JPS62229517A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は耐久性、耐環境性に優れた高密度記録用薄膜堆
積型磁気記録媒体に関する。
積型磁気記録媒体に関する。
[従来の技術]
従来より、通常はポリエステル等のプラスチックフィル
ムからなる非磁性支持体の上に1強磁性徴粒子を高分子
結合剤中に均一に分散せしめた磁性層を有する塗布型磁
気記録媒体が広く用いられ、また近年は金属等の薄膜を
蒸着・スパッタリング等の方法で非磁性支持体上に形成
せしめた、強磁性薄膜型磁気記録媒体の開発が進められ
ており、一部実用化しているものもある。特に、強磁性
薄膜型磁気記録媒体のうち、Co−Cr垂直磁化膜は高
密度磁気記録媒体として将来性があるとされ、脚光をあ
びている。
ムからなる非磁性支持体の上に1強磁性徴粒子を高分子
結合剤中に均一に分散せしめた磁性層を有する塗布型磁
気記録媒体が広く用いられ、また近年は金属等の薄膜を
蒸着・スパッタリング等の方法で非磁性支持体上に形成
せしめた、強磁性薄膜型磁気記録媒体の開発が進められ
ており、一部実用化しているものもある。特に、強磁性
薄膜型磁気記録媒体のうち、Co−Cr垂直磁化膜は高
密度磁気記録媒体として将来性があるとされ、脚光をあ
びている。
[発明が解決しようとする問題点]
塗布型媒体では磁性層厚が大きいために高周波(短波長
)記録再生で反磁界の影響が大きく、短波長での再生出
力の向とを図るためには磁性層厚を薄くするか保持力H
cを大きくする必要が有る。
)記録再生で反磁界の影響が大きく、短波長での再生出
力の向とを図るためには磁性層厚を薄くするか保持力H
cを大きくする必要が有る。
例えばメタルパウダー塗布媒体(MP媒体)では保持力
が1300〜15000e有り、従来磁気ヘッドに使用
されていたフェライトヘッドでは上方な記録が出来ず、
MP媒体用には高価なセンダストやアモルファスヘッド
が必要である。また磁性層厚みの減少は、短波長の記録
再生には優れるものの長波長の再生出力が減少する欠点
がある。また塗布型媒体の本質的な欠点として磁性粉を
高分子バインダーに分散させて使用するため、おのずか
ら磁束量を増加するのに限界があり、飛躍的な高出力化
は難しい。
が1300〜15000e有り、従来磁気ヘッドに使用
されていたフェライトヘッドでは上方な記録が出来ず、
MP媒体用には高価なセンダストやアモルファスヘッド
が必要である。また磁性層厚みの減少は、短波長の記録
再生には優れるものの長波長の再生出力が減少する欠点
がある。また塗布型媒体の本質的な欠点として磁性粉を
高分子バインダーに分散させて使用するため、おのずか
ら磁束量を増加するのに限界があり、飛躍的な高出力化
は難しい。
一方、金属薄膜型の蒸着テープの代表であるCo−Ni
合金膜は、耐食性と耐久性が実用上の問題である。すな
わち、Co−旧合金自体が耐食合金でなく、かつ特性向
上の目的〒斜め蒸着で形成するために密度の小さいこと
があり、酸化しやすい状態となっている* Co N
i合金膜では膜表面を酸化処理する(特開昭53−85
403号他)、酸化物、窒化物の保護層を設ける(特開
昭57−187134号他)。
合金膜は、耐食性と耐久性が実用上の問題である。すな
わち、Co−旧合金自体が耐食合金でなく、かつ特性向
上の目的〒斜め蒸着で形成するために密度の小さいこと
があり、酸化しやすい状態となっている* Co N
i合金膜では膜表面を酸化処理する(特開昭53−85
403号他)、酸化物、窒化物の保護層を設ける(特開
昭57−187134号他)。
防耐食を塗布する(特開昭57−152518号他)等
の耐食方法が検討されているが、Ca−Ni1g1の膜
厚そのものが薄くかつ密度が低いため、十分な耐食性が
保証されない。
の耐食方法が検討されているが、Ca−Ni1g1の膜
厚そのものが薄くかつ密度が低いため、十分な耐食性が
保証されない。
[問題点を解決するための手段及び作用1本発明は上述
した従来の磁気記録媒体の有する欠点を克服し、優れた
記録再生特性であるとともに、耐食性、耐久性において
も実用的に十分な性1指を有する磁気記録媒体を提供す
るものである。
した従来の磁気記録媒体の有する欠点を克服し、優れた
記録再生特性であるとともに、耐食性、耐久性において
も実用的に十分な性1指を有する磁気記録媒体を提供す
るものである。
本発明は、ス(体と該基体に積層されたGo−Cr合金
強磁性体層と該強磁性体層に形成された酸化コバルト層
と該酸化コバルト層に積層された有機保護層とからなり
、該有機保護層が脂肪酸、脂肪酸アミドまたは脂肪酸グ
リセリドからなる磁気記録媒体である。
強磁性体層と該強磁性体層に形成された酸化コバルト層
と該酸化コバルト層に積層された有機保護層とからなり
、該有機保護層が脂肪酸、脂肪酸アミドまたは脂肪酸グ
リセリドからなる磁気記録媒体である。
第1図は本発明の磁気記録媒体の構成を示す図で、1は
基体、2はCo−Cr合金強磁性体層、3は酸化コバル
ト層、4は保護層である。
基体、2はCo−Cr合金強磁性体層、3は酸化コバル
ト層、4は保護層である。
本発明の磁気記録媒体の基体1としては、ガラス、アル
ミニウム、表面酸化処理アルミニウム等の外に、高分子
支持基材としてポリエステル、セルロース、アクリル、
ポリアミド、ポリイミド。
ミニウム、表面酸化処理アルミニウム等の外に、高分子
