JPH0636281A

JPH0636281A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH0636281A
Application number: JP19569092A
Authority: JP
Inventors: Kazunobu Chiba; 一信千葉; Kenichi Sato; 研一佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-07-22
Filing date: 1992-07-22
Publication date: 1994-02-10

Abstract

(57)【要約】【目的】安定性の高い保護膜を有する信頼性の高い磁
気記録媒体を提供する。【構成】非磁性支持体上に真空蒸着法により磁性薄膜
を形成し、該磁性薄膜上に真空薄膜形成方法によりカー
ボンあるいはーボンを含む保護膜を形成する際に、保護
膜形成前に磁性薄膜表面に還元性ガスあるいは水素ガス
を含む不活性ガスによりボンバード処理を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性層となる磁性薄膜
を真空蒸着法により非磁性支持体上に形成し、該磁性薄
膜上に真空薄膜形成手段によりカーボンまたはカーボン
を含む保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の
粉末磁性材料を塩化ビニルー酢酸ビニル系共重合体、ポ
リエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥
することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
（真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され
注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は抗磁
力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れる
ばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄くできる為、
記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性
層中に非磁性材であるそのバインダーを混入する必要が
無いため磁性材料の充填密度を高めることが出来ること
など、数々の利点を有している。

【０００５】更に、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることが出来るよう
にするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場
合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案さ
れ実用化されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、金属磁性薄
膜型の磁気記録媒体においては、磁性層が非常に薄いこ
と、金属磁性材料が高分子等によりコーティングされて
いないことから、耐久性，耐錆性が良好ではなく、潤滑
剤及び防錆剤等をコーティングする、あるいは微粒子を
磁性層形成前に非磁性支持体上に塗布するといった、い
わゆる下塗技術の検討がなされている。しかし、これら
の技術では、特殊な環境下における使用や業務用のよう
な苛酷な仕様に充分対応できる特性を達成することがで
きないため、真空蒸着，スパッタ，プラズマＣＶＤ等の
真空薄膜形成手段によって表面保護膜を形成するといっ
た技術の検討が行われており、表面保護膜の材料として
はカーボン，カーボンを含む材料が用いられている。

【０００７】上記のような真空薄膜形成手段により形成
された表面保護膜を有する磁気記録媒体においては、耐
久性は非常に良好であるものの、高温環境下における長
期間の保存や磁性層の製造条件によって、保護膜の接着
性の低下や耐久性の劣化といった問題が発生している。

【０００８】そこで、本発明は従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、耐久性が良好で、安定性の優れた保
護膜を形成することを目的とし、信頼性の高い磁気記録
媒体を製造できる磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、非磁性支持体上に真空蒸着法により磁
性薄膜を形成し、該磁性薄膜上に真空薄膜形成手段によ
りカーボンまたはカーボンを含む保護膜を形成する磁気
記録媒体の製造方法において、保護膜形成前の磁性薄膜
表面を還元性ガスを含む不活性ガスでボンバード処理を
行うことを特徴とするものである。

【００１０】また、本発明は、非磁性支持体上に真空蒸
着法により磁性薄膜を形成し、該磁性薄膜上に真空薄膜
形成手段によりカーボンまたはカーボンを含む保護膜を
形成する磁気記録媒体の製造方法において、保護膜形成
前の磁性薄膜表面を水素ガスを含む不活性ガスでボンバ
ード処理を行うことを特徴とするものである。

【００１１】さらに、本発明の磁気記録媒体の製造方法
においては、保護膜をスパッタ法またはＣＶＤ法により
形成しても良い。

【００１２】上記ボンバード処理は、非磁性支持体上に
磁性薄膜を形成し、これを走行させながらＤＣまたはＲ
Ｆ電源により電圧を印加し、かつ放電を持続させる為に
水素ガスまたは還元性ガスを含む不活性ガスを供給して
行う。この時、水素ガスまたは還元性ガスの量は５ｍｏ
ｌ％以上とする。水素ガスまたは還元性ガスの量が５ｍ
ｏｌ％未満であると充分なボンバード処理が行われな
い。また、上記不活性ガスとしては、アルゴンガス，窒
素ガス等が挙げられ、上記還元性ガスとしては、水素や
アセチレン等の炭化水素系のガスや液体を気化させたも
のが挙げられる。

【００１３】本発明の磁気記録媒体の製造方法によって
製造される磁気記録媒体においては、非磁性支持体上に
強磁性金属材料を直接被着することにより金属磁性薄膜
が磁性層として形成されているが、この金属磁性材料と
しては、通常の蒸着テ−プに使用されるものであれば如
何なるものであってもよい。

