JPH01232533A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH01232533A JPH01232533A JP24662888A JP24662888A JPH01232533A JP H01232533 A JPH01232533 A JP H01232533A JP 24662888 A JP24662888 A JP 24662888A JP 24662888 A JP24662888 A JP 24662888A JP H01232533 A JPH01232533 A JP H01232533A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、磁気記録層が金属薄膜で形成された磁気記録
媒体に関する。
媒体に関する。
[従来の技術]
近年、情報処理技術や映像処理技術の発達にともなって
、磁気記録媒体に対する大容量化、高画質化の要求がま
すます高まっている。この要求に応える為、高密度記録
の可能な磁気記録媒体の研究・開発が活発になされてい
る。特に、現在一般に使用されている塗布型磁気記録媒
体に対して、磁気記録層としてCo、 Co−Ni、
Co−Cr、 Co−0なとの強磁性金属薄膜をスパッ
タリングや蒸着により基材上に形成した金属薄膜型磁気
記録媒体が高密度記録に適した媒体として有望視されて
いる。
、磁気記録媒体に対する大容量化、高画質化の要求がま
すます高まっている。この要求に応える為、高密度記録
の可能な磁気記録媒体の研究・開発が活発になされてい
る。特に、現在一般に使用されている塗布型磁気記録媒
体に対して、磁気記録層としてCo、 Co−Ni、
Co−Cr、 Co−0なとの強磁性金属薄膜をスパッ
タリングや蒸着により基材上に形成した金属薄膜型磁気
記録媒体が高密度記録に適した媒体として有望視されて
いる。
一方、最近話題になっているスチルビデオシステムでも
、その高画質化、高密度記録化への要求から、磁気ヘッ
ド、磁気記録媒体及び信号処理等の研究開発が進められ
ている。
、その高画質化、高密度記録化への要求から、磁気ヘッ
ド、磁気記録媒体及び信号処理等の研究開発が進められ
ている。
スチルビデオシステムに使用される磁気記録媒体は、電
子スチルカメラに収納できる大きさ、重さを考慮して、
現在のところ直径2インチのフロッピーディスクである
。
子スチルカメラに収納できる大きさ、重さを考慮して、
現在のところ直径2インチのフロッピーディスクである
。
また、スチルビデオでは数〜十数MHzの高周波信号を
利用する為、磁気記録媒体とヘッド間の相対速度を上げ
て記録再生が行なわれている。通常使用されている速度
は5.6m/s (3600rpm )である。従って
、たとえば7 M)Izの高周波信号を利用して、相対
速度5.6m/sで記録再生を行なうと、記録波長は0
.8μmになる。このような短波長領域で記録再生を行
なうには、磁気記録媒体とヘッド間の接触の程度がほぼ
均一でなければならない。媒体とヘッド間の間隔が不均
一になると記録の際と再生の際にスペーシングロスを生
じ、出力の減少や変動の原因となる。
利用する為、磁気記録媒体とヘッド間の相対速度を上げ
て記録再生が行なわれている。通常使用されている速度
は5.6m/s (3600rpm )である。従って
、たとえば7 M)Izの高周波信号を利用して、相対
速度5.6m/sで記録再生を行なうと、記録波長は0
.8μmになる。このような短波長領域で記録再生を行
なうには、磁気記録媒体とヘッド間の接触の程度がほぼ
均一でなければならない。媒体とヘッド間の間隔が不均
一になると記録の際と再生の際にスペーシングロスを生
じ、出力の減少や変動の原因となる。
スチルビデオでは、磁気記録媒体とヘット間の間隔をほ
ぼ均一に保つために、フロッピーディスクに適当な剛性
(スティフネス)を持たせ、例えば第13図に示すよう
に、パッド(特殊形状の案内板)7を設けてディスク6
が高速回転することにより生じる空気(エアフィルム)
を利用して、ディスク6とヘッド9とを非接触としてい
る。
ぼ均一に保つために、フロッピーディスクに適当な剛性
(スティフネス)を持たせ、例えば第13図に示すよう
に、パッド(特殊形状の案内板)7を設けてディスク6
が高速回転することにより生じる空気(エアフィルム)
を利用して、ディスク6とヘッド9とを非接触としてい
る。
尚、8はセンターコアである。このような、いわゆるヘ
ットバット型の構成を採用することにより、磁気記録媒
体およびヘッドの摩耗の防止および磁気記録媒体のヘッ
トタッチの安定が図られ、磁気記録媒体及びヘッドの耐
久性向上が図られている。このヘッドバット型電子スチ
ルカメラに用いるフロッピーディスクとしては、従来、
いわゆる塗布型磁気記録媒体が用いられていた。
ットバット型の構成を採用することにより、磁気記録媒
体およびヘッドの摩耗の防止および磁気記録媒体のヘッ
トタッチの安定が図られ、磁気記録媒体及びヘッドの耐
久性向上が図られている。このヘッドバット型電子スチ
ルカメラに用いるフロッピーディスクとしては、従来、
いわゆる塗布型磁気記録媒体が用いられていた。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、フロッピーディスクをコンパクト化する
ことによって、その電子スチルカメラ自体をコンパクト
化したり、あるいは−枚のフロッピーディスクの記録容
量を負やすことによってフロッピーディスク−枚の撮影
可能枚数を増加させたりするためには、そのディスクの
記録密度を向上させる必要がある。その記録密度の向上
を、記録波長をより短波長にすることによって実現しよ
うとすると、従来の塗布型磁気記録媒体(例えばCrO
□、 r−Fe203等を磁性層に用いるもの)を用い
た場合は、記録信号が短波長になるにつれて、磁性層内
の反磁界が強くなり、残留磁化の減衰や回転を生じる為
、再生出力が著しく減少するという問題が生じる。
ことによって、その電子スチルカメラ自体をコンパクト
化したり、あるいは−枚のフロッピーディスクの記録容
量を負やすことによってフロッピーディスク−枚の撮影
可能枚数を増加させたりするためには、そのディスクの
記録密度を向上させる必要がある。その記録密度の向上
を、記録波長をより短波長にすることによって実現しよ
うとすると、従来の塗布型磁気記録媒体(例えばCrO
□、 r−Fe203等を磁性層に用いるもの)を用い
た場合は、記録信号が短波長になるにつれて、磁性層内
の反磁界が強くなり、残留磁化の減衰や回転を生じる為
、再生出力が著しく減少するという問題が生じる。
そこで、フロッピーディスクとして、高密度記録が可能
な金属薄膜磁気記録媒体を使用することが強く望まれて
いる。しかしながら、磁気ヘットと良好なヘッドタッチ
をもった金属薄膜型磁気記録媒体はまだ得られておらず
、金属薄膜型磁気記録媒体をフロッピーディスクとして
使用すると、媒体やヘッドの表面に摩耗粉やキズが発生
した。
な金属薄膜磁気記録媒体を使用することが強く望まれて
いる。しかしながら、磁気ヘットと良好なヘッドタッチ
