JP2002100027A

JP2002100027A - 金属薄膜型磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2002100027A
Application number: JP2000292587A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Wakao; 仁志若生; Seiichi Onodera; 誠一小野寺
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-09-26
Filing date: 2000-09-26
Publication date: 2002-04-05

Abstract

(57)【要約】【課題】金属薄膜型磁気記録媒体の機械的強度を向上
させ、強化層の剥離を回避し、ドロップアウトの低減化
を図る。【解決手段】非磁性支持体１の一主面に１００〔ｎ
ｍ〕以下の厚さの磁性層２を有し、磁性層形成面側とは
反対側の主面に、５０〜５００〔ｎｍ〕の厚さの強化層
３を有し、強化層３は、厚さ方向において、構成元素が
連続的に変化するようにし、金属により成る第１の領域
３ａ、中間領域である第２の領域３ｂ、カーボン等より
なる第３の領域３ｃの各領域により構成されて成るもの
とする。第２の領域３ｂは、第１の領域３ａに近接する
に従い金属の割合が連続的に上昇し、第３の領域３ｃ側
ほどカーボン等の割合が連続的に上昇するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属薄膜型磁気記
録媒体に係わる。

【０００２】

【従来の技術】従来より、オーディオテープ、ビデオテ
ープ等の磁気記録テープとしては、非磁性支持体上に、
酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の磁性粉末を、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、
ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の各種結合剤中に分
散させて作製した磁性塗料を塗布し、乾燥させることに
より得られる、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く知
られている。

【０００３】これに対し、近年の高密度記録化への要求
の高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合
金、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真
空薄膜形成技術によって、直接非磁性支持体上に、ある
いは極めて薄層の接着層を介して磁性層を形成する、い
わゆる金属薄膜型磁気記録媒体が提案されている。

【０００４】このような金属薄膜型磁気記録媒体は、保
磁力や角形比に優れ、また、磁性層を極めて薄層に形成
できることから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、
また、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく、更
には塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁性層中に非磁性
材料であるバインダーが混入されないので、強磁性金属
粒子の充填密度を高めることができる等、種々の利点を
有している。

【０００５】また、電磁変換特性を向上させ、より大き
な出力を得ることができるようにするために、磁性層を
斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着によって形成する方法
が提案され、実用化されている。

【０００６】上述したような、いわゆる金属薄膜型磁気
記録媒体においては、耐久性や走行性等を向上させるた
めに、磁性層上に保護層を形成したり、磁性層形成面と
は反対側の主面に、バック層を形成したりすることが通
常行われている。

【０００７】また、金属薄膜型磁気記録媒体において
は、高密度記録化に対応してスペーシングロスの低減化
を図るために、表面が一層平滑化される方向にある。し
かし、磁性層の表面が平滑になると、磁気ヘッドに対す
る接触面積が大きくなるため、摩擦力が増大し、磁性層
に生じるせん断応力が大きくなる。このような厳しい摺
動条件から磁性層を保護するために、磁性層上には、保
護層を形成することが重要である。

【０００８】また、バック層は、非磁性支持体表面の電
気抵抗を下げ、帯電による走行不良を防止したり、非磁
性支持体の耐久性を向上させ、走行中のヘッドとの摩擦
による傷の発生から保護したり、磁気テープ間の摩擦か
ら保護したりする機能を有するものである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、磁気記録媒
体の記録再生装置の一層の小型軽量化の要請が高まる
中、磁気テープを収納するカセットの小型化が進められ
ており、これにより磁気テープ自体を薄型に形成するこ
とが必要になってきている。

【００１０】一般的に磁気テープを薄型にする場合、例
えばプラスチックフィルムよりなる非磁性支持体の厚さ
を薄くするが、磁気テープの機械的な強度が低下するた
め、非磁性支持体の材質を工夫して機械的な強度を保持
するようにしており、コスト高を招来していた。

【００１１】また、磁気テープは薄型化すると、磁気テ
ープの剛性が低下するため、高速で走行する磁気テープ
と磁気ヘッドとの接触が充分に得られず、記録再生特性
が低下してしまうため、薄型磁気テープの実用化は困難
とされてきた。

【００１２】一方、非磁性支持体自体の機械的な強度を
向上させるためには、従来、磁気テープの非磁性支持体
として用いられているポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）や、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に代え
て、ポリアミドフィルム等の高強度材料を用いることと
していた。このポリアミドフィルムを用いることによ
り、非磁性支持体の厚さを３〜５〔μｍ〕程度に薄層化
することが可能となった。

【００１３】しかしながら、ポリアミドフィルムは、従
来用いられていたポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）や、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に比べて
高価であり、磁気テープの非磁性支持体材料として大量
に生産販売することに適していない。

【００１４】また、磁気テープの機械的強度を向上させ
るために、磁性層形成面とは反対側の主面に、真空薄膜
形成技術により成膜した金属薄膜による強化層を形成
し、かつこの強化層上に、スパッタリングやＣＶＤ法に
よってカーボン保護膜を形成する方法が提案されている
が、この場合には、金属薄膜による強化層と、カーボン
保護膜との界面において、結合が充分でないために、こ
の部分で剥離が生じやすく、このため走行性が悪化して
脱落を生じ、脱落物がドロップアウトの原因となってい
た。

【００１５】本発明者等はかかる点に鑑みて、磁性層の
薄層化、非磁性支持体の薄層化を達成して単位体積当た
りの記録密度の向上を図り、磁気テープの機械的な強度
の向上を低コストで実現し、かつ、走行安定性、走行耐
久性に優れた金属薄膜型磁気記録媒体を提供することし
た。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の金属薄膜型磁気
記録媒体は、非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成技
術により形成した１００〔ｎｍ〕以下の厚さの磁性層を
有する金属薄膜型磁気記録媒体であるものとし、磁性層
形成面側とは反対側の主面に、５０〜５００〔ｎｍ〕の
厚さの強化層が形成されて成る構成を有する。強化層
は、厚さ方向において、構成元素が連続的に変化するよ
うになされ、この強化層は、非磁性支持体側の近傍領域
である第１の領域、中間領域である第２の領域、最外側
領域である第３の領域が順次形成された構成を有するも
のとする。第１の領域は、金属により構成され、第３の
領域は、カーボン、ＣｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ
酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、ＺｒＯ₂、Ｔ
ｉＯ₂、ＴｉＣ、ＳｉＣのうちのいずれかにより構成さ
れ、第２の領域は、第１の領域に近接するに従い金属の
含有率が連続的に上昇し、第３の領域に近接するほど、
第３の領域を形成する物質の含有率が連続的に上昇する
ようになされているものとする。