支持基材としてポリエステル、セルロース、アクリル、
ポリアミド、ポリイミド。
ポリアミドイミド、ポリオレフィン、ポリポリフロロオ
レフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル/酢酸ビニルコポリマー、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
カーボネート、フェノール樹脂、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアセタール、ポ
リフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイド
等が挙げられる。
レフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニ
ル/酢酸ビニルコポリマー、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
カーボネート、フェノール樹脂、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアセタール、ポ
リフェニレンオキサイド、ポリフェニレンサルファイド
等が挙げられる。
電磁変換特性の優れた磁気記録媒体を得るためには、保
持力の大きいことが望ましい、磁性層であるGo−Cr
合金膜の保持力向上のためにはGo−Cr合金膜の形成
温度が高いことが好ましく(100℃〜300℃)、高
分子基体としては耐熱性を有するポリアミド、ポリイミ
ド樹脂、特に芳香族ポリイミド樹脂が良い、これらの高
分子基体を用いたフロッピーディスク、磁気テープでは
媒体のカールのないことが走行性、ヘッドタッチの点か
ら重要である。カールのない記録媒体を作成するために
は、Go−Cr合金膜との熱応力、成膜時に発生する応
力を打ち消す様に高分子基体の熱膨張の値を最適に選ぶ
必要がある。
持力の大きいことが望ましい、磁性層であるGo−Cr
合金膜の保持力向上のためにはGo−Cr合金膜の形成
温度が高いことが好ましく(100℃〜300℃)、高
分子基体としては耐熱性を有するポリアミド、ポリイミ
ド樹脂、特に芳香族ポリイミド樹脂が良い、これらの高
分子基体を用いたフロッピーディスク、磁気テープでは
媒体のカールのないことが走行性、ヘッドタッチの点か
ら重要である。カールのない記録媒体を作成するために
は、Go−Cr合金膜との熱応力、成膜時に発生する応
力を打ち消す様に高分子基体の熱膨張の値を最適に選ぶ
必要がある。
芳香族ポリイミド膜(フィルム)としてはジアミン成分
としてパラフェニレンジアミン(PPD) 単独で使用
するか、或いはPPDとジアミノジフェニルエーテル(
DADE)とを共に使用し、また、テトラカルボン酸成
分として、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BP
DA)とピロメリット酸二無水物(PNDA)とを共に
使用して、共重合で得られた芳香族ポリアミック酸の溶
液から、製j1λおよびイミド化によって得られた芳香
族ポリイミド膜(フィルム)が好ましくその厚みは4μ
〜100 gが記録媒体用として有用である。
としてパラフェニレンジアミン(PPD) 単独で使用
するか、或いはPPDとジアミノジフェニルエーテル(
DADE)とを共に使用し、また、テトラカルボン酸成
分として、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BP
DA)とピロメリット酸二無水物(PNDA)とを共に
使用して、共重合で得られた芳香族ポリアミック酸の溶
液から、製j1λおよびイミド化によって得られた芳香
族ポリイミド膜(フィルム)が好ましくその厚みは4μ
〜100 gが記録媒体用として有用である。
このベースフィルムは、前述のようにppn 。
BPDAおよびPIIIOAの3成分あるいはpp口、
DADE。
DADE。
BPDAおよびPMOAの4成分から共重合で形成され
たものであるので、耐熱性、引張弾性に優れているばか
りでなく1内戚分を構成する各成分の使用量比率を色々
と[!することによって、得られた芳香族ポリイミド膜
の熱膨張係数を強磁性材料の熱膨張係数に大略一致する
ような値にすることができ、また、芳香族ポリイミド膜
の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の性悌を好適
にするように変えることができる。
たものであるので、耐熱性、引張弾性に優れているばか
りでなく1内戚分を構成する各成分の使用量比率を色々
と[!することによって、得られた芳香族ポリイミド膜
の熱膨張係数を強磁性材料の熱膨張係数に大略一致する
ような値にすることができ、また、芳香族ポリイミド膜
の引張弾性定数を用途に応じて腰の強さ等の性悌を好適
にするように変えることができる。
ベースフィルムを形成しているポリイミド膜は、その熱
膨張係数が約1.OX 10−5〜3,0×10−5c
m/c■/℃の範囲であり、引張弾性定数が約300〜
1200kg/sa2、特に325〜700kg/量I
12の範囲であって、更に二次転移温度が約300℃以
上、特に310℃以上であることが好ましく、さらに上
述の性能に加えて、熱分解開始温度が約400℃以北、