をもった金属薄膜型磁気記録媒体はまだ得られておらず
、金属薄膜型磁気記録媒体をフロッピーディスクとして
使用すると、媒体やヘッドの表面に摩耗粉やキズが発生
した。
このため、金属薄膜型のフロッピーディスクは優れた耐
久性が得られず、出力が変動する問題があった。
久性が得られず、出力が変動する問題があった。
[課題を解決するための手段]
本発明は、上記実情に鑑みてなされたもので、走行が安
定で耐久性に優れた金属薄膜型の磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
定で耐久性に優れた金属薄膜型の磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
本発明の磁気記録媒体は、基体上に少なくとも金属薄膜
の磁気記録層を有し、全体のスティフネスI / ko
[k g f mm]が0.35xlO−”≦1/k
o≦1.15x l Q −11 [nは磁気記録媒体を構成する層の数]Eに :第に層
のヤング率 [単位;kgf/mm2] 工う ;第に層の慣性モーメント [単位+mm3]) であり、かつ形状がディスク状であることを特徴とする
。
の磁気記録層を有し、全体のスティフネスI / ko
[k g f mm]が0.35xlO−”≦1/k
o≦1.15x l Q −11 [nは磁気記録媒体を構成する層の数]Eに :第に層
のヤング率 [単位;kgf/mm2] 工う ;第に層の慣性モーメント [単位+mm3]) であり、かつ形状がディスク状であることを特徴とする
。
[発明の態様の詳細な説明コ
本発明の磁気記録媒体は、第1図に示すように、基体1
上に金属薄膜の磁気記録層2、更に保護層3、バックコ
ート4が形成されている。
上に金属薄膜の磁気記録層2、更に保護層3、バックコ
ート4が形成されている。
基体1は、高分子フィルムが好ましく、特にポリエチレ
ンテレフタレート、ポリスルフォン、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、アラミド等が好ましく用いられる。基体
1の表側、あるいは裏側には、フィルムの滑り性や媒体
の走行性、耐久性を向上させる為に、微細突起を形成し
ても良い。ただし、基体1の表面粗さは、スペーシング
ロスによる出力低下やドロップアウトを考慮すると、最
大高さが0.05μm以下であることが好ましい。
ンテレフタレート、ポリスルフォン、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、アラミド等が好ましく用いられる。基体
1の表側、あるいは裏側には、フィルムの滑り性や媒体
の走行性、耐久性を向上させる為に、微細突起を形成し
ても良い。ただし、基体1の表面粗さは、スペーシング
ロスによる出力低下やドロップアウトを考慮すると、最
大高さが0.05μm以下であることが好ましい。
また、磁気記録媒体の走行性を良くするため、基体l中
に不活性粒子を添加してもよい。不活性粒子としては、
カーボン、CaCO3,BaSO4゜5iOz、 Ti
O2等が用いられるが、その粒径は0.005〜0.2
)onが好ましい。
に不活性粒子を添加してもよい。不活性粒子としては、
カーボン、CaCO3,BaSO4゜5iOz、 Ti
O2等が用いられるが、その粒径は0.005〜0.2
)onが好ましい。
磁気記録媒体の磁気特性を向上させるために、基体1上
に金属薄膜を形成する際に、熱を加える。このとき基体
1は、100℃以上で最高150℃を越える温度にさら
されることがある。従って、基体1には、ガラス転移点
の高い高分子材料を選択するのが好ましい。基体1のガ
ラス転移点は180℃以上、更には210℃以上である
ことが好ましい。
に金属薄膜を形成する際に、熱を加える。このとき基体
1は、100℃以上で最高150℃を越える温度にさら
されることがある。従って、基体1には、ガラス転移点
の高い高分子材料を選択するのが好ましい。基体1のガ
ラス転移点は180℃以上、更には210℃以上である
ことが好ましい。
耐熱性の点からは、基体1としてはポリイミドを使用す
るのが好ましい。磁気記録媒体の基体に使用するポリイ
ミドを具体的に示すと、例えばパラフェニレンジアミン
(PPD)と下記−形成(II );111 で表わされるビフェニルテトラカルボン酸二無水物(B
PDA)とを縮合重合させて得られる下記−形成(I) ・・・(II ) で表わされるポリビフェニル系イミド(FBI)がある
。このFBIは、 ■ ガラス転移温度が500°C以上である。
るのが好ましい。磁気記録媒体の基体に使用するポリイ
ミドを具体的に示すと、例えばパラフェニレンジアミン
(PPD)と下記−形成(II );111 で表わされるビフェニルテトラカルボン酸二無水物(B
PDA)とを縮合重合させて得られる下記−形成(I) ・・・(II ) で表わされるポリビフェニル系イミド(FBI)がある
。このFBIは、 ■ ガラス転移温度が500°C以上である。
■ ハロゲン化フェノールを溶媒に使用して、完全にイ
ミド化が終了してから縮合(脱水)が行なわれるので、
基体表面の粗れや結果が少なく、表面粗さをRmax
(最大高さ) <0.005 、umまで超平滑にする
ことが可能である。
ミド化が終了してから縮合(脱水)が行なわれるので、
基体表面の粗れや結果が少なく、表面粗さをRmax
(最大高さ) <0.005 、umまで超平滑にする
ことが可能である。
■ 熱膨張係数がl X 10−6〜3 X 10−’
cm/cm/°Cなので、磁気記録層として用いられる
金属薄膜層と熱膨張係数が近似しており、そのため熱に
よるカールの発生が少ない。
cm/cm/°Cなので、磁気記録層として用いられる
金属薄膜層と熱膨張係数が近似しており、そのため熱に
よるカールの発生が少ない。
■ ヤング率が800〜1200kg/mm2と高いの
で、電子スチルカメラ用フロッピーディスクとして用い
た場合に、基体の厚さを薄くすることができる。
で、電子スチルカメラ用フロッピーディスクとして用い
た場合に、基体の厚さを薄くすることができる。
このようなPBIの市販品としては、例えば宇部興産■
製ユービレックスSタイプなどがある。
製ユービレックスSタイプなどがある。
このほか、基体として使用できるポリイミドには下記−
形成(III)のもの、あるいは特開昭61−1580
25号(米国特許第4.673.612号)に記載した
もの等がある。
形成(III)のもの、あるいは特開昭61−1580
25号(米国特許第4.673.612号)に記載した
もの等がある。
・・・(IIT)
上記−形成(m)のポリイミドの市販品としては、例え
ば宇部興産■製のユービレックスRタイプなとがある。
ば宇部興産■製のユービレックスRタイプなとがある。
磁気記録層2は、Fe、 NiあるいはCoを主成分と
するもの、Co−Ni、 Co−Cr等の強磁性合金、
強磁性酸化物あるいは強磁性窒化物等の金属薄膜である
。磁気記録層2は、真空蒸着法、イオンブレーティング
法、スパッタリング法等の物理蒸着法、あるいはメツキ
法等で形成される。中でも真空蒸着あるいはスパッタリ
ング法等で形成したCr15〜23wt%で残部が主に
