｅ程度と低く、飽和磁化値は高々２
４０ｅｍｕ／ｃｍ3程度と小さいものであった。
性に優れており、その結果、経時安定性に優れ、経時に
よる磁気特性の変化が小さいという特徴を有するが、保
磁力は高々７００Ｏｅ程度と低く、飽和磁化値は高々２
４０ｅｍｕ／ｃｍ3程度と小さいものであった。
【０００７】後者は、２０００Ｏｅ程度以上の高い保磁
力と３００ｅｍｕ／ｃｍ3程度以上の大きい飽和磁化値
とを有しているという特徴を有するが、材料自体は酸化
しやすく、その結果、経時安定性が悪いものである。
力と３００ｅｍｕ／ｃｍ3程度以上の大きい飽和磁化値
とを有しているという特徴を有するが、材料自体は酸化
しやすく、その結果、経時安定性が悪いものである。
【０００８】この酸化による磁気特性の劣化を防ぐため
合金薄膜は、通常１００〜２００Å程度の厚みのカーボ
ン膜等が保護膜として表面にコーティングされており、
その結果、カーボン膜の厚み分だけ、磁気的なスペーシ
ング（磁気ヘッドと磁気記録層との距離）ロスが大きく
なり、高密度記録用として適さなくなる。
合金薄膜は、通常１００〜２００Å程度の厚みのカーボ
ン膜等が保護膜として表面にコーティングされており、
その結果、カーボン膜の厚み分だけ、磁気的なスペーシ
ング（磁気ヘッドと磁気記録層との距離）ロスが大きく
なり、高密度記録用として適さなくなる。
【０００９】そこで、耐酸化性や耐食性が優れていると
ともに、経時安定性に優れている前記酸化物磁性薄膜の
保磁力と飽和磁化値を向上させるために前記マグヘマイ
ト薄膜にコバルト等を含有させることが行われ、実用化
されている（特公昭５１−４０８６号、特公平５−６３
９２５号、社団法人日本セラミックス協会発行「セラミ
ックス」（１９８６年）第２４巻、第１号、第２１〜２
４頁 等）。また、膜面に垂直な方向に磁化するため減
磁作用がなく、高密度記録が可能である（４００）面が
基体の表面に平行に優先配向させた、所謂、垂直磁化膜
としての開発も盛んに行われている（特公平７−６０７
６８号公報、特開平７−３０７０２２号公報）。
ともに、経時安定性に優れている前記酸化物磁性薄膜の
保磁力と飽和磁化値を向上させるために前記マグヘマイ
ト薄膜にコバルト等を含有させることが行われ、実用化
されている（特公昭５１−４０８６号、特公平５−６３
９２５号、社団法人日本セラミックス協会発行「セラミ
ックス」（１９８６年）第２４巻、第１号、第２１〜２
４頁 等）。また、膜面に垂直な方向に磁化するため減
磁作用がなく、高密度記録が可能である（４００）面が
基体の表面に平行に優先配向させた、所謂、垂直磁化膜
としての開発も盛んに行われている（特公平７−６０７
６８号公報、特開平７−３０７０２２号公報）。
【００１０】上記コバルトを含有しているマグヘマイト
磁性薄膜は、コバルト量の増加にともなって保磁力が高
くなるが、一方、コバルト量の増加にともなって熱など
の影響により経時安定性が悪くなるという傾向がある。
磁性薄膜は、コバルト量の増加にともなって保磁力が高
くなるが、一方、コバルト量の増加にともなって熱など
の影響により経時安定性が悪くなるという傾向がある。
【００１１】上記垂直磁化膜は、現在広く普及している
リング型磁気ヘッドを使用している現行の磁気記録シス
テムを用いて再生した場合、孤立再生波形が歪む、所
謂、ダイパルスと呼ばれる再生波形の形状を示すため、
特別な信号処理を行う必要がある。
リング型磁気ヘッドを使用している現行の磁気記録シス
テムを用いて再生した場合、孤立再生波形が歪む、所
謂、ダイパルスと呼ばれる再生波形の形状を示すため、
特別な信号処理を行う必要がある。
【００１２】この特別な信号処理を避けるためには、垂
直磁気記録システムに用いられている単磁極ヘッドを用
いればよいが、この垂直磁気記録システムは一般に普及
していないため、単磁極ヘッドは非常に高価である。
直磁気記録システムに用いられている単磁極ヘッドを用
いればよいが、この垂直磁気記録システムは一般に普及
していないため、単磁極ヘッドは非常に高価である。
【００１３】リング型磁気ヘッドを使用している現行の
磁気記録システムに好適である高密度記録用磁気記録媒
体は、現在、強く要求されているところであり、上述し
た各種媒体の開発が盛んである。その中で耐酸化性や耐
食性に優れている酸化物磁性薄膜は最も有望視されてお
り、その特性向上が益々強く要求されている。
磁気記録システムに好適である高密度記録用磁気記録媒
体は、現在、強く要求されているところであり、上述し
た各種媒体の開発が盛んである。その中で耐酸化性や耐
食性に優れている酸化物磁性薄膜は最も有望視されてお
り、その特性向上が益々強く要求されている。
【００１４】即ち、コバルト含有マグヘマイト薄膜は、
前述した通り、より高い保磁力とより高い飽和磁化とが
強く要求されるとともに、ノイズが少なく、高周波領域
における出力が大きく、孤立再生波形の歪みの無いこと
が強く要求されている。
前述した通り、より高い保磁力とより高い飽和磁化とが
強く要求されるとともに、ノイズが少なく、高周波領域
における出力が大きく、孤立再生波形の歪みの無いこと
が強く要求されている。
【００１５】ところで、コバルト含有マグヘマイト薄膜
は、基体上にスパッタ法等により形成されるが、一般に
その製造工程において３００℃程度以上の高温を必要と
するため、３００℃以上の高温に耐えるアルミニウム、
アルミニウム合金のディスクなどしか使用できないとい
う問題があった。製造工程上、３００℃以上の高温が必
要であるということは、工業的、経済的に有利に製造す
ることが困難な要因でもあった。
は、基体上にスパッタ法等により形成されるが、一般に
その製造工程において３００℃程度以上の高温を必要と
するため、３００℃以上の高温に耐えるアルミニウム、
アルミニウム合金のディスクなどしか使用できないとい
う問題があった。製造工程上、３００℃以上の高温が必
要であるということは、工業的、経済的に有利に製造す
ることが困難な要因でもあった。
【００１６】従来、コバルト含有マグヘマイト薄膜の製
造法としては、基体上にＦｅとＣｏの合金をターゲッ
トとしてアルゴンと酸素との混合雰囲気中でスパッタを
行うことにより、ヘマタイト薄膜を形成し、該ヘマタイ
ト薄膜を水素雰囲気下、２３０〜３２０℃の高温で還元
してコバルト含有マグネタイト薄膜に変態した後、該コ
バルト含有マグネタイト薄膜を２９０〜３３０℃で酸化
する方法、基体上に、コバルトを含有しているマグネ
タイト焼結体をターゲットとしてスパッタを行うことに
よりコバルト含有マグネタイト薄膜を形成し、該コバル
ト含有マグネタイト薄膜を３２０℃以上の高温で酸化す
る方法。鉄及びＭ（Ｍ：Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂのうちのいずれか１種の元素でＸは
０．０１〜０．１）を含有する金属キレート、金属カー
ボニル又はフェロセン類の蒸気と酸素ガスを磁場を印加
することにより高密度化した減圧プラズマ中で分解さ
せ、基体上に直接コバルト含有マグヘマイト薄膜を形成
する方法（特開平３−７８１１４号）等により製造され
る。
造法としては、基体上にＦｅとＣｏの合金をターゲッ
トとしてアルゴンと酸素との混合雰囲気中でスパッタを
行うことにより、ヘマタイト薄膜を形成し、該ヘマタイ
ト薄膜を水素雰囲気下、２３０〜３２０℃の高温で還元
してコバルト含有マグネタイト薄膜に変態した後、該コ
バルト含有マグネタイト薄膜を２９０〜３３０℃で酸化
する方法、基体上に、コバルトを含有しているマグネ
タイト焼結体をターゲットとしてスパッタを行うことに
よりコバルト含有マグネタイト薄膜を形成し、該コバル
ト含有マグネタイト薄膜を３２０℃以上の高温で酸化す
る方法。鉄及びＭ（Ｍ：Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏ
ｓ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂのうちのいずれか１種の元素でＸは
０．０１〜０．１）を含有する金属キレート、金属カー
ボニル又はフェロセン類の蒸気と酸素ガスを磁場を印加
することにより高密度化した減圧プラズマ中で分解さ
せ、基体上に直接コバルト含有マグヘマイト薄膜を形成
する方法（特開平３−７８１１４号）等により製造され
る。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】リング型磁気ヘッドを
使用している現行の磁気記録システムに好適である高密
度記録用磁気記録媒体として、より高い保磁力とより高
