JPS62229518A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPS62229518A JPS62229518A JP6975586A JP6975586A JPS62229518A JP S62229518 A JPS62229518 A JP S62229518A JP 6975586 A JP6975586 A JP 6975586A JP 6975586 A JP6975586 A JP 6975586A JP S62229518 A JPS62229518 A JP S62229518A
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Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は耐久性、耐環境性に優れた高密度記録用tIl
lり堆積型磁気記録媒体に関する。 ′[従来の技術
] 従来より、通常はポリエステル等のプラスチックフィル
ムからなる非磁性支持体のLに1強磁性徴粒子・を高分
子結合剤中に均一・に分散せしめた磁性層を有する塗布
型磁気記録媒体が広く用いられ、また近年は金属等の薄
膜を蒸着・スパッタリング等の方法で非磁性支持体上に
形成せしめた、強磁性薄膜型磁気記録媒体の開発が進め
られており、 一部実用化しているものもある。特に、
強磁性薄膜型磁気記録媒体のうち、Co−Cr垂直磁化
膜は高密度磁気記録媒体とし゛て将来性があるとされ、
脚光をあびている。
lり堆積型磁気記録媒体に関する。 ′[従来の技術
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子結合剤中に均一・に分散せしめた磁性層を有する塗布
型磁気記録媒体が広く用いられ、また近年は金属等の薄
膜を蒸着・スパッタリング等の方法で非磁性支持体上に
形成せしめた、強磁性薄膜型磁気記録媒体の開発が進め
られており、 一部実用化しているものもある。特に、
強磁性薄膜型磁気記録媒体のうち、Co−Cr垂直磁化
膜は高密度磁気記録媒体とし゛て将来性があるとされ、
脚光をあびている。
[発明が解決しようとする問題点]
塗布型媒体では磁性層厚が大きいために高周波(短波長
)記録再生で反磁界の影響が大きく、短波長での再生出
力の向ヒを図るためには磁性層厚を薄くするか保持力H
cを大きくする心安が有る。
)記録再生で反磁界の影響が大きく、短波長での再生出
力の向ヒを図るためには磁性層厚を薄くするか保持力H
cを大きくする心安が有る。
例えばメタルパウダー塗布媒体(MP媒体)では保持力
が1300〜15000e有り、従来磁気ヘッドに使用
されていたフェライトヘッドでは−1−分な記録が出来
ず1MP媒体用には高価なセンダストやアモルファスヘ
ッドが必要である。また磁性層厚みの減少は、短波長の
記録再生には優れるものの長波長の再生出力が減少する
欠点がある。また塗布型媒体の本質的な欠点として磁性
粉を高分子バインダーに分散させて使用するため、おの
ずから磁束量を増加するのに限界があり、飛躍的な高出
力化は難しい。
が1300〜15000e有り、従来磁気ヘッドに使用
されていたフェライトヘッドでは−1−分な記録が出来
ず1MP媒体用には高価なセンダストやアモルファスヘ
ッドが必要である。また磁性層厚みの減少は、短波長の
記録再生には優れるものの長波長の再生出力が減少する
欠点がある。また塗布型媒体の本質的な欠点として磁性
粉を高分子バインダーに分散させて使用するため、おの
ずから磁束量を増加するのに限界があり、飛躍的な高出
力化は難しい。
一方、全屈薄膜型の蒸着テープの代表であるCo−1合
金膜は、耐食性と耐久性が実用上の問題である。すなわ
ち、Co−Ni合金自体が耐食合金でなく、かつ特性向
上の目的で斜め蒸着で形成するために密度の小さいこと
があり、酸化しやすい状態となっている。Co−1合金
膜では膜表面を酸化処理する(特開昭53−85403
号他)、酸化物、窒化物の保護層を設ける(特開昭57
−187134号他)、防酸剤を塗布する(特開昭57
−152518号他)等の耐食方法が検討されているが
、Co−Ni膜の膜厚そのものが薄くかつ密度が低いた
め、十分な耐食性が保証されない。
金膜は、耐食性と耐久性が実用上の問題である。すなわ
ち、Co−Ni合金自体が耐食合金でなく、かつ特性向
上の目的で斜め蒸着で形成するために密度の小さいこと
があり、酸化しやすい状態となっている。Co−1合金
膜では膜表面を酸化処理する(特開昭53−85403
号他)、酸化物、窒化物の保護層を設ける(特開昭57