Coから成るCo−Cr垂直磁化膜は、従来の面内磁化
膜媒体に比べ、高密度記録用として非常に優れている。
するもの、Co−Ni、 Co−Cr等の強磁性合金、
強磁性酸化物あるいは強磁性窒化物等の金属薄膜である
。磁気記録層2は、真空蒸着法、イオンブレーティング
法、スパッタリング法等の物理蒸着法、あるいはメツキ
法等で形成される。中でも真空蒸着あるいはスパッタリ
ング法等で形成したCr15〜23wt%で残部が主に
Coから成るCo−Cr垂直磁化膜は、従来の面内磁化
膜媒体に比べ、高密度記録用として非常に優れている。
磁気記録層2上には、耐摩耗性、潤滑性、耐蝕性を向上
させる目的で、一般には保護層3が形成される。保護層
3は、磁気記録層2表面を酸化した酸化膜、Anz03
. Sin、 GO304、Co−Cr−0゜Co−N
i−0、Mo、 Ni、ダイヤモンドライクカーボン等
の無機保1i3aと、無機保護層3a上に形成したフッ
素系樹脂、エステル系オリゴマー等の有機潤滑層3aと
で構成されることが多い。しかしながら、保護層3とし
て無機保護層3aあるいは有機保護層3bを単独形成し
て使用しても良い。無機保護膜3aと有機保護膜3bは
、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等
の物理蒸着法、あるいは塗液塗布法によって形成される
。
させる目的で、一般には保護層3が形成される。保護層
3は、磁気記録層2表面を酸化した酸化膜、Anz03
. Sin、 GO304、Co−Cr−0゜Co−N
i−0、Mo、 Ni、ダイヤモンドライクカーボン等
の無機保1i3aと、無機保護層3a上に形成したフッ
素系樹脂、エステル系オリゴマー等の有機潤滑層3aと
で構成されることが多い。しかしながら、保護層3とし
て無機保護層3aあるいは有機保護層3bを単独形成し
て使用しても良い。無機保護膜3aと有機保護膜3bは
、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等
の物理蒸着法、あるいは塗液塗布法によって形成される
。
バックコート4としては、従来から磁気記録媒体のバッ
クコートとして使用されているものが使用できる。例え
ば、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等のバインダ
ー中に、カーボンブラック、グラファイトあるいはC0
CO3等の無機微粒子を分散させたものが使用できる。
クコートとして使用されているものが使用できる。例え
ば、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等のバインダ
ー中に、カーボンブラック、グラファイトあるいはC0
CO3等の無機微粒子を分散させたものが使用できる。
バックコート4は、例えば塗液塗布法によって形成され
る。
る。
また、磁気記録媒体に発生するカールを防止するために
、第2図に示すように、基体1の裏面(磁気記録層2が
形成された面の反体面)に磁気記録層2と同じ第2の磁
気記録層20を形成して磁気記録媒体全体に対称性をも
たせてもかまわない。なお、上述のようにして第2の磁
気記録層20を積層してもカールを十分に矯正すること
ができない場合もある。その原因は、表側の記録層2を
蒸着する際の熱の影響により基体1の熱物性が変化して
しまい、表側の記録層2と全く同じ条件で裏側の記録層
20を蒸着しても、実質的な条件(基体1の熱物性)が
変化しているため、磁気記録媒体の厚み方向の対称性が
得られず、その結果としてカールが十分に矯正されない
からであると推定されている。このような場合は、裏側
の記録層20の厚さを適当な厚さに調整すること、すな
わち表側の記録層2よりも薄くあるいは厚くすることに
より十分なカールの矯正が可能である。
、第2図に示すように、基体1の裏面(磁気記録層2が
形成された面の反体面)に磁気記録層2と同じ第2の磁
気記録層20を形成して磁気記録媒体全体に対称性をも
たせてもかまわない。なお、上述のようにして第2の磁
気記録層20を積層してもカールを十分に矯正すること
ができない場合もある。その原因は、表側の記録層2を
蒸着する際の熱の影響により基体1の熱物性が変化して
しまい、表側の記録層2と全く同じ条件で裏側の記録層
20を蒸着しても、実質的な条件(基体1の熱物性)が
変化しているため、磁気記録媒体の厚み方向の対称性が
得られず、その結果としてカールが十分に矯正されない
からであると推定されている。このような場合は、裏側
の記録層20の厚さを適当な厚さに調整すること、すな
わち表側の記録層2よりも薄くあるいは厚くすることに
より十分なカールの矯正が可能である。
第3図に示す磁気記録媒体は、基体1の表側に磁気記録
N2及び保護層3を設け、裏側に第2の磁気記録層20
を形成し、更に第2の磁気記録層20上にバックコート
4を形成したものである。バックコート4は、使用環境
、用途によっては設けなくてもよい場合もある。第3図
に示した第2の磁気記録層20は、カールの程度によっ
ては設ける必要はない。
N2及び保護層3を設け、裏側に第2の磁気記録層20
を形成し、更に第2の磁気記録層20上にバックコート
4を形成したものである。バックコート4は、使用環境
、用途によっては設けなくてもよい場合もある。第3図
に示した第2の磁気記録層20は、カールの程度によっ
ては設ける必要はない。
第4図に示す磁気記録媒体は、基体1の両面に下地層5
を積層した以外は第3図に示した実施態様と同様の記録
媒体である。下地層5としては、付着力の向上、結晶配
向性の向上、あるいは磁気特性の向上を目的としてAl
1 、 Ge、 Cr、 Ti、 5iOz等の薄膜や
、垂直磁気記録層の下地としてFe−Ni層、Co−N
i層等の高透磁率層を用いることができる。下地槽5は
、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティン
グ法などにより積層して形成することができる。
を積層した以外は第3図に示した実施態様と同様の記録
媒体である。下地層5としては、付着力の向上、結晶配
向性の向上、あるいは磁気特性の向上を目的としてAl
1 、 Ge、 Cr、 Ti、 5iOz等の薄膜や
、垂直磁気記録層の下地としてFe−Ni層、Co−N
i層等の高透磁率層を用いることができる。下地槽5は
、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブレーティン
グ法などにより積層して形成することができる。
第5図に示す磁気記録媒体は、基体lの両面に磁気記録
層2.20と無機保護層3aを対称な形で形成し、表側
に有機保護層3bを裏側にバックコート4を形成したも
のである。
層2.20と無機保護層3aを対称な形で形成し、表側
に有機保護層3bを裏側にバックコート4を形成したも
のである。
本発明の磁気記録媒体としては、基体の両面にCo−C
r垂直磁化膜の磁気記録層2.20を設け、更に磁気記
録層2,20上にSiO□の保護層3を設ける態様が特
に好ましい。
r垂直磁化膜の磁気記録層2.20を設け、更に磁気記