い飽和磁化とを有しているとともに、ノイズが少なく、
高周波領域における出力が大きく、孤立再生波形の歪み
の無い磁気記録媒体を基体の材質等に制約されることが
なく、工業的、経済的に有利に得ることは、現在最も要
求されているところであるが、このような諸特性を有す
る磁気記録媒体は未だ得られていない。
使用している現行の磁気記録システムに好適である高密
度記録用磁気記録媒体として、より高い保磁力とより高
い飽和磁化とを有しているとともに、ノイズが少なく、
高周波領域における出力が大きく、孤立再生波形の歪み
の無い磁気記録媒体を基体の材質等に制約されることが
なく、工業的、経済的に有利に得ることは、現在最も要
求されているところであるが、このような諸特性を有す
る磁気記録媒体は未だ得られていない。
【００１８】即ち、前出公知のコバルト含有マグヘマイ
ト薄膜は、磁気特性、殊に、保磁力が未だ高いものとは
言えず、高い保磁力、殊に、２０００Ｏｅ以上を得よう
とすれば、コバルトを多量に含有させる必要があり、こ
の場合には熱などの影響による経時変化が大きいものと
なってしまう。更に、高周波領域における出力が未だ十
分大きいものとは言えないという問題がある。
ト薄膜は、磁気特性、殊に、保磁力が未だ高いものとは
言えず、高い保磁力、殊に、２０００Ｏｅ以上を得よう
とすれば、コバルトを多量に含有させる必要があり、こ
の場合には熱などの影響による経時変化が大きいものと
なってしまう。更に、高周波領域における出力が未だ十
分大きいものとは言えないという問題がある。
【００１９】前出公知の酸化物垂直磁化膜は、前述した
通り、孤立再生波形が歪むため、リング型磁気ヘッドを
使用している現行の磁気記録システムには使用できな
い。前出及びのコバルト含有マグヘマイト薄膜の製
造法は、２９０℃以上の高温を必要とする為、基体の材
質が制約され、工業的、経済的に有利とは言えない。前
出のコバルト含有マグヘマイト薄膜の製造法は、５０
℃程度の基板温度でマグヘマイト薄膜を形成することが
できるため、耐熱性のないポリエステル、ポリスチレン
テレフタレート、ポリアミド等のプラスチック基体を用
いることができるが得られる磁気記録媒体の保磁力値は
高々１７００Ｏｅ程度である。
通り、孤立再生波形が歪むため、リング型磁気ヘッドを
使用している現行の磁気記録システムには使用できな
い。前出及びのコバルト含有マグヘマイト薄膜の製
造法は、２９０℃以上の高温を必要とする為、基体の材
質が制約され、工業的、経済的に有利とは言えない。前
出のコバルト含有マグヘマイト薄膜の製造法は、５０
℃程度の基板温度でマグヘマイト薄膜を形成することが
できるため、耐熱性のないポリエステル、ポリスチレン
テレフタレート、ポリアミド等のプラスチック基体を用
いることができるが得られる磁気記録媒体の保磁力値は
高々１７００Ｏｅ程度である。
【００２０】そこで、本発明は、できるだけ少ないコバ
ルト含有量で、より高い保磁力とより高い飽和磁化とを
有しているとともに、ノイズが少なく、高周波領域にお
ける出力が大きく、再生波形の歪みの無いコバルト含有
マグヘマイト磁性薄膜を基体の材質に制約されることが
なく、工業的、経済的に有利に得ることを技術的課題と
する。
ルト含有量で、より高い保磁力とより高い飽和磁化とを
有しているとともに、ノイズが少なく、高周波領域にお
ける出力が大きく、再生波形の歪みの無いコバルト含有
マグヘマイト磁性薄膜を基体の材質に制約されることが
なく、工業的、経済的に有利に得ることを技術的課題と
する。
【００２１】
【課題を解決する為の手段】前記技術的課題は、次の通
りの本発明によって達成できる。
りの本発明によって達成できる。
【００２２】即ち、本発明は、プラスチック基体と該プ
ラスチック基体上に形成されるコバルト含有マグヘマイ
ト薄膜とからなる磁気記録媒体において、上記基体と上
記コバルト含有マグヘマイト薄膜との間にニッケル酸化
物下地膜を形成するとともに、上記コバルト含有マグヘ
マイト薄膜の（３１１）面における面間隔が２．５１０
Å以下、（２２２）面における面間隔が２．４１５Å以
下又は（２２０）面における面間隔が２．９５０Å以下
のいずれかに該当する面間隔を有しており、且つ、上記
（３１１）面、上記（２２２）面及び上記（２２０）面
の各面におけるＸ線回折パターンのピーク強度値（それ
ぞれＩ(311)，Ｉ(222)，Ｉ(220)）のいずれかが（４０
０）面におけるＸ線回折パターンのピーク強度値（Ｉ
(400)）に対し０．５を越えることを特徴とする磁気記
録媒体である。
ラスチック基体上に形成されるコバルト含有マグヘマイ
ト薄膜とからなる磁気記録媒体において、上記基体と上
記コバルト含有マグヘマイト薄膜との間にニッケル酸化
物下地膜を形成するとともに、上記コバルト含有マグヘ
マイト薄膜の（３１１）面における面間隔が２．５１０
Å以下、（２２２）面における面間隔が２．４１５Å以
下又は（２２０）面における面間隔が２．９５０Å以下
のいずれかに該当する面間隔を有しており、且つ、上記
（３１１）面、上記（２２２）面及び上記（２２０）面
の各面におけるＸ線回折パターンのピーク強度値（それ
ぞれＩ(311)，Ｉ(222)，Ｉ(220)）のいずれかが（４０
０）面におけるＸ線回折パターンのピーク強度値（Ｉ
(400)）に対し０．５を越えることを特徴とする磁気記
録媒体である。
【００２３】また、本発明は、ニッケル酸化物下地膜の
（１１１）面におけるＸ線回折スペクトルのピーク強度
値（Ｉ(111)）が（２００）面におけるＸ線回折スペク
トルのピーク強度値（Ｉ(200)）に対し０．５を越える
ことを特徴とする前記磁気記録媒体である。また、本発
明は、プラスチック基体上に、反応スパッタ法により、
ニッケル酸化物下地膜を形成し、次いで該ニッケル酸化
物下地膜上にコバルトを含む鉄を主成分とする合金をタ
ーゲットとして用い、酸素及び希ガスの混合ガス雰囲気
中、２４０℃以下の基体温度において、反応スパッタす
ることにより、コバルト含有マグネタイト薄膜を形成
し、次いで、希ガス含むプラズマ活性化された酸素雰囲
気中、２４０℃以下の基体温度で上記コバルト含有マグ
ネタイト薄膜を酸化してコバルト含有マグヘマイト薄膜
とすることを特徴とする上記記載の磁気記録媒体の製造
法である。
（１１１）面におけるＸ線回折スペクトルのピーク強度
値（Ｉ(111)）が（２００）面におけるＸ線回折スペク
トルのピーク強度値（Ｉ(200)）に対し０．５を越える
ことを特徴とする前記磁気記録媒体である。また、本発
明は、プラスチック基体上に、反応スパッタ法により、
ニッケル酸化物下地膜を形成し、次いで該ニッケル酸化
物下地膜上にコバルトを含む鉄を主成分とする合金をタ
ーゲットとして用い、酸素及び希ガスの混合ガス雰囲気
中、２４０℃以下の基体温度において、反応スパッタす
ることにより、コバルト含有マグネタイト薄膜を形成
し、次いで、希ガス含むプラズマ活性化された酸素雰囲
気中、２４０℃以下の基体温度で上記コバルト含有マグ
ネタイト薄膜を酸化してコバルト含有マグヘマイト薄膜
とすることを特徴とする上記記載の磁気記録媒体の製造
法である。
【００２４】本発明の構成をより詳しく説明すれば、次
の通りである。
の通りである。
【００２５】先ず、本発明に係る磁気記録媒体について
述べる。
述べる。
【００２６】本発明に係る磁気記録媒体は、基体と該基
体上に形成されるニッケル酸化物下地膜と該下地膜上に
形成されているコバルト含有マグヘマイト薄膜とからな
る。
体上に形成されるニッケル酸化物下地膜と該下地膜上に
形成されているコバルト含有マグヘマイト薄膜とからな
る。
【００２７】本発明におけるプラスチック基体は、熱変
形温度が２４０℃以下の樹脂であり、一般的に耐熱性樹
脂と呼ばれているポリイミド、ポリサルホン、ポリアリ
レート、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ−ｐ−ビニル
フェノール樹脂（ＰＶＰポリマー）などの他、ポリアミ
ド、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリホルムアルデヒド
（ｄｕ ｐｏｎｔ社「デルリン」など）、ポリ四フッ化
エチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリスチレン、
メタクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）などがある。
尚、熱変形温度とはＡＳＴＭ Ｄ−６４８などに従って
測定された温度である。
形温度が２４０℃以下の樹脂であり、一般的に耐熱性樹
