JPH087269A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 金属磁性薄膜が形成された非磁性支持体３２
を、円筒状のアノード３５に沿わせながら走行させ、こ
の非磁性支持体３２上の金属磁性薄膜表面に、前記アノ
ード３５と対向配置されたカソード３８上のターゲット
３９からのスパッタ粒子を堆積させることで保護膜を形
成するに際し、上記ターゲット３９を、上記アノード３
５に対して非磁性支持体３２の走行方向にずらす。 【効果】 金属磁性薄膜上に、膜質が良好であり、磁気
ヘッドに繰り返し摺動されても脱落粉の発生することの
ない保護膜が形成できる。したがって、本発明によれ
ば、耐久性，耐錆性に優れ、安定な記録再生をなし得る
磁気記録媒体を得ることが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、保護膜がスパッタリン
グ法によって形成される磁気記録媒体の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に、酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等
の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体，
ポリエステル樹脂，ウレタン樹脂，ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布乾燥
することで磁性層が形成される，いわゆる塗布型の磁気
記録媒体が広く使用されている。

【０００３】一方、磁気記録の分野での高密度記録化へ
の要求の高まりとともに、Ｃｏ−Ｎｉ合金，Ｃｏ−Ｃｒ
合金，Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜
形成技術（真空蒸着法，スパッタリング法，イオンプレ
ーティング法等）によってポリエステルフィルムやポリ
アミド，ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接
被着することで磁性層が形成される，いわゆる金属磁性
薄膜型の磁気記録媒体が提案され、注目を集めている。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くできるた
め、記録減磁力や再生時の厚み損失が著しく小さいこ
と、磁性層中に非磁性材であるバインダーを混入する必
要がないため磁性材料の充填密度を高めることができる
こと等、数々の利点を有している。

【０００５】特に、金属磁性材料を斜め方向から蒸着す
ることで磁性層が形成された，斜方蒸着タイプの磁気記
録媒体は、電磁変換特性にとりわけ優れ、大きな再生出
力が得られることから、高密度記録用として既に市販さ
れている。

【０００６】ところで、金属磁性薄膜型の磁気記録媒体
では、酸化され易い金属磁性材料の薄膜を磁性層として
いることから、そのままでは耐久性，耐錆性に劣り、実
用品として問題がある。

【０００７】このため、従来より、磁性層上に、潤滑効
果，防錆効果等を有する有機材料をコーティングするこ
とが広く行われている。しかし、磁性層上にコーティン
グされた有機材料は、特殊な環境下や業務上の過酷な使
用条件下ではその効果が損なわれ、使用環境や使用条件
が制限される。

【０００８】そこで、新たな手法として、コーティング
ではなく、真空薄膜形成技術（真空蒸着法，スパッタリ
ング法，プラズマＣＶＤ等）によって表面保護膜を形成
することが提案されている。真空薄膜形成技術で形成さ
れた保護膜は、使用環境，使用条件を問わず、媒体に耐
久性，耐錆性を付与できる。

【０００９】ここで、上記保護膜を形成するための真空
薄膜形成技術としては、成膜材料をあまり問わず、比較
的良質な薄膜が形成できることからスパッタリング法が
よく用いられる。

【００１０】このスパッタリング法による保護膜の成膜
は、図４に示すように、真空室内に、円筒状のスパッタ
アノード用キャン５１と、これと対向して配置された板
状のスパッタカソード部５２を有し、このスパッタカソ
ード部５２上にターゲット５３が載置された構成のスパ
ッタリング装置によって行われる。

【００１１】このスパッタリング装置では、磁性層とな
る金属磁性薄膜が成膜されたテープ状の非磁性支持体５
４を、金属磁性薄膜側が外側となるように上記スパッタ
アノード用キャン５１の周面に掛け渡す。

【００１２】そして、上記非磁性支持体５４を、上記ス
パッタアノード用キャン５１の周面上を連続走行させる
とともに、真空室内にＡｒ等のスパッタガスを導入し、
スパッタアノード用キャン５１とスパッタカソード部５
２の間に電圧を印加してグロー放電を起こさせる。

【００１３】グロー放電によって、スパッタガスがイオ
ン化し、スパッタカソード部５２上のターゲット５３に
衝突してターゲット５３表面からスパッタ粒子をたたき
出す。このスパッタ粒子が走行している金属磁性薄膜表
面に堆積し、保護膜が形成されることになる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
て保護膜が形成された磁気記録媒体を、多数回シャトル
走行させると、保護膜から脱落粉が発生し、この脱落粉
が磁気ヘッドに付着してドロップアウトや数秒程度の短
いクロッグ（瞬時クロッグ）を誘発するといった現象が
確認される。

