JP2001291231A - 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は磁気記録媒体及びその製造方法並び
に磁気記憶装置に関し、保磁力、角型性及び媒体ノイズ
の更なる向上を可能とすることを目的とする。 【解決手段】 基板上に設けられた非磁性種子層と、非
磁性種子層上に１又は複数の層を介して形成された磁性
層とを備えた磁気記録媒体において、非磁性種子層は、
酸素濃度が約１５００〜４０００ｐｐｍのＮｉＡｌから
なるように構成する。
に磁気記憶装置に関し、保磁力、角型性及び媒体ノイズ
の更なる向上を可能とすることを目的とする。 【解決手段】 基板上に設けられた非磁性種子層と、非
磁性種子層上に１又は複数の層を介して形成された磁性
層とを備えた磁気記録媒体において、非磁性種子層は、
酸素濃度が約１５００〜４０００ｐｐｍのＮｉＡｌから
なるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体及び
その製造方法並びに磁気記憶装置に関し、特に高密度記
録に適した磁気記録媒体及びその製造方法並びにそのよ
うな磁気記録媒体を備えた磁気記憶装置に関する。
その製造方法並びに磁気記憶装置に関し、特に高密度記
録に適した磁気記録媒体及びその製造方法並びにそのよ
うな磁気記録媒体を備えた磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク等の水平磁気記録媒体の記
録密度は、媒体ノイズの低減及び磁気抵抗効果型ヘッド
及びスピンバルブヘッドの開発により、著しく増大し
た。代表的な磁気記録媒体は、基板と、下地層と、磁性
層と、保護層とがこの順序で積層された構造を有する。
下地層は、Ｃｒ又はＣｒ系合金からなり、磁性層は、Ｃ
ｏ系合金からなる。
録密度は、媒体ノイズの低減及び磁気抵抗効果型ヘッド
及びスピンバルブヘッドの開発により、著しく増大し
た。代表的な磁気記録媒体は、基板と、下地層と、磁性
層と、保護層とがこの順序で積層された構造を有する。
下地層は、Ｃｒ又はＣｒ系合金からなり、磁性層は、Ｃ
ｏ系合金からなる。
【０００３】媒体ノイズを低減する方法は、例えば米国
特許第５，６９３，４２６号公報にて提案されている。
この提案方法によると、ＮｉＡｌからなる下地層を用い
ることにより、磁性層の結晶構造を制御して、媒体ノイ
ズの低減及び分解能等の記録再生特性の改善を図ってい
る。
特許第５，６９３，４２６号公報にて提案されている。
この提案方法によると、ＮｉＡｌからなる下地層を用い
ることにより、磁性層の結晶構造を制御して、媒体ノイ
ズの低減及び分解能等の記録再生特性の改善を図ってい
る。
【０００４】しかし、最近の急速な高記録密度化の要求
に応えるには、更に磁気記録媒体の諸特性を向上するこ
とが求められている。具体的には、磁性層を始めとする
各層の結晶粒径の更なる微細化、結晶粒径の厳密な制
御、配向性の改善等が必要となっている。
に応えるには、更に磁気記録媒体の諸特性を向上するこ
とが求められている。具体的には、磁性層を始めとする
各層の結晶粒径の更なる微細化、結晶粒径の厳密な制
御、配向性の改善等が必要となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁気記録媒体で
は、保磁力、角型性及び媒体ノイズの更なる向上は難し
いという問題があった。
は、保磁力、角型性及び媒体ノイズの更なる向上は難し
いという問題があった。
【０００６】そこで、本発明は、保磁力、角型性及び媒
体ノイズの更なる向上を可能とする磁気記録媒体及びそ
の製造方法並びにそのような磁気記録媒体を備えた磁気
記憶装置を提供することを目的とする。
体ノイズの更なる向上を可能とする磁気記録媒体及びそ
の製造方法並びにそのような磁気記録媒体を備えた磁気
記憶装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、基板上に
設けられた非磁性種子層と、該非磁性種子層上に１又は
複数の層を介して形成された磁性層とを備えた磁気記録
媒体において、該非磁性種子層は、酸素濃度が約１５０
０〜４０００ｐｐｍのＮｉＡｌからなることを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。
設けられた非磁性種子層と、該非磁性種子層上に１又は
複数の層を介して形成された磁性層とを備えた磁気記録
媒体において、該非磁性種子層は、酸素濃度が約１５０
０〜４０００ｐｐｍのＮｉＡｌからなることを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。
【０００８】上記の課題は、基板上に設けられた非磁性
種子層と、該非磁性種子層上に１又は複数の層を介して
形成された磁性層とを備えた磁気記録媒体の製造方法で
あって、約２００〜２８０℃の範囲でＮｉＡｌを成膜し
て該非磁性種子層を形成するステップを含むことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法によっても達成できる。
種子層と、該非磁性種子層上に１又は複数の層を介して
形成された磁性層とを備えた磁気記録媒体の製造方法で
あって、約２００〜２８０℃の範囲でＮｉＡｌを成膜し
て該非磁性種子層を形成するステップを含むことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法によっても達成できる。
【０００９】上記の課題は、上記のいずれかの構成の磁
気記録媒体を少なくとも１つ備えたことを特徴とする磁
気記憶装置によっても達成できる。
気記録媒体を少なくとも１つ備えたことを特徴とする磁
気記憶装置によっても達成できる。
【００１０】従って、本発明によれば、保磁力、角型性
及び媒体ノイズの更なる向上を可能とする磁気記録媒体
及びその製造方法並びにそのような磁気記録媒体を備え
た磁気記憶装置を実現可能となる。
及び媒体ノイズの更なる向上を可能とする磁気記録媒体
及びその製造方法並びにそのような磁気記録媒体を備え
た磁気記憶装置を実現可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明になるの各実施例を、以下