録層2,20上にSiO□の保護層3を設ける態様が特
に好ましい。
さて、本発明の磁気記録媒体においては、媒体全体のス
ティフネス17ko [kgfmm]が0.35X1
0””’≦1/ko≦1.15XIO−”
・・・(1)[nは磁気記録媒体を構
成する層の数コEK ;第に層のヤング率 [単位;kgf/mm”] ■、;第に層の慣性モーメント [単位:mm3]) 上記1/koは、更には0.45X10−目≦1/k。
ティフネス17ko [kgfmm]が0.35X1
0””’≦1/ko≦1.15XIO−”
・・・(1)[nは磁気記録媒体を構
成する層の数コEK ;第に層のヤング率 [単位;kgf/mm”] ■、;第に層の慣性モーメント [単位:mm3]) 上記1/koは、更には0.45X10−目≦1/k。
≦0.75X10−11が好ましい。上記の第kiは、
基体1も含め、磁気記録媒体を構成する全ての層を意味
する。
基体1も含め、磁気記録媒体を構成する全ての層を意味
する。
本発明の磁気記録媒体は、スティフネスを上記の範囲と
することにより、磁気記録媒体走行時に、磁気記録媒体
とヘッドとの間隔をほぼ一定に保て、磁気記録媒体の安
定した走行が得られる。
することにより、磁気記録媒体走行時に、磁気記録媒体
とヘッドとの間隔をほぼ一定に保て、磁気記録媒体の安
定した走行が得られる。
このため、本発明によれば磁気記録媒体の耐久性が向上
する。
する。
以下に、本発明でいうスティフネスについて説明する。
第6図に示したように、一端を固定した幅W。
厚み(t++t2)の2層構造の薄板11に、固定端か
ら℃の距離でFの力を加えると、氾の位置における変位
δは、δの比較的小さい範囲で と表わせる。上式(2)でFの前にかかるファクター全
体が曲げのコンプライアンスであるが、その内fl 3
/Wは幾何学的配置に関するものであり、の部分が層の
構造及びそれを構成する材料の物性を反映した値をとる
。そこで1/に、を本発明のスティフネスとした。
ら℃の距離でFの力を加えると、氾の位置における変位
δは、δの比較的小さい範囲で と表わせる。上式(2)でFの前にかかるファクター全
体が曲げのコンプライアンスであるが、その内fl 3
/Wは幾何学的配置に関するものであり、の部分が層の
構造及びそれを構成する材料の物性を反映した値をとる
。そこで1/に、を本発明のスティフネスとした。
1 / k O” 3(EIIl+ E212)
”’ (3)上記の(3)式は、薄板がn層構
造の場合にも拡張することができる。
”’ (3)上記の(3)式は、薄板がn層構
造の場合にも拡張することができる。
1/ko=3Σ Ek 1. ・・・(4)
つまり、本発明においてスティフネスとは、基体、6n
気記録層、保護層、バックコート等、磁気記録媒体を構
成する全ての層を含め、磁気記録媒体全体かnNで構成
されている場合に、スティフネス1/に、=3Σ E、
I。
つまり、本発明においてスティフネスとは、基体、6n
気記録層、保護層、バックコート等、磁気記録媒体を構
成する全ての層を含め、磁気記録媒体全体かnNで構成
されている場合に、スティフネス1/に、=3Σ E、
I。
と定義する。
本発明において、ヤング収率Eは、引張り試験を行なっ
て算出した。引張り試験は、東洋ボールドウィン社製引
張り試験機を使用して行なった。
て算出した。引張り試験は、東洋ボールドウィン社製引
張り試験機を使用して行なった。
サンプル形状は、幅8mm、長さ50mm、引張り速度
は4 mm/min (8%/m1n)とした。基体の
ヤング率は、0.2%伸長時の荷重より算出した。磁気
記録層のヤング率は、磁気記録媒体の0.2%伸長時の
荷重から基体の寄与分を差し引いて算出した。
は4 mm/min (8%/m1n)とした。基体の
ヤング率は、0.2%伸長時の荷重より算出した。磁気
記録層のヤング率は、磁気記録媒体の0.2%伸長時の
荷重から基体の寄与分を差し引いて算出した。
次に、第1図及び第5図に示した磁気記録媒体を例とし
て、スティフネスの計算例を示す。
て、スティフネスの計算例を示す。
第1図の磁気記録媒体において、基体1としてポリイミ
ドフィルムを用い、磁気記録層2として厚み0.4−の
Co−Cr垂直磁化膜(ヤング率16.000kg/m
mz)を用いたとする。保護層3及びバックコート4は
、厚みが基体1の厚みに比べて極めて小さいため計算上
無視することができる。
ドフィルムを用い、磁気記録層2として厚み0.4−の
Co−Cr垂直磁化膜(ヤング率16.000kg/m
mz)を用いたとする。保護層3及びバックコート4は
、厚みが基体1の厚みに比べて極めて小さいため計算上
無視することができる。
さて、ポリイミドフィルムのヤング率が550kg/m
m2の場合、式(′3)を用いてスティフネスを計算す
ると、第7図に示したようにポリイミドフィルムの膜厚
を変えたときのスティフネスの変化が算出される。
m2の場合、式(′3)を用いてスティフネスを計算す
ると、第7図に示したようにポリイミドフィルムの膜厚
を変えたときのスティフネスの変化が算出される。
この例の場合、ポリイミドフィルムの厚みは、24〜3
6μm、更には26〜31μmの範囲が好ましい。
6μm、更には26〜31μmの範囲が好ましい。
第8図のグラフは、上記の例でポリイミドフィルムのヤ
ング率がa = 1000kg/mm2. b = 8
60kg/mm2. c=700kg/mm2.
d=550kg/mm2. e=390kg/mm2
の場合の計算例である。
ング率がa = 1000kg/mm2. b = 8
60kg/mm2. c=700kg/mm2.
d=550kg/mm2. e=390kg/mm2
の場合の計算例である。
第5図に示す磁気記録媒体の場合も、基体1としてポリ
イミドフィルムを用い、磁気記録層2゜20として厚み
0.4μmのCo−Cr垂直磁化膜(ヤング率16.0
00kg/mm2)を用いたとする。この場合も保護層
3及びバックコート4は無視することができる。
イミドフィルムを用い、磁気記録層2゜20として厚み
0.4μmのCo−Cr垂直磁化膜(ヤング率16.0
00kg/mm2)を用いたとする。この場合も保護層
3及びバックコート4は無視することができる。
ポリイミドフィルムのヤング率が1000kg/mm2
の場合、式(4)を用いてスティフネスを計算すると、
第9図に示したように、ポリイミドフィルムの膜厚を変
えたときのスティフネスの変化が算出される。
の場合、式(4)を用いてスティフネスを計算すると、
第9図に示したように、ポリイミドフィルムの膜厚を変
えたときのスティフネスの変化が算出される。
この例の場合、ポリイミドフィルムの厚みは16〜26
μm、更には18〜22即の範囲が好ましい。
μm、更には18〜22即の範囲が好ましい。
第1O図のグラフは、第8図と同様に、ポリイミドフィ
ルムのヤング率がa = 1000kg/mm2. b
=860kg/mm2. c=700kg/mm2.
d=550kg/mm2゜e = 390kg/mm
2の場合の計算例である。
ルムのヤング率がa = 1000kg/mm2. b
=860kg/mm2. c=700kg/mm2.