【００１５】このような保護膜由来の脱落粉への対策は
いくつか報告されており、例えば、保護膜の膜質を良く
するという観点から、成膜の際のスパッタ条件を改善し
た方法が特開平５−１８２１９２号公報等において開示
されている。

【００１６】すなわち、この公報では、スパッタリング
に際しては、金属磁性薄膜表面以外に装置の配設部材に
もスパッタ粒子が付着し、この配設部材に付着してしま
ったスパッタ粒子がターゲット上に落下することで生じ
る異常放電によって、保護膜の膜質が劣化するものと考
えている。この考えから、配設部材へのスパッタ粒子の
付着及び付着粒子の落下の両方を防止するためのマスク
部材をスパッタアノード用キャンとスパッタカソード部
の間に設けるようにしている。

【００１７】しかし、このようなマスク部材を設ける
と、確かにスパッタリングの際の異常放電は防止できる
ものの、保護膜の膜質は期待する程には改善されず、媒
体の走行に際する保護膜からの脱落粉の発生を充分に抑
えるまでには至っていない。

【００１８】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、媒体の走行に際して脱落
粉を発生することのない良質な保護膜が形成できる磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、金属磁性薄膜が形成された非磁性支持
体を、ロール状のアノードで所定の位置に案内しながら
走行させ、この非磁性支持体上の金属磁性薄膜表面に、
前記アノードと対向配置されたカソード上のターゲット
からスパッタ蒸発するスパッタ粒子を堆積させることで
保護膜を形成するに際し、上記ターゲットを、上記アノ
ードに対して非磁性支持体の走行方向にずらして配置す
ることを特徴とするものである。

【００２０】また、ターゲットの非磁性支持体の走行方
向での中央線がアノードの中心に対してずれているズレ
量をＡ、当該ターゲットの非磁性支持体の走行方向での
長さをＷとしたときに、Ａ，Ｗが、０．０３・Ｗ≦Ａ≦
０．５・Ｗなる条件を満たすことを特徴とするものであ
る。

【００２１】

【作用】金属磁性薄膜が形成された非磁性支持体を、円
筒状のアノードに沿わせながら走行させ、この非磁性支
持体上の金属磁性薄膜表面に、前記アノードと対向配置
されたカソード上のターゲットからのスパッタ粒子を堆
積させることで保護膜を形成するに際し、上記ターゲッ
トを、上記アノードに対して非磁性支持体の走行方向に
ずらして配置すると、膜質が良好な保護膜が形成され
る。このようにして保護膜が形成された磁気記録媒体
は、保護膜が良好な膜質であることから、磁気ヘッドと
の繰り返し摺動によって当該保護膜から脱落粉が発生す
ることがなく、保護膜由来の脱落粉によって誘発される
ドロップアウトや瞬時クロッグが回避される。

【００２２】なお、ターゲットを、特に、その非磁性支
持体の走行方向での中央線とスパッタアノード用キャン
の中心とのずれ量が、当該ターゲットの非磁性支持体の
走行方向での長さの１／３０〜１／２なるように配置す
ると、ターゲットをずらすことによる成膜レートの低減
が小さく抑えられ、膜質の良好な保護膜が効率良く形成
されるようになる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明がこの実施例に限定されるものではない
ことは言うまでもない。

【００２４】本実施例で製造する磁気記録媒体は、非磁
性支持体上に、金属磁性薄膜、保護膜が順次形成されて
なるものである。

【００２５】上記非磁性支持体としては、通常、磁気記
録媒体において用いられている高分子支持体がいずれも
使用可能である。例えば、ポリエチレンテレフタレート
等のポリエステル類、ポリエチレン，ポリプロピレン等
のポリオレフィン類、セルローストリアセテート，セル
ロースダイアセテート，セルロースブチレート等のセル
ロース誘導体、ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデン等
のビニル系樹脂、ポリカーボネート，ポリイミド，ポリ
アミドイミド等のプラスチックが挙げられる。

【００２６】これら非磁性支持体には、層状作用による
媒体の表面性制御を目的として、複数の微細な表面突起
を形成するようにしても良い。これら表面突起は、上記
非磁性支持体の原材料（チップ）内に所定の大きさのフ
ィラーを分散させ、所定の密度で凝集させて上記非磁性
支持体の表面に浮き出させることによって上記非磁性支
持体の表面を凹凸状とする方法や、上記非磁性支持体上
に所定の粒径を有する微粒子を所定の密度で分散させ、
これをバインダー樹脂等により定着させる方法等によっ
て形成される。フィラーとしては、ＳｉＯ₂ 粒子や水溶
性ラテックス等が挙げられる。