に図面と共に説明する。
に図面と共に説明する。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明になる磁気記録媒体の第１実
施例の要部を示す断面図である。磁気記録媒体の第１実
施例は、本発明になる磁気記録媒体の製造方法の第１実
施例により製造可能である。
施例の要部を示す断面図である。磁気記録媒体の第１実
施例は、本発明になる磁気記録媒体の製造方法の第１実
施例により製造可能である。
【００１３】図１に示す如く、磁気記録媒体は、大略非
磁性基板１、非磁性種子層２、非磁性下地層３、非磁性
中間層４、磁性層５及び保護層６からなる。本実施例で
は、基板１はガラスからなり、種子層２はＮｉＡｌから
なる。下地層３はＣｒ系合金からなり、中間層４はＣｏ
−Ｃｒ系合金からなる。磁性層５はＣｏ系合金からな
り、保護層６はＣからなる。本実施例では、非磁性種子
層２を構成するＮｉＡｌの酸素濃度が約１５００〜４０
００ｐｐｍに設定されている。
磁性基板１、非磁性種子層２、非磁性下地層３、非磁性
中間層４、磁性層５及び保護層６からなる。本実施例で
は、基板１はガラスからなり、種子層２はＮｉＡｌから
なる。下地層３はＣｒ系合金からなり、中間層４はＣｏ
−Ｃｒ系合金からなる。磁性層５はＣｏ系合金からな
り、保護層６はＣからなる。本実施例では、非磁性種子
層２を構成するＮｉＡｌの酸素濃度が約１５００〜４０
００ｐｐｍに設定されている。
【００１４】製造方法の第１実施例では、ガラス基板を
約２２０℃に加熱した後、ＤＣスパッタリングによりＮ
ｉＡｌ種子層２を６０ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０下地層３
を３ｎｍ、ＣｏＣｒ中間層４を１.５ｎｍ、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ磁性層５及びＣ保護層６を順次形成した。ガス圧
は、ＮｉＡｌ種子層２〜ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層５までの
成膜は５ｍＴｏｒｒで、Ｃ保護層６の成膜は８ｍＴｏｒ
ｒで行った。ＮｉＡｌ種子層２については、酸素濃度を
変化させて、電磁変換特性の変化を調査した。図２は、
この調査結果を示す図であり、縦軸は高周波トータル信
号対雑音比（Ｓ/Ｎ比）ＳＨＦ/Ｎｔ（ｄＢ/任意単
位）、横軸は種子層２を構成するＮｉＡｌの酸素含有量
（ｐｐｍ）を示す。高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔ
は、ＧＭＲヘッドを用いて測定した。図２からもわかる
ように、磁気記録媒体の信号対雑音比（Ｓ/Ｎ比）は、
種子層２を構成するＮｉＡｌの酸素濃度が約１５００〜
４０００ｐｐｍの範囲内で良好であることが確認され
た。
約２２０℃に加熱した後、ＤＣスパッタリングによりＮ
ｉＡｌ種子層２を６０ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０下地層３
を３ｎｍ、ＣｏＣｒ中間層４を１.５ｎｍ、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ磁性層５及びＣ保護層６を順次形成した。ガス圧
は、ＮｉＡｌ種子層２〜ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層５までの
成膜は５ｍＴｏｒｒで、Ｃ保護層６の成膜は８ｍＴｏｒ
ｒで行った。ＮｉＡｌ種子層２については、酸素濃度を
変化させて、電磁変換特性の変化を調査した。図２は、
この調査結果を示す図であり、縦軸は高周波トータル信
号対雑音比（Ｓ/Ｎ比）ＳＨＦ/Ｎｔ（ｄＢ/任意単
位）、横軸は種子層２を構成するＮｉＡｌの酸素含有量
（ｐｐｍ）を示す。高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔ
は、ＧＭＲヘッドを用いて測定した。図２からもわかる
ように、磁気記録媒体の信号対雑音比（Ｓ/Ｎ比）は、
種子層２を構成するＮｉＡｌの酸素濃度が約１５００〜
４０００ｐｐｍの範囲内で良好であることが確認され
た。
【００１５】次に、本発明になる磁気記録媒体の第２実
施例を説明する。本実施例を含む磁気記録媒体の以下の
実施例の基本構成は、図１に示す第１実施例の基本構成
と同じであるため、その図示及び説明は省略する。
施例を説明する。本実施例を含む磁気記録媒体の以下の
実施例の基本構成は、図１に示す第１実施例の基本構成
と同じであるため、その図示及び説明は省略する。
【００１６】本実施例では、ＮｉＡｌ種子層２を構成す
るＮｉＡｌ結晶粒内に、酸素がごま状に偏在している。
図３は、ＮｉＡｌ種子層２における微小スポットのＳＴ
ＥＭ暗視野像を示す図である。又、図４は、ＮｉＡｌ種
子層における微小スポットのＥＤＳ分析結果を示す図で
あり、縦軸はＮｉ，Ａｌ，Ｏのａｔ％、横軸はスポット
を示す。図３及び図４において、スポットｓ１は粒界箇
所、スポットｓ２は粒内のごま状に見える箇所、スポッ
トｓ３は粒内箇所を示す。図４からもわかるように、酸
素（Ｏ）は、スポットｓ１、即ち、粒界に多く存在する
と共に、スポットｓ２、即ち、ごま状に見える箇所にも
偏在している。このように、ＮｉＡｌ種子層２におい
て、ＮｉＡｌ結晶粒内に酸素がごま状に偏在している
と、結晶粒微細化及び配向性改善を図る上で非常に好ま
しいことが確認された。
るＮｉＡｌ結晶粒内に、酸素がごま状に偏在している。
図３は、ＮｉＡｌ種子層２における微小スポットのＳＴ
ＥＭ暗視野像を示す図である。又、図４は、ＮｉＡｌ種
子層における微小スポットのＥＤＳ分析結果を示す図で
あり、縦軸はＮｉ，Ａｌ，Ｏのａｔ％、横軸はスポット
を示す。図３及び図４において、スポットｓ１は粒界箇
所、スポットｓ２は粒内のごま状に見える箇所、スポッ
トｓ３は粒内箇所を示す。図４からもわかるように、酸
素（Ｏ）は、スポットｓ１、即ち、粒界に多く存在する
と共に、スポットｓ２、即ち、ごま状に見える箇所にも
偏在している。このように、ＮｉＡｌ種子層２におい
て、ＮｉＡｌ結晶粒内に酸素がごま状に偏在している
と、結晶粒微細化及び配向性改善を図る上で非常に好ま
しいことが確認された。
【００１７】次に、本発明になる磁気記録媒体の第３実