【００１７】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体によれ
ば、高感度のＭＲヘッドに好適であり、磁性層の薄層化
と非磁性支持体の薄層化を達成して、単位体積当たりの
記録密度の向上が図られる。

【００１８】また、磁性層とは反対側の主面に強化層を
形成したことによって、磁気記録媒体を構成する非磁性
支持体を従来の安価な材料を使用しつつ、薄型とした場
合においても、高価な原料による非磁性支持体を用いる
ことなく、機械的な強度を保持することができ、金属薄
膜型磁気記録媒体の作製コストの低減化が図られる。

【００１９】非磁性支持体に充分な剛性を付与すること
ができ、走行安定性、磁気ヘッドとの接触性の向上が図
られ、磁気テープ形状を良好にすることができる。

【００２０】また、強化層を厚さ方向において連続的に
元素が変化する構成としたことによって、界面付近で剥
離が生じることを回避でき、走行安定性の向上を図るこ
とができる。

【００２１】また、強化層を、単一の真空槽内で形成す
ることができるため、成膜プロセスを簡易かつ短時間で
でき、作製コストの低減化が図られる。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体
は、非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成技術により
形成した１００〔ｎｍ〕以下の厚さの磁性層を有する金
属薄膜型磁気記録媒体であるものとし、磁性層形成面側
とは反対側の主面に、５０〔ｎｍ〕以上５００〔ｎｍ〕
の厚さの強化層が形成されて成る構成を有する。強化層
は、厚さ方向において、構成元素が連続的に変化するよ
うになされ、この強化層は、非磁性支持体側の近傍領域
である第１の領域、中間領域である第２の領域、最外側
領域である第３の領域の各領域により構成されて成るも
のとする。第１の領域は、例えばＡｌ等の金属により構
成され、第３の領域は、例えばカーボンにより構成さ
れ、第２の領域は、第１の領域に近接するに従い、例え
ばＡｌの割合が連続的に上昇し、第３の領域側ほど例え
ばカーボンの割合が連続的に上昇するようになされてい
るものとする。

【００２３】以下、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の
一例について説明するが、本発明は、以下に示す例に限
定されるものではない。

【００２４】図１に本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の
概略断面図を示す。金属薄膜型磁気記録媒体１００は、
非磁性支持体１上に、強磁性金属あるいはその合金を用
いて真空薄膜形成技術により形成した１００〔ｎｍ〕以
下の薄層の磁性層２を有し、磁性層２が形成されている
面とは反対側の面に、５０〜５００〔ｎｍ〕の厚さの強
化層３が形成されて成る構成を有する。

【００２５】以下、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１
００を構成する各層について、詳細に説明する。

【００２６】非磁性支持体１には、通常、磁気テープの
基体として用いられている公知の材料をいずれも適用で
きる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテト
ラメチレンテレフタレート、ポリ−１，４−シクロヘキ
シレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン２，６
−ナフタリンジカルボキシレート、ポリエチレン−ｐ−
オキシベンゾエート等を挙げることができる。特に、ポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナ
フタレート（ＰＥＮ）が、材料の入手し易さや加工性の
良好さの点から好適である。また、これらのポリエステ
ルは、ホモポリエステルであっても、コポリエステルで
あってもよい。

【００２７】非磁性支持体１は、従来の磁気テープで
は、通常４〜１５〔μｍ〕の厚さとして機械的な強度を
保持し、走行安定性を確保しているが、非磁性支持体自
体の強度を向上させる以外の方法によって、磁気記録媒
体の走行時における機械的な強度が得られれば、非磁性
支持体１をさらに薄型にすることもできる。この観点か
ら本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１００においては、
非磁性支持体１は５〔μｍ〕以下、例えば、２〜５〔μ
ｍ〕とすることができる。

【００２８】非磁性支持体１の曲げ剛性は、非磁性支持
体のヤング率、厚さにより算出することができる。更に
非磁性支持体の両主面に各種材料による層を形成する場
合には、非磁性支持体１の曲げ剛性と、形成する層の厚
さと、ヤング率と、非磁性支持体１の厚さとから得られ
るパラメータを加味して算出することができる。このと
き、最も外側に剛性の高い層を形成すること、更には非
磁性支持体１の両主面の最も外側に剛性の高い層を形成
することにより、高い曲げ剛性を得ることができる。

【００２９】曲げ応力が非磁性支持体１に加わると、非
磁性支持体１の一主面側は縮み、他の主面側は伸びるこ
とになるため、非磁性支持体１の伸び縮みを阻止するこ
とが、曲げ剛性を向上させることになる。よって、曲げ
剛性を向上させるためには、非磁性支持体１の両主面に
剛性を付与するための層を形成することが有効である。

【００３０】厚さが２〜５〔μｍ〕程度のポリエステル
系フィルムを非磁性支持体１として用いる場合でも、剛
性の高い強化層３を形成し、さらには、厚さを制御して
ヤング率を調節することにより、ポリアミドフィルムに
匹敵する曲げ剛性を有する非磁性支持体とすることがで
きる。

【００３１】一方において、ポリエチレンテレフタレー
ト等のポリエステル系フィルムを、５〔μｍ〕を越える
厚さとすると、強化層３による曲げ剛性を向上させる効
果は少なくなる。これは、一般に、厚さの３乗に比例す
ることから、ポリエステル系フィルムすなわち非磁性支
持体１が厚くなると、非磁性支持体１自体の剛性そのも
のが向上し、強化層３による剛性の向上率が相対的に減
少してしまうためである。