【００２７】上記金属磁性薄膜は、金属磁性材料を非磁
性支持体上に直接被着形成することで成膜される。金属
磁性材料としては、金属磁性薄膜型の磁気記録媒体にお
いて通常使用されているものであれば如何なるものであ
ってもよい。例示すれば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性
金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆ
ｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ
−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−
Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられる。金属磁性
薄膜は、これらの単層膜であってもよいし、多層膜であ
ってもよい。なお、これら金属磁性薄膜には、層同士の
付着力向上，並びに抗磁力の制御等のために、非磁性支
持体との間に下地層が設けられていたり、さらには金属
磁性薄膜が多層膜である場合には各層間に中間層が設け
られていても良い。また、耐蝕性改善等のために金属磁
性薄膜表面近傍が酸化物となっていてもよい。

【００２８】金属磁性薄膜の被着形成手段としては、真
空下で金属磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈
着させる真空蒸着法、金属磁性材料の蒸発を放電中で行
うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴンイオンで
ターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわ
ゆるＰＶＤ技術が挙げられる。なかでも、金属磁性材料
を斜め方向から蒸着する斜方蒸着法で成膜された金属磁
性薄膜は、電磁変換特性に優れ、大きな再生出力が得ら
れる。

【００２９】斜方蒸着法で金属磁性薄膜を成膜するため
の真空蒸着装置を図１に示す。

【００３０】真空蒸着装置は、図１に示すように、頭部
と底部にそれぞれ設けられた排気口１５から排気された
内部が真空状態となされた真空室１内に、図中の時計回
り方向に定速回転する送りロール３と、図中の時計回り
方向に定速回転する巻取りロール４とが設けられ、これ
ら送りロール３から巻取りロール４にテープ状に非磁性
支持体２とが順次走行するようになされている。

【００３１】これら送りロール３から巻取りロール４側
に上記非磁性支持体２が走行する中途部には、上記各ロ
ール３，４の径よりも大径となされた冷却キャン５が設
けられている。この冷却キャン５は、上記非磁性支持体
２を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回
り方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送りロー
ル３，巻取りロール４及び冷却キャン５は、それぞれ非
磁性支持体２の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすも
のであり、また上記冷却キャン５には、内部に図示しな
い冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体２の温度上昇
による変形等を抑制し得るようになされている。

【００３２】したがって、上記非磁性支持体２は、送り
ロール３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン５
の周面を通過し、巻取りロール４に巻き取られていくよ
うになされている。なお、上記送りロール３と上記冷却
キャン５との間及び該冷却キャン５と上記巻取りロール
４との間にはそれぞれガイドロール６，７が配設され、
上記送りロール３から冷却キャン５及び該冷却キャン５
から巻取りロール４に亘って走行する非磁性支持体２に
所定のテンションをかけ、該非磁性支持体２が円滑に走
行するようになされている。また、上記真空室１内に
は、上記冷却キャン５の下方にルツボ８が設けられ、こ
のルツボ８内に金属磁性材料９が充填されている。この
ルツボ８は、上記冷却キャンの長手方向の幅と略同一の
幅を有している。

【００３３】一方、上記真空室１の側壁部には、上記ル
ツボ内に充填された金属磁性材料９を加熱蒸発させるた
めの電子銃１０が取り付けられている。この電子銃１０
は、当該電子銃１０より放出される電子線Ｘが上記ルツ
ボ８内に金属磁性材料９に照射されるような位置に配設
される。そして、この電子銃１０によって蒸発した金属
磁性材料９が上記冷却キャン５の周面を定速走行する非
磁性支持体２上に磁性層として被着形成されるようにな
っている。また、上記冷却キャン５と上記ルツボ８の間
であって該冷却キャン５の近傍には、シャッタ１３が配
設されている。このシャタ１３は、上記冷却キャン５の
周面を定速走行する非磁性支持体２の所定領域を覆う形
で形成され、このシャッタ１３により上記蒸発せしめら
れた金属磁性材料９が上記非磁性支持体２に対して所定
の角度範囲で斜めに蒸着されるようになっている。さら
に、このような蒸着に際し、上記真空室１の側壁部を貫
通して設けられる酸素ガス導入口１４を介して非磁性支
持体２の表面に酸素ガスが供給され、磁気特性，耐久性
及び耐候性の向上が図られている。