特に450°C以上であって、約250℃の温度付近で
の連続使用に耐えうるものであり、また、引張試験にお
ける引張強度が約20kg/+ue2以上、特に約25
kg/am2以上であり、しかも破断点の伸び率が約3
0%以上、特に40%以上であるものが、磁気記録媒体
の製造の際に優れた耐熱性を示し、高温での磁性層の形
成が可能であると共に、カールの発生を防止でき、さら
に巻きムラ、走行性、およびヘッドタッチの優れた磁気
記録媒体となるので最適である。
膨張係数が約1.OX 10−5〜3,0×10−5c
m/c■/℃の範囲であり、引張弾性定数が約300〜
1200kg/sa2、特に325〜700kg/量I
12の範囲であって、更に二次転移温度が約300℃以
上、特に310℃以上であることが好ましく、さらに上
述の性能に加えて、熱分解開始温度が約400℃以北、
特に450°C以上であって、約250℃の温度付近で
の連続使用に耐えうるものであり、また、引張試験にお
ける引張強度が約20kg/+ue2以上、特に約25
kg/am2以上であり、しかも破断点の伸び率が約3
0%以上、特に40%以上であるものが、磁気記録媒体
の製造の際に優れた耐熱性を示し、高温での磁性層の形
成が可能であると共に、カールの発生を防止でき、さら
に巻きムラ、走行性、およびヘッドタッチの優れた磁気
記録媒体となるので最適である。
機械的及び熱的性質などを上述の様に磁気記録媒体にと
って好適にするためには、芳香族ポリアミック酸を生成
するために使用されているジアミン成分は、全ジアミン
成分に対して約40〜95モル%、特に45〜90モル
%範囲の使用量割合のPPDと、全ジアミン成分に対し
て約5〜60モル%、特に10〜55モル%の使用量割
合のDADEとの2成分からなることが好ましい。また
、芳香族ポリアミック酸を生成するためのテトラカルボ
ン酸成分は、全テトラカルボン酸成分に対して約10〜
90モル%、特に15〜85モル%の使用量割合のBP
DAと、全テトラカルボン酸成分に対して約10〜90
モル%。
って好適にするためには、芳香族ポリアミック酸を生成
するために使用されているジアミン成分は、全ジアミン
成分に対して約40〜95モル%、特に45〜90モル
%範囲の使用量割合のPPDと、全ジアミン成分に対し
て約5〜60モル%、特に10〜55モル%の使用量割
合のDADEとの2成分からなることが好ましい。また
、芳香族ポリアミック酸を生成するためのテトラカルボ
ン酸成分は、全テトラカルボン酸成分に対して約10〜
90モル%、特に15〜85モル%の使用量割合のBP
DAと、全テトラカルボン酸成分に対して約10〜90
モル%。
特に15〜85モル%の使用量割合のPM口Aとからな
ることが好ましいのである。
ることが好ましいのである。
さらにこの様な構成成分より成るポリイミドフィルムは
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応じて
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム、その他の
充填剤を混練せしめることも可能で、この様なポリイミ
ドフィルムを本発明の基体に用いても良い、しかし本発
明磁気記録媒体の優れた高密度記録特性を生かすために
は、基体表面粗さが最大0.05JLm以下(Rwax
が0.05gta)であることが望ましい。
、フィルム表面の凹凸を制御するために、必要に応じて
カーボンブラック、グラファイト、シリカ微粉末、マグ
ネシア微粉末、酸化チタン、炭酸カルシウム、その他の
充填剤を混練せしめることも可能で、この様なポリイミ
ドフィルムを本発明の基体に用いても良い、しかし本発
明磁気記録媒体の優れた高密度記録特性を生かすために
は、基体表面粗さが最大0.05JLm以下(Rwax
が0.05gta)であることが望ましい。
前述の芳香族ポリイミド膜の上にco−Cr合金からな
る磁性層を形成するには、例えばスパッタリング法、電
子ビーム連続蒸着法などの公知の方法を挙げることがで
きるが、それらの方法で前記芳香族ポリイミド膜の表面
に磁性層を形成する際、膜の温度(成膜温度)を約25
0℃にまですることができるので、優れた性能の磁性層
が容易に形成されうるのである。
る磁性層を形成するには、例えばスパッタリング法、電
子ビーム連続蒸着法などの公知の方法を挙げることがで
きるが、それらの方法で前記芳香族ポリイミド膜の表面
に磁性層を形成する際、膜の温度(成膜温度)を約25
0℃にまですることができるので、優れた性能の磁性層
が容易に形成されうるのである。
Co−Cr合金が磁気記録層として優れる点はまず膜面
に垂直に磁気異方性を有することにより垂直磁化膜とな
り、短波長記録で反磁界の影響を受けないことである。
に垂直に磁気異方性を有することにより垂直磁化膜とな
り、短波長記録で反磁界の影響を受けないことである。
すなわち磁性層を極端に薄くする必要がないため、高出
力を得るために十分な膜厚を持たすことができる。また
斜め蒸着法で形成しないために膜密度が高く、g脱化に
よる磁束密度の減少が小さい。さらにGo−Cr合金膜
が磁気記録層として優れる点は極めて耐食性が良いこと
である。
力を得るために十分な膜厚を持たすことができる。また
斜め蒸着法で形成しないために膜密度が高く、g脱化に
よる磁束密度の減少が小さい。さらにGo−Cr合金膜