施例を説明する。本実施例では、ＮｉＡｌ種子層２の膜
厚が、約４０〜８０ｎｍに設定されている。図５は、電
磁変換特性の種子層２の膜厚依存性を示す図であり、縦
軸は高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔ（ｄＢ/相対
値）、横軸はＮｉＡｌ種子層２の膜厚（ｎｍ）を示す。
図５に示す電磁変換特性は、ＧＭＲヘッドを用いて測定
した。又、高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔは、Ｃｏ
ＣｒＰｔＢ磁性層の組成が異なる他は上記と同様に作成
した基準媒体を基準にした場合の相対値で示す。
施例を説明する。本実施例では、ＮｉＡｌ種子層２の膜
厚が、約４０〜８０ｎｍに設定されている。図５は、電
磁変換特性の種子層２の膜厚依存性を示す図であり、縦
軸は高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔ（ｄＢ/相対
値）、横軸はＮｉＡｌ種子層２の膜厚（ｎｍ）を示す。
図５に示す電磁変換特性は、ＧＭＲヘッドを用いて測定
した。又、高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔは、Ｃｏ
ＣｒＰｔＢ磁性層の組成が異なる他は上記と同様に作成
した基準媒体を基準にした場合の相対値で示す。
【００１８】ＮｉＡｌ種子層２の膜厚の増加と共に、Ｎ
ｉＡｌの（２１１）面の配向性が向上する一方、ＮｉＡ
ｌの粒径は増大化する傾向がある。この傾向は、磁性層
５のｃ軸面内配向及び粒径の増大化を促し、この結果面
内保磁力が増大する。しかし、図５からもわかるよう
に、ＮｉＡｌ種子層２の膜厚が２０ｎｍより小さい領域
では、ＮｉＡｌの粒径は小さいものの、ＮｉＡｌの（２
１１）面の配向性が良くない。他方、ＮｉＡｌ種子層２
の膜厚が８０ｎｍより大きい領域では、ＮｉＡｌの（２
１１）面の配向性は良いものの、ＮｉＡｌの粒径が大き
くなってしまう。本発明者らによる実験の結果、ＮｉＡ
ｌ層２の膜厚は、約４０〜８０ｎｍであると良好なＳ/
Ｎ比を得られることが確認された。
ｉＡｌの（２１１）面の配向性が向上する一方、ＮｉＡ
ｌの粒径は増大化する傾向がある。この傾向は、磁性層
５のｃ軸面内配向及び粒径の増大化を促し、この結果面
内保磁力が増大する。しかし、図５からもわかるよう
に、ＮｉＡｌ種子層２の膜厚が２０ｎｍより小さい領域
では、ＮｉＡｌの粒径は小さいものの、ＮｉＡｌの（２
１１）面の配向性が良くない。他方、ＮｉＡｌ種子層２
の膜厚が８０ｎｍより大きい領域では、ＮｉＡｌの（２
１１）面の配向性は良いものの、ＮｉＡｌの粒径が大き
くなってしまう。本発明者らによる実験の結果、ＮｉＡ
ｌ層２の膜厚は、約４０〜８０ｎｍであると良好なＳ/
Ｎ比を得られることが確認された。
【００１９】次に、本発明になる磁気記録媒体の第４実
施例を説明する。本実施例では、ＮｉＡｌ種子層２のＮ
ｉＡｌ結晶粒径が、約８〜１１ｎｍに設定されている。
施例を説明する。本実施例では、ＮｉＡｌ種子層２のＮ
ｉＡｌ結晶粒径が、約８〜１１ｎｍに設定されている。
【００２０】図６は、媒体ノイズのＮｉＡｌ結晶粒径依
存性を示す図であり、縦軸は規格化ノイズＮｍ/Ｓｆ
８、横軸はＮｉＡｌ種子層２のＮｉＡｌ結晶粒径（ｎ
ｍ）を示す。同図からもわかるように、ＮｉＡｌ平均結
晶粒径が８ｎｍより小さいと、複数の粒子上に磁性粒子
が成長する頻度が高くなる一方、ＮｉＡｌ平均結晶粒径
が１１ｎｍより大きいと、１つの粒子上に複数の磁性粒
子が成長しやすくなり、いずれの場合も媒体ノイズを低
減することは難しいことが確認された。他方、ＮｉＡｌ
平均結晶粒径を約８〜１１ｎｍに制御すると、媒体ノイ
ズを低く抑えられることが確認された。
存性を示す図であり、縦軸は規格化ノイズＮｍ/Ｓｆ
８、横軸はＮｉＡｌ種子層２のＮｉＡｌ結晶粒径（ｎ
ｍ）を示す。同図からもわかるように、ＮｉＡｌ平均結
晶粒径が８ｎｍより小さいと、複数の粒子上に磁性粒子
が成長する頻度が高くなる一方、ＮｉＡｌ平均結晶粒径
が１１ｎｍより大きいと、１つの粒子上に複数の磁性粒
子が成長しやすくなり、いずれの場合も媒体ノイズを低
減することは難しいことが確認された。他方、ＮｉＡｌ
平均結晶粒径を約８〜１１ｎｍに制御すると、媒体ノイ
ズを低く抑えられることが確認された。
【００２１】尚、ＮｉＡｌ結晶粒径の制御は、ＮｉＡｌ
種子層２の成膜温度、膜厚等の条件を制御することで行
える。又、後述する如く、本実施例の媒体ノイズ低減効
果は、ＮｉＡｌ種子層２のＮｉＡｌ結晶粒径を、磁性層
５の粒径と略一致させることで、更に大きくなることも
確認された。
種子層２の成膜温度、膜厚等の条件を制御することで行
える。又、後述する如く、本実施例の媒体ノイズ低減効
果は、ＮｉＡｌ種子層２のＮｉＡｌ結晶粒径を、磁性層
５の粒径と略一致させることで、更に大きくなることも
確認された。
【００２２】次に、本発明になる磁気記録媒体の第５実
施例を説明する。本実施例では、ＮｉＡｌ種子層２が、
複数の種子層からなる。
施例を説明する。本実施例では、ＮｉＡｌ種子層２が、
複数の種子層からなる。
【００２３】図７は、本実施例の要部を示す断面図であ
る。同図中、図１と同一部分には同一符号を付し、その
説明は省略する。図７に示すように、本実施例のＮｉＡ
ｌ種子層２は、ｎを任意の２以上の整数とすると、順次
積層されたｎ個の種子層２−１〜２−ｎからなる。種子
層２−１〜２−ｎは、好ましくは互いに異なる性質を有
する。例えば、種子層２−１〜２−ｎの各々においてＮ
ｉＡｌ結晶粒径を制御することで、最上部の種子層２−
１の上に形成される下地層３のエピタキシャル成長を良
好に行うことができる。
る。同図中、図１と同一部分には同一符号を付し、その
説明は省略する。図７に示すように、本実施例のＮｉＡ
ｌ種子層２は、ｎを任意の２以上の整数とすると、順次
積層されたｎ個の種子層２−１〜２−ｎからなる。種子
層２−１〜２−ｎは、好ましくは互いに異なる性質を有
する。例えば、種子層２−１〜２−ｎの各々においてＮ
ｉＡｌ結晶粒径を制御することで、最上部の種子層２−
１の上に形成される下地層３のエピタキシャル成長を良
好に行うことができる。
【００２４】又、種子層２−１〜２−ｎは、酸素含有量