【００３４】本実施例の磁気記録媒体において金属磁性
薄膜は、例えば以上のような真空蒸着装置によって斜方
蒸着膜として形成される。

【００３５】そして、この金属磁性薄膜上に形成される
保護膜は、金属磁性薄膜をヘッド等との摺動から保護す
るとともに金属磁性薄膜に蝕食因子が侵入するのを防止
し、媒体に耐久性や耐錆性を付与するためのものであ
る。

【００３６】この保護膜は、上記金属磁性薄膜上に、カ
ーボン，ＣｒＯ₂ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＢＮ，Ｃｏ酸化物，Ｍ
ｇＯ，ＳｉＯ₂ ，Ｓｉ₃ Ｏ₄ ，ＳｉＮ_x ，ＳｉＣ，Ｓｉ
Ｎ_x−ＳｉＯ₂ ，ＺｒＯ₂ ，ＴｉＯ₂ ，ＴｉＣ等をスパ
ッタリング法で被着形成することで成膜される。

【００３７】ここで、この保護膜は、媒体の走行に際し
て直接磁気ヘッド等に摺動されることになる。このた
め、良好な膜質で成膜されていないと、ヘッドとの繰り
返し摺動によって当該保護膜から脱落粉が発生し、この
脱落粉がドロップアウトや瞬時クロッグ等を引き起こ
す。

【００３８】そこで、本実施例では、保護膜の成膜を、
図２に示すように、ターゲット３９が、スパッタアノー
ド用キャン３５に対して非磁性支持体３２の走行方向に
ずれて配置された構成のスパッタリング装置によって行
うこととする。

【００３９】すなわち、上記スパッタリング装置は、図
２に示すように、頭部と底部にそれぞれ設けられた排気
口４５から排気された内部が真空状態となされた真空室
３１内に、図中の時計回り方向に定速回転する送りロー
ル３３と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロ
ール３４とが設けられ、これら送りロール３３から巻取
りロール３４に、金属磁性薄膜が形成されたテープ状の
非磁性支持体３２が順次走行するようになされている。

【００４０】これら送りロール３３から巻取りロール３
４側に上記非磁性支持体３２が走行する中途部には、上
記各ロール３３，３４の径よりも大径となされたステン
レス製のスパッタアノード用キャン３５が設けられてい
る。このスパッタアノード用キャン３５は、グロー放電
を起こさせるためのアノードとして機能するものであ
り、上記非磁性支持体３２を図中下方に引き出すように
設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とさ
れる。

【００４１】なお、上記ロール３３，巻取りロール３４
及びスパッタアノード用キャン３５は、それぞれ非磁性
支持体３２の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすもの
であり、また上記スパッタアノード用キャン３５には、
内部に図示しない冷却装置が設けられ、上記非磁性支持
体３２の温度上昇による変形等を抑制し得るようになさ
れている。

【００４２】また、非磁性支持体３２は、このような送
りロール３３，スパッタアノード用キャン３５，巻き取
りロール３４に金属磁性薄膜側が外側になるように掛け
渡され、送りロール３３から順次送り出され、さらに上
記スパッタアノード用キャン３５の周面を通過し、巻取
りロール３４に巻き取られるようになされている。

【００４３】なお、上記送りロール３４と上記スパッタ
アノード用キャン３５との間及び該スパッタアノード用
キャン３５と上記巻き取りロール３４との間には、それ
ぞれガイドロール３６，３７が配設され、上記送りロー
ル３３からスパッタアノード用キャン３５及び該スパッ
タアノード用キャン３５から巻取りロール３４に亘って
走行する非磁性支持体３２に所定のテンションをかけ、
該非磁性支持体３２が円滑に走行するようになされてい
る。

【００４４】また、上記真空室３１内には、上記スパッ
タアノード用キャン３５の下方にこれと対向して板状の
スパッタカソード部３８が設けられている。このスパッ
タカソード部３８の上面にはバッキングプレート３８が
設けられ、このバッキングプレート３８によってターゲ
ット３９となる保護膜材料が接着固定されている。

【００４５】ここで、このスパッタリング装置では、上
記スパッタカソード部３８が、スパッタアノード用キャ
ン３５に対して非磁性支持体３２の走行方向にずれて配
置されており、その上に接着固定されたターゲット３９
もスパッタアノード用キャン３５に対して非磁性支持体
３２の走行方向にずれた位置関係となっている。これ
は、ターゲットからスパッタ蒸発したスパッタ粒子が金
属磁性薄膜表面へ堆積することでスパッタ膜は形成され
るが、このスパッタ膜を良好な膜質で形成するためであ
る。