脂と呼ばれているポリイミド、ポリサルホン、ポリアリ
レート、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエ
ーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ−ｐ−ビニル
フェノール樹脂（ＰＶＰポリマー）などの他、ポリアミ
ド、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリホルムアルデヒド
（ｄｕ ｐｏｎｔ社「デルリン」など）、ポリ四フッ化
エチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリスチレン、
メタクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）などがある。
尚、熱変形温度とはＡＳＴＭ Ｄ−６４８などに従って
測定された温度である。
【００２８】本発明におけるニッケル酸化物下地膜の厚
みは５〜１０００ｎｍ程度であり、好ましくは７〜５０
０ｎｍ、より好ましくは７〜３００ｎｍである。厚みが
５ｎｍ未満の場合には、本発明の目的とする保磁力がよ
り大きい磁気記録媒体を得ることが困難である。厚みが
１０００ｎｍを超える場合には、ニッケル酸化物下地膜
の上に形成されたコバルト含有マグヘマイト薄膜の粒径
が大きくなり、得られた磁気記録媒体のノイズが増加し
やすくなる。
みは５〜１０００ｎｍ程度であり、好ましくは７〜５０
０ｎｍ、より好ましくは７〜３００ｎｍである。厚みが
５ｎｍ未満の場合には、本発明の目的とする保磁力がよ
り大きい磁気記録媒体を得ることが困難である。厚みが
１０００ｎｍを超える場合には、ニッケル酸化物下地膜
の上に形成されたコバルト含有マグヘマイト薄膜の粒径
が大きくなり、得られた磁気記録媒体のノイズが増加し
やすくなる。
【００２９】本発明におけるニッケル酸化物下地膜は基
体平行方向の（２００）面の配向ができるだけ小さく、
殊に無配向の場合が好ましい。（２００）面の配向が大
きくなるとコバルト含有マグヘマイト薄膜の（４００）
面が成長し、ダイパルス比が大きくなることがあるの
で、ダイパルス比を考慮すれば、（１１１）面における
Ｘ線回折パターンのピーク強度値（以下、Ｉ(111)とす
る。）が（２００）面におけるＸ線回折パターンのピー
ク強度値（以下、Ｉ(200)とする。）に対し０．５を越
えていることが好ましく、１．０以上がより好ましい。
体平行方向の（２００）面の配向ができるだけ小さく、
殊に無配向の場合が好ましい。（２００）面の配向が大
きくなるとコバルト含有マグヘマイト薄膜の（４００）
面が成長し、ダイパルス比が大きくなることがあるの
で、ダイパルス比を考慮すれば、（１１１）面における
Ｘ線回折パターンのピーク強度値（以下、Ｉ(111)とす
る。）が（２００）面におけるＸ線回折パターンのピー
ク強度値（以下、Ｉ(200)とする。）に対し０．５を越
えていることが好ましく、１．０以上がより好ましい。
【００３０】本発明における磁性薄膜は、厚みが５〜１
０００ｎｍのコバルト含有マグヘマイト薄膜であり、好
ましくは７〜５００ｎｍ、より好ましくは７〜２００ｎ
ｍである。膜厚が５ｎｍ未満の場合には、例えば２００
０Ｏｅ以上の保磁力値を有する磁気記録媒体が得られ難
い。１０００ｎｍを越える場合には信号を記録した際に
磁性層の深層部まで均一な磁化状態になり難く、良好な
記録再生特性が得られ難い。。
０００ｎｍのコバルト含有マグヘマイト薄膜であり、好
ましくは７〜５００ｎｍ、より好ましくは７〜２００ｎ
ｍである。膜厚が５ｎｍ未満の場合には、例えば２００
０Ｏｅ以上の保磁力値を有する磁気記録媒体が得られ難
い。１０００ｎｍを越える場合には信号を記録した際に
磁性層の深層部まで均一な磁化状態になり難く、良好な
記録再生特性が得られ難い。。
【００３１】マグヘマイトは、一般式γ−Ｆｅ2Ｏ3で示
されるが、本発明においては若干のＦｅ2+を含むもので
あってもよい。
されるが、本発明においては若干のＦｅ2+を含むもので
あってもよい。
【００３２】コバルト量はＦｅに対してモル比で０．０
１：１〜０．１：１が好ましく、より好ましくは０．０
３：１〜０．０６：１である。０．０１：１未満の場合
には、２０００Ｏｅ以上のより高い保磁力を有する磁気
記録媒体が得られ難い。０．１：１を越える場合には、
経時安定性に優れた磁気記録媒体が得られ難くなる。
１：１〜０．１：１が好ましく、より好ましくは０．０
３：１〜０．０６：１である。０．０１：１未満の場合
には、２０００Ｏｅ以上のより高い保磁力を有する磁気
記録媒体が得られ難い。０．１：１を越える場合には、
経時安定性に優れた磁気記録媒体が得られ難くなる。
【００３３】なお、コバルト含有マグヘマイト磁性薄膜
の諸特性向上のために通常使用されることがある周知の
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ等を必要により、Ｆｅに
対しモル比で０．００５：１〜０．０４：１程度含有さ
せてもよく、この場合にも、本発明の目的とする効果と
同一の効果を得ることができる。
の諸特性向上のために通常使用されることがある周知の
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｎ等を必要により、Ｆｅに
対しモル比で０．００５：１〜０．０４：１程度含有さ
せてもよく、この場合にも、本発明の目的とする効果と
同一の効果を得ることができる。
【００３４】コバルト含有マグヘマイト薄膜は、（３１
１）面における面間隔が２．５１０Å以下、（２２２）
面における面間隔が２．４１５Å以下又は（２２０）面
における面間隔が２．９５０Å以下のいずれかに該当す
る面間隔を有している。
１）面における面間隔が２．５１０Å以下、（２２２）
面における面間隔が２．４１５Å以下又は（２２０）面
における面間隔が２．９５０Å以下のいずれかに該当す
る面間隔を有している。
【００３５】少なくともいずれか一つの面間隔が該当す
れば、他の二つの面間隔が該当していなくてもよい。
れば、他の二つの面間隔が該当していなくてもよい。
【００３６】（３１１）面、（２２２）面及び（２２
０）面のいずれの面間隔にも該当しない場合には、より
高い保磁力を有する磁気記録媒体を得ることができな
い。また、ノイズが多くなり、高周波領域における出力
が十分大きいものとは言い難い。
０）面のいずれの面間隔にも該当しない場合には、より
高い保磁力を有する磁気記録媒体を得ることができな
い。また、ノイズが多くなり、高周波領域における出力
が十分大きいものとは言い難い。
【００３７】（３１１）面、（２２２）面及び（２２
０）面における面間隔とコバルト含有マグヘマト薄膜の
保磁力との間には密接な関係があり、Ｆｅに対するＣｏ
のモル比が同じ場合には、面間隔が小さくなる程、保磁
力が大きくなる傾向がある。
０）面における面間隔とコバルト含有マグヘマト薄膜の
保磁力との間には密接な関係があり、Ｆｅに対するＣｏ
のモル比が同じ場合には、面間隔が小さくなる程、保磁
力が大きくなる傾向がある。
【００３８】（３１１）面における面間隔は、好ましく
は２．５０９Å以下、より好ましくは２．５０６Å以下
である。その下限値は２．４９０Åである。
は２．５０９Å以下、より好ましくは２．５０６Å以下
である。その下限値は２．４９０Åである。
【００３９】（２２２）面における面間隔は、好ましく
は２．４００Å以下、より好ましくは２．３９８Å以下
である。その下限値は２．３８５Åである。
は２．４００Å以下、より好ましくは２．３９８Å以下
である。その下限値は２．３８５Åである。
【００４０】（２２０）面における面間隔は、好ましく
は２．９４３Å以下、より好ましくは２．９４０Å以下
である。その下限値は２．９２０Åである。
は２．９４３Å以下、より好ましくは２．９４０Å以下
である。その下限値は２．９２０Åである。
【００４１】本発明におけるコバルト含有マグヘマイト
薄膜は、（３１１）面、（２２２）面及び（２２０）面
の各面におけるＸ線回折パターンのピーク強度値（以
下、それぞれＩ(311)，Ｉ(222)，Ｉ(220)とする。）の
いずれかが（４００）面におけるＸ線回折パターンのピ
ーク強度値（以下、Ｉ(400)とする。）に対し０．５を
越えている。０．５以下である場合には、目的とするリ
ング型磁気ヘッドを使用している現行の磁気記録システ
ムに好適である高密度記録用磁気記録媒体を得ることが
できない。
薄膜は、（３１１）面、（２２２）面及び（２２０）面