【００１４】例示すれば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの強磁
性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，
Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍ
ｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ
−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられる。これら
の単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。さら
には、非磁性支持体と金属磁性薄膜間、あるいは多層膜
の場合には、各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御
等のため、下地層または、中間層を設けてもよい。ま
た、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化
物となっていてもよい。

【００１５】金属磁性薄膜形成の手段としては、真空下
で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させ
る真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行う
イオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲
気中でグロー放電を越こし生じたアルゴンイオンでター
ゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆる
ＰＶＤ技術によればよい。

【００１６】また、上記非磁性支持体上に形成された強
磁性金属材料上には保護膜層が形成されているがこの材
料として例示すれば、カーボンの単層膜、または、Ｃｒ
Ｏ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，ＢＮ，Ｃｏ酸化物，ＭｇＯ，ＳｉＯ
₂，Ｓｉ₃Ｏ₄，ＳｉＮ_X，ＳｉＣ，ＳｉＮ_X─ＳｉＯ
₂，ＺｒＯ₂，ＴｉＯ₂，ＴｉＣ等の耐摩耗性保護膜
や、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａ
ｌ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｄ及びこれらの金属の合金等と
カーボンの多層膜や複合膜が挙げられる。

【００１７】勿論、本発明にかかる磁気テープの構成は
これに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲での変更、例えば必要に応じてバックコート層
を形成したり、非磁性支持体上に下塗層を形成したり、
潤滑剤、防錆剤などの層を形成することは何等差し支え
ない。この場合、バックコート層に含まれる非磁性顔
料、樹脂結合剤あるいは潤滑剤、防錆剤層に含まれる材
料としては従来公知のものがいずれも使用できる。

【００１８】

【作用】本発明においては、非磁性支持体上に真空蒸着
法により磁性薄膜を形成し、該磁性薄膜上に真空薄膜形
成手段によりカーボンまたはカーボンを含む保護膜を形
成する磁気記録媒体の製造方法において、保護膜形成前
の磁性薄膜表面を還元性ガスまたは水素ガスを含む不活
性ガスでボンバード処理を行うため、保護膜の磁性薄膜
への接着性が優れており、安定性の優れた保護膜を得る
ことができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものではな
い。

【００２０】まず、本実施例において磁性薄膜の成膜に
使用した蒸着製造装置の構成について説明する。図１に
示す様に、この製造装置においては、頭部と低部にそれ
ぞれ設けられた排気口１５から排気されて内部が真空状
態となされた真空室１内に、図中の反時計回り方向に定
速回転する送りロール３と、図中の時計回り方向に定速
回転する巻取りロール４とが設けられ、これら送りロー
ル３から巻取りロール４にテープ状の非磁性支持体２が
順次走行するようになされている。

【００２１】これら送りロール３から巻取りロール４側
に上記非磁性支持体２が走行する中途部には、上記各ロ
ール３、４の径よりも大径となされた冷却キャン５が設
けられている。この冷却キャン５は、上記非磁性支持体
２を図中下方に引き出す様に設けられ、図中の時計回り
方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送りロール
３、巻取りロール４、及び、冷却キャン５は、それぞれ
非磁性支持体２の幅と略同じ長さからなる円筒状をなす
ものであり、また上記冷却キャン５には、内部に図示し
ない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体２の温度上
昇による変形等を抑制し得るようになされている。

【００２２】従って、上記非磁性支持体２は送りロール
３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン５の周面
を通過し、巻取りロール４に巻取られていくようになさ
れている。尚、上記送りロール３と上記冷却キャン５と
の間及び該冷却キャン５と上記巻取りロール４との間に
はそれぞれガイドロール６、７が配設され、上記送りロ
ール３から冷却キャン５及び該冷却キャン５から巻取り
ロール４にわたって走行する非磁性支持体２に所定のテ
ンションをかけ、該非磁性支持体２が円滑に走行するよ
うになされている。また、上記真空室内には、上記冷却
キャン５の下方にルツボ８が設けられ、このルツボ８内
に金属磁性材料９が充填されている。このルツボ８は、
上記冷却キャン５の長手方向の幅と略同一の幅を有して
なる。

【００２３】一方、上記真空室１の側壁部には、上記ル
ツボ８内に充填された金属磁性材料９を加熱蒸発させる
ための電子銃１０が取り付けられる。この電子銃１０
は、当該電子銃１０より放出される電子線Ｘが上記ルツ
ボ８内の金属磁性材料９に照射されるような位置に配設
される。そして、この電子銃１０によって蒸発した金属
磁性材料９が上記冷却キャン５の周面を定速走行する非
磁性支持体２上に磁性層として被着形成されるようにな
っている。