【００４６】すなわち、スパッタリング装置では、真空
室３１内にガス導入口４４を通じてスパッタガスが導入
されるとともに、上記スパッタカソード部３８と上記ス
パッタアノード用キャン３５の間に電圧が印加されるこ
とで、グロー放電が起こる。これにより、真空室３１内
に導入されたスパッタガスがイオン化して、スパッタカ
ソード部３８上に接着固定されたターゲット３９表面に
衝突し、スパッタ粒子がたたき出される。このたたき出
されたスパッタ粒子が金属磁性薄膜上に堆積し、スパッ
タ膜が形成される。

【００４７】従来のスパッタリング装置では、成膜レー
トのみを重視して、グロー放電によって生じたスパッタ
イオンをターゲットに効率よく衝突させるべく、図４に
示すように、ターゲット５３は、その非磁性支持体５４
の走行方向での中央線ｌ₁ と、スパッタアノード用キャ
ン５１の中心ｃとが略重なるように、スパッタアノード
用キャン５１の真下に配置される。しかし、このように
ターゲット５３を配置したスパッタリング装置で成膜さ
れた保護膜は、膜質が悪く、磁気ヘッドに繰り返し摺動
されると脱落粉を発生する。

【００４８】これに対して、本実施例のスパッタリング
装置では、図２に示すように、ターゲット３９が、その
非磁性支持体３２の走行方向での中央線ｌ₁ が、スパッ
タアノード用キャン３５の中心ｃに対して、非磁性支持
体３２の走行方向にずれるように配置されている。

【００４９】ターゲット３９をこのようにスパッタアノ
ード用キャン３５に対して非磁性支持体３２の走行方向
にずらして配置すると、ターゲット３９をスパッタアノ
ード用キャン３５の真下に配置した場合よりも成膜レー
トは幾分小さくなるものの、スパッタ膜の特に表層部の
膜質が大幅に改善される。このようにして成膜されたス
パッタ膜を保護膜とする媒体は、磁気ヘッドとの繰り返
し摺動によって保護膜から脱落粉が発生することがな
く、保護膜由来の脱落粉によって誘発されるドロップア
ウトや瞬時クロッグが回避される。

【００５０】なお、ターゲット３９は、その非磁性支持
体３２の走行方向での中央線ｌ₁ とスパッタアノード用
キャン３５の中心ｃとのずれ量Ａが、当該ターゲット３
９の非磁性支持体３２の走行方向での長さをＷとしたと
きに、その３〜５０％の割合，すなわち０．０３・Ｗ〜
０．５・Ｗなる量となるように配置することが好まし
い。

【００５１】ターゲット３９の中央線ｌ₁ とスパッタア
ノード用キャン３５の中心ｃとのずれ量Ａが、０．０３
・Ｗよりも小さい場合には、ターゲット３９をずらす効
果があまり得られず、スパッタ膜の膜質を十分に改善す
ることができない。

【００５２】一方、ターゲット３９の中央線ｌ₁ とスパ
ッタアノード用キャン３５の中心ｃとのずれ量Ａが、
０．５・Ｗを越えて大きい場合にも、スパッタ膜の膜質
を十分に改善することができない。また、この場合に
は、放電領域の半分以上がターゲット３９の蒸発に関与
しなくなることから、成膜レートが大幅に劣化する。し
たがって、生産性を考慮しても現実的ではない。

【００５３】なお、スパッタ膜の膜質や成膜レートは、
ターゲット３９とスパッタアノード用キャン３５間の距
離ｄにも影響を受けるので、ターゲット３９の配置位置
を選定するに際しては、ターゲット３９のスパッタアノ
ード用キャン３５に対するずれ量とともにターゲット３
２とスパッタアノード用キャン３５間の距離ｄについて
も注意を払うことが望ましい。

【００５４】図３に、ターゲット３９とスパッタアノー
ド用キャン３５間の距離ｄとスパッタ膜の成膜レートの
関係を示す。なお、この測定データは、スパッタアノー
ド用キャンの真下にターゲットを配置した場合である
が、スパッタアノード用キャンに対してターゲットをず
らして配置した場合でも若干の数値の差はあるものの同
様の傾向のデータが得られるので、ここではこの測定デ
ータを基にターゲットの配置位置を検討する。

【００５５】図３に示すように、スパッタ膜の成膜レー
トは、ターゲット３９とスパッタアノード用キャン３５
間の距離ｄと相関があり、ターゲット３９とスパッタア
ノード用キャン３５間が狭くなる程、成膜レートは増大
する。実用的な生産性を得るには、ターゲット３９とス
パッタアノード用キャン３５間の距離ｄは、少なくとも
２００ｍｍ以下にする必要がある。