の各面におけるＸ線回折パターンのピーク強度値（以
下、それぞれＩ(311)，Ｉ(222)，Ｉ(220)とする。）の
いずれかが（４００）面におけるＸ線回折パターンのピ
ーク強度値（以下、Ｉ(400)とする。）に対し０．５を
越えている。０．５以下である場合には、目的とするリ
ング型磁気ヘッドを使用している現行の磁気記録システ
ムに好適である高密度記録用磁気記録媒体を得ることが
できない。
【００４２】本発明に係る磁気記録媒体は、飽和磁化値
（印加磁界１５ＫＯｅにおける磁化の値）が２３０〜４
００ｅｍｕ／ｃｍ3、好ましくは２４０〜４００ｅｍｕ
／ｃｍ3、より好ましくは２５０〜４００ｅｍｕ／ｃｍ3
であって、保磁力値が２０００Ｏｅ以上、好ましくは２
２００Ｏｅ以上である。その上限値は１００００Ｏｅで
ある。尚、本発明における磁気記録媒体の保磁力の上限
値は、後出の「振動試料型磁力計ＶＳＭ」で測定できる
保磁力の測定限界である印加磁界１５ｋＯｅで測定した
値で示したものである。
（印加磁界１５ＫＯｅにおける磁化の値）が２３０〜４
００ｅｍｕ／ｃｍ3、好ましくは２４０〜４００ｅｍｕ
／ｃｍ3、より好ましくは２５０〜４００ｅｍｕ／ｃｍ3
であって、保磁力値が２０００Ｏｅ以上、好ましくは２
２００Ｏｅ以上である。その上限値は１００００Ｏｅで
ある。尚、本発明における磁気記録媒体の保磁力の上限
値は、後出の「振動試料型磁力計ＶＳＭ」で測定できる
保磁力の測定限界である印加磁界１５ｋＯｅで測定した
値で示したものである。
【００４３】そして、本発明に係る磁気記録媒体は、電
磁変換特性Ｓp-p／Ｎrmsが３５ｄＢ以上、好ましくは４
０ｄＢ以上、より好ましくは４５ｄＢ以上が得られてい
る。その上限値は６０ｄＢである。そして、記録密度１
ｋＦＲＰＩ（ｆｌｕｘ ｒｅｖｅｒｓａｌｓ ｐｅｒ
ｉｎｃｈ）における出力値に対して出力値が半分になる
記録密度が１００ｋＦＲＰＩ以上、好ましくは１２０ｋ
ＦＲＰＩ以上、より好ましくは１３０ｋＦＲＰＩ以上で
ある。その上限値は２００ｋＦＲＰＩである。そして、
後出図１に示す通り、ダイパルス比は０である。
磁変換特性Ｓp-p／Ｎrmsが３５ｄＢ以上、好ましくは４
０ｄＢ以上、より好ましくは４５ｄＢ以上が得られてい
る。その上限値は６０ｄＢである。そして、記録密度１
ｋＦＲＰＩ（ｆｌｕｘ ｒｅｖｅｒｓａｌｓ ｐｅｒ
ｉｎｃｈ）における出力値に対して出力値が半分になる
記録密度が１００ｋＦＲＰＩ以上、好ましくは１２０ｋ
ＦＲＰＩ以上、より好ましくは１３０ｋＦＲＰＩ以上で
ある。その上限値は２００ｋＦＲＰＩである。そして、
後出図１に示す通り、ダイパルス比は０である。
【００４４】次に、本発明に係る磁気記録媒体の製造法
について述べる。
について述べる。
【００４５】本発明に係る磁気記録媒体は、表面にニッ
ケル酸化物下地膜を形成したプラスチック基体を用い、
該ニッケル酸化物下地膜の上に、Ｃｏを含むＦｅの合金
をターゲットを用いて酸素及び希ガスの混合ガスを導入
しながらコバルト含有マグネタイトを生成・堆積させ
る、所謂、スパッタ法により、上記酸素流量（ＣＣＭ）
と上記コバルト含有マグネタイトの堆積速度（ｎｍ／
分）とを制御しながら、コバルト含有マグネタイト薄膜
を形成し、次いで、該コバルト含有マグネタイト薄膜を
酸化して、コバルト含有マグヘマイト薄膜に変化させる
ことにより得ることができる。
ケル酸化物下地膜を形成したプラスチック基体を用い、
該ニッケル酸化物下地膜の上に、Ｃｏを含むＦｅの合金
をターゲットを用いて酸素及び希ガスの混合ガスを導入
しながらコバルト含有マグネタイトを生成・堆積させ
る、所謂、スパッタ法により、上記酸素流量（ＣＣＭ）
と上記コバルト含有マグネタイトの堆積速度（ｎｍ／
分）とを制御しながら、コバルト含有マグネタイト薄膜
を形成し、次いで、該コバルト含有マグネタイト薄膜を
酸化して、コバルト含有マグヘマイト薄膜に変化させる
ことにより得ることができる。
【００４６】本発明の目的とする磁気記録媒体を得るた
めには、上記コバルト含有マグネタイトの堆積速度（ｎ
ｍ／分）に対する混合ガス中の酸素流量（ＣＣＭ）を制
御することが肝要である。
めには、上記コバルト含有マグネタイトの堆積速度（ｎ
ｍ／分）に対する混合ガス中の酸素流量（ＣＣＭ）を制
御することが肝要である。
【００４７】コバルト含有マグネタイトの堆積速度（ｎ
ｍ／分）に対する混合ガス中の酸素流量（ＣＣＭ）は、
Ｃｏを含むＦｅの合金ターゲットを酸化してコバルト含
有マグネタイト薄膜を得るための各種条件、例えば装置
の種類、構造、全ガス圧、基板温度、スパッタリングタ
ーゲット面積等により種々相違する。
ｍ／分）に対する混合ガス中の酸素流量（ＣＣＭ）は、
Ｃｏを含むＦｅの合金ターゲットを酸化してコバルト含
有マグネタイト薄膜を得るための各種条件、例えば装置
の種類、構造、全ガス圧、基板温度、スパッタリングタ
ーゲット面積等により種々相違する。
【００４８】しかしながら、本発明者が行った数多くの
実験例から、コバルト含有マグネタイトの堆積速度（ｎ
ｍ／分）に対する混合ガス中の酸素流量（ＣＣＭ）が小
さくなる程、得られるコバルト含有マグヘマイト薄膜の
（３１１）面、（２２２）面及び（２２０）面の各面に
おける面間隔が小さくなる傾向にあるという知見を得て
いる。
実験例から、コバルト含有マグネタイトの堆積速度（ｎ
ｍ／分）に対する混合ガス中の酸素流量（ＣＣＭ）が小
さくなる程、得られるコバルト含有マグヘマイト薄膜の
（３１１）面、（２２２）面及び（２２０）面の各面に
おける面間隔が小さくなる傾向にあるという知見を得て
いる。
【００４９】従って、各種ケースにおいて、得られるコ
バルト含有マグヘマイト薄膜の（３１１）面、（２２
２）面及び（２２０）面の各面における面間隔がバルク
の面間隔よりも小さくなる様にコバルト含有マグネタイ
トの堆積速度（ｎｍ／分）に対する混合ガス中の酸素流
量（ＣＣＭ）値を実験により求め、該値よりも小さい値
になる様にコバルト含有マグネタイトの堆積速度及び酸
素流量のそれぞれを制御すればよい。
バルト含有マグヘマイト薄膜の（３１１）面、（２２
２）面及び（２２０）面の各面における面間隔がバルク
の面間隔よりも小さくなる様にコバルト含有マグネタイ
トの堆積速度（ｎｍ／分）に対する混合ガス中の酸素流
量（ＣＣＭ）値を実験により求め、該値よりも小さい値
になる様にコバルト含有マグネタイトの堆積速度及び酸
素流量のそれぞれを制御すればよい。
【００５０】バルクの面間隔よりも小さい面間隔を有す
るコバルト含有マグヘマイト薄膜を得るためには、本発
明者が行った実験によれば、後出実施例及び比較例に示
す通り、コバルト含有マグネタイトの堆積速度３．５ｎ
ｍ／分で混合ガスの全流量を約１０ＣＣＭとした場合、
酸素流量は０．３５ＣＣＭ以下、好ましくは０．２７Ｃ
ＣＭ以下、より好ましくは０．２５ＣＣＭ以下であり、
その下限値は０．１３ＣＣＭである。０．３５ＣＣＭを
越える場合には、得られるコバルト含有マグヘマイト薄
膜の（３１１）面、（２２２）面及び（２２０）面のい
ずれかの面間隔をバルクの面間隔よるも小さくすること
ができない。得られるコバルト含有マグヘマイト薄膜中
にヘマタイトが形成されやすくなり、飽和磁化値が減少
することがある。０．１３ＣＣＭ未満になると、得られ
るコバルト含有マグヘマイト薄膜中に金属鉄（Ｆｅ）や
ウスタイト（ＦｅＯ）などが形成され保磁力が減少する
ことがある。
るコバルト含有マグヘマイト薄膜を得るためには、本発
明者が行った実験によれば、後出実施例及び比較例に示
す通り、コバルト含有マグネタイトの堆積速度３．５ｎ
ｍ／分で混合ガスの全流量を約１０ＣＣＭとした場合、
酸素流量は０．３５ＣＣＭ以下、好ましくは０．２７Ｃ
ＣＭ以下、より好ましくは０．２５ＣＣＭ以下であり、
その下限値は０．１３ＣＣＭである。０．３５ＣＣＭを
越える場合には、得られるコバルト含有マグヘマイト薄
膜の（３１１）面、（２２２）面及び（２２０）面のい
ずれかの面間隔をバルクの面間隔よるも小さくすること
ができない。得られるコバルト含有マグヘマイト薄膜中
にヘマタイトが形成されやすくなり、飽和磁化値が減少
することがある。０．１３ＣＣＭ未満になると、得られ
るコバルト含有マグヘマイト薄膜中に金属鉄（Ｆｅ）や
ウスタイト（ＦｅＯ）などが形成され保磁力が減少する
ことがある。
【００５１】希ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アル
ゴン、クリプトン、キセノン、ラドンのいすれをも使用
できる。スパッタ率と経済性を考慮すれば、アルゴンが
好ましい。