【００３２】また、２〔μｍ〕未満の厚さのポリエステ
ル系フィルムは、基本的に、フィルム自体の曲げ剛性が
低すぎるため、強化層３による剛性の向上が加味されて
いても、金属薄膜型磁気記録媒体を構成する非磁性支持
体としての実用的に充分な剛性が得られない。上述した
ことから、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体を構成する
非磁性支持体１の厚さは、２〜５〔μｍ〕であることが
好適である。

【００３３】非磁性支持体１の磁性層形成面には、バイ
ンダー樹脂、フィラーおよび界面活性剤を含有する塗料
によりコーティング層（図示せず）を形成し、これによ
り、表面に微細な凹凸を付けたり、機械的な強度を高め
たりすることができる。また、この微細な凹凸によっ
て、最終的に磁気テープの表面の粗度（Ｒａ）を制御す
ることができる。

【００３４】バインダー樹脂には、例えば水性ポリエス
テル樹脂、水性アクリル樹脂、水性ポリウレタン樹脂等
が挙げられる。フィラーの種類としては、耐熱性ポリマ
ーからなる粒子、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム等が挙
げられる。

【００３５】また、非磁性支持体１上の磁性層形成面１
ａとは反対側の主面の強化層３形成面３ａにもバインダ
ー樹脂、フィラーおよび界面活性剤を含有する塗料によ
りコーティング層（図示せず）を形成し、これにより、
表面に微細な凹凸を形成することができる。

【００３６】磁性層２は、非磁性支持体１上に強磁性金
属材料を直接被着することによって形成することができ
るが、この強磁性金属材料としては、従来公知の金属、
合金をいずれも使用することができる。例えば、Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属、ＣｏＮｉ，ＦｅＣｏ，Ｆｅ
ＣｏＮｉ，ＦｅＣｕ，ＣｏＣｕ，ＣｂＡｕ，ＣｏＰｔ，
ＭｎＢｉ，ＭｎＡｌ，ＦｅＣｒ，ＣｏＣｒ，ＮｉＣｒ，
ＦｅＣｏＣｒ，ＣｏＮｉＣｒ，ＦｅＣｏＮｉＣｒ等の強
磁性合金が挙げられる。磁性層２は、上記強磁性金属材
料の単層膜であっても多層膜であってもよい。

【００３７】さらには、非磁性支持体１と磁性層２との
間や、多層膜とした場合の金属磁性薄膜間には、各層間
の付着力の向上や保磁力の制御等のため、中間層を形成
してもよい。また、磁性層２の表面近傍は、耐蝕性等を
向上させるために酸化物となっていてもよい。

【００３８】磁性層２は、真空下で強磁性材料を加熱蒸
発させ、非磁性支持体１上に付着させる真空蒸着法や、
強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティ
ング法や、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放
電を起こして生じたアルゴンイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術に
よって形成することができる。

【００３９】図２に、金属薄膜型磁気記録媒体１００の
磁性層２を成膜する蒸着装置１０の一例の概略図を示
す。この蒸着装置１０においては、排気口２１、２２か
ら排気されて真空状態となされた真空室１１内に、送り
ロール１３と巻き取りロール１４とが設けられており、
これらの間に非磁性支持体１が順次走行するようになさ
れている。

【００４０】これら送りロール１３と巻き取りロール１
４との間に、上記非磁性支持体１が走行する途中には、
冷却キャン１５が設けられている。この冷却キャン１５
には、冷却装置（図示せず）が設けられ、非磁性支持体
１の温度上昇による熱変形等を抑制している。

【００４１】非磁性支持体１は、送りロール１３から順
次送り出され、さらに冷却キャン１５周面を通過して巻
き取りロール１４に巻き取られていくようになされてい
る。なお、ガイドロール１６および１７により非磁性支
持体１には、所定のテンションがかけられ、円滑に走行
するようになされている。

【００４２】真空室１１内には、冷却キャン１５の下方
にルツボ１８が設けられており、ルツボ内には、金属磁
性材料１９が充填されている。一方、真空室１１の側壁
部には、ルツボ１８内に充填された金属磁性材料１９を
加熱蒸発させるための電子銃２０が設けられている。こ
の電子銃２０は、これより放出される電子線Ｂが、ルツ
ボ内１８内の金属磁性材料１９に照射されるような位置
に配置されている。そして、この電子線Ｂの照射によっ
て蒸発した金属磁性材料１９が非磁性支持体１の表面に
被着して、磁性層２の形成がなされる。

【００４３】また、冷却キャン１５とルツボ１８との間
であって、冷却キャン１５の近傍には、シャッター２３
が、冷却キャン１５の周面を走行する非磁性支持体１の
所定領域を覆う形で配置されており、このシャッター２
３により、蒸発した金属磁性材料１９が非磁性支持体１
に対して所定の入射角度範囲で斜めに蒸着するようにな
されている。

【００４４】さらに、磁性層２の蒸着に際し、真空室１
１の側壁部を貫通して設けられている酸素ガス導入管２
４により、非磁性支持体１の表面に酸素ガスが供給され
るようになされ、磁性層２の磁気特性、耐久性、および
耐候性の向上が図られている。

【００４５】磁性層２の面上には、通常、良好な耐蝕性
および走行耐久性を確保するために保護層４を形成す
る。保護層４を形成する材料としては、金属磁性薄膜用
の保護層として、一般に使用されている従来公知の材料
をいずれも適用することができる。例えばカーボン、Ｃ
ｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、ＳｉＮ_X、ＳｉＣ、ＳｉＮ_X−Ｓｉ
Ｏ₂、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ、ＭｏＳ等を挙げる
ことができる。これらの単層膜であってもよいし、多層
膜であってもよい。特に、カーボンを基材として保護層
４は、耐久性、耐蝕性および生産性に優れている。保護
層４は、公知の真空成膜技術により形成することがで
き、例えば、図３に示すプラズマＣＶＤ連続膜形成装置
３００を用いて、ＣＶＤ法によって形成することができ
る。

