JPH08235558A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH08235558A JPH08235558A JP4025395A JP4025395A JPH08235558A JP H08235558 A JPH08235558 A JP H08235558A JP 4025395 A JP4025395 A JP 4025395A JP 4025395 A JP4025395 A JP 4025395A JP H08235558 A JPH08235558 A JP H08235558A
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- JP
- Japan
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- particles
- magnetic
- recording medium
- average particle
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 平均粒径が６０ｎｍ〜３００ｎｍである第１
の粒子と平均粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍである第２の粒
子とが内添された非磁性支持体上に、金属磁性薄膜より
なる磁性層が形成されることにより、該磁性層表面に、
第１の粒子に起因する突起が１×１０3 個／ｍｍ2 〜１
×１０5 個／ｍｍ2 の密度で形成され、第２の粒子に起
因する突起が１×１０6 個／ｍｍ2 〜５×１０7 個／ｍ
ｍ2 の密度で形成されている。 【効果】 電磁変換特性を劣化させることなく走行耐久
性の向上を図ることができる。なお、磁性層表面の突起
は、非磁性支持体に内添させる粒子の平均粒径および添
加量によって制御できるため、コストがかからない。
の粒子と平均粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍである第２の粒
子とが内添された非磁性支持体上に、金属磁性薄膜より
なる磁性層が形成されることにより、該磁性層表面に、
第１の粒子に起因する突起が１×１０3 個／ｍｍ2 〜１
×１０5 個／ｍｍ2 の密度で形成され、第２の粒子に起
因する突起が１×１０6 個／ｍｍ2 〜５×１０7 個／ｍ
ｍ2 の密度で形成されている。 【効果】 電磁変換特性を劣化させることなく走行耐久
性の向上を図ることができる。なお、磁性層表面の突起
は、非磁性支持体に内添させる粒子の平均粒径および添
加量によって制御できるため、コストがかからない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非磁性支持体上に磁性
層として金属磁性薄膜を有するいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に関する。
層として金属磁性薄膜を有するいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）
等の分野においては、高画質化を図るために、高密度記
録化が一層強く要求されており、これに対応する磁気記
録媒体として、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からな
る磁性材料をメッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により
直接非磁性支持体上に被着せしめて磁性層を形成する、
いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案されてい
る。
等の分野においては、高画質化を図るために、高密度記
録化が一層強く要求されており、これに対応する磁気記
録媒体として、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からな
る磁性材料をメッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により
直接非磁性支持体上に被着せしめて磁性層を形成する、
いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案されてい
る。
【０００３】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力、角形比及び短波長域における電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるために記
録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいことや、磁性
層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必要がない
ために磁性材料の充填密度を高くできること等、数々の
利点を有している。
磁力、角形比及び短波長域における電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるために記