−187134号他)、防酸剤を塗布する(特開昭57
−152518号他)等の耐食方法が検討されているが
、Co−Ni膜の膜厚そのものが薄くかつ密度が低いた
め、十分な耐食性が保証されない。
[問題点を解決するための手段及び作用]本発明は上述
した従来の磁気記録媒体の有する欠点を克服し、優れた
記録再生特性であるとともに、耐食性、耐久性において
も実用的にト分な性能を有する磁気記録媒体を提供する
ものである。
した従来の磁気記録媒体の有する欠点を克服し、優れた
記録再生特性であるとともに、耐食性、耐久性において
も実用的にト分な性能を有する磁気記録媒体を提供する
ものである。
本発明は、基体と該基体に積層されたCo−Cr合金強
磁性体層と該強磁性体層に形成された酸化コバルト層と
該酸化コバルト層に積層された有機保1盛層とからなり
、該有機保護層が一般式%式% (式中R1はパーフロロアルキル基を示す)で表わされ
る含フッ素化合物からなることを特徴とする磁気記録媒
体である。
磁性体層と該強磁性体層に形成された酸化コバルト層と
該酸化コバルト層に積層された有機保1盛層とからなり
、該有機保護層が一般式%式% (式中R1はパーフロロアルキル基を示す)で表わされ
る含フッ素化合物からなることを特徴とする磁気記録媒
体である。
第1図は本発明の磁気記録媒体の構成を示す図で、lは
基体、2はCo−Cr合金強磁性体層、3は酸化コバル
ト層、4は保護層である。
基体、2はCo−Cr合金強磁性体層、3は酸化コバル
ト層、4は保護層である。
本発明の磁気記録媒体の基体1としては、ガラス、アル
ミニウム、表面酸化処理アルミニウム等の外に、高分子
支持基材としてポリエステル、セルロース、アクリル、
ポリアミド、ポリイミド。
ミニウム、表面酸化処理アルミニウム等の外に、高分子
支持基材としてポリエステル、セルロース、アクリル、
ポリアミド、ポリイミド。
ポリアミドイミド、ポリオレフィン、ポリポリフロロオ
レフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル/酢酸ビニルコポリマー、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
カーボネート、フェノール樹脂、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアセタール、ポ
リフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイド
等が挙げられる。
レフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル/酢酸ビニルコポリマー、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
カーボネート、フェノール樹脂、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアセタール、ポ
リフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイド
等が挙げられる。
電磁変換特性の優れた磁気記録媒体を得るためには、保
持力の大きいことが望ましい、磁性層であるCo−Cr
合金膜の保持力向上のためにはCo−Cr合金膜の形成
温度が高いことが好ましく(100°C〜300℃)、
高分子基体としては耐熱性を有するポリアミド、ポリイ
ミド樹脂、特に芳香族ポリイミド樹脂が良い。これらの
高分子基体を用いたフロッピーディスク、磁気テープで
は媒体のカールのないことが走行性、ヘッドタッチの点
から重要である。カールのない記録媒体を作成するため
には、Co−Cr合金膜との熱応力、成膜時に発生する
応力を打ち消す様に高分子基体の熱膨張の値を最適に選
ぶ必要がある。
持力の大きいことが望ましい、磁性層であるCo−Cr
合金膜の保持力向上のためにはCo−Cr合金膜の形成
温度が高いことが好ましく(100°C〜300℃)、
高分子基体としては耐熱性を有するポリアミド、ポリイ
ミド樹脂、特に芳香族ポリイミド樹脂が良い。これらの
高分子基体を用いたフロッピーディスク、磁気テープで
は媒体のカールのないことが走行性、ヘッドタッチの点
から重要である。カールのない記録媒体を作成するため
には、Co−Cr合金膜との熱応力、成膜時に発生する
応力を打ち消す様に高分子基体の熱膨張の値を最適に選
ぶ必要がある。
芳香族ポリイミド膜(フィルム)としてはジアミン成分
としてパラフェニレンジアミン(PPD) eti独で