【００４６】炭素化合物をプラズマ中で分解し、磁性層
２上に成膜するＣＶＤ法は、耐磨耗性、耐蝕性、表面被
覆率に優れ、平滑な表面形状と高い電気抵抗率をもつダ
イヤモンドライクカーボンと呼ばれる硬質カーボンを、
１０ｎｍ以下の厚さに安定して成膜することができる。
炭素化合物としては、炭化水素系、ケトン系、アルコー
ル系等、従来公知の材料をいずれも使用することができ
る。また、プラズマ中で分解するために、高周波のバイ
アス電圧を用いる。また、プラズマ精製時には、炭素化
合物の分解を促進するためのガスとして、Ａｒ，Ｈ₂等
が導入されていてもよい。

【００４７】その他、ダイヤモンドライクカーボンの膜
硬度、耐蝕性の向上を図るため、カーボンが窒素、フッ
素と反応した状態であってもよく、ダイヤモンドライク
カーボン膜は単層であっても多層であってもよい。ま
た、プラズマ生成時に、炭素化合物の他、Ｎ₂、ＣＨＦ
₃、ＣＨ₂Ｆ₂等のガスを単独あるいは適宜混合した状
態で成膜することもできる。

【００４８】保護層４は、厚く形成し過ぎると、スペー
シングによる損失が増加し、薄過ぎると、耐磨耗性およ
び耐蝕性が劣化してしまうので、４〜１２〔ｎｍ〕程度
の厚さに形成することが望ましい。

【００４９】図３に示すプラズマＣＶＤ連続膜形成装置
３００は、排気系３３０から排気されて真空状態となさ
れた真空室３３１内に、送りロール３３３と、巻き取り
ロール３３４とが設けられ、これら送りロール３３３と
巻き取りロール３３４に、非磁性支持体上に磁性層が形
成された被処理体３４０が順次走行するようになされて
いる。これら送りロール３３３から巻き取りロール３３
４に被処理体３４０が走行する途中には、円筒状の回転
可能な対向電極用キャン３３５が設けられている。

【００５０】被処理体３４０は、送りロール３３３から
順次送り出され、対向電極用キャン３３５の周面を通過
し、巻き取りロール３３４に巻き取られていくようにな
されている。なお、送りロール３３３と対向電極用キャ
ン３３５との間、および対向電極３３５と巻き取りロー
ル３３４との間には、それぞれガイドロール３３６が配
置され、被処理体３４０に所定のテンションをかけ、被
処理体３４０が円滑に走行するようになされている。

【００５１】また、対向電極用キャン３３５の下方に
は、例えばパイレックス（登録商標）ガラス、プラスチ
ック等よりなる反応管３３７が設けられている。この反
応管３３７は、端部が真空室３３１の底部を貫通してお
り、この端部の放電ガス導入口３４１から成膜用ガスが
反応管３３７内に導入されるようになされている。ま
た、反応管３３７内には、金属メッシュ等よりなる電極
３３８が組み込まれている。この電極３３８には、外部
に配設された直流電源３３９により所定の電位、例えば
５００〜２０００Ｖの電圧が印加されるようになされて
いる。

【００５２】上述した構成のプラズマＣＶＤ連続膜形成
装置３００においては、電極３３８に電圧が印加される
ことで、電極３３８と対向電極用キャン３３５との間に
グロー放電が生じる。そして、反応管３３７内に導入さ
れた成膜用ガスは、生じたグロー放電によって分解し、
被処理体３４０上に被着される。

【００５３】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１００に
おいては、磁性層２形成面側とは反対側の主面に、厚さ
５０〔ｎｍ〕以上５００〔ｎｍ〕以下の強化層３を有す
る。

【００５４】強化層３は、厚さ方向において、構成元素
が連続的に変化するようになされ、構成する元素中、非
磁性支持体側に近接するに従い、金属の割合が連続的に
上昇するようになされ、逆に非磁性支持体から離れるに
従い、金属の割合が連続的に減少する構成を有する。

【００５５】図４に、強化層３の拡大概略図を示す。強
化層３は、非磁性支持体１側の近傍領域である第１の領
域３ａ、中間領域である第２の領域３ｂ、最外側領域で
ある第３の領域３ｃの各領域により構成されて成るもの
とする。

【００５６】非磁性支持体１側の近傍領域の第１の領域
３ａは、２０〔ｎｍ〕以上４７０〔ｎｍ〕未満の厚さで
あり、Ａｌ等の金属により構成され、構成比は金属１０
０〔％〕である。

【００５７】第１の領域３ａを構成する物質としては、
Ａｌの他、Ｍｇ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｃｕ．Ｚｎ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ等の金属、
あるいはこれらの合金についても同様に適用することが
できる。

【００５８】非磁性支持体１とは反対側の領域の第３の
領域３ｃは、１０〜１００〔ｎｍ〕の厚さであり、元素
構成は、例えばカーボン１００〔％〕とする。

【００５９】第３の領域３ｃを構成する物質としては、
カーボンの他、ＣｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ ₃、ＢＮ、Ｃｏ酸化
物、ＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ
₂、ＴｉＣ、ＳｉＣのいずれかも同様に適用でき、上記
第１の領域３ａを構成する物質に応じて適宜選定して用
いることができる。

【００６０】第１の領域３ａと第３の領域３ｃとの間に
領域、すなわち第２の領域３ｂは、上記金属と、上記カ
ーボン等の物質とが共存する領域であり、厚さ方向にお
いて、構成元素が連続的に変化するようになされてい
る。この第２の領域３ｂは、厚さ２０〔ｎｍ〕以上であ
るものとし、第１の領域３ａに近接するに従い、上記金
属の割合が連続的に上昇し、第３の領域３ｃに近接する
に従いカーボン等の割合が連続的に上昇するようになっ
ている。