が異なり、基板１に近い側の種子層２−ｎの酸素含有量
を基板１から遠い側の種子層２−１の酸素含有量より大
きくすることで、媒体ノイズを低減することができる。
又、種子層２−１〜２−ｎの酸素含有量は、種子層２−
ｎから種子層２−１に向かうにつれて徐々に大きくなる
ようにしても良い。
が異なり、基板１に近い側の種子層２−ｎの酸素含有量
を基板１から遠い側の種子層２−１の酸素含有量より大
きくすることで、媒体ノイズを低減することができる。
又、種子層２−１〜２−ｎの酸素含有量は、種子層２−
ｎから種子層２−１に向かうにつれて徐々に大きくなる
ようにしても良い。
【００２５】一般に、酸素濃度をある程度まで増加させ
ることで、スパッタリングで形成される膜中の結晶粒子
が微細化されることは知られている。しかし、エピタキ
シャル成長をする場合には、界面の酸素はエピタキシャ
ル成長を阻害する。そこで、ＮｉＡｌ種子層２の下側の
種子層で高酸素濃度のＮｉＡｌを用いることでＮｉＡｌ
の結晶粒径を制御し、上側の種子層で低酸素濃度のＮｉ
Ａｌを用いることで、ＮｉＡｌ種子層２の上に形成され
るＣｒ系合金の下地層３、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の中間層４
及びＣｏ系合金の磁性層５のエピタキシャル成長の阻害
を防止することができる。
ることで、スパッタリングで形成される膜中の結晶粒子
が微細化されることは知られている。しかし、エピタキ
シャル成長をする場合には、界面の酸素はエピタキシャ
ル成長を阻害する。そこで、ＮｉＡｌ種子層２の下側の
種子層で高酸素濃度のＮｉＡｌを用いることでＮｉＡｌ
の結晶粒径を制御し、上側の種子層で低酸素濃度のＮｉ
Ａｌを用いることで、ＮｉＡｌ種子層２の上に形成され
るＣｒ系合金の下地層３、Ｃｏ−Ｃｒ系合金の中間層４
及びＣｏ系合金の磁性層５のエピタキシャル成長の阻害
を防止することができる。
【００２６】尚、本発明者らは、上記製造方法の第１実
施例において、ＮｉＡｌについて積層させるスパッタタ
ーゲットの酸素含有量を変化させて、電磁変換特性の変
化をＧＭＲヘッドを用いた測定に基き調査した。図８
は、この電磁変換特性の調査結果を示す図である。同図
中、Ｏ/Ｗはオーバーライト特性、Ｓ＊は角型性、Ｓ/Ｎ
ｔはトータルＳ/Ｎ比、Ｎｔはトータルノイズ、Ｎｍ/Ｓ
ｆ８は規格化ノイズ、Ｓｉｓｏ/Ｎｍは孤立波媒体Ｓ/Ｎ
比を示す。角型性Ｓ＊については、後述する図３２と共
に説明する。
施例において、ＮｉＡｌについて積層させるスパッタタ
ーゲットの酸素含有量を変化させて、電磁変換特性の変
化をＧＭＲヘッドを用いた測定に基き調査した。図８
は、この電磁変換特性の調査結果を示す図である。同図
中、Ｏ/Ｗはオーバーライト特性、Ｓ＊は角型性、Ｓ/Ｎ
ｔはトータルＳ/Ｎ比、Ｎｔはトータルノイズ、Ｎｍ/Ｓ
ｆ８は規格化ノイズ、Ｓｉｓｏ/Ｎｍは孤立波媒体Ｓ/Ｎ
比を示す。角型性Ｓ＊については、後述する図３２と共
に説明する。
【００２７】図８からもわかるように、ＮｉＡｌ種子層
２の下側の種子層に高酸素ターゲットを用いた方が、Ｓ
/Ｎ比が良好となることが確認された。又、ＮｉＡｌ種
子層２の上側の種子層に低酸素ターゲットを用いること
で、ＮｉＡｌ種子層２の上に形成される下地層３の良好
なエピタキシャル成長が促されることも確認された。従
って、本実施例によれば、面内保磁力の角型が改善さ
れ、媒体ノイズが低減され、Ｓ/Ｎ比が向上することが
確認された。
２の下側の種子層に高酸素ターゲットを用いた方が、Ｓ
/Ｎ比が良好となることが確認された。又、ＮｉＡｌ種
子層２の上側の種子層に低酸素ターゲットを用いること
で、ＮｉＡｌ種子層２の上に形成される下地層３の良好
なエピタキシャル成長が促されることも確認された。従
って、本実施例によれば、面内保磁力の角型が改善さ
れ、媒体ノイズが低減され、Ｓ/Ｎ比が向上することが
確認された。
【００２８】次に、本発明になる磁気記録媒体の第５実
施例の変形例を説明する。図９は、本変形例の要部を示
す断面図である。同図中、図７と同一部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。図９に示すように、本実
施例のＮｉＡｌ種子層２は、ｎを任意の２以上の整数、
ｉを２≦ｉ≦ｎ-１を満足する任意の整数であるものと
すると、順次積層されたｎ個の種子層２−１〜２−ｎ
と、隣接する種子層２−ｉ，２−ｉ+１間に設けられた
非磁性層２Ａとからなる。つまり、ＮｉＡｌ種子層２内
の各種子層２−１〜２−ｎは、非磁性層２Ａにより分断
されている。例えば、各非磁性層２Ａは、Ｃｒ９０Ｍｏ
１０からなり膜厚は３ｎｍである。
施例の変形例を説明する。図９は、本変形例の要部を示
す断面図である。同図中、図７と同一部分には同一符号
を付し、その説明は省略する。図９に示すように、本実
施例のＮｉＡｌ種子層２は、ｎを任意の２以上の整数、
ｉを２≦ｉ≦ｎ-１を満足する任意の整数であるものと
すると、順次積層されたｎ個の種子層２−１〜２−ｎ
と、隣接する種子層２−ｉ，２−ｉ+１間に設けられた
非磁性層２Ａとからなる。つまり、ＮｉＡｌ種子層２内
の各種子層２−１〜２−ｎは、非磁性層２Ａにより分断
されている。例えば、各非磁性層２Ａは、Ｃｒ９０Ｍｏ
１０からなり膜厚は３ｎｍである。
【００２９】図１０は、ｎ＝２の場合に、ＮｉＡｌ種子
層２の総膜厚を６０ｎｍ、ＮｉＡｌ種子層２の下側の１
層目（種子層２−２）の膜厚と上側の２層目（種子層２
−１）の膜厚の比を１：３及び３：１とした場合につい
て測定した媒体特性を示す図である。同図は、ＮｉＡｌ
種子層２の１層目（種子層２−２）を成膜の際に加熱プ
ロセスを行う場合の媒体特性も示す。同図中、Ｈｃは磁
気記録媒体の保磁力、Ｈｎ/Ｓｆ８は規格化ノイズ、Ｓ
ＬＦ/Ｎｍは低周波媒体Ｓ/Ｎ比（孤立波媒体Ｓ/Ｎ比Ｓ
ｉｓｏ/Ｎｍとも言う）、Ｓ/ＮｔはトータルＳ/Ｎ比を
示す。このように、図１０からもわかるように、ＮｉＡ
ｌ種子層２の各種子層を互いにエピタキシャル成長する
材料で分断することにより、保磁力Ｈｃが向上し、媒体
ノイズが低減すると共に、Ｓ/Ｎ比が向上することが確
認された。
層２の総膜厚を６０ｎｍ、ＮｉＡｌ種子層２の下側の１
層目（種子層２−２）の膜厚と上側の２層目（種子層２
−１）の膜厚の比を１：３及び３：１とした場合につい