使用するか、或いはPPDとジアミノジフェニルエーテ
ル(DADE)とを共に使用し、また、テトラカルボン
酸成分として、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(
BPDA)とピロメリット酸二無水物(PMOA)とを
共に使用して、共重合で得られた芳香族ポリアミック酸
の溶液から、製膜およびイミド化によって得られた芳香
族ポリイミド膜(フィルム)が好ましくその厚みは4ル
〜1001Lが記録媒体用として右Jnである。
としてパラフェニレンジアミン(PPD) eti独で
使用するか、或いはPPDとジアミノジフェニルエーテ
ル(DADE)とを共に使用し、また、テトラカルボン
酸成分として、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(
BPDA)とピロメリット酸二無水物(PMOA)とを
共に使用して、共重合で得られた芳香族ポリアミック酸
の溶液から、製膜およびイミド化によって得られた芳香
族ポリイミド膜(フィルム)が好ましくその厚みは4ル
〜1001Lが記録媒体用として右Jnである。
このベースフィルムは、前述のようにPPD。
BPDAオ、Jl−びPMrJA(7) 3成分アロ
イハPP[l、 DADE。
イハPP[l、 DADE。
BPDAおよびPMOAの4成分から共重合で形成され
たものであるので、耐熱性、引張弾性に優れているばか
りでなく、内戚分を構成する各成分の使用量比率を色々
と調整することによって、得られた芳香族ポリイミド膜
の熱膨張係数を強磁性材料の熱膨張係数に大略一致する
ような値にすることができ、また、芳香族ポリイミド膜
の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の性能を好適
にするように変えることができる。
たものであるので、耐熱性、引張弾性に優れているばか
りでなく、内戚分を構成する各成分の使用量比率を色々
と調整することによって、得られた芳香族ポリイミド膜
の熱膨張係数を強磁性材料の熱膨張係数に大略一致する
ような値にすることができ、また、芳香族ポリイミド膜
の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の性能を好適
にするように変えることができる。
ベースフィルムを形成しているポリイミド膜は、その熱
膨張係数が約1.OXl0−5〜3.OX105cm/
cra/°0の範囲であり、引張弾性定数が約300〜
1200kg/m112、特に325〜?00kg/m
m2の範囲であって、更に二次転移温度が約300℃以
上、特に310℃以上であることが好ましく、さらに上
述の性能に加えて、熱分解開始温度が約400℃以上、
特に450℃以上であって、約250℃の温度付近での
連続使用に酎えうるものであり、また、引張試験におけ
る引張強度が約20kg#m2以り、特に約25kg/
層m2以にであり、しかも破断点の伸び率が約30%以
北、特に40%以上であるものが、磁気記録媒体の製造
の際に優れた耐熱性を示し、高温での磁性層の形成が可
能であると共に、カールの発生を防止でき、さらに巻き
ムラ、走行性、およびヘッドタンチの優れた磁気記録媒
体となるので最適である。
膨張係数が約1.OXl0−5〜3.OX105cm/
cra/°0の範囲であり、引張弾性定数が約300〜
1200kg/m112、特に325〜?00kg/m
m2の範囲であって、更に二次転移温度が約300℃以
上、特に310℃以上であることが好ましく、さらに上
述の性能に加えて、熱分解開始温度が約400℃以上、
特に450℃以上であって、約250℃の温度付近での
連続使用に酎えうるものであり、また、引張試験におけ
る引張強度が約20kg#m2以り、特に約25kg/
層m2以にであり、しかも破断点の伸び率が約30%以
北、特に40%以上であるものが、磁気記録媒体の製造
の際に優れた耐熱性を示し、高温での磁性層の形成が可
能であると共に、カールの発生を防止でき、さらに巻き
ムラ、走行性、およびヘッドタンチの優れた磁気記録媒
体となるので最適である。
機械的及び熱的性質などを上述の様に磁気記録媒体にと
って好適にするためには、芳香族ポリアミック酸を生成
するために使用されているジアミン成分は、全ジアミン
成分に対して約40〜95モル%、特に45〜90モル
%範囲の使用量割合のPPDと、全ジアミン成分に対し
て約5〜60モル%、特に10〜55モル%の使用量割
合のDADEとの2成分からなることが好ましい。また
、芳香族ポリアミック酸を生成するためのテトラカルボ