【００６１】次に、強化層３を成膜する装置について図
を参照して説明する。強化層３は、図５にマグネトロン
スパッタ装置４００を適用することができる。このマグ
ネトロンスパッタ装置４００においては、真空ポンプ４
３２によって真空状態となされたチャンバー４３１内
に、供給ロール４３９と、巻き取りロール４４０とが設
けられ、これら供給ロール４３９と巻き取りロール４４
０に、非磁性支持体上に磁性層が形成された被処理体４
５０が順次走行するようになされている。これら供給ロ
ール４３９から巻き取りロール４４０に被処理体４５０
が走行する途中には、円筒状の回転可能な対向電極用キ
ャン４３５が設けられている。

【００６２】なお、供給ロール４３９と冷却キャン４３
５との間、および冷却キャン４３５と巻き取りロール４
４０との間には、それぞれガイドロール４４１が配置さ
れ、被処理体４５０に所定のテンションをかけ、被処理
体４５０が円滑に走行するようになされている。

【００６３】また、チャンバー４３１内には、冷却キャ
ン４３５と対向する位置には、第１のターゲット４３
６、第２のターゲット４６６が、被処理体４５０の走行
方向に沿って順次設けられている。

【００６４】第１のターゲット４３６は、強化層３のう
ち、第１の領域３ａを形成する材料となるものであり、
例えば、Ａｌが用いられる。第２のターゲット４６６
は、強化層３のうち、第３の領域３ｃを形成する材料と
なるものであり、例えば、カーボンが用いられる。

【００６５】これら第１および第２のターゲット４３６
は、それぞれ、カソード電極を構成するバッキングプレ
ート４３７、４６７に支持されている。そして、バッキ
ングプレート４３７、４６７のそれぞれの裏面には、磁
場を形成するマグネット４３８、４６８が配設されてい
る。これらの第１のターゲット４３６および第２のター
ゲット４６６は、必要に応じて位置を変えることができ
るようになされている。

【００６６】このマグネトロンスパッタ装置４００にお
いて、強化層３を形成する場合には、チャンバー４３１
内を真空ポンプ４３２によって約１０^-4〔Ｐａ〕程度に
減圧した後、真空ポンプ４３２側に排気するバルブ４３
３を調節して排気速度を制御する。一方においてガス導
入管４３４からＡｒガスを導入して真空度を例えば約
０．８〔Ｐａ〕とされる。

【００６７】そして、ガス導入管４３４からＡｒガスを
導入するとともに、冷却キャン４３５をアノード、バッ
キングプレート４３７、４６７をカソードとして、約３
０００Ｖの電圧を印加し、約１．４Ａの電流が流れる状
態を保持する。そして、この電圧の印加により、Ａｒガ
スがプラズマ化し、電離されたイオンが第１のターゲッ
ト４３６および第２のターゲット４６６に衝突すること
により、それぞれの材料から原子がはじき出される。

【００６８】このとき、バッキングプレート４３７、４
６７の裏面に配置されたマグネット４３８、４６８によ
り、第１のターゲット４３６および第２のターゲット４
６６近傍には、磁場が形成されるので、電離されたイオ
ンは、第１のターゲット４３６および第２のターゲット
４６６の近傍に集中されることとなる。

【００６９】そして、これらの第１のターゲット４３６
および第２のターゲット４６６からはじき出された原子
は、磁気テープロールから図示矢印方向に繰り出され
て、冷却キャン４３５の外周面に沿って走行する被処理
体４５０に付着する。このとき、第１のターゲット４３
６と第２のターゲット４６６との距離を調整し、それぞ
れからはじき出された原子が混合する領域を形成するこ
とにより、図４に示した、強化層３を構成する中間領域
である第２の領域３ｂが形成される。

【００７０】このようにして、強化層３が形成された被
処理体４５０は、巻き取りロール４４０に巻き取られ
る。

【００７１】図６に、強化層３の一例の、膜厚方向にお
ける構成元素の相対濃度の変化の状態を示す。図６中の
曲線６１は、Ａｌの相対濃度を示し、曲線６２は、カー
ボンの相対濃度を示す。

【００７２】また、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１
００においては、磁性層２形成面側および強化層３形成
面側の最表層に、潤滑剤や防錆剤によって、コーティン
グすることが望ましい。

【００７３】次に、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１
００について、具体的に〔実施例〕および〔比較例〕を
挙げて説明するが、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体
は、以下の例に限定されるものではない。

【００７４】〔実施例１〕図１および図４に示した金属
薄膜型磁気記録媒体１００の非磁性支持体１として、厚
さ４．０〔μｍ〕、幅１５０〔ｍｍ〕のポリエチレンナ
フタレートフィルムを用意した。磁性層２を、図２に示
した蒸着装置１０を用いて、以下の条件で形成した。（蒸着条件）金属磁性材料：Ｃｏ１００〔ｗｔ％〕入射角：４５°〜１０° 導入ガス：酸素ガス酸素導入量：３．３×１０^-6〔ｍ³／ｓｅｃ〕蒸着時真空度：２．０×１０^-2〔Ｐａ〕磁性層の膜厚：８０〔ｎｍ〕

【００７５】次いで、磁性層２上に、カーボン保護層４
を形成した。保護層４としては、プラズマＣＶＤ法によ
って、以下の条件により、ダイヤモンド状カーボン層を
形成した。（保護層成膜条件）反応ガス：トルエン反応ガス圧：１０〔Ｐａ〕導入電力：直流（ＤＣ）１．５〔ｋＶ〕保護層の膜厚：１０〔ｎｍ〕

【００７６】次に、磁性層２形成面とは反対側の主面
に、強化層３を形成した。強化層３は、図５に示したマ
グネトロンスパッタ装置４００を用いて、スパッタ法に
よって、同一槽内で成膜した。第１のターゲット４３６
にはＡｌを適用し、第２のターゲット４６６には、カー
ボンを適用した。