ゴン、クリプトン、キセノン、ラドンのいすれをも使用
できる。スパッタ率と経済性を考慮すれば、アルゴンが
好ましい。
【００５２】コバルト含有マグネタイト薄膜を生成・堆
積させる時の基体温度は、２４０℃未満である。基体と
なるプラスチックの耐熱性を考慮すれば、好ましくは、
２２０℃以下、より好ましくは２００℃以下であり、そ
の下限値は０℃ある。０℃以下では良質な結晶性を有す
る膜が得られにくく、磁気記録媒体に好適な磁気特性が
得られにくくなる。コバルト含有マグネタイトを生成・
堆積させる時の時間は、膜厚を堆積速度で割ったもので
示される。
積させる時の基体温度は、２４０℃未満である。基体と
なるプラスチックの耐熱性を考慮すれば、好ましくは、
２２０℃以下、より好ましくは２００℃以下であり、そ
の下限値は０℃ある。０℃以下では良質な結晶性を有す
る膜が得られにくく、磁気記録媒体に好適な磁気特性が
得られにくくなる。コバルト含有マグネタイトを生成・
堆積させる時の時間は、膜厚を堆積速度で割ったもので
示される。
【００５３】コバルト含有マグネタイト薄膜は、次い
で、コバルト含有マグヘマイト薄膜に酸化される。酸化
は、希ガスを含むプラズマ活性化された酸素雰囲気下、
基体温度２４０℃以下で行うことが肝要である。プラズ
マ活性化された酸素イオンを照射するための方法とし
て、例えば、ＥＣＲマイクロプラズマを用いる方法があ
る。また、照射状態にはアッシングモードとエッチング
モードの２種類がある。一般に、アッシングモードの場
合は、プラズマ生成室から引き出されたイオンビームは
イオン化されたまま基板に照射されるため、表面改質な
どに向く状態のものである。一方、エッチングモードの
場合は、プラズマ生成室から引き出されたイオンビーム
は、ニュートライザーを使用し空間電荷を中和するた
め、ビーム強度・量が増し、エッチングに有効な状態の
ものである。
で、コバルト含有マグヘマイト薄膜に酸化される。酸化
は、希ガスを含むプラズマ活性化された酸素雰囲気下、
基体温度２４０℃以下で行うことが肝要である。プラズ
マ活性化された酸素イオンを照射するための方法とし
て、例えば、ＥＣＲマイクロプラズマを用いる方法があ
る。また、照射状態にはアッシングモードとエッチング
モードの２種類がある。一般に、アッシングモードの場
合は、プラズマ生成室から引き出されたイオンビームは
イオン化されたまま基板に照射されるため、表面改質な
どに向く状態のものである。一方、エッチングモードの
場合は、プラズマ生成室から引き出されたイオンビーム
は、ニュートライザーを使用し空間電荷を中和するた
め、ビーム強度・量が増し、エッチングに有効な状態の
ものである。
【００５４】イオン加速電圧は−５００〜０Ｖが好まし
く、−３００〜−１００Ｖがより好ましい。−５００Ｖ
未満の場合には、薄膜がエッチングされるため、膜厚な
どに変動が生じる。０Ｖを越える場合には、電子が引き
出されるので、プラズマ活性化された酸素イオンが照射
されず、酸化が生じにくい。本発明においては、薄膜が
除去されない条件下では、どちらの照射状態でも同じ酸
化促進の効果が生じることを確認している。
く、−３００〜−１００Ｖがより好ましい。−５００Ｖ
未満の場合には、薄膜がエッチングされるため、膜厚な
どに変動が生じる。０Ｖを越える場合には、電子が引き
出されるので、プラズマ活性化された酸素イオンが照射
されず、酸化が生じにくい。本発明においては、薄膜が
除去されない条件下では、どちらの照射状態でも同じ酸
化促進の効果が生じることを確認している。
【００５５】生成されるプラズマ量を増加させるため
に、プロセスガス（酸素）に反応促進のため希ガス（Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ）を含ませることが
必要である。コバルト含有マグネタイトの酸化促進の効
果を考慮すれば、ヘリウム、ネオンが好ましい。希ガス
の含有割合は、酸素に対する希ガス流量比で１〜９０％
が好ましく、より好ましくは２〜７５％、更に好ましく
は、３〜６０％である。上記範囲内において希ガスを含
有させることにより、酸素が効果的に励起される。希ガ
ス流量比が１％未満の場合には、効率良く活性酸素を生
じさせることが困難となる。９０％を越える場合には、
酸化に要する酸素量が少なく、酸化時間に長時間を要す
る。酸化温度即ち、酸化処理時における基体温度は、２
４０℃未満である。プラスチック基体の耐熱性や生産性
を考慮すれば、２２０℃以下が好ましく、より好ましく
は２００℃以下であり、その下限値は０℃である。０℃
以下では酸化反応が起こりにくく、コバルト含有マグヘ
マイト薄膜が得られにくい。
に、プロセスガス（酸素）に反応促進のため希ガス（Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ）を含ませることが
必要である。コバルト含有マグネタイトの酸化促進の効
果を考慮すれば、ヘリウム、ネオンが好ましい。希ガス
の含有割合は、酸素に対する希ガス流量比で１〜９０％
が好ましく、より好ましくは２〜７５％、更に好ましく
は、３〜６０％である。上記範囲内において希ガスを含
有させることにより、酸素が効果的に励起される。希ガ
ス流量比が１％未満の場合には、効率良く活性酸素を生
じさせることが困難となる。９０％を越える場合には、
酸化に要する酸素量が少なく、酸化時間に長時間を要す
る。酸化温度即ち、酸化処理時における基体温度は、２
４０℃未満である。プラスチック基体の耐熱性や生産性
を考慮すれば、２２０℃以下が好ましく、より好ましく
は２００℃以下であり、その下限値は０℃である。０℃
以下では酸化反応が起こりにくく、コバルト含有マグヘ
マイト薄膜が得られにくい。
【００５６】
【発明の実施の形態】本発明の代表的な実施の形態は、
次の通りである。
次の通りである。
【００５７】コバルト含有マグネタイト薄膜のコバルト
含有マグヘマイト薄膜への酸化の確認は、その目安の一
つである薄膜の表面電気抵抗の変化により行った。即
ち、コバルト含有マグネタイト薄膜の表面電気抵抗は
０．００１〜０．５ＭΩであるのに対し、コバルト含有
マグヘマイト薄膜の表面電気抵抗は２〜２００ＭΩへと
上昇、変化する。表面電気抵抗の測定は、Ｉｎｓｕｌａ
ｔｉｏｎ Ｔｅｓｔｅｒ ＤＭ−１５２７（三和電気計
器株式会社）で２探針間の距離を１０ｍｍにして測定し
た。
含有マグヘマイト薄膜への酸化の確認は、その目安の一
つである薄膜の表面電気抵抗の変化により行った。即
ち、コバルト含有マグネタイト薄膜の表面電気抵抗は
０．００１〜０．５ＭΩであるのに対し、コバルト含有
マグヘマイト薄膜の表面電気抵抗は２〜２００ＭΩへと
上昇、変化する。表面電気抵抗の測定は、Ｉｎｓｕｌａ
ｔｉｏｎ Ｔｅｓｔｅｒ ＤＭ−１５２７（三和電気計
器株式会社）で２探針間の距離を１０ｍｍにして測定し
た。
【００５８】磁気記録媒体の保磁力及び飽和磁化等の静
磁気特性は、「振動試料型磁力計ＶＳＭ」（東英工業株
式会社製）を用いて測定した値で示した。
磁気特性は、「振動試料型磁力計ＶＳＭ」（東英工業株
式会社製）を用いて測定した値で示した。
【００５９】各薄膜のＸ線回折パターンは、「Ｘ線回折
装置ＲＡＤ−ＩＩＡ」（理学電機株式会社製）で測定し
た値で示した。測定条件は、使用管球：Ｆｅ、管電圧：
４０ｋＶ、管電流：２５ｍＡ、ゴニオメーター、 サンプ
リング幅：０．０１０°、走査速度：１．０００°／ｍ
ｉｎ、発散スリット：１°、散乱スリット：１°、受光
スリット：０．３０ｍｍで、回折角（２θ）が３０．０
０°から６０．００°の領域を測定した。
装置ＲＡＤ−ＩＩＡ」（理学電機株式会社製）で測定し
た値で示した。測定条件は、使用管球：Ｆｅ、管電圧：
４０ｋＶ、管電流：２５ｍＡ、ゴニオメーター、 サンプ
リング幅：０．０１０°、走査速度：１．０００°／ｍ
ｉｎ、発散スリット：１°、散乱スリット：１°、受光
スリット：０．３０ｍｍで、回折角（２θ）が３０．０
０°から６０．００°の領域を測定した。
【００６０】磁気記録媒体のノイズ、再生出力、ダイパ
ルス等の電磁変換特性は、磁性膜をプラスチック基体上
に形成し、表面にパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤
「ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ」（商品名：アウジモン
ト株式会社製）を塗布した後、ギャップ長が約０．２μ
ｍ、トラック幅２１μｍのＶＣＲ用ＭＩＧヘッドを接触
走行させて「記録再生実験装置Ｍ−８４Ｖ」（富士通オ
ートメーション株式会社製）を用いて評価した。