【００５６】しかし、ターゲット３９とスパッタアノー
ド用キャン３５間の距離ｄが１５ｍｍ未満になるとスパ
ッタに際して異常放電が生じるようになり、スパッタ膜
の膜質が悪影響を受けるようになる。また、スパッタア
ノード用キャン３５とスパッタカソード部３８の間にキ
ャンマスク４７を設ける場合には、この距離を最低でも
６ｍｍは確保する必要がある。

【００５７】以上のような点から、ターゲット３９とス
パッタアノード用キャン３５間の距離ｄは、１５〜２０
０ｍｍとすることが望ましい。

【００５８】なお、上述のスパッタアノード用キャン３
５とスパッタカソード部３８の間に設けるキャンマスク
４７は、金属磁性薄膜上のスパッタ粒子が堆積する領域
を非磁性支持体３２の走行方向と幅方向で制限するため
に付加的に設けられるものであり、このスパッタ粒子の
堆積領域に相当する面積の開口部を有する板体である。
このキャンマスク４７によって金属磁性薄膜の不必要な
部分にスパッタ粒子が被着するのが防止されるととも
に、非磁性支持体３２の幅方向を越えて飛翔したスパッ
タ粒子が円筒キャンに付着し汚染するのが防止される。

【００５９】また、以上のスパッタリング装置では、ス
パッタアノード用キャン３５を冷却するようにしている
が、保護膜と金属磁性薄膜の接着強度を上げるために、
スパッタアノード用キャン３５を適宜加熱するようにし
ても良い。さらに、このスパッタアノード用キャン３５
は、非磁性支持体との接触性を良くするために表面にブ
ラスト処理が施されていたり、密着性の高い材質の金属
等がメッキされていてもよい。

【００６０】また、上記スパッタリング装置は、スパッ
タカソード部３８が１個のみ設置されたものであるが、
スパッタカソード部を複数連接し、生産性の向上を図る
ようにしても良い。なお、この場合にも、各スパッタカ
ソード部はスパッタアノード用キャン３５に対して非磁
性支持体の走行方向にずらして配置する。

【００６１】以上のように磁気記録媒体は、金属磁性薄
膜，保護膜を形成することで作製されるが、さらに走行
耐久性の改善を目的として保護膜上に潤滑剤や防錆剤を
塗布してトップコート層を形成したり、非磁性支持体の
金属磁性薄膜が形成された側とは反対側の面にバックコ
ート層を形成するようにしても良い。この場合、バック
コート層に含まれる非磁性顔料，樹脂結合剤、トップコ
ート層に用いる潤滑剤，防錆剤としては従来公知のもの
がいずれも使用できる。

【００６２】次に、実際に上記工程に準じて磁気テープ
を作製し、シャトル走行時の脱落粉，瞬時クロッグの発
生状況及びスチル耐久性，耐錆性を評価した。

【００６３】実施例１ まず、非磁性支持体として厚さ１０μｍ，幅１５０ｍｍ
のポリエチレンテレフタレートフィルムを用意し、この
表面に、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテッ
クスの粒子溶液を塗布することで表面突起を形成した。
なお、表面突起の形成密度は１０００万個／ｍｍ² であ
る。

【００６４】そして、この表面突起が形成された非磁性
支持体上に、上記真空蒸着装置を用いて厚さ０．２μｍ
のＣｏ−Ｎｉ斜方蒸着膜を単層で成膜し、磁性層を形成
した。なお、蒸着条件は以下の通りである。

【００６５】蒸着条件 インゴット：Ｃｏ８０−Ｎｉ２０（但し、数字はそれぞ
れの元素の組成比を重量％で示すものである） 入射角：４５〜９０° 非磁性支持体の走行速度：０．１７ｍ／秒 磁性層の厚さ：０．２μｍ 酸素導入量：３．３×１０^-5ｍ³ ／秒 蒸着時真空度：７×１０^-2Ｐａ

【００６６】次に、このようにして形成されたＣｏ−Ｎ
ｉ斜方蒸着膜上に、上記スパッタリング装置を用いてＤ
Ｃマグネトロンスパッタ方式で厚さ０．０１５μｍのカ
ーボンスパッタ膜を成膜し、保護膜を形成した。なお、
スパッタリング装置において、ターゲット３９は、非磁
性支持体の走行方向での長さＷが２００ｍｍである。こ
のターゲット３９を、スパッタアノード用キャン３５と
の距離ｄが１００ｍｍ，その中央線ｌ₁ とスパッタアノ
ード用キャンの中心ｃとのずれ量Ａが０．０１・Ｗとな
るような位置に配置した。それ以外のスパッタ条件は以
下の通りである。