【００７７】〔実施例１〕においては、強化層３を下記
の膜厚に形成した。強化層の全厚：１５０〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：２０〔ｎｍ〕第２の領域３ｂ（混合領域）：３０〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：１００
〔ｎｍ〕

【００７８】磁性層形成面側および強化層形成面側に
は、それぞれ潤滑剤を塗布した。このとき、使用する潤
滑剤は、磁気テープの用途として一般に使用されるもの
であればいずれも使用することができる。特に、主骨格
がフルオロカーボン系、アルキルアミン、アルキルエス
テル等が好適である。なお本実施例においては、フルオ
ロカーボンを主骨格とし、第３アミンにより変成したも
のを使用した。フルオロカーボンとしては、ダイキン工
業社製商品名「デムナム」を使用し、第３アミンとして
はジメチルデシルアミンを使用して塩構造をとるように
合成した。

【００７９】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は８〔ｎｍ〕であった。なお、表面粗度（Ｒａ）は、Ｓ
ＨＩＭＡＤＺＵ製の走査型プローブ顕微鏡を用いて表面
形状を観察して面粗さを算出した。

【００８０】また、強化層３の膜厚は、ＪＥＯＬ社製商
品名ＡＥＳにて、深さ方向分析を行い、膜厚換算を行う
ことにより測定した。

【００８１】最後に、６．３５〔ｍｍ〕幅に裁断し、磁
性層面にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布し、
サンプルの磁気テープを作製した。

【００８２】〔実施例２〕この例においては、強化層３
を下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：３５０〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：２００〔ｎ
ｍ〕第２の領域３ｂ（混合領域）：１００〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：５０〔ｎ
ｍ〕

【００８３】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は８．７〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実
施例１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【００８４】〔実施例３〕この例においては、強化層３
を下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：１２０〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：５０〔ｎｍ〕第２の領域３ｂ（混合領域）：５０〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：１２０
〔ｎｍ〕

【００８５】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は１５〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実施
例１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【００８６】〔実施例４〕この例においては、強化層３
を下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：４９５〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：４５０〔ｎ
ｍ〕第２の領域３ｂ（混合領域）：３０〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：１５〔ｎ
ｍ〕

【００８７】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は９〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実施例
１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【００８８】〔実施例５〕この例においては、強化層３
を下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：７０〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：３０〔ｎｍ〕第２の領域３ｂ（混合領域）：２５〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：１５〔ｎ
ｍ〕

【００８９】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は１４〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実施
例１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【００９０】〔実施例６〕この例においては、強化層３
を下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：４００〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：１００〔ｎ
ｍ〕第２の領域３ｂ（混合領域）：１００〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：２００
〔ｎｍ〕

【００９１】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は５．５〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実
施例１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【００９２】〔比較例１〕この例においては、強化層３
を、下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：８００〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：２００〔ｎ
ｍ〕第２の領域３ｂ：形成せず第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：６００
〔ｎｍ〕なお、〔比較例１〕においては、第１の領域３ａをスパ
ッタリング法によって形成した後、サンプルを成膜装置
から取り出し、その後、下記組成によるバックコート層
用の塗料を塗布し硬化させることによって、第３の領域
３ｃを形成した。（第３の領域（バックコート層）の組成）カーボンブラック：５０〔重量％〕ポリウレタン樹脂：５０〔重量％〕上記材料を、ボールミルに投入し、２４時間分散して混
合した後、架橋剤を添加してバックコート層用塗料を調
整し、Ａｌ金属薄膜上に塗布し、６００〔ｎｍ〕のバッ
クコート層（第３の領域）を形成した。

【００９３】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は１３〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実施
例１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【００９４】〔比較例２〕この例においては、強化層３
を、下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：４００〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：２００〔ｎ
ｍ〕第２の領域３ｂ：形成せず第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：２００
〔ｎｍ〕なお、〔比較例２〕においては、第１の領域３ａをスパ
ッタリング法によって形成した後、サンプルを成膜装置
から取り出し、その後、上記〔比較例１〕に示したもの
と同組成によるバックコート層用の塗料を塗布し硬化さ
せることによって、第３の領域３ｃを形成した。

【００９５】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は８〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実施例
１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【００９６】〔比較例３〕この例においては、強化層３
を下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：２４５〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：２２０〔ｎ
ｍ〕第２の領域３ｂ（混合領域）：２０〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：５〔ｎ
ｍ〕

【００９７】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は１１．５〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記
〔実施例１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【００９８】〔比較例４〕この例においては、強化層３
を下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：８００〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：６００〔ｎ
ｍ〕第２の領域３ｂ（混合領域）：１００〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：１００
〔ｎｍ〕

【００９９】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は１．３〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実
施例１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【０１００】〔比較例５〕この例においては、強化層３
を下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：４５０〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：５０〔ｎｍ〕第２の領域３ｂ（混合領域）：１００〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：３００
〔ｎｍ〕

【０１０１】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は１．３〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実
施例１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【０１０２】〔比較例６〕この例においては、強化層３
を、下記の膜厚に形成した。強化層の全厚：２１０〔ｎｍ〕第１の領域３ａ（Ａｌ＝１００〔％〕）：１００〔ｎ
ｍ〕第２の領域３ｂ：１０〔ｎｍ〕第３の領域３ｃ（カーボン＝１００〔％〕）：１００
〔ｎｍ〕なお、〔比較例６〕においては、第１の領域３ａをスパ
ッタリング法によって形成した後、成膜装置内を排気
し、その後の工程により、改めてカーボン保護層である
第３の領域３ｃをスパッタリング法により形成した。こ
の際、第１の領域３ａと第３の領域３ｃの境界部分に
は、混合領域の第２の領域３ｂの薄層が形成された。

【０１０３】強化層３形成面側の最表層の粗度（Ｒａ）
は２〔ｎｍ〕であった。その他の条件は、上記〔実施例
１〕と同様にしてサンプルを作製した。

【０１０４】上記のようにして作製した〔実施例１〕〜
〔実施例６〕および〔比較例１〕〜〔比較例６〕のサン
プルの磁気テープについて、摩擦係数の測定、およびド
ロップアウト数の測定を行った。