が磁気記録層として優れる点は極めて耐食性が良いこと
である。
このGo−Cr合金からなる磁性層2の厚みは0.1μ
m〜2.OJLllの範囲が好ましく、基体lに直接形
成させる以外にも、磁性層を形成するに先立ち、接着性
向上、磁気特性向上、その他の目的で必要に応じてコロ
ナ放電処理その他の前処理を施したり、Aj)、 Ti
、 Cr、 Ge、 5i02. Aj1203等の非
磁性膜、あるいはFe−1合金膜、またはCo−Zr。
m〜2.OJLllの範囲が好ましく、基体lに直接形
成させる以外にも、磁性層を形成するに先立ち、接着性
向上、磁気特性向上、その他の目的で必要に応じてコロ
ナ放電処理その他の前処理を施したり、Aj)、 Ti
、 Cr、 Ge、 5i02. Aj1203等の非
磁性膜、あるいはFe−1合金膜、またはCo−Zr。
Fe−P−C,Fe−Go−Si−B等の非晶質1模で
代表される高透磁率膜を介して設けてもかまわない。
代表される高透磁率膜を介して設けてもかまわない。
これらGo−Or合金強磁性薄膜は、必要に応じて基体
1の両面に形成することもできる。
1の両面に形成することもできる。
酸化コバルト層3は、所定圧の酸素を含む不活性ガス中
でのスパッタリング法、希薄酸素下での真空蒸着法、も
しくはイオンブレーティング法等の物理蒸着法、あるい
はプラズマ酸化処理によって、Co−Cr合金強磁性体
層2の表面に直接堆積形成あるいは酸化層形成をしてい
る。酸化コバルト層3は磁気記録層とヘッドとの凝着を
防ぎ、1耐庁耗性の向上に極めて有効である。酸化コバ
ルト層3の厚みは耐摩耗性を保障するに十分な厚みが必
要であるが一方、Go−Cr系合金磁性層の持つ高密度
記録特性を有効に利用するためにはスペーシングロス減
少のため薄い水が望ましい。それ装置化コバルト層3の
厚みは30〜300Aが望ましく、50〜150八が特
に好ましい。
でのスパッタリング法、希薄酸素下での真空蒸着法、も
しくはイオンブレーティング法等の物理蒸着法、あるい
はプラズマ酸化処理によって、Co−Cr合金強磁性体
層2の表面に直接堆積形成あるいは酸化層形成をしてい
る。酸化コバルト層3は磁気記録層とヘッドとの凝着を
防ぎ、1耐庁耗性の向上に極めて有効である。酸化コバ
ルト層3の厚みは耐摩耗性を保障するに十分な厚みが必
要であるが一方、Go−Cr系合金磁性層の持つ高密度
記録特性を有効に利用するためにはスペーシングロス減
少のため薄い水が望ましい。それ装置化コバルト層3の
厚みは30〜300Aが望ましく、50〜150八が特
に好ましい。
酸化コバルト層3は、磁気記録層2の保護に大きな役割
を果すものであり、さらに、金属ヘッド、フェライトヘ
ッド等とのなじみも良く、表面の摩擦係数も低下する。
を果すものであり、さらに、金属ヘッド、フェライトヘ
ッド等とのなじみも良く、表面の摩擦係数も低下する。
殊に酸化コバルト層の最表部がCO304である時、そ
の効果が著しい。
の効果が著しい。
しかしながら、磁気記録媒体の表面が極めて平坦な場合
(例えば十点平均粗さRz (JIS−BO801)で
0.02 Jj−以下)あるいは、多湿条件等の悪環境
条件下での耐久性が必ずしも十分でない。
(例えば十点平均粗さRz (JIS−BO801)で
0.02 Jj−以下)あるいは、多湿条件等の悪環境
条件下での耐久性が必ずしも十分でない。
そこで本発明磁気記録媒体の高密度記録特性を損なわず
かつ摩擦を低減し、走行安定性を向上させる為には、有
機化合物による保護層4を酸化コバルト層3の表面に積
層することが大変有効である。有機化合物による滑性と
酸化コバルト層3の強靭な保護作用とが積層され、より
一層摩耗し難く、かつ高温高湿、低温高湿での走行性能
、耐久性に優れた効果がある。
かつ摩擦を低減し、走行安定性を向上させる為には、有
機化合物による保護層4を酸化コバルト層3の表面に積
層することが大変有効である。有機化合物による滑性と
酸化コバルト層3の強靭な保護作用とが積層され、より
一層摩耗し難く、かつ高温高湿、低温高湿での走行性能
、耐久性に優れた効果がある。
本発明においては有機保護層として脂肪酸、脂肪酸アミ
ドまたは脂肪酸グリセリドが用いられる。この有機保護
層を平均膜厚5A以上の膜厚で、没けることによって、
1耐久性の向ヒとともに悪環境F1例えば多湿雰囲気中
における磁気記録媒体の走行容易性、走行安定性に大変
有効である。
ドまたは脂肪酸グリセリドが用いられる。この有機保護
層を平均膜厚5A以上の膜厚で、没けることによって、
1耐久性の向ヒとともに悪環境F1例えば多湿雰囲気中
における磁気記録媒体の走行容易性、走行安定性に大変
有効である。
有機化合物による当該保護層も金属酸化物層同様に、、
b: ra変換特性の面において、膜厚の影響によるス
ペーシングロスを生じやすい為、厚みは200八以下、
さらには100 A以下であることが望ましい、当該保
護層においては、必ずしも均一な連続膜である必要はな
く、斑点状等の様に不連続であっても良い。
b: ra変換特性の面において、膜厚の影響によるス
ペーシングロスを生じやすい為、厚みは200八以下、
さらには100 A以下であることが望ましい、当該保
護層においては、必ずしも均一な連続膜である必要はな
く、斑点状等の様に不連続であっても良い。
本発明で使用する脂肪酸としては、炭素数18以上(融
点が65℃以上)の飽和脂肪酸が好ましい。