【００６７】スパッタ条件 方式：ＤＣマグネトロンスパッタ ターゲット材：カーボン カソード数量：１ スパッタガス：アルゴン バックグランド真空度：４×１０^-3Ｐａ 成膜時真空度：２Ｐａ 非磁性支持体の走行速度：０．０６ｍ／秒 保護膜膜厚：０．０１５μｍ

【００６８】以上のようにして保護膜を形成した後、非
磁性支持体の金属磁性薄膜が形成された側とは反対側の
面にカーボン粉末がウレタンバインダー中に分散されて
なる非磁性塗料を塗布することで厚さ０．６μｍのバッ
クコート層を形成し、さらに保護膜上にパーフルオロポ
リエーテルを塗布することでトップコート層を形成し、
テープ原反とした。そして、このテープ原反を８ｍｍ幅
にスリットすることで磁気テープ（サンプルテープ１）
を作製した。

【００６９】実施例２〜実施例９ 保護膜を上記スパッタリング装置で形成するに際して、
ターゲット３９の中央線ｌ₁ とスパッタアノード用キャ
ン３５の中心ｃとのずれ量Ａを表１に示すように変えて
ターゲットを配置したこと以外は実施例１と同様にして
磁気テープ（サンプルテープ２〜サンプルテープ９）を
作製した。

【００７０】比較例１ 保護膜を形成しないこと以外は実施例１と同様にして磁
気テープ（比較テープ１）を作製した。

【００７１】比較例２ 保護膜を上記スパッタリング装置で形成するに際して、
ターゲット３９の中央線ｌ₁ とスパッタアノード用キャ
ン３５の中心ｃとが重なるような位置，すなわちスパッ
タアノード用キャン３５の真下にターゲット３９を配置
したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープ（比較
テープ２）を作製した。

【００７２】以上のようにしてサンプルテープ１〜サン
プルテープ９及び比較テープ１，比較テープ２につい
て、シャトル試験を行って粉落ち，瞬時クロッグの発生
状況を調査するとともにスチル時間を調べ、走行耐久性
を評価した。また、腐食試験を行い、耐錆性を評価し
た。その結果をスパッタアノード用キャンに対するター
ゲットのずれ量Ａとともに表１に示す。

【００７３】なお、スチル時間は、ソニー社製，商品名
ＥＶ−Ｓ９００を走行耐久性評価用に改造した改造機を
用いて測定したものであり、スチル走行させたときに出
力が初期レベルから３ｄＢ減衰するまでの時間である。

【００７４】シャトル試験は、上記改造機を用いて以下
のように行った。すなわち、２時間長に相当する部分を
１００回シャトル走行させ、そのうちシャトル走行９０
〜１００回での出力レベルをペンレコーダで記録した。
そして、このシャトル走行１０回分の出力チャートか
ら、６ｄＢ以上の出力減衰が１秒以上続いている部分を
抜粋し、瞬時クロッグ１回としてカウントした。つま
り、２０時間（２時間／シャトル走行×シャトル走行１
０回）に発生する瞬時クロッグ数を測定した。

【００７５】さらに、磁気テープを１００回シャトル走
行させたヘッドの状態を顕微鏡により観察し、ヘッドへ
の異物の付着状況を評価した。表中、○は全く付着物が
確認されない場合、△は若干の付着物が確認され、条件
によっては瞬時クロッグが発生すると予想される場合、
×は大量の付着物が観察され、瞬時クロッグ，さらには
完全クロッグが発生する可能性があると予想される場合
をそれぞれ示す。

【００７６】また、腐食試験は、温度３０℃，相対湿度
９０％に調整された０．３ｐｐｍのＳＯ₂ ガスを含有す
る腐食雰囲気下に、磁気テープを２４時間保存したとき
の磁気特性の劣化量を求めることで行った。なお、保存
による磁気特性の劣化量は以下の式で算出した。

【００７７】 Δφｓ＝（φｓ−φｓ’）／φｓ×１００ （％） Δφｓ：保存による磁気特性の劣化量 φｓ：腐食雰囲気下保存前の磁気特性 φｓ’：腐食雰囲気下保存後の磁気特性