d=550kg/mm2゜e = 390kg/mm
2の場合の計算例である。
本発明の磁気記録媒体の各層の厚みは、使用する材料に
よって異なるが、磁気記録媒体のスティフネス、磁気特
性、スペーシングロス等を考慮すると次のようにするの
が好ましい。すなわち、基体lの厚みは36胛以下、更
には30μm以下、更に好ましくは15〜30胛の範囲
、磁気記録層2,20の厚みは018m以上、更には0
.2μm以上が好ましい。
よって異なるが、磁気記録媒体のスティフネス、磁気特
性、スペーシングロス等を考慮すると次のようにするの
が好ましい。すなわち、基体lの厚みは36胛以下、更
には30μm以下、更に好ましくは15〜30胛の範囲
、磁気記録層2,20の厚みは018m以上、更には0
.2μm以上が好ましい。
磁気記録層2,20の厚みの上限は1μm以下、更には
0.5μm以下が好ましい。保護層3の厚みは50〜5
00人、更には50〜200人の範囲、バックコート4
の厚みは0.2〜2μmの範囲、下地層5の厚みは数百
人〜5000人の範囲が好ましい。
0.5μm以下が好ましい。保護層3の厚みは50〜5
00人、更には50〜200人の範囲、バックコート4
の厚みは0.2〜2μmの範囲、下地層5の厚みは数百
人〜5000人の範囲が好ましい。
また、本発明の磁気記録媒体は、直径の小さなフロッピ
ーディスクとして使用する場合に有効で、特に直径が5
0mm以下のフロッピーディスクとして使用する場合に
有効である。
ーディスクとして使用する場合に有効で、特に直径が5
0mm以下のフロッピーディスクとして使用する場合に
有効である。
[発明の効果]
本発明の磁気記録媒体は、以上説明したように、スティ
フネス1 / k o [kgfmmlを0.3581
0−”≦1/ko≦1.15X 10−” としている
ため、良好なヘットタッチが得られ、走行が安定する。
フネス1 / k o [kgfmmlを0.3581
0−”≦1/ko≦1.15X 10−” としている
ため、良好なヘットタッチが得られ、走行が安定する。
このため、本発明の磁気記録媒体は、優れた耐久性を示
す。
す。
以下、実施例を掲げて本発明を具体的に説明する。尚、
実施例の評価は、ビデオフロッピー用の工具用デツキ(
磁気ヘッド及びバットの位置が変えられるデツキ)を用
いて行なった。また、実施例1〜11及び比較例1〜9
については磁気記録媒体を直径2インチのフロッピーデ
ィスクとして、以下の(iHii)の評価を行なった。
実施例の評価は、ビデオフロッピー用の工具用デツキ(
磁気ヘッド及びバットの位置が変えられるデツキ)を用
いて行なった。また、実施例1〜11及び比較例1〜9
については磁気記録媒体を直径2インチのフロッピーデ
ィスクとして、以下の(iHii)の評価を行なった。
但し、使用トラックは50トラツクのうちの第25番目
トラックであった。また回転数は3600rpmであっ
た。
トラックであった。また回転数は3600rpmであっ
た。
(i)へラドタッチ・・・7 MHzにおける再生エン
ベロープの形から、ヘッドタッチを定性的に4段階(Q
、○、△、×)に分けた。第11図に評価基準としたエ
ンベロープの形を示した。0.○のものが実用に供せる
。
ベロープの形から、ヘッドタッチを定性的に4段階(Q
、○、△、×)に分けた。第11図に評価基準としたエ
ンベロープの形を示した。0.○のものが実用に供せる
。
(ii)耐久性・・・再生出力(7MHz)が初期値よ
り=3dB減衰するまでの時間で評価した。48時間以
上の耐久性が得られれば好ましいが、30時間以上のも
のであれば実用上問題はない。
り=3dB減衰するまでの時間で評価した。48時間以
上の耐久性が得られれば好ましいが、30時間以上のも
のであれば実用上問題はない。
実施例1
基体として、厚さ30−のポリイミドフィルム(ユービ
レックスRタイプ、宇部興産側製)を使用した。ポリイ
ミドフィルムの熱膨張係数は2.8X 10−’cm/
cm/’C、ヤング率は390kg/mm2、表面粗さ
はいわゆる超平滑面で、最大高さが50Å以下であった
(クリステツブによる測定。以下同様)このポリイミド
フィルムに対し、磁気記録層を形成する前に、真空中熱
処理(200°C110分)を行なった。
レックスRタイプ、宇部興産側製)を使用した。ポリイ
ミドフィルムの熱膨張係数は2.8X 10−’cm/
cm/’C、ヤング率は390kg/mm2、表面粗さ
はいわゆる超平滑面で、最大高さが50Å以下であった
(クリステツブによる測定。以下同様)このポリイミド
フィルムに対し、磁気記録層を形成する前に、真空中熱
処理(200°C110分)を行なった。
このポリイミド基体の片面にRFマグネトロンスパッタ
装置で、Co80重量%、 Cr2O重量%の垂直磁化
膜を0.4μmの厚みで形成した。このとき基体温度は
200°Cであった。さらにCo−Cr膜上に保護膜と
して二酸化硅素薄膜を002−の厚みで形成した。二酸
化硅素薄膜は、二酸化硅素薄膜を0.02JJI11の
厚みて形成した。二酸化硅素薄膜は、二酸化硅素ターゲ
ットを使用してRFマグネトロンスパッタ装置で形成し
た。さらに無機保護層の上に潤滑層としてエステル系オ
リゴマーを真空蒸着法にて約20人の厚みて形成した。
装置で、Co80重量%、 Cr2O重量%の垂直磁化
膜を0.4μmの厚みで形成した。このとき基体温度は
200°Cであった。さらにCo−Cr膜上に保護膜と
して二酸化硅素薄膜を002−の厚みで形成した。二酸
化硅素薄膜は、二酸化硅素薄膜を0.02JJI11の
厚みて形成した。二酸化硅素薄膜は、二酸化硅素ターゲ
ットを使用してRFマグネトロンスパッタ装置で形成し
た。さらに無機保護層の上に潤滑層としてエステル系オ
リゴマーを真空蒸着法にて約20人の厚みて形成した。
又、ポリイミド基体の他方の面(裏側には、ポリエステ
ル系バインダーにカーホン粒子を含有したバックコート
を0.5μmの厚みで形成した。又、ポリイミド基体の
他方の面(裏面)には、ポリエステル系バインダーにカ
ーボン粒子を含有したバックコートを05μmの厚みで
形成した。こうして直径の2インチの円盤状に打ち抜い
て第1図に示す構成のフロッピーディスクを作成した。
ル系バインダーにカーホン粒子を含有したバックコート
を0.5μmの厚みで形成した。又、ポリイミド基体の
他方の面(裏面)には、ポリエステル系バインダーにカ
ーボン粒子を含有したバックコートを05μmの厚みで
形成した。こうして直径の2インチの円盤状に打ち抜い
て第1図に示す構成のフロッピーディスクを作成した。
この媒体のスティフネスを計算して求めたところ、17
k o = 0.55x 10−” (kgfmm)
てあった。このフロッピーディスクの評価結果を第1表
に示した。
k o = 0.55x 10−” (kgfmm)
てあった。このフロッピーディスクの評価結果を第1表
に示した。
比較例1
基体の厚みを40閂とした他は、実施例1と同じとした
。このフロッピーディスクのステイフネスを算出したと
ころ、1 / k o ” 1.17x 10−” [
kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
。このフロッピーディスクのステイフネスを算出したと
ころ、1 / k o ” 1.17x 10−” [
kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
このフロッピーディスクはカールが大きく、ヘッドタッ
チ、耐久性ともにあまり良好ではなかった。
チ、耐久性ともにあまり良好ではなかった。
匿佼■ユ
基体の厚みを25μmとした他は、実施例]と同じとし
た。このフロッピーディスクのステイフネスを算出した
ところ、1 / k o =0.34X 10−11[
kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
た。このフロッピーディスクのステイフネスを算出した
ところ、1 / k o =0.34X 10−11[
kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
このフロッピーディスクは、カールが大きく、ヘッドタ
ッチ、耐久性もともに良好ではなかった。
ッチ、耐久性もともに良好ではなかった。
矢嵐皿又
基体を厚み30μmのポリイミド、コポリマーとした他
は、実施例1と同じとした。このコポリマーは、パラフ
ェニレンジアミン(PPD)70モル%、ジアミノジフ
ェニルエーテル(DADE) 30モル%から成るジア
ミン成分と、ビフェニルテトラカルホン酸二無水物(B
PDA) 50モル%、ピロメリット酸二無水物(PM
DA) 50モル%から成る酸二無水物成分とからなり
、熱膨張係数は1.5 X 10−’cm/cm/’C
、ヤング率は550kg/mm2、表面粗さはいわゆる
超平滑面で、最大高さが50Å以下であった。このフロ
ッピーディスクのスティフネスを算出したところ、1
/ k o = 0.69x 10−” [kgfmm
lであった。評価結果を第1表に示した。
は、実施例1と同じとした。このコポリマーは、パラフ
ェニレンジアミン(PPD)70モル%、ジアミノジフ
ェニルエーテル(DADE) 30モル%から成るジア
ミン成分と、ビフェニルテトラカルホン酸二無水物(B
PDA) 50モル%、ピロメリット酸二無水物(PM
DA) 50モル%から成る酸二無水物成分とからなり
、熱膨張係数は1.5 X 10−’cm/cm/’C
、ヤング率は550kg/mm2、表面粗さはいわゆる
超平滑面で、最大高さが50Å以下であった。このフロ
ッピーディスクのスティフネスを算出したところ、1
/ k o = 0.69x 10−” [kgfmm
lであった。評価結果を第1表に示した。
このフロッピーディスクは、カールがほとんどなく平坦
でヘットタッチ、耐久性ともに優れていることが確認さ
れた。
でヘットタッチ、耐久性ともに優れていることが確認さ
れた。
置数」ユ
基体の厚みを40μmとした他は、実施例2と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 1.49x 10−”[
kgfmml であった。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 1.49x 10−”[
kgfmml であった。
X嵐廻ユ
基体の厚みを25μmとした他は、実施例2と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、17 k o =0.43X 10−11[k
gfmmlであった。このフロッピーディスクは、カー
ルがほとんどなく、平坦であった。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、17 k o =0.43X 10−11[k
gfmmlであった。このフロッピーディスクは、カー
ルがほとんどなく、平坦であった。
火難’?A 4
基体を厚み30順のユービレックスSタイプ(宇部興産
■製)のポリイミドフィルムとした他は、実施例1と同
じとした。ユービレックスSタイプの熱膨張係数は1.