ン酸成分は、全テトラカルボン酸成分に対して約10〜
90モル%、特に15〜85モル%の使用量割合のBP
DAと、全テトラカルボン酸成分に対して約10〜90
モル%、特に15〜85モル%の使用量割合のPMDA
とからなることが好ましいのである。
って好適にするためには、芳香族ポリアミック酸を生成
するために使用されているジアミン成分は、全ジアミン
成分に対して約40〜95モル%、特に45〜90モル
%範囲の使用量割合のPPDと、全ジアミン成分に対し
て約5〜60モル%、特に10〜55モル%の使用量割
合のDADEとの2成分からなることが好ましい。また
、芳香族ポリアミック酸を生成するためのテトラカルボ
ン酸成分は、全テトラカルボン酸成分に対して約10〜
90モル%、特に15〜85モル%の使用量割合のBP
DAと、全テトラカルボン酸成分に対して約10〜90
モル%、特に15〜85モル%の使用量割合のPMDA
とからなることが好ましいのである。
さらにこの様な構成成分より成るポリイミドフィルムは
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応じて
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム1.その他
の充填剤を混練せしめることも可能で、この様なポリイ
ミドフィルムを本発明の基体に用いても良い、しかし本
発明磁気記録媒体の優れた高密度記録特性を生かすため
には、基体表面粗さが最大0.(15ILra以下(R
waxが0.05JJ−1)であることが望ましい。
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応じて
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム1.その他
の充填剤を混練せしめることも可能で、この様なポリイ
ミドフィルムを本発明の基体に用いても良い、しかし本
発明磁気記録媒体の優れた高密度記録特性を生かすため
には、基体表面粗さが最大0.(15ILra以下(R
waxが0.05JJ−1)であることが望ましい。
前述の芳香族ポリイミド膜の上にCo−Cr合金からな
る磁性層を形成するには、例えばスパッタリング法、電
子ビーム連続蒸着法などの公知の方法を挙げることがで
きるが、それらの方法で前記芳香族ポリイミド膜の表面
に磁性層を形成する際、膜の温度(成膜温度)を約25
0℃にまですることができるので、優れた性能の磁性層
が容易に形成されうるのである。
る磁性層を形成するには、例えばスパッタリング法、電
子ビーム連続蒸着法などの公知の方法を挙げることがで
きるが、それらの方法で前記芳香族ポリイミド膜の表面
に磁性層を形成する際、膜の温度(成膜温度)を約25
0℃にまですることができるので、優れた性能の磁性層
が容易に形成されうるのである。
Co−Cr合金が磁気記録層として優れる点はまず膜面
に垂直に磁気異方性を有することにより垂直磁化膜とな
り、短波長記録で反磁界の影響を受けないことである。
に垂直に磁気異方性を有することにより垂直磁化膜とな
り、短波長記録で反磁界の影響を受けないことである。
すなわち磁性層を極端に薄くする必要がないため、高出
力を得るために上方な膜厚を持たすことができる。また
斜め蒸着法で形成しないために膜密度が高く、薄膜化に
よる磁束密度の減少が小さい。さらにCo−Cr合金膜
が磁気記録層として優れる点は極めて耐食性が良いこと
である。
力を得るために上方な膜厚を持たすことができる。また
斜め蒸着法で形成しないために膜密度が高く、薄膜化に
よる磁束密度の減少が小さい。さらにCo−Cr合金膜
が磁気記録層として優れる点は極めて耐食性が良いこと
である。
このCo−Cr合金からなる磁性R1X2の厚みは0.
1 延11〜2.0 p、、mの範囲が好ましく、基体
lに直接形成させる以外にも、磁性層を形成するに先ヴ
も、接着性向り、磁気特性向L、その他の目的で必要に
応じてコロナ放電処理その他の前処理を施したり、 A
P、 Ti、 Cr、 Ge、 5i02. Aj)+
O:+等の非磁性膜、あるいはFe−Ni合金膜、また
はCo−Zr。
1 延11〜2.0 p、、mの範囲が好ましく、基体
lに直接形成させる以外にも、磁性層を形成するに先ヴ
も、接着性向り、磁気特性向L、その他の目的で必要に
応じてコロナ放電処理その他の前処理を施したり、 A
P、 Ti、 Cr、 Ge、 5i02. Aj)+
O:+等の非磁性膜、あるいはFe−Ni合金膜、また
はCo−Zr。
Fe−P−C,Fe−Co−8i−B′:Jの非晶質膜