【０１０５】摩擦係数の測定については、最大静止摩擦
係数および動摩擦係数の測定を行った。最大静止摩擦係
数は、磁気テープのバック層形成面側を、直径５〔ｍ
ｍ〕のポリアセタール樹脂（ポリオキシメチレン：ＰＯ
Ｍ）ガイドに抱き角１０°となるように掛けて測定し
た。動摩擦係数は、磁気テープを、直径２．０〔ｍｍ〕
のＳＵＳ製のガイドに対して抱き角９０°で１００回摺
動させたときの摺動１００回目における摩擦係数を測定
した。

【０１０６】ドロップアウト数は、６．３５〔ｍｍ〕の
磁気テープをｍｉｎｉＤＶカセットに１０分長にて組み
込み、１分間における−６〔ｄＢ〕の出力低下が３〜５
〔μｓ〕間続いた回数をカウント出来るように改造した
ＳＯＮＹ社製ＤＶデッキＤＨＲ−１０００にかけ、その
回数をドロップアウト数として測定した。

【０１０７】上述した〔実施例１〕〜〔実施例６〕、
〔比較例１〕〜〔比較例６〕の磁気テープの作製条件、
表面粗度（Ｒａ）、摩擦係数の測定結果、およびドロッ
プアウト数について、下記の〔表１〕に示す。

【０１０８】

【表１】

【０１０９】上記〔表１〕中の磁気テープにおいて、最
大静止摩擦係数は０．３２未満、同摩擦係数は０．３２
未満になることを目標値とし、ドロップアウト数は、１
００個未満になることを目標値とした。

【０１１０】上記〔表１〕に示すように、非磁性支持体
の一主面に、真空薄膜形成技術により形成した１００
〔ｎｍ〕以下の厚さの磁性層を有し、磁性層形成面側と
は反対側の主面に、５０〜５００〔ｎｍ〕の厚さの強化
層が形成され、この強化層は、厚さ方向において、構成
元素が連続的に変化するようになされ、非磁性支持体側
の近傍領域である第１の領域３ａ、中間領域である第２
の領域３ｂ、最外側領域である第３の領域３ｃの各領域
により構成され、第１の領域３ａは、金属Ａｌ１００
〔％〕により構成され、第３の領域３ｃは、カーボン１
００〔％〕により構成され、第２の領域３ｂは、第１の
領域３ａに近接するに従い金属の割合が連続的に上昇
し、第３の領域３ｃ側ほどカーボンの割合が連続的に上
昇するようになされている構成の〔実施例１〕〜〔実施
例６〕の磁気テープにおいては、強化層３を、複数の領
域により形成されたものとし、金属層である第１の領域
３ａからカーボン層である第３の領域３ｃまで、構成元
素が連続的に変化するようにしたので、強化層３に剥離
が生じることを効果的に回避でき、これにより、ドロッ
プアウトを１００個未満に低減化でき、走行安定性が向
上した。

【０１１１】また、強化層３の最外側のカーボン層、す
なわち第３の領域３ｃが保護層としての役割を有するた
め、摩擦係数の低減化が図られ、耐久性の向上を図るこ
とができた。

【０１１２】また、強化層３形成面側の最表面粗度（Ｒ
ａ）を２〜１５〔ｎｍ〕の範囲となったことにより、摩
擦係数の低減化が図られ、ヘッド当たりが良好で、表面
に剥離や傷の発生を回避でき、磁気テープの形状を良好
にならしめることができた。

【０１１３】〔比較例１〕の磁気テープは、強化層３と
して金属層である第１の領域３ａを形成した後、塗料を
塗布することによりバックコート層を形成したものであ
るが、この例においては、バックコート層が６００〔ｎ
ｍ〕と厚く形成したため、バックコート層の剥離を生
じ、ドロップアウトが増加した。

【０１１４】〔比較例２〕の磁気テープは、強化層３と
して金属層である第１の領域３ａを形成した後、塗料を
塗布することによりバックコート層を２００〔ｎｍ〕と
薄く形成したものであるが、この例においては、ドロッ
プアウト数は上記〔比較例１〕よりも低減化されたが、
目標値である１００個未満とはすることができなかっ
た。また、バックコート層の摩擦低減化効果が充分でな
いため、最大静止摩擦係数、および動摩擦係数が高くな
った。

【０１１５】〔比較例３〕の磁気テープは、強化層３を
構成する第３の領域３ｃであるカーボン層を５〔ｎｍ〕
と極めて薄く形成したものであるが、潤滑効果が充分に
得られず、剥離が生じ、摩擦係数の測定は不可能であっ
た。

【０１１６】〔比較例４〕の磁気テープは、強化層３を
構成する金属層すなわち第１の領域３ａを６００〔ｎ
ｍ〕と厚く形成したものであるが、表面粗度（Ｒａ）が
１．３〔ｎｍ〕と小さくなり過ぎて、摩擦が高すぎるた
め、摩擦係数測定時にヘッドとの貼り付きを生じた。

【０１１７】〔比較例５〕の磁気テープは、強化層３を
構成するカーボン層、すなわち第３の領域３ｃを３００
〔ｎｍ〕と厚く形成したものであるが、表面粗度（Ｒ
ａ）が１．３〔ｎｍ〕と小さくなり過ぎて、最大静止摩
擦係数、および動摩擦係数の双方の値が高くなり過ぎ、
走行性が悪化し、また、ドロップアウト数も増加した。

【０１１８】〔比較例６〕の磁気テープは、強化層３を
構成する各領域３ａ〜３ｃを別工程で成膜したものであ
るが、この例においては、強化層３に微細な剥離を生
じ、ドロップアウト数が増加した。