点が65℃以上)の飽和脂肪酸が好ましい。
たとえばステアリン酸、n−ノナデカツイン酸、アラキ
シン酸、n−ヘネイコサノイン酸、ベヘン酸、n−トリ
コサツイン酸、リグノセリン酸、n−ペンタコサツイン
酸、セロチン酸、メリシン酸等が挙げられる。炭素数1
7以下の脂肪酸では滑性の効果が小さくなる傾向がある
。
シン酸、n−ヘネイコサノイン酸、ベヘン酸、n−トリ
コサツイン酸、リグノセリン酸、n−ペンタコサツイン
酸、セロチン酸、メリシン酸等が挙げられる。炭素数1
7以下の脂肪酸では滑性の効果が小さくなる傾向がある
。
本発明で使用する脂肪酸アミドとしては、炭素数16以
上の飽和脂肪酸アミドが好ましい。たとえばパルミチン
酸アミド、n−ヘプタデカツイン酸アミド、ステアリン
酸アミド、n−7ナデカノイン酸アミド、アラキシン酸
アミド、n−ヘネイコサノイン酸アミド、ベヘン酸アミ
ド、n−トリコサツイン酸アミド、リグノセリン酸アミ
ド、n−ペンタコサツイン酸アミド、セロチン酸アミド
等が挙げられる。炭素数X5以下の脂肪酸アミドでは滑
性の効果が小さくなる傾向がある。
上の飽和脂肪酸アミドが好ましい。たとえばパルミチン
酸アミド、n−ヘプタデカツイン酸アミド、ステアリン
酸アミド、n−7ナデカノイン酸アミド、アラキシン酸
アミド、n−ヘネイコサノイン酸アミド、ベヘン酸アミ
ド、n−トリコサツイン酸アミド、リグノセリン酸アミ
ド、n−ペンタコサツイン酸アミド、セロチン酸アミド
等が挙げられる。炭素数X5以下の脂肪酸アミドでは滑
性の効果が小さくなる傾向がある。
また、−分子内に2つのアミド基がある脂肪酸アミド、
例えばメチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビス
ステアリン酸アミド等でも効果は同じであった。
例えばメチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビス
ステアリン酸アミド等でも効果は同じであった。
本発明で使用する脂肪酸グリセリドとしては、たとえば
ステアリン酸、n−デカメイン酸、アラキシン酸、n−
ヘネイコサノイン酸、ベヘン酸、n−)リコサノイン酸
、リグノセリン酸、n−ペンタコサツイン酸、セロチン
酸等の炭素数18以上の脂肪酸のモノグリセリド、ジグ
リセリド、トリグリセリド等が挙げられる。炭素数17
以下の脂肪酸のグリセリドでは潤滑の効果が顕著ではな
くなる傾向がある。脂肪酸としては、不飽和脂肪酸より
は上記の様な飽和脂肪酸の方が好ましい。
ステアリン酸、n−デカメイン酸、アラキシン酸、n−
ヘネイコサノイン酸、ベヘン酸、n−)リコサノイン酸
、リグノセリン酸、n−ペンタコサツイン酸、セロチン
酸等の炭素数18以上の脂肪酸のモノグリセリド、ジグ
リセリド、トリグリセリド等が挙げられる。炭素数17
以下の脂肪酸のグリセリドでは潤滑の効果が顕著ではな
くなる傾向がある。脂肪酸としては、不飽和脂肪酸より
は上記の様な飽和脂肪酸の方が好ましい。
保護層4の膜形成方法としては、電子ビーム法や抵抗加
熱法あるいはイオンブレーティングによる真空蒸着によ
り形成する乾式コーティングや、リバースロール法、バ
ーコーティング法等により酸化コバルト層3の表面に直
接塗布する湿式コーティング法が適用される。
熱法あるいはイオンブレーティングによる真空蒸着によ
り形成する乾式コーティングや、リバースロール法、バ
ーコーティング法等により酸化コバルト層3の表面に直
接塗布する湿式コーティング法が適用される。
末完IJJにおけるGo−Cr合金強磁性体薄膜堆積型
磁気記録媒体において、当該磁気記録媒体の基体の少な
くとも片側表面には磁気記録層を形成し、これと反対側
の一方の面には、必要に応じて表面と対称型の薄膜を積
層形成しても良く、あるいは当該基体の保護、滑性、補
強、その他の有効な効果を補足する目的で各種のバック
コート層を形成しても良い、バックコート層としては、
Aβ、 Ti。
磁気記録媒体において、当該磁気記録媒体の基体の少な
くとも片側表面には磁気記録層を形成し、これと反対側
の一方の面には、必要に応じて表面と対称型の薄膜を積
層形成しても良く、あるいは当該基体の保護、滑性、補
強、その他の有効な効果を補足する目的で各種のバック
コート層を形成しても良い、バックコート層としては、
Aβ、 Ti。
V、 Zr、 Go、 Nb、↑a、 W、 Cr、
Si、 Ge等の金属、半金属あるいはその酸化物、
窒化物、炭化物の薄+a、あるいは酸化物微粒子炭酸カ
ルシウム等の易滑性微粒子と、カーボン、金属粉末等の
導電性粒子と、脂肪酸、脂肪酸エステル等の潤滑剤を少
なくとも一種類含む熱可塑性または熱硬化性樹脂等の高
分子バインダーに混練して塗布したものが挙げられる。
Si、 Ge等の金属、半金属あるいはその酸化物、
窒化物、炭化物の薄+a、あるいは酸化物微粒子炭酸カ
ルシウム等の易滑性微粒子と、カーボン、金属粉末等の
導電性粒子と、脂肪酸、脂肪酸エステル等の潤滑剤を少
なくとも一種類含む熱可塑性または熱硬化性樹脂等の高
分子バインダーに混練して塗布したものが挙げられる。
以上述べた様に、表面平坦性に優れかつ熱1Iail張
率を調整した高弾性率、高#熱性共重合ポリイミドフィ
ルム上に高温でGo−Cr合金膜を形成し、さらにその
上に酸化コバルト層を形成し、さらに脂肪酸、脂肪酸ア
ミドまたは脂肪酸グリセリドの保護膜を形成した磁気記