【００２４】また、上記冷却キャン５と上記ルツボ８と
の間であって該冷却キャン５の近傍には、シャッタ１３
が配設されている。このシャッタ１３は、上記冷却キャ
ン５の周面を定速走行する非磁性支持体２の所定領域を
覆う形で形成され、このシャッタ１３により上記蒸発せ
しめられた金属磁性材料９が上記非磁性支持体２に対し
て所定の角度範囲で斜めに蒸着されるようになってい
る。更に、このような蒸着に際し、上記真空室１の側壁
部を貫通して設けられる酸素ガス導入口１４を介して非
磁性支持体２の表面に酸素ガスが供給され、磁気特性、
耐久性及び耐候性の向上が図られている。

【００２５】この真空蒸着は、真空室１を例えば真空度
１×１０^-4Torrに保ちながら、これらの真空室１内にガ
ス導入口１４により酸素ガスを例えば２５０cc／min の
割合で導入しながら行う。この場合、非磁性支持体２に
対する蒸発金属の入射角は例えば４５〜９０°の範囲と
する。また、磁性層は円筒キャン５において例えば２０
００Åの厚さに蒸着される。なお、蒸発源８に用いられ
るインゴットの組成は例えばＣｏ８０ーＮｉ２０（数値
は組成を重量％で表す。）

【００２６】次に、本実施例において保護膜の形成に使
用したキャンロール対向型スパッタリング製造装置の構
成について説明する。図２に示す様に、この製造装置に
おいては、頭部と低部にそれぞれ設けられた排気口２１
から排気されて内部が真空状態となされた真空室２２内
に、図中の時計回り方向に定速回転する送りロール２３
と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール２
４とが設けられ、これら送りロール２３から巻取りロー
ル２４にテープ状の非磁性支持体２５が順次走行するよ
うになされている。

【００２７】これら送りロール２３から巻取りロール２
４側に上記非磁性支持体２５が走行する中途部には、上
記各ロール２３、２４の径よりも大径となされた円筒キ
ャン２６が設けられている。この円筒キャン２６は、上
記非磁性支持体２５を図中下方に引き出す様に設けら
れ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。
尚、上記送りロール２３、巻取りロール２４、及び、円
筒キャン２６は、それぞれ非磁性支持体２５の幅と略同
じ長さからなる円筒状をなすものであり、また上記円筒
キャン２６には、内部に図示しない冷却装置が設けら
れ、上記非磁性支持体２５の温度上昇による変形等を抑
制し得るようになされている。

【００２８】従って、上記非磁性支持体２５は、送りロ
ール２３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン２
６の周面を通過し、巻取りロール２４に巻取られていく
ようになされている。尚、上記送りロール２３と上記円
筒キャン２６との間及び該冷却キャン２６と上記巻取り
ロール２４との間にはそれぞれガイドロール２７、２８
が配設され、上記送りロール２３から円筒キャン２６及
び該円筒キャン２６から巻取りロール２４にわたって走
行する非磁性支持体２５に所定のテンションをかけ、該
非磁性支持体２５が円滑に走行するようになされてい
る。

【００２９】また、上記真空室２２内には、上記円筒キ
ャン２６の下方に円筒キャンと略平行となるように設置
されたターゲットカソード２９が設けられており、ター
ゲットカソード２９表面に保護膜材料が接着されてい
る。また、カソード２９にはＤＣ電源３０が接続されて
いる。さらに、このターゲットカソード２９の近傍部に
は保護膜の原料ガスおよびキャリアガスを導入する導入
口３１、３２が設けられている。

【００３０】このターゲットカソード２９は、上記円筒
キャン２６の幅より３００ｍｍ程大きい幅を有してな
る。尚、本実施例では、円筒キャンは冷却されている
が、保護膜と磁性膜の接着強度を上げるため適宜加熱し
た状態でもよい。

【００３１】さらに本実施例において保護膜の形成に使
用したキャン対抗電極型プラズマＣＶＤ製造装置の構成
について説明する。図３に示す様に、この製造装置にお
いては、頭部と低部にそれぞれ設けられた排気口５５か
ら排気されて内部が真空状態となされた真空室４１内
に、図中の時計回り方向に定速回転する送りロール４３
と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール４
４とが設けられ、これら送りロール４３から巻取りロー
ル４４にテープ状の非磁性支持体４２が順次走行するよ
うになされている。