て測定した媒体特性を示す図である。同図は、ＮｉＡｌ
種子層２の１層目（種子層２−２）を成膜の際に加熱プ
ロセスを行う場合の媒体特性も示す。同図中、Ｈｃは磁
気記録媒体の保磁力、Ｈｎ/Ｓｆ８は規格化ノイズ、Ｓ
ＬＦ/Ｎｍは低周波媒体Ｓ/Ｎ比（孤立波媒体Ｓ/Ｎ比Ｓ
ｉｓｏ/Ｎｍとも言う）、Ｓ/ＮｔはトータルＳ/Ｎ比を
示す。このように、図１０からもわかるように、ＮｉＡ
ｌ種子層２の各種子層を互いにエピタキシャル成長する
材料で分断することにより、保磁力Ｈｃが向上し、媒体
ノイズが低減すると共に、Ｓ/Ｎ比が向上することが確
認された。
【００３０】次に、本発明になる磁気記録媒体の第６実
施例を説明する。本実施例では、基板１に結晶化ガラス
を用いる。これにより、基板１上に形成される各層の結
晶粒径分布を狭く抑えることができ、媒体ノイズの低減
を図ることができる。
施例を説明する。本実施例では、基板１に結晶化ガラス
を用いる。これにより、基板１上に形成される各層の結
晶粒径分布を狭く抑えることができ、媒体ノイズの低減
を図ることができる。
【００３１】図１１は、基板１に結晶化ガラスを用いた
場合と、化学強化ガラスを用いた場合に形成されるＮｉ
Ａｌ種子層２のＮｉＡｌ結晶粒径を示す図である。同図
中、縦軸は頻度（％）を示し、横軸はＮｉＡｌ結晶粒径
（ｎｍ）を示す。又、△印は結晶化ガラスＡのデータ、
○印は結晶化ガラスＢのデータ、◆印は化学強化ガラス
のデータを示す。尚、ＮｉＡｌ種子層２は、上記製造方
法の第１実施例と同様の条件下で形成した。同図からも
明らかなように、基板１に用いるガラス材料によってＮ
ｉＡｌ粒径分布が変化し、化学強化ガラスより結晶化ガ
ラスＡ又はＢを用いた方がＮｉＡｌ結晶粒径が均一化さ
れていることが確認された。従って、結晶化ガラスから
なる基板１を用いた場合の媒体ノイズの低減効果は、基
板１における粗大粒の存在比率が小さいことに起因する
と推測される。
場合と、化学強化ガラスを用いた場合に形成されるＮｉ
Ａｌ種子層２のＮｉＡｌ結晶粒径を示す図である。同図
中、縦軸は頻度（％）を示し、横軸はＮｉＡｌ結晶粒径
（ｎｍ）を示す。又、△印は結晶化ガラスＡのデータ、
○印は結晶化ガラスＢのデータ、◆印は化学強化ガラス
のデータを示す。尚、ＮｉＡｌ種子層２は、上記製造方
法の第１実施例と同様の条件下で形成した。同図からも
明らかなように、基板１に用いるガラス材料によってＮ
ｉＡｌ粒径分布が変化し、化学強化ガラスより結晶化ガ
ラスＡ又はＢを用いた方がＮｉＡｌ結晶粒径が均一化さ
れていることが確認された。従って、結晶化ガラスから
なる基板１を用いた場合の媒体ノイズの低減効果は、基
板１における粗大粒の存在比率が小さいことに起因する
と推測される。
【００３２】図１２は、基板１に結晶化ガラスＡ，Ｂ及
び化学強化ガラスを用いた場合の媒体ノイズ（相対値）
を低周波ＬＦと高周波ＨＦの領域について測定した結果
を示す図である。同図の測定結果は、各種類の基板１を
約１８０℃に加熱した後、ＤＣスパッタリングによりＮ
ｉＡｌ種子層２を６０ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０下地層３
を４ｎｍ、ＣｏＣｒ中間層４を１.５ｎｍ、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ磁性層５及びＣ保護層６を順次形成して得た磁気記
録媒体について求めた。ガス圧は、ＮｉＡｌ種子層２〜
ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層５までの成膜は５ｍＴｏｒｒで、
Ｃ保護層６の成膜は８ｍＴｏｒｒで行った。媒体ノイズ
は、ＧＭＲヘッドを用いて測定した。同図に示すデータ
は、加熱条件＝１のときのデータであり、加熱条件＝
０．８のときの媒体ノイズを１としての相対値で示して
ある。尚、加熱条件の違いは、加熱時間の違いを示す。
び化学強化ガラスを用いた場合の媒体ノイズ（相対値）
を低周波ＬＦと高周波ＨＦの領域について測定した結果
を示す図である。同図の測定結果は、各種類の基板１を
約１８０℃に加熱した後、ＤＣスパッタリングによりＮ
ｉＡｌ種子層２を６０ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０下地層３
を４ｎｍ、ＣｏＣｒ中間層４を１.５ｎｍ、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ磁性層５及びＣ保護層６を順次形成して得た磁気記
録媒体について求めた。ガス圧は、ＮｉＡｌ種子層２〜
ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層５までの成膜は５ｍＴｏｒｒで、
Ｃ保護層６の成膜は８ｍＴｏｒｒで行った。媒体ノイズ
は、ＧＭＲヘッドを用いて測定した。同図に示すデータ
は、加熱条件＝１のときのデータであり、加熱条件＝
０．８のときの媒体ノイズを１としての相対値で示して
ある。尚、加熱条件の違いは、加熱時間の違いを示す。
【００３３】図１２からもわかるように、基板１に結晶
化ガラスＡ又はＢを用いた場合、基板１に化学強化ガラ
スを用いる場合と比較すると、媒体ノイズを低減可能で
あることが確認された。
化ガラスＡ又はＢを用いた場合、基板１に化学強化ガラ
スを用いる場合と比較すると、媒体ノイズを低減可能で
あることが確認された。
【００３４】次に、本発明になる磁気記録媒体の第７実
施例を説明する。本実施例では、磁性層５がＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂ系合金からなる。
施例を説明する。本実施例では、磁性層５がＣｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂ系合金からなる。
【００３５】ＮｉＡｌは、結晶粒径を微細化して成長さ
せることができる。他方、Ｂを添加したＣｏ−Ｃｒ系合
金は、ＣｒのＣｏ粒界への偏析を促進し、Ｃｏ粒径を強
制的に微細化することができる。ここで、ＮｉＡｌの理
想的な粒径は、約８〜１１ｎｍであるが、Ｃｏ−Ｃｒ系
合金からなる磁性層にＢを添加することで、略同等の粒
径を有する磁性層を形成することができる。一般に、磁