ルス等の電磁変換特性は、磁性膜をプラスチック基体上
に形成し、表面にパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤
「ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ」（商品名：アウジモン
ト株式会社製）を塗布した後、ギャップ長が約０．２μ
ｍ、トラック幅２１μｍのＶＣＲ用ＭＩＧヘッドを接触
走行させて「記録再生実験装置Ｍ−８４Ｖ」（富士通オ
ートメーション株式会社製）を用いて評価した。
【００６１】ノイズ値（Ｎrms）は走行速度３．０ｍ／
ｓで「スペクトラムアナライザーＴＲ４１７１」（アド
バンテスト製）を用いて解析した。
ｓで「スペクトラムアナライザーＴＲ４１７１」（アド
バンテスト製）を用いて解析した。
【００６２】再生出力（ＳP-P）及びダイパルス比は走
行速度３．０ｍ／ｓで「オシロスコープＶＰ５５１４
Ａ」（パナソニック）を用いて解析した。再生出力は後
出の図２に示すａの値とｂの値を加えた値である。ダイ
パルス比は同図２に示すｂの値に対するａの値の比であ
る。
行速度３．０ｍ／ｓで「オシロスコープＶＰ５５１４
Ａ」（パナソニック）を用いて解析した。再生出力は後
出の図２に示すａの値とｂの値を加えた値である。ダイ
パルス比は同図２に示すｂの値に対するａの値の比であ
る。
【００６３】高周波ハイレートスパッタ装置ＳＨ−２５
０Ｈ−Ｔ０６（（株）日本真空製）を用いた反応スパッ
タ法により、ポリイミド基体とターゲットとの間の距離
を８０ｍｍに設定して、基体温度１８０℃でポリイミド
基体上に、酸素流量０．１８ＣＣＭ、酸素分圧０．１５
ｍＴｏｒｒ、全圧９ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素からな
る雰囲気中で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリン
グして４．０ｎｍ／分の付着速度で、下地層としてＮａ
Ｃｌ型ＮｉＯ膜を１００ｎｍの厚みで形成した。このＮ
ｉＯ膜はＸ線回折パターンの測定の結果、（１１１）面
の回折ピーク強度値（Ｉ(111)）が（２００）面の回折
ピーク強度値（Ｉ(200)）に対し１であった。
０Ｈ−Ｔ０６（（株）日本真空製）を用いた反応スパッ
タ法により、ポリイミド基体とターゲットとの間の距離
を８０ｍｍに設定して、基体温度１８０℃でポリイミド
基体上に、酸素流量０．１８ＣＣＭ、酸素分圧０．１５
ｍＴｏｒｒ、全圧９ｍＴｏｒｒのアルゴンと酸素からな
る雰囲気中で、金属（Ｎｉ）ターゲットをスパッタリン
グして４．０ｎｍ／分の付着速度で、下地層としてＮａ
Ｃｌ型ＮｉＯ膜を１００ｎｍの厚みで形成した。このＮ
ｉＯ膜はＸ線回折パターンの測定の結果、（１１１）面
の回折ピーク強度値（Ｉ(111)）が（２００）面の回折
ピーク強度値（Ｉ(200)）に対し１であった。
【００６４】更にこの上に、酸素流量０．２７ＣＣＭ、
酸素分圧０．２３ｍＴｏｒｒ、全圧９ｍＴｏｒｒのアル
ゴンと酸素とからなる雰囲気中、基体温度２００℃にお
いて、コバルトを含む鉄を主体とする合金（４ｗｔ％の
Ｃｏを含むＦｅ）ターゲットをスパッタリングして４．
０ｎｍ／分の堆積速度で、ＣｏがＦｅに対してモル比で
０．０４：１の量で含有しているコバルト含有マグネタ
イト膜を前記基板上に２０ｎｍの厚みで形成した。この
Ｃｏ含有マグネタイト薄膜の表面電気抵抗は０．０７Ｍ
Ωであった。なお、成膜時の投入電力は３００Ｗとし
た。得られた二層膜を電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）型イオンシャワー装置ＥＩＳ−２００ＥＲ（株式会
社エリオニクス社製）を用いて全ガス圧を３×１０-4Ｔ
ｏｒｒとしヘリウムを含む酸素（酸素に対するヘリウム
ガス流量比５０％）雰囲気下、１５０℃の基体温度で
で、マイクロ波電力１００Ｗ、イオン加速電圧−１５０
Ｖで５秒間照射することにより酸化した。得られた薄膜
の表面電気抵抗は１５ＭΩであることからＮｉＯを下地
層とするＣｏ含有マグヘマイトであることが確認でき
た。
酸素分圧０．２３ｍＴｏｒｒ、全圧９ｍＴｏｒｒのアル
ゴンと酸素とからなる雰囲気中、基体温度２００℃にお
いて、コバルトを含む鉄を主体とする合金（４ｗｔ％の
Ｃｏを含むＦｅ）ターゲットをスパッタリングして４．
０ｎｍ／分の堆積速度で、ＣｏがＦｅに対してモル比で
０．０４：１の量で含有しているコバルト含有マグネタ
イト膜を前記基板上に２０ｎｍの厚みで形成した。この
Ｃｏ含有マグネタイト薄膜の表面電気抵抗は０．０７Ｍ
Ωであった。なお、成膜時の投入電力は３００Ｗとし
た。得られた二層膜を電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）型イオンシャワー装置ＥＩＳ−２００ＥＲ（株式会
社エリオニクス社製）を用いて全ガス圧を３×１０-4Ｔ
ｏｒｒとしヘリウムを含む酸素（酸素に対するヘリウム
ガス流量比５０％）雰囲気下、１５０℃の基体温度で
で、マイクロ波電力１００Ｗ、イオン加速電圧−１５０
Ｖで５秒間照射することにより酸化した。得られた薄膜
の表面電気抵抗は１５ＭΩであることからＮｉＯを下地
層とするＣｏ含有マグヘマイトであることが確認でき
た。
【００６５】得られた磁気記録媒体は、Ｘ線回折パター
ンの測定の結果、面間隔２．５０５Åの（３１１）面の
回折ピークと面間隔２．９３４Åの（２２０）面の回折
ピークは認められたが、（４００）面の回折ピークは認
められなかった。この磁気記録媒体の静磁気特性を測定
したところ、保磁力は２６００Ｏｅで飽和磁化は３５５
ｅｍｕ／ｃｍ3であった。
ンの測定の結果、面間隔２．５０５Åの（３１１）面の
回折ピークと面間隔２．９３４Åの（２２０）面の回折
ピークは認められたが、（４００）面の回折ピークは認
められなかった。この磁気記録媒体の静磁気特性を測定
したところ、保磁力は２６００Ｏｅで飽和磁化は３５５
ｅｍｕ／ｃｍ3であった。
【００６６】この磁気記録媒体の電磁変換特性を測定し
たところ、１００ｋＦＲＰＩの信号を記録して再生した
際のＳp-p／Ｎrmsは４９ｄＢ、Ｄ50（記録密度１ｋＦＲ
ＰＩの信号を記録して再生した時の再生出力に対して半
分の再生出力になる記録密度と定義する）は１３９ｋＦ
ＲＰＩであった。
たところ、１００ｋＦＲＰＩの信号を記録して再生した
際のＳp-p／Ｎrmsは４９ｄＢ、Ｄ50（記録密度１ｋＦＲ
ＰＩの信号を記録して再生した時の再生出力に対して半
分の再生出力になる記録密度と定義する）は１３９ｋＦ
ＲＰＩであった。
【００６７】また、この磁気記録媒体の１ｋＦＲＰＩの
信号記録時の孤立再生波形をオシロスコープで観察した
ところ、図１に示すようにダイパルス比０の単峰形のパ
ルスの形状をしており、長手記録媒体であることが認め
られた。
信号記録時の孤立再生波形をオシロスコープで観察した
ところ、図１に示すようにダイパルス比０の単峰形のパ
ルスの形状をしており、長手記録媒体であることが認め
られた。
【００６８】
【作用】先ず、本発明において最も重要な点は、前記本
発明の実施の形態に示した通り、基体上にニッケル酸化
物下地膜を形成するとともに、該ニッケル酸化物下地膜
の上に形成したコバルト含有マグヘマイト薄膜が（３１
１）面における面間隔が２．５１０Å以下、（２２２）
面における面間隔が２．４１５Å以下又は（２２０）面
における面間隔が２．９５０Å以下のいずれかに該当す
る面間隔を有し、且つ、上記（３１１）面、上記（２２
２）面及び上記（２２０）面の各面におけるＸ線回折パ
ターンのピーク強度値（それぞれＩ(311)，Ｉ(222)，Ｉ
(220)）のいずれかが（４００）面におけるＸ線回折パ
ターンのピーク強度値（Ｉ(400)）に対し０．５を越え
る場合には、より高い保磁力とより高い飽和磁化とを有
しているとともに、ノイズが少なく、高周波領域におけ
る出力が大きく、孤立再生波形の歪みのない磁気記録媒
体を得ることができるという事実である。
発明の実施の形態に示した通り、基体上にニッケル酸化
物下地膜を形成するとともに、該ニッケル酸化物下地膜
の上に形成したコバルト含有マグヘマイト薄膜が（３１
１）面における面間隔が２．５１０Å以下、（２２２）
面における面間隔が２．４１５Å以下又は（２２０）面
における面間隔が２．９５０Å以下のいずれかに該当す
る面間隔を有し、且つ、上記（３１１）面、上記（２２
２）面及び上記（２２０）面の各面におけるＸ線回折パ
ターンのピーク強度値（それぞれＩ(311)，Ｉ(222)，Ｉ