【００３２】これら送りロール４３から巻取りロール４
４側に上記非磁性支持体４２が走行する中途部には、上
記各ロール４３、４４の径よりも大径となされた円筒キ
ャン４５が設けられている。この円筒キャン４５は、上
記非磁性支持体４２を図中下方に引き出す様に設けら
れ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。
尚、上記送りロール４３、巻取りロール４４、及び、円
筒キャン４５は、それぞれ非磁性支持体４２の幅と略同
じ長さからなる円筒状をなすものであり、また上記円筒
キャン４５には、内部に図示しない冷却装置が設けら
れ、上記非磁性支持体４２の温度上昇による変形等を抑
制し得るようになされている。

【００３３】従って、上記非磁性支持体４２は、送りロ
ール４３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン４
５の周面を通過し、巻取りロール４４に巻取られていく
ようになされている。尚、上記送りロール４３と上記円
筒キャン４５との間及び該冷却キャン４５と上記巻取り
ロール４４との間にはそれぞれガイドロール４６、４７
が配設され、上記送りロール４３から円筒キャン４５及
び該円筒キャン４５から巻取りロール４４にわたって走
行する非磁性支持体４２に所定のテンションをかけ、該
非磁性支持体４２が円滑に走行するようになされてい
る。

【００３４】この送りロールには、ＤＣ電源５１また
は、ＲＦ電源５２によりバイアス電圧が印加できる構造
となっている。また、上記真空室内には、上記円筒キャ
ン４５の左方に円筒キャンと略平行となるように曲面化
された対向電極４８が設けられ、この対向電極４８には
高周波電源４９が接続されている。さらに、この対抗電
極４８の側近部には保護膜の原料ガスおよびキャリアガ
スを導入する導入口が設けられている。

【００３５】この対抗電極４８は、上記円筒キャン４５
の長手方向の幅と略同一の幅を有してなる。尚、本実施
例では、円筒キャンは冷却されているが、保護膜と磁性
膜の接着強度をあげるため適宜加熱した状態でもよい。
また、バイアス電圧は円筒キャンに印加される構造とな
っていてもよい。

【００３６】そこで、このような構成を有する製造装置
を用いて、下記に示す材質よりなる下塗が施された非磁
性支持体上に、酸素雰囲気中でＣｏ−Ｎｉ合金を斜め蒸
着し、例えば膜厚約０．２μｍの金属磁性薄膜を磁性層
として被着形成した後、バックコート、トップコートを
ほどこし所定のテープ幅に裁断してサンプルテープを作
成した。

【００３７】＜サンプルテープの作成＞ベース：ポリエチレンテレフタレート１０μｍ１５０ｍｍ幅下塗：アクリルエステルを主成分とする
水溶性ラテックスを塗布密度約１０００万個／ｍｍ² 蒸着条件インゴット：Ｃｏ８０─Ｎｉ２０ｗｔ％入射角：４５〜９０° テープ速度：０．１７ｍ／ｓｅｃ磁性層厚：０．２μｍ酸素導入量：３．３×１０^-6ｍ³／ｓｅｃ蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａバックコート：カーボン、及びウレタンバインダ
ーを混合したものを０．６μｍ厚塗布トップコート：パーフルオロポリエーテルを塗布スリット幅：８ｍｍ幅

【００３８】このように形成されたサンプルテープに所
定の条件でボンバード処理を行い、前述のキャンロール
対向型スパッタリング製造装置あるいはキャン対抗電極
型プラズマＣＶＤ製造装置を用いて、下記の条件でスパ
ッタ法あるいはＣＶＤ法により保護膜の形成を行った。

【００３９】〈スパッタ条件〉方式：ＤＣマグネトロンスパッタターゲット材：カーボン使用ガス：アルゴンバックグラウンド真空度：４×１０^-3Ｐａ成膜時真空度：２Ｐａテープ速度：０．１ｍ／ｓｅｃ保護膜厚：０．０１５μｍ

【００４０】〈ＣＶＤ条件〉方式：キャン対向電極型プラズマＣ
ＶＤ使用ガス：アルゴン，エチレン真空度：７〜９Ｐａテープ速度：０．１８ｍ／ｓｅｃ保護膜厚：０．０１５μｍ