性粒径を小さくすることにより、媒体ノイズを低減可能
であることは知られている。又、下地層の粒径が磁性層
の粒径より小さいと、磁性粒子が下地層の複数の粒子上
に成長しようとし、逆に、下地層の粒径が磁性層の粒径
より大きいと、下地層の１つの粒子上に複数の磁性粒子
が成長しようとし、いずれの場合も本来の媒体ノイズ低
減を実現できない。そこで、本実施例では、ＮｉＡｌと
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金の組み合わせにより、磁気
記録媒体の媒体ノイズの低減を図っている。
せることができる。他方、Ｂを添加したＣｏ−Ｃｒ系合
金は、ＣｒのＣｏ粒界への偏析を促進し、Ｃｏ粒径を強
制的に微細化することができる。ここで、ＮｉＡｌの理
想的な粒径は、約８〜１１ｎｍであるが、Ｃｏ−Ｃｒ系
合金からなる磁性層にＢを添加することで、略同等の粒
径を有する磁性層を形成することができる。一般に、磁
性粒径を小さくすることにより、媒体ノイズを低減可能
であることは知られている。又、下地層の粒径が磁性層
の粒径より小さいと、磁性粒子が下地層の複数の粒子上
に成長しようとし、逆に、下地層の粒径が磁性層の粒径
より大きいと、下地層の１つの粒子上に複数の磁性粒子
が成長しようとし、いずれの場合も本来の媒体ノイズ低
減を実現できない。そこで、本実施例では、ＮｉＡｌと
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金の組み合わせにより、磁気
記録媒体の媒体ノイズの低減を図っている。
【００３６】好ましくは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金
からなる磁性層５のＣｒ含有量は、約１８〜２４ａｔ％
である。Ｃｒ含有量が１８ａｔ％より少ないと、Ｃｏ粒
子の粒界へのＣｒ偏析が十分に起こらず、Ｃｏ粒子同士
の粒間相互作用の低減により、媒体ノイズを効果的に低
減することができない。他方、Ｃｒ含有量が２４ａｔ％
より多いと、飽和磁化Ｍｓが低下してしまい、十分な再
生出力を得るためには磁性層５の膜厚を大きくする必要
が生じてしまう。ところが、磁性層５の膜厚を大きくす
ると、分解能が低下してしまう。特に、Ｂを添加された
Ｃｏ−Ｃｒ系合金からなる磁性層の場合、膜厚を大きく
するとＣｏのｃ軸の面内配向性が悪化するため、媒体ノ
イズの増大及び面内方向の保磁力の低下を招き、Ｓ/Ｎ
比の低下の原因となってしまう。これらの理由から、磁
性層５を構成するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金中のＣｒ
含有量は、約１８〜２４ａｔ％に設定することが好まし
い。
からなる磁性層５のＣｒ含有量は、約１８〜２４ａｔ％
である。Ｃｒ含有量が１８ａｔ％より少ないと、Ｃｏ粒
子の粒界へのＣｒ偏析が十分に起こらず、Ｃｏ粒子同士
の粒間相互作用の低減により、媒体ノイズを効果的に低
減することができない。他方、Ｃｒ含有量が２４ａｔ％
より多いと、飽和磁化Ｍｓが低下してしまい、十分な再
生出力を得るためには磁性層５の膜厚を大きくする必要
が生じてしまう。ところが、磁性層５の膜厚を大きくす
ると、分解能が低下してしまう。特に、Ｂを添加された
Ｃｏ−Ｃｒ系合金からなる磁性層の場合、膜厚を大きく
するとＣｏのｃ軸の面内配向性が悪化するため、媒体ノ
イズの増大及び面内方向の保磁力の低下を招き、Ｓ/Ｎ
比の低下の原因となってしまう。これらの理由から、磁
性層５を構成するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金中のＣｒ
含有量は、約１８〜２４ａｔ％に設定することが好まし
い。
【００３７】又、好ましくは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系
合金からなる磁性層５のＰｔ含有量は、約８〜１２ａｔ
％である。ＮｉＡｌ種子層２を用いる場合、ＮｉＡｌの
（２１１）面が基板１の表面（以下、基板面と言う）と
平行に優先配向され、Ｃｏからなる磁性層のＣｏは（１
０−１０）面が基板面と平行に優先配向される。この場
合のエピタキシャル成長では、Ｃｏ磁性層がバイクリス
タル（ｂｉ−ｃｒｙｓｔａｌ）成長しないため、見かけ
上の異方性磁化Ｈｋが低下することはない。このため、
例えばＣｒ下地層を用いてＣｏが（１１−２０）面に配
向した場合と比較すると、高い保磁力Ｈｃを得ることが
できる。そこで、Ｃｏ磁性層中へのＰｔ添加量で保磁力
Ｈｃを制御した場合、Ｐｔの添加量は約８〜１２ａｔ％
の範囲とするのが適当である。Ｐｔの添加量がこの範囲
より少ないと保磁力Ｈｃが低下して、記録ビット境界の
遷移領域をシャープにすることができず、十分な分解能
を得ることはできない。これとは逆に、Ｐｔの添加量が
この範囲より多いと、保磁力Ｈｃが高くなりすぎて、ヘ
ッドからの漏洩磁界のために十分な分解能を得ることが
できない。従って、磁性層５を構成するＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ−Ｂ系合金中のＰｔ含有量は、約８〜１２ａｔ％に設
定することが好ましい。
合金からなる磁性層５のＰｔ含有量は、約８〜１２ａｔ
％である。ＮｉＡｌ種子層２を用いる場合、ＮｉＡｌの
（２１１）面が基板１の表面（以下、基板面と言う）と
平行に優先配向され、Ｃｏからなる磁性層のＣｏは（１
０−１０）面が基板面と平行に優先配向される。この場
合のエピタキシャル成長では、Ｃｏ磁性層がバイクリス
タル（ｂｉ−ｃｒｙｓｔａｌ）成長しないため、見かけ
上の異方性磁化Ｈｋが低下することはない。このため、
例えばＣｒ下地層を用いてＣｏが（１１−２０）面に配
向した場合と比較すると、高い保磁力Ｈｃを得ることが
できる。そこで、Ｃｏ磁性層中へのＰｔ添加量で保磁力
Ｈｃを制御した場合、Ｐｔの添加量は約８〜１２ａｔ％
の範囲とするのが適当である。Ｐｔの添加量がこの範囲
より少ないと保磁力Ｈｃが低下して、記録ビット境界の
遷移領域をシャープにすることができず、十分な分解能
を得ることはできない。これとは逆に、Ｐｔの添加量が
この範囲より多いと、保磁力Ｈｃが高くなりすぎて、ヘ
ッドからの漏洩磁界のために十分な分解能を得ることが