録媒体はカールが小さく、かつ高密度記録特性が優れ耐
摩耗性、耐久性、耐環境性がいずれも実用上十分な性能
を有しており、極めて優れた磁気記録媒体である。
率を調整した高弾性率、高#熱性共重合ポリイミドフィ
ルム上に高温でGo−Cr合金膜を形成し、さらにその
上に酸化コバルト層を形成し、さらに脂肪酸、脂肪酸ア
ミドまたは脂肪酸グリセリドの保護膜を形成した磁気記
録媒体はカールが小さく、かつ高密度記録特性が優れ耐
摩耗性、耐久性、耐環境性がいずれも実用上十分な性能
を有しており、極めて優れた磁気記録媒体である。
[実施例]
以下実施例により本発明を説明する。
なお、以下の実施例における評価方法は次に示す。
くテープの評価方法〉
出力の周波数特性:
0.75MHz、 4.5MHz、 7.5MHz (
7)単一信号を記録し、11f生出力をΔ11定。
7)単一信号を記録し、11f生出力をΔ11定。
スチル1##久性テスト:
20℃、65%および0℃の環境下でスチル再生出力の
時間変化を測定。20分経過後出力低下が3dB以内を
0とする。
時間変化を測定。20分経過後出力低下が3dB以内を
0とする。
1酎食テスト:
50℃、80%で1000時間放置後飽和磁束密度の低
下が10%以内をOとする。
下が10%以内をOとする。
くディスクの評価方法〉
出力の周波数特性二
1.3MHz、 7.0MHzの巾−信号を記録し、再
生出力を測定。
生出力を測定。
耐久性:
20℃、65%の環境下でスチル再生出力の時間変化を
Δ11定、50時間経過後出力低下が3dB以内をOと
する。
Δ11定、50時間経過後出力低下が3dB以内をOと
する。
出力ムラ:
11−ラック内での出力の最大値と最小値の差。
実施例1
内容積300文の重合釜に3.3’、4.4’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物;20モル、ピロメリッ
ト酸二無水物;80モル、パラフェニレンジアミン;7
0モル及び4.4′−ジアミノジフェニルエーテル;3
0モル、ざらにN−メチル−2−ピロリドン198.0
kgを入れた。この混合液を50℃の反応温度、常圧下
で44時間攪拌して重合反応を行ない、高分子量の芳香
族ポリアミック酸を約20.0重量%含有する反応液を
得た。
ニルテトラカルボン酸二無水物;20モル、ピロメリッ
ト酸二無水物;80モル、パラフェニレンジアミン;7
0モル及び4.4′−ジアミノジフェニルエーテル;3
0モル、ざらにN−メチル−2−ピロリドン198.0
kgを入れた。この混合液を50℃の反応温度、常圧下
で44時間攪拌して重合反応を行ない、高分子量の芳香
族ポリアミック酸を約20.0重量%含有する反応液を
得た。
この芳香族ポリアミック酸の溶液組成物を平滑なキャス
ティングロール上に流延し、キャスティング法にて均一
な厚さを有する溶液組成物の液膜を形成して、その液膜
を約60〜200℃の温度範囲で昇温しながら軟岩して
固化し、さらにその固化膜をキャスティングロールから
はぎとり、炉の中で350°Cの温度にまで加熱して熱
処理し、厚さ10gmの芳香族ポリイミド膜のベースフ
ィルムを製造した。
ティングロール上に流延し、キャスティング法にて均一
な厚さを有する溶液組成物の液膜を形成して、その液膜
を約60〜200℃の温度範囲で昇温しながら軟岩して
固化し、さらにその固化膜をキャスティングロールから
はぎとり、炉の中で350°Cの温度にまで加熱して熱
処理し、厚さ10gmの芳香族ポリイミド膜のベースフ
ィルムを製造した。
この芳香族ポリイミドフィルムについて種々の物性をJ
ilt定したが、その結果、引張弾性定数が490kg
/mm2 、熱膨張係数(X 100−300@Cが1
、fl X 105cm/cm/”C1Rzは80Aで
あった。
ilt定したが、その結果、引張弾性定数が490kg
/mm2 、熱膨張係数(X 100−300@Cが1
、fl X 105cm/cm/”C1Rzは80Aで
あった。
この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、電子ビーム加熱装置を有した磁気テープの連続
成膜装置により、当該ベースフィルムの表面にCo 7
8wtX −Cr 22wt$)垂直磁化11りをベー
スフィルムの温度を230”Cjとして、0.1 μt
m /seaの成膜速度で約0.4p−raJ!IJF
j成した後、そのh部に酸素10%を含むアルゴンガス
中でCoをスパッタし、酸化コバルト薄膜を100A厚
形成した。さらに抵抗加熱真空蒸着装置にてステアリン
酸をゆっくり昇温させながら、■j記酸酸化コバルト層
上5A/SeCの蒸着速度、ポート温度約85℃にて平
均膜厚50A積層形成した。
使用し、電子ビーム加熱装置を有した磁気テープの連続
成膜装置により、当該ベースフィルムの表面にCo 7
8wtX −Cr 22wt$)垂直磁化11りをベー
スフィルムの温度を230”Cjとして、0.1 μt
m /seaの成膜速度で約0.4p−raJ!IJF
j成した後、そのh部に酸素10%を含むアルゴンガス
中でCoをスパッタし、酸化コバルト薄膜を100A厚
形成した。さらに抵抗加熱真空蒸着装置にてステアリン
酸をゆっくり昇温させながら、■j記酸酸化コバルト層
上5A/SeCの蒸着速度、ポート温度約85℃にて平
均膜厚50A積層形成した。
このようにして得られた磁気シートを8.0mmmJに