録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいことや、磁性
層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必要がない
ために磁性材料の充填密度を高くできること等、数々の
利点を有している。
【０００４】このような磁気記録媒体においては、高記
録密度化に伴って磁気記録媒体のトラック密度や記録密
度の増加が図られているが、記録密度が高くなると、ス
ペーシングロスが大きくなるので、その悪影響を防止す
るために磁気記録媒体の表面は平滑化される傾向にあ
る。しかしながら、磁気記録媒体の表面が平滑すぎる
と、磁気ヘッドと媒体が吸着を引起し、摩擦力が増大す
るため、媒体に生じる剪断力が大きくなり、磁気記録媒
体が大きな損傷を受けてしまう。
録密度化に伴って磁気記録媒体のトラック密度や記録密
度の増加が図られているが、記録密度が高くなると、ス
ペーシングロスが大きくなるので、その悪影響を防止す
るために磁気記録媒体の表面は平滑化される傾向にあ
る。しかしながら、磁気記録媒体の表面が平滑すぎる
と、磁気ヘッドと媒体が吸着を引起し、摩擦力が増大す
るため、媒体に生じる剪断力が大きくなり、磁気記録媒
体が大きな損傷を受けてしまう。
【０００５】そこで、良好なスチル特性を確保するため
に、従来より例えば非磁性支持体上に表面突起を設け、
その層状作用により該非磁性支持体上に積層形成される
磁性層、保護層等の表面に適当な粗度を付与し、磁気記
録媒体の表面性を制御しようとする方法が行われてい
る。
に、従来より例えば非磁性支持体上に表面突起を設け、
その層状作用により該非磁性支持体上に積層形成される
磁性層、保護層等の表面に適当な粗度を付与し、磁気記
録媒体の表面性を制御しようとする方法が行われてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に磁気記録媒体の表面性を制御する場合、非磁性支持体
上に形成される表面突起の大きさの制御が非常に重要と
なる。即ち、この表面突起が大きくなるにつれて、スペ
ーシングロスが問題となり、電磁変換特性の劣化が生じ
てしまう。これに対して、上記表面突起の高さを抑える
と、スペーシングロスによる悪影響から免れるものの、
十分な走行耐久性を確保することができなくなる。
に磁気記録媒体の表面性を制御する場合、非磁性支持体
上に形成される表面突起の大きさの制御が非常に重要と
なる。即ち、この表面突起が大きくなるにつれて、スペ
ーシングロスが問題となり、電磁変換特性の劣化が生じ
てしまう。これに対して、上記表面突起の高さを抑える
と、スペーシングロスによる悪影響から免れるものの、
十分な走行耐久性を確保することができなくなる。
【０００７】このように、優れた電磁変換特性と良好な
走行性との両者をバランスよく確保することは非常に難
しい。そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、良好な電磁変換特性を確保しつつ、
耐久性の向上を図ることが可能な磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
走行性との両者をバランスよく確保することは非常に難
しい。そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、良好な電磁変換特性を確保しつつ、
耐久性の向上を図ることが可能な磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気記録媒
体は、上述の目的を達成するために提案されたものであ
り、非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層を有
する磁気記録媒体において、前記非磁性支持体に、平均
粒径が互いに異なる少なくとも２種類の粒子が内添され
ているものである。
体は、上述の目的を達成するために提案されたものであ
り、非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層を有
する磁気記録媒体において、前記非磁性支持体に、平均
粒径が互いに異なる少なくとも２種類の粒子が内添され
ているものである。
【０００９】ここで、前記粒子の１種類は、平均粒径が
６０ｎｍ〜３００ｎｍである第１の粒子よりなり、前記
粒子の他の１種類は、平均粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍで
ある第２の粒子よりなって好適である。そして、前記磁
性層表面には、前記第１の粒子によって形成される突起
を１×１０3 個／ｍｍ2 〜１×１０5 個／ｍｍ2 の密度
で有し、前記第２の粒子によって形成される突起を１×
１０6 個／ｍｍ2 〜５×１０7 個／ｍｍ2 の密度で有し
て好適である。
６０ｎｍ〜３００ｎｍである第１の粒子よりなり、前記
粒子の他の１種類は、平均粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍで
ある第２の粒子よりなって好適である。そして、前記磁
性層表面には、前記第１の粒子によって形成される突起
を１×１０3 個／ｍｍ2 〜１×１０5 個／ｍｍ2 の密度
で有し、前記第２の粒子によって形成される突起を１×
１０6 個／ｍｍ2 〜５×１０7 個／ｍｍ2 の密度で有し
て好適である。
【００１０】非磁性支持体に内添する粒子の平均粒径
や、磁性層表面に形成される突起の密度が上記範囲から
外れると、走行耐久性、電磁変換特性のいずれかが劣化
することとなる。
や、磁性層表面に形成される突起の密度が上記範囲から
外れると、走行耐久性、電磁変換特性のいずれかが劣化
することとなる。
【００１１】
【作用】本発明を適用した磁気記録媒体においては、磁
性層の表面性が良好に制御される。これにより磁気ヘッ
ドとの摺動時の当りが良好となり走行性が向上する。ま
た、スペーシングロスによる電磁変換特性の劣化も抑え
られる。
性層の表面性が良好に制御される。これにより磁気ヘッ
ドとの摺動時の当りが良好となり走行性が向上する。ま
た、スペーシングロスによる電磁変換特性の劣化も抑え
られる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例を図
面を参照しながら説明する。実施例１ 本実施例においては、磁性層表面に２種類の突起を形成
するために、粒径の異なる２種類の粒子を内添した非磁
性支持体に金属磁性薄膜を成膜して磁気テープを作成し
た。
面を参照しながら説明する。実施例１ 本実施例においては、磁性層表面に２種類の突起を形成
するために、粒径の異なる２種類の粒子を内添した非磁
性支持体に金属磁性薄膜を成膜して磁気テープを作成し
た。
【００１３】具体的には、この磁気テープは、第１の粒
子および第２の粒子が内添され、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）からなる厚さ１０μｍの非磁性支持体
上に、Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜からなる膜厚０．２μｍの磁
性層が成膜されてなり、さらに、該磁性層表面にパーフ
ルオロポリエーテルよりなる潤滑剤が塗布され、裏面に
バックコート層が形成されてなるものである。
子および第２の粒子が内添され、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）からなる厚さ１０μｍの非磁性支持体
上に、Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜からなる膜厚０．２μｍの磁
性層が成膜されてなり、さらに、該磁性層表面にパーフ
ルオロポリエーテルよりなる潤滑剤が塗布され、裏面に
バックコート層が形成されてなるものである。
【００１４】上記非磁性支持体に内添される第１の粒
子、第２の粒子は、いずれもＳｉＯ2粒子よりなり、そ
れぞれの平均粒径が１００ｎｍ、４０ｎｍである。これ
らの粒子は、非磁性支持体表面に反映され、第１の粒子
が高さ８０ｎｍの突起を２×１０4 個／ｍｍ2 なる密度
にて形成し、第２の粒子が高さ３０ｎｍの突起を１×１
０7 個／ｍｍ2 なる密度にて形成している。
子、第２の粒子は、いずれもＳｉＯ2粒子よりなり、そ
れぞれの平均粒径が１００ｎｍ、４０ｎｍである。これ
らの粒子は、非磁性支持体表面に反映され、第１の粒子
が高さ８０ｎｍの突起を２×１０4 個／ｍｍ2 なる密度
にて形成し、第２の粒子が高さ３０ｎｍの突起を１×１
０7 個／ｍｍ2 なる密度にて形成している。
【００１５】そして、上記磁性層の表面にも、上述の非
磁性支持体の表面形状が反映されている。以上のような
構成を有する磁気テープを作製するには、先ず、重合触
媒の残さ等により形成された微細な粒子をできるかぎり
含まない、実質的に無配向、非結晶のＰＥＴのチップを
用意し、これに、平均粒径が１００ｎｍの第１の粒子を
０．０５重量％添加すると共に、平均粒径が４０ｎｍの
第２の粒子を１．６重量％添加してなる原料を、約２０
０℃に維持された回転ドラム上に溶融押出した。続い
て、延伸温度１１５℃にて、機械方向へ３．４倍に延伸
させ、幅方向へ同じく３．４倍に延伸させた後、２００
℃にて熱処理を施した。これにより、上述したような大
小の突起を上述した密度にて有する、厚さ１０μｍの非
磁性支持体が形成された。
磁性支持体の表面形状が反映されている。以上のような
構成を有する磁気テープを作製するには、先ず、重合触
媒の残さ等により形成された微細な粒子をできるかぎり
含まない、実質的に無配向、非結晶のＰＥＴのチップを
用意し、これに、平均粒径が１００ｎｍの第１の粒子を
０．０５重量％添加すると共に、平均粒径が４０ｎｍの
第２の粒子を１．６重量％添加してなる原料を、約２０
０℃に維持された回転ドラム上に溶融押出した。続い
て、延伸温度１１５℃にて、機械方向へ３．４倍に延伸
させ、幅方向へ同じく３．４倍に延伸させた後、２００
℃にて熱処理を施した。これにより、上述したような大
小の突起を上述した密度にて有する、厚さ１０μｍの非
磁性支持体が形成された。