【００４１】上記サンプルテープに、アルゴン，水素雰
囲気中（９５：５ｍｏｌ％）でボンバード処理を施した
後にスパッタ法により保護膜を形成したものを実施例
１、同条件下でボンバード処理を施した後にＣＶＤ法に
より保護膜を形成したものを実施例２、アルゴン，アセ
チレン雰囲気中でボンバード処理を施した後にスパッタ
法により保護膜を形成したものを実施例３，４とし、実
施例３，４ではアルゴンとアセチレンの混合比を異なる
ものとした。（実施例３は、８０：２０ｍｏｌ％、実施
例４は、９５：５ｍｏｌ％）さらに比較のために、アル
ゴン雰囲気中でボンバード処理を施した後にスパッタ法
により保護膜を形成したものを比較例１、アルゴン，酸
素雰囲気中（８０：２０ｍｏｌ％）でボンバード処理を
施した後にスパッタ法により保護膜を形成したものを比
較例２、アルゴン，水素雰囲気中（９８：２ｍｏｌ％）
でボンバード処理を施した後にスパッタ法により保護膜
を形成したものを比較例３とした。

【００４２】上記のようにして得られた実施例１〜４及
び比較例１〜３においてスチル耐久性の評価を行った。
スチル耐久性の測定は、ソニー製ＥＶ−Ｓ９００改造機
を用い、初期の出力レベルから３ｄｂ出力が低下するま
での時間により評価を行った。各測定サンプルは４５
℃，８０％ＲＨ環境下に７日間放置したものを用いた。
また、耐錆性の評価は、各測定サンプルの初期の磁気特
性（φｓ₁）とガス腐食試験機を用いＳＯ₂ガス０．３
ｐｐｍ雰囲気中に２４時間放置した後の磁気特性（φｓ
₂）の測定を行い、磁気特性の劣化量（Δφｓ）を数１
により算出して行った。

【００４３】

【数１】

【００４４】測定結果を表１に示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】表１を見て分かるように、ボンバード処理
をアルゴンガス雰囲気中で行った比較例１、及びアルゴ
ン，酸素雰囲気中で行った比較例２においては、スチル
耐久性，耐錆性共に良好な結果が得られなかった。これ
は、磁性薄膜とカーボン保護膜との接着性が経時変化に
より劣化したものと考えられ、原因として磁性薄膜表面
の遊離酸素や酸化層からの酸素の離脱が発生し、カーボ
ン膜との接着性を悪くしたものと考えられる。

【００４７】一方、実施例１〜４においては、ボンバー
ド処理の際にアルゴンガス中に水素，アセチレンを含有
させることにより、良好なスチル耐久性及び耐錆性の結
果を得た。これは、実施例１〜４においては、磁性薄膜
表面の酸素を取り除き、表面酸化部分を還元することに
よって、接着性に優れた保護膜を形成できたためと思わ
れる。また、実施例１と比較例３の結果の比較により、
アルゴンガス中の水素含有量は５ｍｏｌ％以上が適して
いることが確認された。

【００４８】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、非磁性支持体上に真空蒸着法により磁性
薄膜を形成し、該磁性薄膜上に真空薄膜形成手段により
カーボンまたはカーボンを含む保護膜を形成する磁気記
録媒体の製造方法において、保護膜形成前の磁性薄膜表
面を還元性ガスまたは水素ガスを含む不活性ガスでボン
バード処理を行うため、保護膜の磁性薄膜への接着性が
優れており、安定性の優れた保護膜を得ることができ、
信頼性の高い磁気記録媒体を得ることができる。また、
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、従来の製造方法を
大きく変更することなく実施することが可能であり、そ
の工業的価値は非常に高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】真空蒸着装置の一構成例を示す模式図である。

【図２】キャンロール対向型スパッタリング製造装置の
一構成例を示す模式図である。

【図３】キャン対向電極型プラズマＣＶＤ製造装置の一
構成例を示す模式図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体上に真空蒸着法により磁性
薄膜を形成し、該磁性薄膜上に真空薄膜形成手段により
カーボンまたはカーボンを含む保護膜を形成する磁気記
録媒体の製造方法において、保護膜形成前の磁性薄膜表面を還元性ガスを含む不活性
ガスでボンバード処理を行うことを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
【請求項２】非磁性支持体上に真空蒸着法により磁性
薄膜を形成し、該磁性薄膜上に真空薄膜形成手段により
カーボンまたはカーボンを含む保護膜を形成する磁気記
録媒体の製造方法において、保護膜形成前の磁性薄膜表面を水素ガスを含む不活性ガ
スでボンバード処理を行うことを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。
【請求項３】保護膜がスパッタ法またはＣＶＤ法によ
り形成されることを特徴とする請求項１または２記載の
磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】還元性ガスの量５ｍｏｌ％以上であるこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項５】水素ガスの量が５ｍｏｌ％以上であるこ
とを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方
法。