で代表される高透磁率膜を介して設けてもかまわない。
で代表される高透磁率膜を介して設けてもかまわない。
これらCo−Cr合金強磁性薄膜は、必要に応じて基体
1の両面に形成することもできる。
1の両面に形成することもできる。
酸化コバルト層3は、所定圧の酸素を含む不活性ガス中
でのスパッタリング法、希薄酸素下での真空蒸着法、も
しくはイオンブレーティング法7の物理蒸着法、あるい
はプラズマ酸化処理によって、Co−Cr合金強磁性体
層2の表面に直接堆積形成あるいは酸化層形成をしてい
る。酸化コバルト層3は磁気記録層とヘッドとの凝看を
防ぎ、liwJ?!耗性の向上に極めて有効である。酸
化コバルト層3の厚みは耐摩耗性を保障するにト分な厚
みが必要であるが一方、Co−Cr系合金磁性層の持つ
高密度記録特性を有効に利用するためにはスペーシング
ロス減少のため薄い事が望ましい。それ−装置化コバル
ト層3の厚みは30〜300Aが望ましく。
でのスパッタリング法、希薄酸素下での真空蒸着法、も
しくはイオンブレーティング法7の物理蒸着法、あるい
はプラズマ酸化処理によって、Co−Cr合金強磁性体
層2の表面に直接堆積形成あるいは酸化層形成をしてい
る。酸化コバルト層3は磁気記録層とヘッドとの凝看を
防ぎ、liwJ?!耗性の向上に極めて有効である。酸
化コバルト層3の厚みは耐摩耗性を保障するにト分な厚
みが必要であるが一方、Co−Cr系合金磁性層の持つ
高密度記録特性を有効に利用するためにはスペーシング
ロス減少のため薄い事が望ましい。それ−装置化コバル
ト層3の厚みは30〜300Aが望ましく。
50〜+5OAが特に好ましい。
酸化コバルト層3は、磁気記録層2の保護に大きな役割
を果すものであり、さらに、金属ヘッド、フェライトヘ
ッド等とのなじみも良く、表面の摩擦係数も低下する。
を果すものであり、さらに、金属ヘッド、フェライトヘ
ッド等とのなじみも良く、表面の摩擦係数も低下する。
殊に酸化コバルト層の最表部がCo304 である時、
その効果が著しい。
その効果が著しい。
しかしながら、磁気記録媒体の表面が極めて平坦な場合
(例えば十点平均粗さRz (JIS−80601)で
0.02JL以下)あるいは、多湿条件等の悪環境条件
五での耐久性が必ずしも十分でない。
(例えば十点平均粗さRz (JIS−80601)で
0.02JL以下)あるいは、多湿条件等の悪環境条件
五での耐久性が必ずしも十分でない。
そこで本発明磁気記録媒体の高密度記録特性を損なわず
かつ摩擦を低減し、走行安定性を向丘させる為には、有
機化合物による保護層4を酸化コバルト層3の表面に積
層することが大変有効である。有機化合物による滑性と
酸化コバルト層3の強靭な保護作用とが積層され、より
一層摩耗し難く、かつ高温高湿、低温高湿での走行性能
、1酎久性に優れた効果がある。
かつ摩擦を低減し、走行安定性を向丘させる為には、有
機化合物による保護層4を酸化コバルト層3の表面に積
層することが大変有効である。有機化合物による滑性と
酸化コバルト層3の強靭な保護作用とが積層され、より
一層摩耗し難く、かつ高温高湿、低温高湿での走行性能
、1酎久性に優れた効果がある。
本発明においては有機保護層として一般式%式%
(式中R「はパーフロロアルキル基を示す)で表わされ
る含フッ素化合物が用いられる。Rfの炭素数は4以上
が好ましい。この有機保護層を羽均膜厚5八以上の膜厚
で設けることによって、耐久性の向上とともに悪環境下
、例えば多湿雰囲気中における磁気記録媒体の走行容易
性、走行安定性に大変有効である。 ゛ 有機化合物による当該保護層も金属酸化物層同様に、電
磁変換特性の面において、膜厚の影響によるスペーシン
グロスを生じやすい為、厚みは200八以下、さらには
100 A以下であることが望ましい。当該保護層にお
いては、必ずしも均一な連続膜である必要はなく、斑点
状7の様に不連続であっても良い。
る含フッ素化合物が用いられる。Rfの炭素数は4以上
が好ましい。この有機保護層を羽均膜厚5八以上の膜厚
で設けることによって、耐久性の向上とともに悪環境下
、例えば多湿雰囲気中における磁気記録媒体の走行容易
性、走行安定性に大変有効である。 ゛ 有機化合物による当該保護層も金属酸化物層同様に、電
磁変換特性の面において、膜厚の影響によるスペーシン
グロスを生じやすい為、厚みは200八以下、さらには
100 A以下であることが望ましい。当該保護層にお
いては、必ずしも均一な連続膜である必要はなく、斑点
状7の様に不連続であっても良い。
保、か層4の膜形成方法としては、リバースロール法、