【０１１９】上述した〔実施例１〕〜〔実施例６〕およ
び〔比較例１〕〜〔比較例６〕の結果から明らかなよう
に、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１００によれば、
高感度のＭＲヘッドに好適であり、磁性層２の薄層化と
非磁性支持体１の薄層化を達成して、単位体積当たりの
記録密度の向上が図られた。また、磁性層２とは反対側
の主面に強化層３を形成したことによって、非磁性支持
体１を従来の安価な材料を使用しつつ、薄型とした場合
においても、高価な原料による非磁性支持体１を用いる
ことなく、機械的な強度を保持することができ、作製コ
ストの低減化が図られた。また、充分な剛性が得られた
ことで、耐久性、走行安定性、磁気ヘッドとの接触性の
向上が図られた。

【０１２０】また、強化層３を構成元素が連続的に変化
する複数領域によって構成されるようにし、これらの領
域を同一工程で成膜されるようにしたことによって、強
化層の剥離を効果的に回避でき、かつ成膜コストの低減
化を図ることができた。

【０１２１】また、強化層３形成面の最表層の粗度（Ｒ
ａ）を数値的に制御することによって、磁気テープの走
行安定性およびテープ形状を良好にならしめた。

【０１２２】

【発明の効果】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体によれ
ば、高感度のＭＲヘッドに好適であり、磁性層の薄層化
と非磁性支持体の薄層化を達成して、単位体積当たりの
記録密度の向上が図られた。

【０１２３】また、磁性層とは反対側の主面に、所定の
材料により、真空薄膜形成技術によって強化層３を形成
したことによって、非磁性支持体１を従来の安価な材料
を使用しつつ、薄型とした場合においても、高価な原料
による非磁性支持体を用いることなく、機械的な強度を
保持することができ、作製コストの低減化を図ることが
できた。

【０１２４】また、充分な剛性が得られたことで、耐久
性、走行安定性、磁気ヘッドとの接触性の向上が図られ
た。

【０１２５】また、強化層３を金属層である第１の領域
３ａ、カーボン保護層である第３の領域３ｂおよび混合
領域である第２の領域３ｂにより成るものとし、これら
の領域において、構成元素が連続的に変化するようにし
たことによって、強化層３の剥離の発生を効果的に回避
できた。

【０１２６】また、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１
００においては、強化層３を構成する第１〜第３の領域
３ａ〜３ｃを、同一工程で、同一槽内において成膜する
ことができるため、成膜時間の短縮化が図られ、かつ成
膜装置を別途用意する必要もないことから、コストの低
減化を図ることができた。

【０１２７】また、強化層３形成面の最表層の粗度（Ｒ
ａ）を数値的に制御することによって、磁気テープの走
行安定性およびテープ形状を良好にならしめた。

【０１２８】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の概略断面図
を示す。

【図２】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体を構成する磁
性層および強化層を作製するための蒸着装置の概略図を
示す。

【図３】プラズマＣＶＤ連続膜形成装置の概略図を示
す。

【図４】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の概略断面図
を示す。

【図５】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体を構成する強
化層形成用のマグネトロンスパッタ装置の概略図を示
す。

【図６】強化層の膜厚と構成元素の相対濃度との関係を
示す。

【符号の説明】

１非磁性支持体、２磁性層、３強化層、３ａ第
１の領域、３ｂ第２の領域、３ｃ第３の領域、４
保護層、１０蒸着装置、１１真空室、１３送りロー
ル、１４巻き取りロール、１５冷却キャン、１６，
１７ガイドロール、１８ルツボ、１９金属磁性材
料、２０電子銃、２１，２２排気口、２３シャッ
ター、２４酸素ガス導入管、１００金属薄膜型磁気
記録媒体、３００プラズマＣＶＤ連続膜形成装置、３
３０排気系、３３１真空室、３３３送りロール、
３３４巻き取りロール、３３５対向電極、３３６ガ
イドロール、３３７反応管、３３８電極、３３９
直流電源、３４０被処理体、３４１放電ガス導入
口、４００マグネトロンスパッタ装置、４３１チャン
バー、４３２真空ポンプ、４３３バルブ、４３５
冷却キャン、４３６，４６６ターゲット、４３７，４
６７バッキングプレート、４３８，４６８マグネッ
ト、４３９供給ロール、４４０巻き取りロール、４
４１ガイドロール、４５０被処理体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA01 BA03 BA34 BA43 BA44 BA46 BA48 BA55 BA56 BA59 BA64 BB02 BC00 BD11 CA05 EA01 5D006 BB07 CC01 CC03 CC04 EA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性支持体の一主面に、真空薄膜形成
技術により形成した１００〔ｎｍ〕以下の厚さの磁性層
を有する金属薄膜型磁気記録媒体であって、上記磁性層形成面側とは反対側の主面に、５０〔ｎｍ〕
以上５００〔ｎｍ〕以下の厚さの強化層が形成されて成
り、上記強化層は、該強化層の厚さ方向において、構成元素
が連続的に変化するようになされ、上記強化層は、非磁性支持体側の近傍領域である第１の
領域、中間領域である第２の領域、最外側領域である第
３の領域の各領域が順次形成された構成を有し、上記第１の領域は、金属により構成されて成り、上記第３の領域は、カーボン、ＣｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、
ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₄、Ｚ
ｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＣ、ＳｉＣのうちのいずれかに
より形成されて成り、上記第２の領域は、上記第１の領域に近接するに従い金
属の割合が連続的に上昇し、上記第３の領域に近接する
に従い、上記第３の領域を形成する物質の割合が連続的
に上昇するように形成されて成ることを特徴とする金属
薄膜型磁気記録媒体。
【請求項２】上記強化層を構成する第１の領域、第２
の領域、および第３の領域は、スパッタリング法によ
り、同一の真空槽内で成膜されたものであることを特徴
とする請求項１に記載の金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項３】上記第１の領域は、厚さ２０〔ｎｍ〕以
上４７０〔ｎｍ〕以下であり、上記第２の領域は、厚さ２０〔ｎｍ〕以上であり、上記第３の領域は、厚さ１０〔ｎｍ〕以上１００〔ｎ
ｍ〕以下に形成されて成ることを特徴とする請求項１に
記載の金属薄膜型磁気記録媒体。