(220)）のいずれかが（４００）面におけるＸ線回折パ
ターンのピーク強度値（Ｉ(400)）に対し０．５を越え
る場合には、より高い保磁力とより高い飽和磁化とを有
しているとともに、ノイズが少なく、高周波領域におけ
る出力が大きく、孤立再生波形の歪みのない磁気記録媒
体を得ることができるという事実である。
【００６９】このような諸特性を有する磁気記録媒体が
得られる理由について、本発明者は、コバルト含有マグ
ヘマイト薄膜が特定の面間隔を有しているとともに、特
定のピーク強度比を有してはいるが、ニッケル酸化物下
地膜を有していない場合、ニッケル酸化物下地膜を有し
ており、コバルト含有マグヘマイト薄膜が特定の面間隔
を有してはいるが特定のピーク強度比を有していない場
合、ニッケル酸化物下地膜を有しており、コバルト含有
マグヘマイト薄膜が特定のピーク強度比を有してはいる
が特定の面間隔を有していない場合のいずれの場合に
も、本発明の目的とする磁気記録媒体が得られないこと
から、ニッケル酸化物下地膜と特定の面間隔及び特定の
ピーク強度比を有するコバルト含有マグヘマイト薄膜の
相乗効果によるものと考えている。
得られる理由について、本発明者は、コバルト含有マグ
ヘマイト薄膜が特定の面間隔を有しているとともに、特
定のピーク強度比を有してはいるが、ニッケル酸化物下
地膜を有していない場合、ニッケル酸化物下地膜を有し
ており、コバルト含有マグヘマイト薄膜が特定の面間隔
を有してはいるが特定のピーク強度比を有していない場
合、ニッケル酸化物下地膜を有しており、コバルト含有
マグヘマイト薄膜が特定のピーク強度比を有してはいる
が特定の面間隔を有していない場合のいずれの場合に
も、本発明の目的とする磁気記録媒体が得られないこと
から、ニッケル酸化物下地膜と特定の面間隔及び特定の
ピーク強度比を有するコバルト含有マグヘマイト薄膜の
相乗効果によるものと考えている。
【００７０】本発明におけるコバルト含有マグヘマイト
薄膜の面間隔は、コバルト含有マグネタイト薄膜を加熱
してコバルト含有マグヘマイト薄膜にする際の加熱温度
が同じあっても、コバルト含有マグネタイト薄膜の形成
時における酸素流量を変化させることによって、コバル
ト含有マグヘマイト薄膜の（３１１）面、（２２２）面
及び（２２０）面における面間隔が変化するという現象
から、上記加熱処理による基体と酸化ニッケル下地膜や
コバルト含有マグヘマイト薄膜との熱膨張率の差による
ものではなく、コバルト含有マグヘマイト薄膜の面間隔
自体が小さくなっているものと認められる。
薄膜の面間隔は、コバルト含有マグネタイト薄膜を加熱
してコバルト含有マグヘマイト薄膜にする際の加熱温度
が同じあっても、コバルト含有マグネタイト薄膜の形成
時における酸素流量を変化させることによって、コバル
ト含有マグヘマイト薄膜の（３１１）面、（２２２）面
及び（２２０）面における面間隔が変化するという現象
から、上記加熱処理による基体と酸化ニッケル下地膜や
コバルト含有マグヘマイト薄膜との熱膨張率の差による
ものではなく、コバルト含有マグヘマイト薄膜の面間隔
自体が小さくなっているものと認められる。
【００７１】本発明に係る磁気記録媒体の孤立再生波形
が歪まない理由について、本発明者は、コバルト含有マ
グヘマイト薄膜が特定のピーク強度比を有していること
から、コバルト含有マグヘマイト薄膜の磁気容易軸であ
る＜１００＞軸を膜面に対して垂直方向から、該垂直方
向と膜面と平行方向との間に傾けることにより、磁化の
垂直成分が小さくなったためと考えている。
が歪まない理由について、本発明者は、コバルト含有マ
グヘマイト薄膜が特定のピーク強度比を有していること
から、コバルト含有マグヘマイト薄膜の磁気容易軸であ
る＜１００＞軸を膜面に対して垂直方向から、該垂直方
向と膜面と平行方向との間に傾けることにより、磁化の
垂直成分が小さくなったためと考えている。
【００７２】本発明に係る磁気記録媒体のノイズが小さ
い理由について、本発明者は、ニッケル酸化物下地膜の
酸素原子間の距離がコバルト含有マグネタイトやコバル
ト含有マグヘマイトの酸素原子間の距離と近い為、アモ
ルファスな基体上に直接形成した場合に見られる粒径や
磁気特性が乱れた初期層の形成が抑制されたことによる
ものと考えている。
い理由について、本発明者は、ニッケル酸化物下地膜の
酸素原子間の距離がコバルト含有マグネタイトやコバル
ト含有マグヘマイトの酸素原子間の距離と近い為、アモ
ルファスな基体上に直接形成した場合に見られる粒径や
磁気特性が乱れた初期層の形成が抑制されたことによる
ものと考えている。
【００７３】本発明において酸化温度すなわち酸化時の
基体温度を２４０℃以下に低くできる理由について、本
発明者は、後出比較例に示す通り、本発明におけるコバ
ルト含有マグネタイト薄膜を大気中２４０℃以下の温度
で熱処理しても酸化が生起しないことから、コバルト含
有マグネタイト薄膜を希ガスを含むプラズマ活性化され
た酸素イオンで照射したことによるものと考えている。
基体温度を２４０℃以下に低くできる理由について、本
発明者は、後出比較例に示す通り、本発明におけるコバ
ルト含有マグネタイト薄膜を大気中２４０℃以下の温度
で熱処理しても酸化が生起しないことから、コバルト含
有マグネタイト薄膜を希ガスを含むプラズマ活性化され
た酸素イオンで照射したことによるものと考えている。
【００７４】
【実施例】次に、実施例並びに比較例を挙げる。
【００７５】実施例１〜４、比較例１〜４ ニッケル酸化物下地膜の有無及び配向、コバルト含有マ
グネタイト薄膜形成時におけるプラスチック基板の種
類、基体温度、酸素流量、及び堆積速度並びに酸化時に
おける基体温度、希ガスの種類、希ガスの流量比及び照
射時間を種々変化させた以外は、前記本発明の実施の形
態と同様にして磁気記録媒体を得た。
グネタイト薄膜形成時におけるプラスチック基板の種
類、基体温度、酸素流量、及び堆積速度並びに酸化時に
おける基体温度、希ガスの種類、希ガスの流量比及び照
射時間を種々変化させた以外は、前記本発明の実施の形
態と同様にして磁気記録媒体を得た。
【００７６】この時の主要製造条件及び諸特性を表１及
び表２に示す。尚、実施例３、実施例４、比較例１及び
比較例３における（４００）面におけるピークは認めら
れなかった。尚、比較例３で得られたこのＣｏ含有マグ
ヘマイトの１ｋＦＲＰＩの信号記録時の孤立再生波形を
オシロスコープで観察したところ、図２に示すようにダ
イパルス比０．２のダイパルス形状をしていた。尚、比
較例４は、希ガスを含むプラズマ活性化された酸素雰囲
気に代えて大気中でコバルト含有マグネタイト薄膜の処
理をしたものであり、酸化が生起せず、コバルト含有マ
グネタイト薄膜のままであった。
び表２に示す。尚、実施例３、実施例４、比較例１及び
比較例３における（４００）面におけるピークは認めら
れなかった。尚、比較例３で得られたこのＣｏ含有マグ
ヘマイトの１ｋＦＲＰＩの信号記録時の孤立再生波形を
オシロスコープで観察したところ、図２に示すようにダ
イパルス比０．２のダイパルス形状をしていた。尚、比
較例４は、希ガスを含むプラズマ活性化された酸素雰囲
気に代えて大気中でコバルト含有マグネタイト薄膜の処
理をしたものであり、酸化が生起せず、コバルト含有マ
グネタイト薄膜のままであった。
【００７７】
【表１】
【００７８】
【表２】
【００７９】
【発明の効果】本発明に係る磁気記録媒体は、より高い
保磁力とより大きな飽和磁化とを有しているとともに、
ノイズが少なく、高周波領域における出力が大きく、孤
立再生波形の歪みがないので、リング型の磁気ヘッドを
使用している現行の磁気記録システムに用いる高密度記
録用磁気記録媒体として好適である。
保磁力とより大きな飽和磁化とを有しているとともに、
ノイズが少なく、高周波領域における出力が大きく、孤
立再生波形の歪みがないので、リング型の磁気ヘッドを
使用している現行の磁気記録システムに用いる高密度記
録用磁気記録媒体として好適である。
【００８０】また、本発明に係る磁気記録媒体は、コバ
ルト含有マグネタイト薄膜をコバルト含有マグヘマイト
薄膜に酸化する際の基体温度が２４０℃以下であるの
で、基体材料の耐熱性が要求されず、プラスチックの使
用が可能であり、また、生産性も良いので工業的、経済
的に有利である。
ルト含有マグネタイト薄膜をコバルト含有マグヘマイト
薄膜に酸化する際の基体温度が２４０℃以下であるの
で、基体材料の耐熱性が要求されず、プラスチックの使
用が可能であり、また、生産性も良いので工業的、経済
的に有利である。
【図１】 本発明の実施の形態で得られた磁気記録媒体