2 X 10−5cm/cm/’C、ヤング率は100
0kg/mm2、表面粗さはいわゆる超平滑面で、最大
高さが50Å以下であった。このフロッピーディスクの
スティフネスは、1 / k o = 1.(14x
10−”[kgfmmlであった。評価結果を第1表に
示した。
■製)のポリイミドフィルムとした他は、実施例1と同
じとした。ユービレックスSタイプの熱膨張係数は1.
2 X 10−5cm/cm/’C、ヤング率は100
0kg/mm2、表面粗さはいわゆる超平滑面で、最大
高さが50Å以下であった。このフロッピーディスクの
スティフネスは、1 / k o = 1.(14x
10−”[kgfmmlであった。評価結果を第1表に
示した。
夫嵐皿二
基体の厚みを25μmとした他は、実施例4と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 0.64X 10−”
[kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 0.64X 10−”
[kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
よ較±A
基体の厚みを40μmとした他は、実施例4と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1/ko =2.28X10−” [kgfm
mlであった。評価結果を第1表に示した。このフロッ
ピーディスクのカールはあまり大きくなかったが、フロ
ッピーディスクのジャケットには接触していた。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1/ko =2.28X10−” [kgfm
mlであった。評価結果を第1表に示した。このフロッ
ピーディスクのカールはあまり大きくなかったが、フロ
ッピーディスクのジャケットには接触していた。
聚狗廻j
第5図に示す本発明の磁気記録媒体であるフロッピーデ
ィスクを作成した。基体1には厚み20JImのユービ
レックスRタイプのポリイミドフィルムを使用した。基
体1の表面粗さは、最大高さが50Å以下であった。
ィスクを作成した。基体1には厚み20JImのユービ
レックスRタイプのポリイミドフィルムを使用した。基
体1の表面粗さは、最大高さが50Å以下であった。
本基体1の両面に対向ターゲットスパッタ装置でCo8
0wt%−Co20wt%の垂直磁化膜2.20を共に
0.4μmの厚みで形成した(基体温度200°C)。
0wt%−Co20wt%の垂直磁化膜2.20を共に
0.4μmの厚みで形成した(基体温度200°C)。
保護層3a、3b及びバックコート層4は実施例1と同
じ材料・製法・厚みで第5図に示すように形成した。
じ材料・製法・厚みで第5図に示すように形成した。
このフロッピーディスクのスティフネスを算出したとこ
ろ、1 / k o = 0.45X 10−” [k
gfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
ろ、1 / k o = 0.45X 10−” [k
gfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
実緊1硼ヱ
基本の厚みを30μmとした他は、実施例6と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1/に、 =1.15x10−目[kgfmm
lであった。評価結果を第1表に示した。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1/に、 =1.15x10−目[kgfmm
lであった。評価結果を第1表に示した。
ル佼孤j
基本の厚みを15牌とした他は、実施例6と同じとした
。このフロッピーディスクのスティフネスを算出したと
ころ、1 / k 、 =0.26x 10−目 [k
gfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
。このフロッピーディスクのスティフネスを算出したと
ころ、1 / k 、 =0.26x 10−目 [k
gfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
このフロッピーディスクはへラドタッチが極めて不良で
、耐久性は悪く、4時間であった。また、耐久試験後の
フロッピーディスク表面にはキズがはいっていた。
、耐久性は悪く、4時間であった。また、耐久試験後の
フロッピーディスク表面にはキズがはいっていた。
実考U叩旦
基体を実施例2と同じ組成で、厚み20μmのコポリマ
ーとした他は、実施例6と同じとした。このフロッピー
ディスクのスティフネスを算出したところ、1 / k
、 = 0.51x 10−口[kgfmmlであっ
た。評価結果を第1表に示した。
ーとした他は、実施例6と同じとした。このフロッピー
ディスクのスティフネスを算出したところ、1 / k
、 = 0.51x 10−口[kgfmmlであっ
た。評価結果を第1表に示した。
区軟五互
基体の厚みを30μmとした他は、実施例8と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 1.26x 10−11
[kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した
。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 1.26x 10−11
[kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した
。
比較例7
基体の厚みを15μmとした他は、実施例8と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 0.27X 10−”
[kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 0.27X 10−”
[kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
耐久試験後、フロッピーディスク表面にはキズがはいっ
ていた。
ていた。
K盗皿ユ
基体の厚みを20μmのユービレックスSタイプとした
他は、実施例6と同じとした。基体の表面粗さは、最大
高さ50Å以下であった。このフロッピーディスクのス
ティフネスを算出したところ、1 / k o = 0
.60X 10−” [kgfmmlであった。評価結
果を第1表に示した。
他は、実施例6と同じとした。基体の表面粗さは、最大
高さ50Å以下であった。このフロッピーディスクのス
ティフネスを算出したところ、1 / k o = 0
.60X 10−” [kgfmmlであった。評価結
果を第1表に示した。
K將鳳且
基体の厚みを25μmとした他は、実施例9と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k 、 = 1.01x IQ−II
[kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した
。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k 、 = 1.01x IQ−II
[kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した
。
比較■溢
基体の厚みを30μmとした他は、実施例9と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 1.56X 10−■[
kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k o = 1.56X 10−■[
kgfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
このフロッピーディスクはヘッドタッチが極めて悪く、
耐久性も約30分て出力低下し、耐久試験後のフロッピ
ーディスク表面にはキズがはいっていた。
耐久性も約30分て出力低下し、耐久試験後のフロッピ
ーディスク表面にはキズがはいっていた。
去迦11u
基体の厚みを16μmとした他は、実施例9と同じとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k 。=0.36X IQ−” [k
gfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
た。このフロッピーディスクのスティフネスを算出した
ところ、1 / k 。=0.36X IQ−” [k
gfmmlであった。評価結果を第1表に示した。
夾週l引は
20戸厚のポリイミドフィルム(宇部興産用製、ユーピ
レックスSタイプ)の両面にCo−Cr垂直磁化膜をそ
れぞれ0.4μmの厚さにスパッタリング法によりスパ
ッタした。その際のフィルム温度(キャン温度)は20
0℃、到達真空度はI X 10−’Pa以上、スパッ
タ圧は0.45Pa、成膜速度は3000人/sec、
使用ターゲットは20wt%Cr−Coである。
レックスSタイプ)の両面にCo−Cr垂直磁化膜をそ
れぞれ0.4μmの厚さにスパッタリング法によりスパ
ッタした。その際のフィルム温度(キャン温度)は20
0℃、到達真空度はI X 10−’Pa以上、スパッ
タ圧は0.45Pa、成膜速度は3000人/sec、
使用ターゲットは20wt%Cr−Coである。
更に表側には保護層として金属酸化膜を100人厚1裏
側にはバックコート層を0.5即厚形成した。その際、
金属酸化膜として酸素15%を含むアルゴンガス中でC
oをスパッタリングすることによりCo酸化膜を作成し
、またバックコート層としてカーホン含量含有のポリエ
ステル系樹脂材料を塗布した。
側にはバックコート層を0.5即厚形成した。その際、
金属酸化膜として酸素15%を含むアルゴンガス中でC
oをスパッタリングすることによりCo酸化膜を作成し
、またバックコート層としてカーホン含量含有のポリエ
ステル系樹脂材料を塗布した。
このようにして形成した磁気記録媒体を直径47mmの
円盤状に打抜いてフロッピーディスクとした。このフロ
ッピーディスクのスティフネスを求めたところ、1 /
k o = 0.60x 10−” [kgfmm]
であった。
円盤状に打抜いてフロッピーディスクとした。このフロ
ッピーディスクのスティフネスを求めたところ、1 /
k o = 0.60x 10−” [kgfmm]
であった。
このフロッピーディスクのCoCr膜表面の表面粗さは
Rmax= 50人(タリステップ測定)であった。
Rmax= 50人(タリステップ測定)であった。
また、Co−Cr膜の磁気特性を理研電子■製の振動試
料型磁力計(vibrating sample ma
gnetometer)で測定したところ、4 x M
s= 4.5kGauss 、 Hc(土) =120
00e 、 Ha (// ) =4000eあった。
料型磁力計(vibrating sample ma
gnetometer)で測定したところ、4 x M
s= 4.5kGauss 、 Hc(土) =120
00e 、 Ha (// ) =4000eあった。
この基体の周波数特性を先の工具デツキで測定した結果
を第12図(A)に示す。比較のために、市販の塗布型
磁気記録媒体である富士写真フィルム社製のディスク(
Fuji MP 、 2インチMpシート)の周波数
特性を第12図(D)に示す。
を第12図(A)に示す。比較のために、市販の塗布型
磁気記録媒体である富士写真フィルム社製のディスク(
Fuji MP 、 2インチMpシート)の周波数
特性を第12図(D)に示す。
上記周波数特性を有する本発明の磁気記録媒体は、録再
出力が高いため、電子スチルカメラに使用されるような
短波長の記録波長を用いることができるので、電子スチ
ルカメラ用磁気記録媒体として非常に有用であることが
確認できた。
出力が高いため、電子スチルカメラに使用されるような
短波長の記録波長を用いることができるので、電子スチ
ルカメラ用磁気記録媒体として非常に有用であることが
確認できた。
夫痰叫貝
25μm厚のポリイミド(宇部興産■製、ユービレック
ス8タイプ)に粒径450人のSiO□フィラーを内填
し、突起高さがRmax= 200人、突起密度が5
X 106個/mm2の表面を持つポリイミドフィルム
を形成した。そのフィルムの両面にCo−Cr垂直磁化
膜をそれぞれ表側0.2μm、裏側0.18gmの厚さ
にスパッタリング法によりスパックした。その際のフィ
ルム温度(キャン温度は200℃、到達真空度はI X
10−’Pa以上、スパッタ厚は0.4.5Pa、成
膜速度は2500人/sec、ターゲットは20wt%
Cr−Coを使用した。
ス8タイプ)に粒径450人のSiO□フィラーを内填
し、突起高さがRmax= 200人、突起密度が5
X 106個/mm2の表面を持つポリイミドフィルム
を形成した。そのフィルムの両面にCo−Cr垂直磁化
膜をそれぞれ表側0.2μm、裏側0.18gmの厚さ
にスパッタリング法によりスパックした。その際のフィ
ルム温度(キャン温度は200℃、到達真空度はI X
10−’Pa以上、スパッタ厚は0.4.5Pa、成
膜速度は2500人/sec、ターゲットは20wt%
Cr−Coを使用した。
次に、実施例12と同様にして保護層およびバックコー
ト層を形成し、直径47mmのフロッピーディスクとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを求めたと
ころ1 / k o =0.68X lO−” [kg
fmmlであった□ このフロッピーディスクのCo−Cr膜表面の表面粗さ
はRmax= 200人(クリステツブ測定)であった
。Co−Cr膜の磁気特性を実施例12と同様に測定し
たところ、4 xMs== 4.8kGauss、 H
c (±) =13500e 、 Hc (1) =4
0000eであった。
ト層を形成し、直径47mmのフロッピーディスクとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを求めたと
ころ1 / k o =0.68X lO−” [kg
fmmlであった□ このフロッピーディスクのCo−Cr膜表面の表面粗さ
はRmax= 200人(クリステツブ測定)であった
。Co−Cr膜の磁気特性を実施例12と同様に測定し
たところ、4 xMs== 4.8kGauss、 H
c (±) =13500e 、 Hc (1) =4
0000eであった。
この媒体の周波数特性を先の工具デツキで測定した結果
を第12図(B)に示す。
を第12図(B)に示す。
上記周波数特性を有する本発明の磁気記録媒体は、録再
出力が高いため、電子スチルカメラに使用されるような
短波長の記録波長を用いることができるので、電子スチ
ルカメラ用磁気記録媒体として非常に有用であることが
確認できた。
出力が高いため、電子スチルカメラに使用されるような
短波長の記録波長を用いることができるので、電子スチ
ルカメラ用磁気記録媒体として非常に有用であることが
確認できた。
及嵐且月
17μm厚のポリイミドフィルム(宇部興産■製、ニー
プレックスSタイプ)の両面にパーマロイ膜(Ni78
重量%、 JIS PC材)をそれぞれ0.2gmの厚
さにスパッタリング法により形成した。その際のフィル
ム温度(キャン温度)は20℃(水冷)、到達真空度は
I X 10−’Pa以上、スパッタ圧は0.6Pa、
成膜速度は3000人/secとした。
プレックスSタイプ)の両面にパーマロイ膜(Ni78
重量%、 JIS PC材)をそれぞれ0.2gmの厚
さにスパッタリング法により形成した。その際のフィル
ム温度(キャン温度)は20℃(水冷)、到達真空度は
I X 10−’Pa以上、スパッタ圧は0.6Pa、
成膜速度は3000人/secとした。
次に、上記パーマロイ膜上にCo−Cr垂直磁化膜をそ
れぞれ0.2μmの厚さにスパッタ1ノング法により形
成した。その際のフィルム温度(キャン温度)は200
°C1到達真空度はI X IP’Pa以上、スパッタ
圧は0.45Pa 、成膜速度は2500人/sea。
れぞれ0.2μmの厚さにスパッタ1ノング法により形
成した。その際のフィルム温度(キャン温度)は200
°C1到達真空度はI X IP’Pa以上、スパッタ
圧は0.45Pa 、成膜速度は2500人/sea。
ターゲットは20wt%Cr−Coであった。
次に、実施例12と同様にして保護層およびバックコー
ト層を形成し、直径47mmのフロッピーディスクとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを求めたと
ころ1 / k o = 0.41X 10−” [k
gfmmlであった。
ト層を形成し、直径47mmのフロッピーディスクとし
た。このフロッピーディスクのスティフネスを求めたと
ころ1 / k o = 0.41X 10−” [k