バーコーティング法等により酸化コ/<−ルト層3の表
面に直接塗布する湿式コーティング法が適用される。
バーコーティング法等により酸化コ/<−ルト層3の表
面に直接塗布する湿式コーティング法が適用される。
本発明におけるCo−Cr合金強磁性体薄膜堆績型磁気
記録媒体において、当該磁気記録媒体の基体の少なくと
も片側表面には磁気記録層を形成し、これと反対側の一
方の面には、必要に応じて表面と対称型の薄膜を積層形
成しても良く、あるいは当該基体の保護、滑性、補強、
その他の有効な効果を補足する目的で各種のバックコー
ト層を形成しても良い。バックコート層としては、AR
,Ti。
記録媒体において、当該磁気記録媒体の基体の少なくと
も片側表面には磁気記録層を形成し、これと反対側の一
方の面には、必要に応じて表面と対称型の薄膜を積層形
成しても良く、あるいは当該基体の保護、滑性、補強、
その他の有効な効果を補足する目的で各種のバックコー
ト層を形成しても良い。バックコート層としては、AR
,Ti。
V、 Zr、 Co、 Nb、 Ta、 W、 Cr
、 Si、 Ge等の金属。
、 Si、 Ge等の金属。
゛ト金属あるいはその酸化物、窒化物、炭化物の薄膜、
あるいは酸化物微粒子炭酸カルシウム等の易滑性微粒子
と、カーボン、金属粉末等の導電性粒子と、脂肪酸、脂
肪酸エステル等の潤滑剤を少なくとも一種類含む熱可塑
性または熱硬化性樹脂等の高分子バインダーに混練して
塗布したものが挙げられる。
あるいは酸化物微粒子炭酸カルシウム等の易滑性微粒子
と、カーボン、金属粉末等の導電性粒子と、脂肪酸、脂
肪酸エステル等の潤滑剤を少なくとも一種類含む熱可塑
性または熱硬化性樹脂等の高分子バインダーに混練して
塗布したものが挙げられる。
以上述べた様に、表面平坦性に優れかつ熱膨張率を調整
した高弾性率、高耐熱性共重合ポリイミドフィルムしに
高温でCo−Cr合金j漠を形成し、さらにその上に酸
化コバルト層を形成し、さらに(H2=CHC00C2
H4Rf (式中R「はパーフロロアルキル基)で表わ
される化合物の保護層を形成した磁気記録媒体はカール
が小さく、かつ高密度記録特性が優れ耐摩耗性、耐久性
、耐環境性がいずれも実用」ニド分な性能を有しており
、極めて優れた磁気記録媒体である。
した高弾性率、高耐熱性共重合ポリイミドフィルムしに
高温でCo−Cr合金j漠を形成し、さらにその上に酸
化コバルト層を形成し、さらに(H2=CHC00C2
H4Rf (式中R「はパーフロロアルキル基)で表わ
される化合物の保護層を形成した磁気記録媒体はカール
が小さく、かつ高密度記録特性が優れ耐摩耗性、耐久性
、耐環境性がいずれも実用」ニド分な性能を有しており
、極めて優れた磁気記録媒体である。
[実施例]
以下実施例により本発明を説明する。
なお、以下の実施例における評価方法を次に示す。
くテープの評価方法〉
出力の周波数特性:
0.75MHz、 4.5MHz、 7.5MHzの単
一信号を記録し、再生出力を測定。
一信号を記録し、再生出力を測定。
スチル1耐久性テスト:
20℃、65%およびO″Cの環境下でスチル再生出力
の時間変化を測定。20分経過後出力低下が3dB以内
をOとする。
の時間変化を測定。20分経過後出力低下が3dB以内
をOとする。
耐食テスト:
50°C280%で1000時間放置後飽和磁束密度の
低下が105以内をOとする。
低下が105以内をOとする。
くディスクの評価方法〉
出力の周波数特性:
1.3MHz、 7.0MHzの単一信号を記録し、再
生出力を測定。
生出力を測定。
耐久性:
20℃、65%の環境下でスチル再生出力の時間変化を
測定。50時間経過後出力低下が3dB以内をOとする
。
測定。50時間経過後出力低下が3dB以内をOとする
。
出力ムラ:
■トラック内での出力の最大値と最小値の差。
実施例1
内容v1300交の重合釜に3.3’、4.4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物;20モル、ピロメリ
ット酸二無水物;80モル、パラフェニレンジアミンニ
ア0モル及び4.4′−ジアミノジフェニルエーテル;
30モル、ざらにN−メチル−2−ピロリドン198.
0kgを入れた。この混合液を50℃の反応温度、常圧
下で44時間攪拌して重合反応を行ない、高分子−■の
芳香族ポリアミック酸を約20.0重量%含有する反応
液を得た。
ェニルテトラカルボン酸二無水物;20モル、ピロメリ
ット酸二無水物;80モル、パラフェニレンジアミンニ
ア0モル及び4.4′−ジアミノジフェニルエーテル;
30モル、ざらにN−メチル−2−ピロリドン198.