スリットした。このテープのカールは、−くO,1mm
−1と小さく、実用上問題のない量であった。このテー
プを8ミリVTRテープ用カセツトに装着し、8ミリビ
デオデツキにて出力の周波数特性、スチル耐久性、50
℃、80%での耐食性テスト等を行なった。
スリットした。このテープのカールは、−くO,1mm
−1と小さく、実用上問題のない量であった。このテー
プを8ミリVTRテープ用カセツトに装着し、8ミリビ
デオデツキにて出力の周波数特性、スチル耐久性、50
℃、80%での耐食性テスト等を行なった。
E記テストの結果は第1表に示すように良好なものであ
った。
った。
実施例2
酸化コバルト層までは実施例1と同一方法により形成し
た後、1,1.1−トリクロルエタンで溶解したベヘン
酸(炭素数22.比重的0.82)をリバースロール法
により、酸化コバルト層上に8 X IO=g/am2
塗布し磁気テープを作成した。
た後、1,1.1−トリクロルエタンで溶解したベヘン
酸(炭素数22.比重的0.82)をリバースロール法
により、酸化コバルト層上に8 X IO=g/am2
塗布し磁気テープを作成した。
実施例3
実施例2における酸化コバルト層の厚みを8OAとし、
ベヘン酸(塗布量3 X 10−’g/cm2)をステ
アリン酸アミド(塗布量3 X 10−7g/c層2)
とした他は実施例2と同様にして磁気テープを作成した
。テスト結果を第1表に示す。
ベヘン酸(塗布量3 X 10−’g/cm2)をステ
アリン酸アミド(塗布量3 X 10−7g/c層2)
とした他は実施例2と同様にして磁気テープを作成した
。テスト結果を第1表に示す。
実施例4
実施例1における酸化コバルト層の厚みを8OAとし、
有機保護層を蒸着法により形成したパルミチン酸アミド
層(厚さ30人)にした他は実施例1と同様にして磁気
テープを作成した。
有機保護層を蒸着法により形成したパルミチン酸アミド
層(厚さ30人)にした他は実施例1と同様にして磁気
テープを作成した。
なお、本実施例におけるパルミチン酸アミドの蒸着は、
抵抗加熱真空蒸着装置にてパルミチン酸アミドをゆっく
り昇温させながら、酸化コバルト層にに1OA/sec
の蒸着速度、ポート温度約85℃にてモ均膜厚30Aに
積層形成した。
抵抗加熱真空蒸着装置にてパルミチン酸アミドをゆっく
り昇温させながら、酸化コバルト層にに1OA/sec
の蒸着速度、ポート温度約85℃にてモ均膜厚30Aに
積層形成した。
得られた磁気テープのテスト結果を第1表に示す。
実施例5
実施例3のステアリン酸アミド(塗布量3 X 10−
1g/c+s2 )をステアリン酸モノグリセリド(塗
15量5 X 10−’g/c+s2 )とした他は実
施例3と同様にして磁気テープを作成した。テスト結果
を第1表に示す。
1g/c+s2 )をステアリン酸モノグリセリド(塗
15量5 X 10−’g/c+s2 )とした他は実
施例3と同様にして磁気テープを作成した。テスト結果
を第1表に示す。
実施例6
実施例3のステアリン酸アミド(塗布値3 X 10−
’g/cm2 )をステアリン酸トリグリセリド(塗布
量5 X 10−’g/cw2 )に変えた他は実施例
1と同様にして磁気テープを作成した。テスト結果を第
1表に示す。
’g/cm2 )をステアリン酸トリグリセリド(塗布
量5 X 10−’g/cw2 )に変えた他は実施例
1と同様にして磁気テープを作成した。テスト結果を第
1表に示す。
実施例7
実施例5におけるステアリン酸モノグリセリドの塗布量
をIOX 10−7g/cra2 とした他は実施例5
と同様にして磁気テープを作成した。テスト結果を第1
表に示す。
をIOX 10−7g/cra2 とした他は実施例5
と同様にして磁気テープを作成した。テスト結果を第1
表に示す。
実施例8
3.3’、4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物:40モル、ピロメリット酸二無水物二60モル。
水物:40モル、ピロメリット酸二無水物二60モル。
パラフェニレンジアミン:50モル、及び4.4′−ジ
アミノジフェニルエーテル=50モルより成る七ツマー
成分及び成分比で実施例1と同一方法にて芳香族ポリア
ミック酸の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例1と同一方法にて厚さ4
0JAllの芳香族ポリイミドフィルムを製造した。こ
の芳香族ポリイミドフィルムは引張弾性定数が400k
g/mm2 、熱膨張係数α100〜300’Cが2.
8 X 10−5cm/cm/@C,Rzは30Aであ
った。
アミノジフェニルエーテル=50モルより成る七ツマー
成分及び成分比で実施例1と同一方法にて芳香族ポリア
ミック酸の溶液組成物を製造した。そのようにして得ら
れた溶液組成物を使用し実施例1と同一方法にて厚さ4
0JAllの芳香族ポリイミドフィルムを製造した。こ
の芳香族ポリイミドフィルムは引張弾性定数が400k
g/mm2 、熱膨張係数α100〜300’Cが2.
8 X 10−5cm/cm/@C,Rzは30Aであ
った。
この芳香族ポリイミドフィルムをベースフィルムとして
使用し、スパッタリング装置にて当該ベースフィルム上
にCo 80wt% −Cr 20wt%(7)垂直磁
化膜をベースフィルムの温度を150°0として約0.