の１ｋＦＲＰＩの信号記録時の孤立再生波形を示したも
のである。
の１ｋＦＲＰＩの信号記録時の孤立再生波形を示したも
のである。
【図２】 比較例５で得られた磁気記録媒体の１ｋＦＲ
ＰＩの信号記録時の孤立再生波形を示したものである。
ＰＩの信号記録時の孤立再生波形を示したものである。
フロントページの続き (72)発明者 中田 健一 広島県大竹市明治新開１番４戸田工業株式 会社大竹工場内 (72)発明者 松浦 満 山口県宇部市東小羽山町４丁目７−11 (72)発明者 山本 節夫 山口県宇部市西岐波ハーモニーヒルズ４− ８
Claims (3)
- 【請求項１】 プラスチック基体と該プラスチック基体
上に形成されるコバルト含有マグヘマイト薄膜とからな
る磁気記録媒体において、上記基体と上記コバルト含有
マグヘマイト薄膜との間にニッケル酸化物下地膜を形成
するとともに、上記コバルト含有マグヘマイト薄膜が
（３１１）面における面間隔が２．５１０Å以下、（２
２２）面における面間隔が２．４１５Å以下又は（２２
０）面における面間隔が２．９５０Å以下のいずれかに
該当する面間隔を有しており、且つ、上記（３１１）
面、上記（２２２）面及び上記（２２０）面の各面にお
けるＸ線回折パターンのピーク強度値のいずれかが（４
００）面におけるＸ線回折パターンのピーク強度値に対
し０．５を越えることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 ニッケル酸化物下地膜の（１１１）面に
おけるＸ線回折スペクトルのピーク強度値が（２００）
面におけるＸ線回折スペクトルのピーク強度値に対し
０．５を越えることを特徴とする請求項１記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項３】 プラスチック基体上に、反応スパッタ法
によりニッケル酸化物下地膜を形成し、次いで、該ニッ
ケル酸化物下地膜上にコバルトを含む鉄を主成分とする
合金をターゲットとして用い、酸素及び希ガスの混合ガ
ス雰囲気中、２４０℃以下の基体温度において、反応ス
パッタすることにより、コバルト含有マグネタイト薄膜
を形成し、次いで希ガスを含むプラズマ活性化された酸
素雰囲気中、２４０℃以下の基体温度で上記コバルト含
有マグネタイト薄膜を酸化してコバルト含有マグヘマイ
ト薄膜とすることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7679899A JPH11328652A (ja) | 1998-03-20 | 1999-03-19 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-92520 | 1998-03-20 | ||
| JP9252098 | 1998-03-20 | ||
| JP7679899A JPH11328652A (ja) | 1998-03-20 | 1999-03-19 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11328652A true JPH11328652A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=26417927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7679899A Ceased JPH11328652A (ja) | 1998-03-20 | 1999-03-19 | 磁気記録媒体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11328652A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1274072A1 (en) * | 2001-07-03 | 2003-01-08 | Toda Kogyo Corporation | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| US7967993B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US7993536B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8002997B2 (en) | 2008-08-22 | 2011-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording medium |
| US8012361B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8029682B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8057689B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8980451B2 (en) | 2010-09-17 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP7679899A patent/JPH11328652A/ja not_active Ceased
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1274072A1 (en) * | 2001-07-03 | 2003-01-08 | Toda Kogyo Corporation | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| US7967993B2 (en) | 2008-07-25 | 2011-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8002997B2 (en) | 2008-08-22 | 2011-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording medium |
| US8017023B2 (en) | 2008-08-22 | 2011-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording medium |
| US7993536B2 (en) | 2008-12-12 | 2011-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8012361B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8029682B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8057689B2 (en) | 2009-02-20 | 2011-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing magnetic recording medium |
| US8980451B2 (en) | 2010-09-17 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic recording apparatus |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Effective date: 20040601 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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Effective date: 20040609 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060323 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060522 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060714 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 |
|
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