できない。従って、磁性層５を構成するＣｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ−Ｂ系合金中のＰｔ含有量は、約８〜１２ａｔ％に設
定することが好ましい。
【００３８】又、好ましくは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系
合金からなる磁性層５のＢ含有量は、約１〜６ａｔ％で
ある。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金からなる磁性層の場合、
Ｂの添加量は１ａｔ％で十分な粒径の微細化が可能であ
り、Ｂの添加量を更に増加することで粒径の更なる微細
化が可能である。しかし、Ｂの添加量が６ａｔ％を超え
ると、飽和磁化Ｍｓが低下する。このため、磁性層５を
構成するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金中のＢの添加量
は、約１〜６ａｔ％に設定することが好ましい。更に、
好ましくは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなる磁性
層５のＣｏ含有量は、約６０ａｔ％以上である。これに
より、磁性層５の膜厚を小さくしても、所望の飽和磁化
Ｍｓを確保することができる。
合金からなる磁性層５のＢ含有量は、約１〜６ａｔ％で
ある。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金からなる磁性層の場合、
Ｂの添加量は１ａｔ％で十分な粒径の微細化が可能であ
り、Ｂの添加量を更に増加することで粒径の更なる微細
化が可能である。しかし、Ｂの添加量が６ａｔ％を超え
ると、飽和磁化Ｍｓが低下する。このため、磁性層５を
構成するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金中のＢの添加量
は、約１〜６ａｔ％に設定することが好ましい。更に、
好ましくは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなる磁性
層５のＣｏ含有量は、約６０ａｔ％以上である。これに
より、磁性層５の膜厚を小さくしても、所望の飽和磁化
Ｍｓを確保することができる。
【００３９】他方、磁性層５の結晶粒径は、種子層２の
結晶粒径に近いことが望ましい。つまり、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ−Ｂ系合金からなる磁性層５の結晶粒系は約８〜１
１ｎｍであり、ＮｉＡｌ種子層２の結晶粒径との粒径比
は約０.８〜１.４であることが望ましい。ここで、粒径
比とは、（ＮｉＡｌ粒径）/（磁性粒径）を言う。
結晶粒径に近いことが望ましい。つまり、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ−Ｂ系合金からなる磁性層５の結晶粒系は約８〜１
１ｎｍであり、ＮｉＡｌ種子層２の結晶粒径との粒径比
は約０.８〜１.４であることが望ましい。ここで、粒径
比とは、（ＮｉＡｌ粒径）/（磁性粒径）を言う。
【００４０】又、磁性層５は、各層がＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
−Ｂ系合金からなる多層構造を有しても良い。例えば、
多層構造の磁性層５を構成する層のうち、下側の基板１
に近い層のＣｒ添加量を多くし、上側の基板１から遠い
層のＣｒ添加量を少なくすることで、磁性粒子間相互作
用が少なく、且つ、膜厚の小さい磁性層５を実現でき
る。更に、多層構造の磁性層５を構成する層のうち、隣
接する層の間に非磁性層を設け、図９に示す種子層２の
多層構造に類似した構成とすることもできる。
−Ｂ系合金からなる多層構造を有しても良い。例えば、
多層構造の磁性層５を構成する層のうち、下側の基板１
に近い層のＣｒ添加量を多くし、上側の基板１から遠い
層のＣｒ添加量を少なくすることで、磁性粒子間相互作
用が少なく、且つ、膜厚の小さい磁性層５を実現でき
る。更に、多層構造の磁性層５を構成する層のうち、隣
接する層の間に非磁性層を設け、図９に示す種子層２の
多層構造に類似した構成とすることもできる。
【００４１】図１３は、飽和磁化のＣｒ濃度依存性を示
す図である。同図中、縦軸は飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ/ｃ
ｃ）を示し、横軸はＣｒ濃度（ａｔ％）を示す。同図に
示す測定結果は、磁気記録媒体の第７実施例を、上記製
造方法の第１実施例と同様の条件下で製造して測定を行
うことで求めた。
す図である。同図中、縦軸は飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ/ｃ
ｃ）を示し、横軸はＣｒ濃度（ａｔ％）を示す。同図に
示す測定結果は、磁気記録媒体の第７実施例を、上記製
造方法の第１実施例と同様の条件下で製造して測定を行
うことで求めた。
【００４２】本実施例では、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合
金からなる磁性層５は、膜厚を２０ｎｍ程度以下にしな
いと配向性が劣化する。又、磁性層５の膜厚が２０ｎｍ
以下でも十分な再生出力を得るためには、飽和磁化Ｍｓ
が２００ｅｍｕ/ｃｃ以上である必要がある。従って、
図１３からも明らかなように、これらの条件を満足する
ためには、Ｃｒ濃度を約２４ａｔ％以下にする必要があ
ることが確認された。図１４は、規格化ノイズのＣｒ濃
度依存性を示す図である。同図中、縦軸は規格化ノイ
ズ、即ち、Ｓ/Ｎ比（ｄＢ：基準媒体比）を示し、横軸
はＣｒ濃度（ａｔ％）を示す。同図中、ＳＬＦ/Ｎｍは
低周波媒体Ｓ/Ｎ比（孤立波媒体Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎ
ｍ）、ＳＨＦ/Ｎｔは高周波トータルＳ/Ｎ比を示す。高
周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔは、孤立波媒体Ｓ/Ｎ
比ＳＬＦ/Ｎｍ及びヘッドＩＣのノイズ等を含む。同図
に示す測定結果は、磁気記録媒体の第７実施例を、上記
製造方法の第１実施例と同様の条件下で製造して測定を