【００１６】そして、通常の連続巻取り式蒸着装置によ
って、上述した非磁性支持体に対して磁性層を成膜し
た。具体的には、１０-3気圧なる減圧下にて、ルツボの
Ｃｏ−Ｎｉ合金に電子ビームを照射することによって、
冷却キャンの周面を２５ｍ／分で走行する非磁性支持体
に対して、Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜が０．２μｍなる膜厚と
なるように被着させた。但し、非磁性支持体に対するＣ
ｏ−Ｎｉ合金蒸気の入射角は、非磁性支持体の法線方向
に対して９０゜〜４５゜の範囲に規制した。これによ
り、非磁性支持体表面の突起が反映された磁性層が形成
された。
って、上述した非磁性支持体に対して磁性層を成膜し
た。具体的には、１０-3気圧なる減圧下にて、ルツボの
Ｃｏ−Ｎｉ合金に電子ビームを照射することによって、
冷却キャンの周面を２５ｍ／分で走行する非磁性支持体
に対して、Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜が０．２μｍなる膜厚と
なるように被着させた。但し、非磁性支持体に対するＣ
ｏ−Ｎｉ合金蒸気の入射角は、非磁性支持体の法線方向
に対して９０゜〜４５゜の範囲に規制した。これによ
り、非磁性支持体表面の突起が反映された磁性層が形成
された。
【００１７】その後、非磁性支持体における磁性層が形
成された面とは反対側の主面に、バックコート層を塗布
形成し、磁性層表面にはパーフルオロポリエーテルより
なる潤滑剤を塗布してから、８ｍｍ幅に裁断し、カセッ
トに組み込んで、実施例１のサンプルテープを得た。実施例２〜４ 本実施例においては、第１の粒子および第２の粒子の平
均粒径と添加量を異ならせた以外は実施例１と同様にし
て作製された非磁性支持体を用いた。
成された面とは反対側の主面に、バックコート層を塗布
形成し、磁性層表面にはパーフルオロポリエーテルより
なる潤滑剤を塗布してから、８ｍｍ幅に裁断し、カセッ
トに組み込んで、実施例１のサンプルテープを得た。実施例２〜４ 本実施例においては、第１の粒子および第２の粒子の平
均粒径と添加量を異ならせた以外は実施例１と同様にし
て作製された非磁性支持体を用いた。
【００１８】表１に、第１の粒子および第２の粒子の平
均粒径と添加量の値を示し、表２に、第１の粒子および
第２の粒子がそれぞれ非磁性支持体表面に形成する突起
の高さと密度を示す。
均粒径と添加量の値を示し、表２に、第１の粒子および
第２の粒子がそれぞれ非磁性支持体表面に形成する突起
の高さと密度を示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】なお、表１、表２には、実施例１のサンプ
ルテープに用いた第１の粒子および第２の粒子の平均粒
径と添加量の値、これらの粒子がそれぞれ非磁性支持体
表面に形成する突起の高さと密度も併せて示す。そし
て、上述のような非磁性支持体に対して、実施例１と同
様にして磁性層、バックコート層を形成し、潤滑剤を塗
布し、実施例２〜４のサンプルテープを得た。比較例１〜４ 比較のため、第１の粒子の平均粒径が大きすぎたり、第
１の粒子あるいは第２の粒子のいずれか一方しか含有し
ない以外は実施例１と同様の構成を有する非磁性支持体
を用いてサンプルテープを作製した。
ルテープに用いた第１の粒子および第２の粒子の平均粒
径と添加量の値、これらの粒子がそれぞれ非磁性支持体
表面に形成する突起の高さと密度も併せて示す。そし
て、上述のような非磁性支持体に対して、実施例１と同
様にして磁性層、バックコート層を形成し、潤滑剤を塗
布し、実施例２〜４のサンプルテープを得た。比較例１〜４ 比較のため、第１の粒子の平均粒径が大きすぎたり、第
１の粒子あるいは第２の粒子のいずれか一方しか含有し
ない以外は実施例１と同様の構成を有する非磁性支持体
を用いてサンプルテープを作製した。
【００２２】第１の粒子および第２の粒子の平均粒径と
添加量の値を表１に、第１の粒子および第２の粒子がそ
れぞれ非磁性支持体表面に形成する突起の高さと密度を
表２に併せて示す。そして、上述のような非磁性支持体
に対して、実施例１と同様にして磁性層、バックコート
層を形成し、潤滑剤を塗布し、比較例１〜４のサンプル
テープを得た。特性の評価 上述のような構成を有する各サンプルテープに対して、
走行耐久性、回転ヘッドシリンダー部での鳴きの状態、
スチル耐久性について評価した。
添加量の値を表１に、第１の粒子および第２の粒子がそ
れぞれ非磁性支持体表面に形成する突起の高さと密度を
表２に併せて示す。そして、上述のような非磁性支持体
に対して、実施例１と同様にして磁性層、バックコート
層を形成し、潤滑剤を塗布し、比較例１〜４のサンプル
テープを得た。特性の評価 上述のような構成を有する各サンプルテープに対して、
走行耐久性、回転ヘッドシリンダー部での鳴きの状態、
スチル耐久性について評価した。
【００２３】具体的には、走行耐久性は、１００回再生
走行させ、初期の出力に対する走行後の出力低下を測定
すると共に、走行中の出力変動を観察することによって
評価した。また、スチル耐久性は、ポーズ状態での出力