0kgを入れた。この混合液を50℃の反応温度、常圧
下で44時間攪拌して重合反応を行ない、高分子−■の
芳香族ポリアミック酸を約20.0重量%含有する反応
液を得た。
この芳香族ポリアミック酸の溶液組成物を平滑なキャス
ティングロールEに流延し、キャスティングD、にて均
一な厚さを有する溶液組成物の液膜を形成して、その液
膜を約60〜200°Cの温度範囲で昇温しながら乾燥
して固化し、さらにその固化11Qをキャスティングロ
ールからはぎとり、炉の中で350℃の温度にまで加熱
して熱処理し、厚さ10gmの芳香族ポリイミド膜のベ
ースフィルムを製造した。
ティングロールEに流延し、キャスティングD、にて均
一な厚さを有する溶液組成物の液膜を形成して、その液
膜を約60〜200°Cの温度範囲で昇温しながら乾燥
して固化し、さらにその固化11Qをキャスティングロ
ールからはぎとり、炉の中で350℃の温度にまで加熱
して熱処理し、厚さ10gmの芳香族ポリイミド膜のベ
ースフィルムを製造した。
この芳香族ポリイミドフィルムについて種々の物性を測
定したが、その結果、引張弾性定数が490kg/ms
’ 、 m膨張係数αtoo〜30Q’CがIJ X
1O−5c+s/cs/”C1Rzは80Aであった。
定したが、その結果、引張弾性定数が490kg/ms
’ 、 m膨張係数αtoo〜30Q’CがIJ X
1O−5c+s/cs/”C1Rzは80Aであった。
この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、電子ビーム加熱装置を有した磁気テープの連続
成膜装置により、当該ベースフィルムの表面にCo 7
8vt$ Cr 22vt$の垂直磁化+1Qをベー
スフィルムの温度を230℃として、0.1 ルm /
secの成膜速度で約0.4 ルm厚形成した後、その
上部に酸素lO%を含むアルゴンガス中でCoをスパッ
タし、酸化コバルト薄膜を10OA厚形酸した。さらに
イソプロピルアルコールで溶解した含フッ素有機化合物
CH2=CHCOOC2H4−nCs F+ 7をリバ
ースロール法により前記酸化コバルト層上に50X 1
0−8g/cm2塗布した。
使用し、電子ビーム加熱装置を有した磁気テープの連続
成膜装置により、当該ベースフィルムの表面にCo 7
8vt$ Cr 22vt$の垂直磁化+1Qをベー
スフィルムの温度を230℃として、0.1 ルm /
secの成膜速度で約0.4 ルm厚形成した後、その
上部に酸素lO%を含むアルゴンガス中でCoをスパッ
タし、酸化コバルト薄膜を10OA厚形酸した。さらに
イソプロピルアルコールで溶解した含フッ素有機化合物
CH2=CHCOOC2H4−nCs F+ 7をリバ
ースロール法により前記酸化コバルト層上に50X 1
0−8g/cm2塗布した。
このようにして得られた磁気シートを8.hm幅にスリ
ットした。このテープのカールは、7く0.1mm−1
と小さく、実用上問題のない量であった。このテープを
8ミリVTRテープ用カセツトに装着し、8ミリビデオ
デツキにて出力の周波数特性、メチル耐久性、50°C
980%での耐食性テスト等を行なった。評価方法は以
下に示す。
ットした。このテープのカールは、7く0.1mm−1
と小さく、実用上問題のない量であった。このテープを
8ミリVTRテープ用カセツトに装着し、8ミリビデオ
デツキにて出力の周波数特性、メチル耐久性、50°C
980%での耐食性テスト等を行なった。評価方法は以
下に示す。
実施例2
実施例1と同様の条件で含フッ素有機化合物としてGH
+ =CH(0002Ha −nca Fqを用い、塗
布量は8 X 10=g/c+s2 とした。結果は第
1表に示したように実施例1と同様良好な結果を得た。
+ =CH(0002Ha −nca Fqを用い、塗
布量は8 X 10=g/c+s2 とした。結果は第
1表に示したように実施例1と同様良好な結果を得た。
実施例3
3.3’、4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水v:40モル、ピロメリット酸二無水物:80モル。
水v:40モル、ピロメリット酸二無水物:80モル。
パラフェニレンジアミン:50モル、及び4.4′−ジ
アミノジフェニルエーテル:50モルより成るモノマー
成分及び成分比で実施例1と同一方法にて芳香族ポリア
ミック酸の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例1と同一方法にて厚さ4
0ル■の芳香族ポリイミドフィルムを製造した。この芳
香族ポリイミドフィルムは引張弾性定数が400kg/
am2.熱I膨張係数Q100〜30G@Cが2.8
X 10−5cm/cm/”C,Rtは30Aであった
。
アミノジフェニルエーテル:50モルより成るモノマー
成分及び成分比で実施例1と同一方法にて芳香族ポリア
ミック酸の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例1と同一方法にて厚さ4
0ル■の芳香族ポリイミドフィルムを製造した。この芳