【００７８】

【表１】

【００７９】まず、表１において、保護膜を形成したサ
ンプルテープ１〜サンプルテープ９及び比較テープ２
と、保護膜を形成していない比較テープ１を比較する
と、比較テープ１は他の磁気テープに比べてスチル時間
が格段に短く、耐錆性も劣っている。このことから、金
属磁性薄膜型の磁気記録媒体では、耐久性，耐錆性を確
保する上で保護膜の形成は必須であることがわかる。

【００８０】しかし、保護膜を形成しても、その形成に
際してターゲットをスパッタアノード用キャンの真下に
配置した比較テープ２は、シャトル走行に際して保護膜
から目立って粉が落ち磁気ヘッドに付着する。これによ
って瞬時クロッグが多発する。

【００８１】一方、保護膜の形成に際してターゲットを
スパッタアノード用キャンに対してずらしたサンプルテ
ープ１〜サンプルテープ９は、比較テープ２に比べて磁
気ヘッドへの異物の付着，瞬時クロッグが軽減されてい
る。

【００８２】しかし、ターゲットをスパッタアノード用
キャンに対してずらして配置した場合のうち、ターゲッ
トの中央線とスパッタアノード用キャンの中心とのずれ
量Ａが０．５５・Ｗ，０．８０・Ｗと大きいサンプルテ
ープ８，サンプルテープ９ではシャトル走行に際する粉
落ち，瞬時クロッグが比較テープ２に比べれば少ないも
ののやはり問題になる。また、例えばサンプルテープ８
の場合、保護膜の成膜レートが０．０２５ｍ／ｓと従来
の半分以下であり、ターゲットのずれ量が０．４０・Ｗ
のサンプルテープ７の成膜レートが０．０３７ｍ／ｓで
あるのに比べても小さい。

【００８３】また、ターゲットの中央線とスパッタアノ
ード用キャンの中心とのずれ量Ａが０．０１・Ｗ，０．
０２・Ｗと小さいサンプルテープ１，サンプルテープ２
でもシャトル走行に際する粉落ち，瞬時クロッグがやは
り問題になる。

【００８４】このことから、保護膜をスパッタリングで
形成するに際しては、ターゲットをスパッタアノード用
キャンに対してずらすと良く、特に、ターゲットの中央
線とスパッタアノード用キャンのロール中心とのずれ量
が０．０３・Ｗ〜０．５・Ｗとなるようにすると、シャ
トル走行の繰り返しに十分に耐える保護膜が比較的大き
な成膜レートで形成され、耐久性，耐錆性に優れた磁気
テープが得られるようになることがわかった。

【００８５】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気記録媒体の製造方法では、金属磁性薄膜が形成
された非磁性支持体を、円筒状のアノードに沿わせなが
ら走行させ、この磁性層表面に、前記アノードと対向配
置されたカソード上のターゲットからのスパッタ粒子を
堆積させることで保護膜を形成するに際し、上記アノー
ドに対して、上記ターゲットを、非磁性支持体の走行方
向にずらすので、膜質が良好であり、磁気ヘッドに繰り
返し摺動されても脱落粉の発生することのない保護膜が
形成できる。したがって、本発明によれば、耐久性，耐
錆性に優れ、安定な記録再生をなし得る磁気記録媒体を
得ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】金属磁性薄膜を成膜するための真空蒸着装置の
構成を示す模式図である。

【図２】本発明の製造方法で保護膜を成膜するためのス
パッタリング装置の一構成例を示す模式図である。

【図３】スパッタアノード用キャンとターゲットの距離
と、成膜レートの関係を示す特性図である。

【図４】従来の保護膜を成膜するためのスパッタリング
装置の構成を示す模式図である。

【符号の説明】

３２ 非磁性支持体 ３５ スパッタアノード用キャン ３８ スパッタカソード部 ３９ ターゲット

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属磁性薄膜が形成された非磁性支持体
   を、円筒状のアノードに沿わせて走行させ、この非磁性
   支持体上の金属磁性薄膜表面に、前記アノードと対向配
   置されたカソード上のターゲットからのスパッタ粒子を
   堆積させることで保護膜を形成するに際し、 上記ターゲットを、上記アノードに対して非磁性支持体
   の走行方向にずらして配置することを特徴とする磁気記
   録媒体の製造方法。
2. 【請求項２】 ターゲットの非磁性支持体の走行方向で
   の中央線がアノードの中心に対してずれているズレ量を
   Ａ、当該ターゲットの非磁性支持体の走行方向での長さ
   をＷとしたときに、Ａ，Ｗが、０．０３・Ｗ≦Ａ≦０．
   ５・Ｗなる条件を満たすことを特徴とする請求項１記載
   の磁気記録媒体の製造方法。