が３ｄＢ低下するまでの時間にて評価した。但し、これ
らの測定は、ビデオデッキ（ソニー社製，商品名：ＥＶ
−９００）を用い、相対速度３．８ｍ／秒、記録周波数
７ＭＨｚとして行った。測定結果を表３に示す。
走行させ、初期の出力に対する走行後の出力低下を測定
すると共に、走行中の出力変動を観察することによって
評価した。また、スチル耐久性は、ポーズ状態での出力
が３ｄＢ低下するまでの時間にて評価した。但し、これ
らの測定は、ビデオデッキ（ソニー社製，商品名：ＥＶ
−９００）を用い、相対速度３．８ｍ／秒、記録周波数
７ＭＨｚとして行った。測定結果を表３に示す。
【００２４】
【表３】
【００２５】表３より、実施例１〜実施例４のサンプル
テープのような、平均粒径が６０ｎｍ〜３００ｎｍであ
る第１の粒子によって形成される突起を１×１０3 個／
ｍｍ 2 〜１×１０5 個／ｍｍ2 の密度で有し、平均粒径
が２０ｎｍ〜５０ｎｍである第２の粒子によって形成さ
れる突起を１×１０6 個／ｍｍ2 〜５×１０7 個／ｍｍ
2 の密度で有する非磁性支持体を用いると、非常に良好
な走行性を示すと共に優れた電磁変換特性を発揮するこ
とがわかった。
テープのような、平均粒径が６０ｎｍ〜３００ｎｍであ
る第１の粒子によって形成される突起を１×１０3 個／
ｍｍ 2 〜１×１０5 個／ｍｍ2 の密度で有し、平均粒径
が２０ｎｍ〜５０ｎｍである第２の粒子によって形成さ
れる突起を１×１０6 個／ｍｍ2 〜５×１０7 個／ｍｍ
2 の密度で有する非磁性支持体を用いると、非常に良好
な走行性を示すと共に優れた電磁変換特性を発揮するこ
とがわかった。
【００２６】以上、本発明に係る磁気記録媒体について
説明したが、本発明は上述の実施例に限定されるもので
はなく、種々の変形変更が可能である。たとえば、上述
の実施例においては、非磁性支持体の材料としてＰＥＴ
を使用したが、これに限られず、従来公知のプラスチッ
クがいずれも使用可能である。また、金属磁性薄膜も、
Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜に限定されるものではなく、Ｃｏ、
Ｆｅ、Ｎｉ等の金属薄膜、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｃｏ
−Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ合金の薄膜等、面内磁化
記録用の金属磁性薄膜や、Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜、Ｃｏ−
Ｏ薄膜等、垂直磁化記録用の金属磁性薄膜であってもよ
い。このような金属磁性薄膜の成膜方法も、真空蒸着法
に限られず、スパッタリング法、イオンプレーティング
法等が適用可能である。
説明したが、本発明は上述の実施例に限定されるもので
はなく、種々の変形変更が可能である。たとえば、上述
の実施例においては、非磁性支持体の材料としてＰＥＴ
を使用したが、これに限られず、従来公知のプラスチッ
クがいずれも使用可能である。また、金属磁性薄膜も、
Ｃｏ−Ｎｉ合金薄膜に限定されるものではなく、Ｃｏ、
Ｆｅ、Ｎｉ等の金属薄膜、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｃｏ
−Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ合金の薄膜等、面内磁化
記録用の金属磁性薄膜や、Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜、Ｃｏ−
Ｏ薄膜等、垂直磁化記録用の金属磁性薄膜であってもよ
い。このような金属磁性薄膜の成膜方法も、真空蒸着法
に限られず、スパッタリング法、イオンプレーティング
法等が適用可能である。
【００２７】さらに、非磁性支持体に内添させる第１の
粒子および第２の粒子としては、ＳｉＯ2 粒子の他に、
ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 等の粒子やエマルジ
ョン等が使用可能である。エマルジョンとしては、水性
エマルジョンであっても非水エマルジョンであってもよ
く、さらにはラテックス等も使用可能である。また、エ
マルジョンに含まれる合成樹脂の種類としても、酢酸ビ
ニル，アクリル酸エステル，メタクリル酸エステル，塩
化ビニリデン，塩化ビニル，エチレン，スチレン等のホ
モポリマー，コポリマーからなる熱可塑性樹脂や、エポ
キシ樹脂等の熱硬化性樹脂，ブタジエン−スチレン共重
合体，ブタジエン−アクリロニトリル共重合体等の合成
ゴム等、特に限定されるものではない。
粒子および第２の粒子としては、ＳｉＯ2 粒子の他に、
ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 等の粒子やエマルジ
ョン等が使用可能である。エマルジョンとしては、水性
エマルジョンであっても非水エマルジョンであってもよ
く、さらにはラテックス等も使用可能である。また、エ
マルジョンに含まれる合成樹脂の種類としても、酢酸ビ
ニル，アクリル酸エステル，メタクリル酸エステル，塩