gfmmlであった。
このフロッピーディスクの磁気記録層表面の表面粗さは
Rmax= 150人(クリステツブ測定)であった
。Co−Cr膜の磁気特性は実施例13と同じであった
。
Rmax= 150人(クリステツブ測定)であった
。Co−Cr膜の磁気特性は実施例13と同じであった
。
この媒体の周波数特性を測定した結果を第12図(C)
に示す。
に示す。
上記周波数特性を有する本発明の磁気記録媒体は、録再
出力が高いため、電子スチルカメラに使用されるような
短波長の記録波長を用いることができるので、電子スチ
ルカメラ用磁気記録媒体として非常に有用であることが
確認できた。
出力が高いため、電子スチルカメラに使用されるような
短波長の記録波長を用いることができるので、電子スチ
ルカメラ用磁気記録媒体として非常に有用であることが
確認できた。
K皿升長
厚み25−、ヤング率850kg/mm2のポリイミド
フィルム両面に厚み0.35μmのCo−Cr磁気記録
層をRFスパッタリングにて形成した。基板加熱を15
0℃にて行なった結果磁気特性はHc= 1200エル
ステツド、4πMs = 4.3kGであった。尚、C
r組成比は20%である。片面にフッ素オイルを塗布し
、外径47mmに打ち抜いたのち、片面リングヘッドア
クセスのディスク回転系で走行試験したところ、良好な
ヘッドタッチを示した。ヘッドタッチは略0.8μmの
波長の信号を記録再生したエンベローブ波形にて判断し
た。このフロッピーディスクのスティフネスを求めたと
ころ、1/kQ =0.87X10−口 [kgfmm
l であった。
フィルム両面に厚み0.35μmのCo−Cr磁気記録
層をRFスパッタリングにて形成した。基板加熱を15
0℃にて行なった結果磁気特性はHc= 1200エル
ステツド、4πMs = 4.3kGであった。尚、C
r組成比は20%である。片面にフッ素オイルを塗布し
、外径47mmに打ち抜いたのち、片面リングヘッドア
クセスのディスク回転系で走行試験したところ、良好な
ヘッドタッチを示した。ヘッドタッチは略0.8μmの
波長の信号を記録再生したエンベローブ波形にて判断し
た。このフロッピーディスクのスティフネスを求めたと
ころ、1/kQ =0.87X10−口 [kgfmm
l であった。
第1図〜第5図は本発明の磁気記録媒体の例を示す断面
図、第6図はスティフネスの説明するために2層構造の
薄板を曲げた状態を示した斜視図、第7図〜第10図は
基体の厚みとスティフネスの関係を示したグラフ、第1
1図は再生エンベロープの例を示した図、第12図は実
施例12〜14の磁気記録媒体の周波数特性を示すグラ
フ、第13図は電子スチルカメラの構造を概略的に示し
た側面図である。 1・・・基体、 2.20・・・磁気記録層、 3・・・保護層、 4・・・バックコート、 5・・・下地層。 特許出願人 キャノン株式会社
図、第6図はスティフネスの説明するために2層構造の
薄板を曲げた状態を示した斜視図、第7図〜第10図は
基体の厚みとスティフネスの関係を示したグラフ、第1
1図は再生エンベロープの例を示した図、第12図は実
施例12〜14の磁気記録媒体の周波数特性を示すグラ
フ、第13図は電子スチルカメラの構造を概略的に示し
た側面図である。 1・・・基体、 2.20・・・磁気記録層、 3・・・保護層、 4・・・バックコート、 5・・・下地層。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (13)
- (1)基体上に少なくとも金属薄膜の磁気記録層を有し
、全体のスティフネス1/k_o[kgfmm]が 0.35×10^−^1^1≦1/k_o≦1.15×
10^−^1^1 (但し、1/k_o=3ΣE_kI_k [nは磁気記録媒体を構成する層の数] E_K;第k層のヤング率 [単位;kgf/mm^2] I_k;第k層の慣性モーメント [単位;mm^3]) であり、かつ形状がディスク状であることを特徴とする
磁気記録媒体。 - (2)前記スティフネス1/k_o[kgfmm]0.
45×10^−^1^1≦1/k_o≦0.75×10
^−^1^1 である請求項第1項記載の磁気記録媒体。 - (3)前記基体がポリイミドである請求項第1項記載の
磁気記録媒体。 - (4)前記基体の片面に、前記磁気記録層を有する請求
項第1項記載の磁気記録媒体。 - (5)前記基体の両面に、前記磁気記録層を有する請求
項第1項記載の磁気記録媒体。 - (6)前記磁気記録層が、Co−Cr垂直磁化膜である
請求項1項、4項、5項のいずれか記載の磁気記録媒体
。 - (7)直径が50mm以下である請求項第1項記載の磁
気記録媒体。 - (8)前記基体が、厚み24〜36μmのポリイミドで
、前記磁気記録層がCo−Cr垂直磁化膜である請求項
第4項の磁気記録媒体。 - (9)前記基体の厚みが26〜31μmである請求項第
8項記載の磁気記録媒体。 - (10)前記基体が、厚み16〜26μmのポリイミド
で、前記磁気記録層がCo−Cr垂直磁化膜である請求
項第5項記載の磁気記録媒体。 - (11)前記基体の厚みが18〜22μmである請求項
第10項記載の磁気記録媒体。 - (12)前記基体の両面に、前記基体側から順にCo−
Cr垂直磁化膜の磁気記録層と、SiO_2の保護層と
を有する請求項第1項記載の磁気記録媒体。 - (13)ガラス転移点180℃以上の耐熱性の高分子材
料より成る直径50mm以下、厚み30μm以下の円板
状の基体の両面に厚み0.2μm以上の金属薄膜磁性層
を有することを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24662888A JPH01232533A (ja) | 1987-10-15 | 1988-09-30 | 磁気記録媒体 |
US07/257,086 US5055351A (en) | 1987-10-15 | 1988-10-13 | Metal thin film type magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-258206 | 1987-10-15 | ||
JP25820687 | 1987-10-15 | ||
JP62-291818 | 1987-11-20 | ||
JP24662888A JPH01232533A (ja) | 1987-10-15 | 1988-09-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01232533A true JPH01232533A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=26537818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24662888A Pending JPH01232533A (ja) | 1987-10-15 | 1988-09-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01232533A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59215024A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | フレキシブル磁気ディスク |
JPS6018822A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-30 | Teijin Ltd | 薄膜型磁気記録媒体 |
JPS61145725A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 高トラツク密度記録可能なフロツピ−デイスク |
JPS61237224A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Canon Inc | 磁気記録テ−プ |
JPS62143228A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-26 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24662888A patent/JPH01232533A/ja active Pending
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