香族ポリイミドフィルムは引張弾性定数が400kg/
am2.熱I膨張係数Q100〜30G@Cが2.8
X 10−5cm/cm/”C,Rtは30Aであった
。
この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、スパッタリング装置にて当該ベース74)Lム
上にCo 80wt$−Cr 20vt$の垂直磁化膜
をベースフィルムの温度を150℃として約0.5 g
ra形成した後、その上部に酸素12%を含むアルゴン
ガス中でCOをスパッタし、酸化コバルト薄膜を8OA
厚形成した。次いで、インプロピルアルコールで溶解し
たCH2=CHCOOC7H4−r+c:a F+ r
をすバースロール法により前記酸化コバルト層上に8
X lo−1g/cm2塗布した。
使用し、スパッタリング装置にて当該ベース74)Lム
上にCo 80wt$−Cr 20vt$の垂直磁化膜
をベースフィルムの温度を150℃として約0.5 g
ra形成した後、その上部に酸素12%を含むアルゴン
ガス中でCOをスパッタし、酸化コバルト薄膜を8OA
厚形成した。次いで、インプロピルアルコールで溶解し
たCH2=CHCOOC7H4−r+c:a F+ r
をすバースロール法により前記酸化コバルト層上に8
X lo−1g/cm2塗布した。
こうして得られたサンプルを直径47φのディスクに打
ち抜き加工し、スチルビデオデツキ(試験機)を用いて
評価した。
ち抜き加工し、スチルビデオデツキ(試験機)を用いて
評価した。
比較例1
117zm厚ポリエステルフィルム上に斜め蒸着法によ
り、80wt% Co−20wtX1合金から磁気記録
層を0.12pm形成した後、実施例1と同一方法にて
同一材料を5×10−7g10ffI2塗布し8■ビデ
オテープを作製した。
り、80wt% Co−20wtX1合金から磁気記録
層を0.12pm形成した後、実施例1と同一方法にて
同一材料を5×10−7g10ffI2塗布し8■ビデ
オテープを作製した。
[光り1の効果]
以り説明したように、本発明による磁気記録媒体は、基
体の芳香族ポリイミドフィルムの表面に、薄膜堆積法に
てCo−Cr合金強磁性体薄膜を形成し、その表面に酸
化コバルト層を形成した膜面りに更に滑性有機化合物で
ある CH2=CHC00C2Ha Rf (式中Rfはパーフロロアルキル基) で表わされる含フン未右機化合物の保護層を積層形成す
ることにより、走行性、耐久性、耐環境性の優れた高密
度磁気記録媒体の実現をならしめるものである。
体の芳香族ポリイミドフィルムの表面に、薄膜堆積法に
てCo−Cr合金強磁性体薄膜を形成し、その表面に酸
化コバルト層を形成した膜面りに更に滑性有機化合物で
ある CH2=CHC00C2Ha Rf (式中Rfはパーフロロアルキル基) で表わされる含フン未右機化合物の保護層を積層形成す
ることにより、走行性、耐久性、耐環境性の優れた高密
度磁気記録媒体の実現をならしめるものである。
第1図は本発明の磁気記録媒体の構成図である。
l・・・ノ、(体である芳香族ポリイミドフィルム、2
・・・Co−Cr合金強磁性体層。 3・・・酸化コバルト層、 4・・・有機保護層。
・・・Co−Cr合金強磁性体層。 3・・・酸化コバルト層、 4・・・有機保護層。
Claims (1)
- (1)基体と該基体に積層されたCo−Cr合金強磁性
体層と該強磁性体層に形成された酸化コバルト層と該酸
化コバルト層に積層された有機保護層とからなり、該有
機保護層が一般式 CH_2=CHCOOC_2H_4R_f (式中R_fはパーフロロアルキル基を示す)で表わさ
れる含フッ素化合物からなることを特徴とする磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6975586A JPS62229518A (ja) | 1986-03-29 | 1986-03-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6975586A JPS62229518A (ja) | 1986-03-29 | 1986-03-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62229518A true JPS62229518A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13411925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6975586A Pending JPS62229518A (ja) | 1986-03-29 | 1986-03-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62229518A (ja) |
-
1986
- 1986-03-29 JP JP6975586A patent/JPS62229518A/ja active Pending
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