化ビニリデン，塩化ビニル，エチレン，スチレン等のホ
モポリマー，コポリマーからなる熱可塑性樹脂や、エポ
キシ樹脂等の熱硬化性樹脂，ブタジエン−スチレン共重
合体，ブタジエン−アクリロニトリル共重合体等の合成
ゴム等、特に限定されるものではない。
【００２８】また、金属磁性薄膜上に保護膜を成膜して
もよく、この場合、保護膜としては通常使用されている
ものがいずれも使用可能である。例えば、カーボン，Ｃ
ｒＯ 2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＢＮ，Ｃｏ酸化物，ＭｇＯ，Ｓｉ
Ｏ2 ，Ｓｉ3 Ｏ4 ，ＳｉＮx，ＳｉＣ，ＳｉＮx −Ｓｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ＴｉＯ2 ，ＴｉＣ等を真空薄膜成膜手段
によって成膜した単層膜，多層膜あるいは複合膜等が挙
げられる。
もよく、この場合、保護膜としては通常使用されている
ものがいずれも使用可能である。例えば、カーボン，Ｃ
ｒＯ 2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＢＮ，Ｃｏ酸化物，ＭｇＯ，Ｓｉ
Ｏ2 ，Ｓｉ3 Ｏ4 ，ＳｉＮx，ＳｉＣ，ＳｉＮx −Ｓｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ＴｉＯ2 ，ＴｉＣ等を真空薄膜成膜手段
によって成膜した単層膜，多層膜あるいは複合膜等が挙
げられる。
【００２９】もちろん、下塗り膜、バックコート層、ト
ップコート層等の有無、これらを構成する材料や形成方
法も特に限定されない。
ップコート層等の有無、これらを構成する材料や形成方
法も特に限定されない。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、磁性層上に高さの異なる２種類の突起を形成す
ることにより表面性を制御するので、電磁変換特性を劣
化させることなく走行耐久性の向上を図ることができ
る。また、磁性層表面の突起は、非磁性支持体に内添さ
せる粒子の平均粒径および添加量によって制御できるた
め、コストがかからない。
明では、磁性層上に高さの異なる２種類の突起を形成す
ることにより表面性を制御するので、電磁変換特性を劣
化させることなく走行耐久性の向上を図ることができ
る。また、磁性層表面の突起は、非磁性支持体に内添さ
せる粒子の平均粒径および添加量によって制御できるた
め、コストがかからない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松村 伸一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる
磁性層を有する磁気記録媒体において、 前記非磁性支持体に、平均粒径が互いに異なる少なくと
も２種類の粒子が内添されていることを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 前記粒子の１種類は、平均粒径が６０ｎ
ｍ〜３００ｎｍである第１の粒子よりなり、前記粒子の
他の１種類は、平均粒径が２０ｎｍ〜５０ｎｍである第
２の粒子よりなることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項３】 前記磁性層表面は、前記第１の粒子によ
って形成される突起を１×１０3 個／ｍｍ2 〜１×１０
5 個／ｍｍ2 の密度で有し、前記第２の粒子によって形
成される突起を１×１０6 個／ｍｍ2 〜５×１０7 個／
ｍｍ2 の密度で有することを特徴とする請求項２記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記非磁性支持体はポリエチレンテレフ
タレートよりなることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025395A JPH08235558A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4025395A JPH08235558A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08235558A true JPH08235558A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12575530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4025395A Withdrawn JPH08235558A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08235558A (ja) |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP4025395A patent/JPH08235558A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020507 |