5μm形成した後、その上部に酸素12%を含むアルゴ
ンガス中でCOをスパッタし、酸化コバルト薄膜を10
0A厚形成した。次いで、1.’1.1−1・リクロル
エタンで溶解したステアリン酸をリバースロール法によ
り前記酸化コバルト層上に8 X 10−/g/cm2
塗布した。
使用し、スパッタリング装置にて当該ベースフィルム上
にCo 80wt% −Cr 20wt%(7)垂直磁
化膜をベースフィルムの温度を150°0として約0.
5μm形成した後、その上部に酸素12%を含むアルゴ
ンガス中でCOをスパッタし、酸化コバルト薄膜を10
0A厚形成した。次いで、1.’1.1−1・リクロル
エタンで溶解したステアリン酸をリバースロール法によ
り前記酸化コバルト層上に8 X 10−/g/cm2
塗布した。
こうして得られたサンプルを直径47φのディスクに打
ち抜き加工し、スチルビデオデツキ(試験!It)を用
いて評価した。
ち抜き加工し、スチルビデオデツキ(試験!It)を用
いて評価した。
実施例9
実施例8における有機保護層をステアリン酸アミドとし
、このステアリン酸アミドの層形成を蒸着法にて行った
他は、実施例8と同様にしてディスクを作成した。
、このステアリン酸アミドの層形成を蒸着法にて行った
他は、実施例8と同様にしてディスクを作成した。
蒸着は、抵抗加熱真空蒸着装置にてステアリン酸アミド
をゆっくり昇温させながら、酸化コバルト層上に5A/
secの蒸着速度、ポート温度約85℃にてY均膜厚1
00Aに積層させることにより行った。評価結果は第2
表に示したように良好であった。
をゆっくり昇温させながら、酸化コバルト層上に5A/
secの蒸着速度、ポート温度約85℃にてY均膜厚1
00Aに積層させることにより行った。評価結果は第2
表に示したように良好であった。
実施例10
実施例9におけるステアリン酸アミド(厚さ100A)
をステアリン酸モノグリセリド(厚さ50A)とした他
は実施例9と同様にしてディスクを作成した。評価結果
は第2表に示したように良好であった・ 実施例11 実施例8におけるステアリン酸(塗布量8 X 1(1
’g/cm2 )をベヘン酸モノグリセリド(塗布量8
X 10−’g/cm2)に変えた他は実施例8と同
様にしてディスクを作成した。評価結果は第2表に示し
たように良好であった。
をステアリン酸モノグリセリド(厚さ50A)とした他
は実施例9と同様にしてディスクを作成した。評価結果
は第2表に示したように良好であった・ 実施例11 実施例8におけるステアリン酸(塗布量8 X 1(1
’g/cm2 )をベヘン酸モノグリセリド(塗布量8
X 10−’g/cm2)に変えた他は実施例8と同
様にしてディスクを作成した。評価結果は第2表に示し
たように良好であった。
比較例1
11!11厚ポリエステルフイルム上に斜め蒸着法によ
り、80wt$ Go−20wt$ Ni合金から磁気
記録層を0.12pm形成した後、実施例1と同一方法
にてステアリン酸を0.0057A、 11形成し、8
+smビデオテープを作製した。
り、80wt$ Go−20wt$ Ni合金から磁気
記録層を0.12pm形成した後、実施例1と同一方法
にてステアリン酸を0.0057A、 11形成し、8
+smビデオテープを作製した。
[発明の効果]
以に説明したように、本発明による磁気記録媒体は、ノ
1(体の芳香族ボリイミ、ドフィルムの表面に、7;す
膜堆積法にてGo−Cr合金強磁性体薄膜を形成し、そ
の表面に酸化コバルト層を形成した膜面にに更に滑性有
機化合物である脂肪酸、脂肪酸アミドまたは脂肪酸グリ
セリドの保護層を積層形成することにより、走行性、耐
久性、耐環境性の優れた高密度磁気記録媒体の実現をな
らしめるものである。
1(体の芳香族ボリイミ、ドフィルムの表面に、7;す
膜堆積法にてGo−Cr合金強磁性体薄膜を形成し、そ
の表面に酸化コバルト層を形成した膜面にに更に滑性有
機化合物である脂肪酸、脂肪酸アミドまたは脂肪酸グリ
セリドの保護層を積層形成することにより、走行性、耐
久性、耐環境性の優れた高密度磁気記録媒体の実現をな
らしめるものである。
第1図は本発明の磁気記録媒体の構成図である。
l・・・基体である芳香族ポリイミドフィルム、2・・
・Co−Cr合金強磁性体層、 3・・・酸化コバルト層、 4・・・有機保護層。
・Co−Cr合金強磁性体層、 3・・・酸化コバルト層、 4・・・有機保護層。
Claims (1)
- (1)基体と該基体に積層されたCo−Cr合金強磁性
体層と該強磁性体層に形成された酸化コバルト層と該酸
化コバルト層に積層された有機保護層とからなり、該有
機保護層が脂肪酸、脂肪酸アミドまたは脂肪酸グリセリ
ドからなる磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6975486A JPS62229517A (ja) | 1986-03-29 | 1986-03-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6975486A JPS62229517A (ja) | 1986-03-29 | 1986-03-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62229517A true JPS62229517A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13411896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6975486A Pending JPS62229517A (ja) | 1986-03-29 | 1986-03-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62229517A (ja) |
-
1986
- 1986-03-29 JP JP6975486A patent/JPS62229517A/ja active Pending
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