行うことで求めた。又、Ｓ/Ｎ比は、ＣｏＣｒＰｔＢ磁
性層の組成が異なる他は上記と同様に作成した基準媒体
のＳ/Ｎ比を基準にした場合の値で示す。
金からなる磁性層５は、膜厚を２０ｎｍ程度以下にしな
いと配向性が劣化する。又、磁性層５の膜厚が２０ｎｍ
以下でも十分な再生出力を得るためには、飽和磁化Ｍｓ
が２００ｅｍｕ/ｃｃ以上である必要がある。従って、
図１３からも明らかなように、これらの条件を満足する
ためには、Ｃｒ濃度を約２４ａｔ％以下にする必要があ
ることが確認された。図１４は、規格化ノイズのＣｒ濃
度依存性を示す図である。同図中、縦軸は規格化ノイ
ズ、即ち、Ｓ/Ｎ比（ｄＢ：基準媒体比）を示し、横軸
はＣｒ濃度（ａｔ％）を示す。同図中、ＳＬＦ/Ｎｍは
低周波媒体Ｓ/Ｎ比（孤立波媒体Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎ
ｍ）、ＳＨＦ/Ｎｔは高周波トータルＳ/Ｎ比を示す。高
周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔは、孤立波媒体Ｓ/Ｎ
比ＳＬＦ/Ｎｍ及びヘッドＩＣのノイズ等を含む。同図
に示す測定結果は、磁気記録媒体の第７実施例を、上記
製造方法の第１実施例と同様の条件下で製造して測定を
行うことで求めた。又、Ｓ/Ｎ比は、ＣｏＣｒＰｔＢ磁
性層の組成が異なる他は上記と同様に作成した基準媒体
のＳ/Ｎ比を基準にした場合の値で示す。
【００４３】図１４からも明らかなように、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂ系合金からなる磁性層５中のＣｒ濃度は、少
なすぎても多すぎても良好な規格化Ｓ/Ｎ比が得られ
ず、Ｃｒ濃度は約１８〜２４ａｔ％であると良好な規格
化Ｓ/Ｎ比を得られることが確認された。
−Ｐｔ−Ｂ系合金からなる磁性層５中のＣｒ濃度は、少
なすぎても多すぎても良好な規格化Ｓ/Ｎ比が得られ
ず、Ｃｒ濃度は約１８〜２４ａｔ％であると良好な規格
化Ｓ/Ｎ比を得られることが確認された。
【００４４】図１５は、媒体表面のＴＥＭ像を示す図で
ある。先ず、非磁性ＮｉＰめっきされたＡｌ基板を２２
０℃に加熱した後、基板上にＣｒ系合金からなる下地
層、ＣｏＣｒ系合金からなる中間層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
−Ｂ系合金からなる磁性層をＤＣスパッタリングにより
順次成膜した。磁性層におけるＢの添加量を０ａｔ％に
した第１の媒体サンプルと、１ａｔ％にした第２の媒体
サンプルとを作成した。同図中、（ａ）はＢの添加量を
０ａｔ％にした第１の媒体サンプルの媒体表面のＴＥＭ
像を示し、（ｂ）はＢの添加量を１ａｔ％にした第２の
媒体サンプルの媒体表面のＴＥＭ像を示す。同図（ａ）
の場合、磁性粒径は１３.１ｎｍと大きいが、同図
（ｂ）の場合、１ａｔ％のＢ添加により磁性粒径が９.
５ｎｍと微細化されることが確認された。
ある。先ず、非磁性ＮｉＰめっきされたＡｌ基板を２２
０℃に加熱した後、基板上にＣｒ系合金からなる下地
層、ＣｏＣｒ系合金からなる中間層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ
−Ｂ系合金からなる磁性層をＤＣスパッタリングにより
順次成膜した。磁性層におけるＢの添加量を０ａｔ％に
した第１の媒体サンプルと、１ａｔ％にした第２の媒体
サンプルとを作成した。同図中、（ａ）はＢの添加量を
０ａｔ％にした第１の媒体サンプルの媒体表面のＴＥＭ
像を示し、（ｂ）はＢの添加量を１ａｔ％にした第２の
媒体サンプルの媒体表面のＴＥＭ像を示す。同図（ａ）
の場合、磁性粒径は１３.１ｎｍと大きいが、同図
（ｂ）の場合、１ａｔ％のＢ添加により磁性粒径が９.
５ｎｍと微細化されることが確認された。
【００４５】図１６は、規格化ノイズの粒径比依存性を
示す図である。同図中、縦軸は規格化ノイズ（Ｎｍ/Ｓ
ＬＦ）を示し、横軸は種子層２と磁性層５の粒径比、即
ち、（ＮｉＡｌ粒径）/（磁性粒径）を示す。図１６に
示す測定結果は、磁気記録媒体の第７実施例を、上記製
造方法の第１実施例と同様の条件下で製造して測定を行
うことで求めた。粒径比は、ＮｉＡｌ種子層２の膜厚を
変化させることで変えた。又、結晶粒径は、ＴＥＭ像よ
り統計解析を行い、平均粒径を求めることで得た。同図
からも明らかなように、規格化ノイズは、粒径比が約
０.８〜１.４の範囲内であると良好に抑制されることが
確認された。
示す図である。同図中、縦軸は規格化ノイズ（Ｎｍ/Ｓ
ＬＦ）を示し、横軸は種子層２と磁性層５の粒径比、即
ち、（ＮｉＡｌ粒径）/（磁性粒径）を示す。図１６に
示す測定結果は、磁気記録媒体の第７実施例を、上記製
造方法の第１実施例と同様の条件下で製造して測定を行
うことで求めた。粒径比は、ＮｉＡｌ種子層２の膜厚を
変化させることで変えた。又、結晶粒径は、ＴＥＭ像よ
り統計解析を行い、平均粒径を求めることで得た。同図
からも明らかなように、規格化ノイズは、粒径比が約
０.８〜１.４の範囲内であると良好に抑制されることが
確認された。
【００４６】次に、本発明になる磁気記録媒体の第８実
施例を説明する。本実施例では、種子層２と磁性層５の
間に設けられた下地層３が、非磁性Ｃｒ系合金からな
る。図１の構成では、下地層３は種子層２と中間層４と
の間に設けられている。
施例を説明する。本実施例では、種子層２と磁性層５の
間に設けられた下地層３が、非磁性Ｃｒ系合金からな
る。図１の構成では、下地層３は種子層２と中間層４と
の間に設けられている。
【００４７】Ｃｒはｂｃｃ構造を有し、種子層２に用い
るＮｉＡｌのＢ２構造と非常に近い結晶構造を有すると
共に、格子定数もＮｉＡｌの格子定数と近い。又、Ｃｒ
系合金上へは、Ｃｏがエピタキシャル成長しやすく、低
ノイズのＣｏ系磁性層５を成長しやすくなる。更に、Ｃ
ｒ下地層３の格子間隔をＣｏ系磁性層５の格子間隔に近
づけるために、Ｃｒに添加物を添加してＣｒ下地層３の
格子間隔を広げると、特に保磁力Ｈｃを向上することが
できる。Ｃｒへの添加物としては、例えばＭｏ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｗ等を用いることができる。又、これらの添加物の
うち、複数の元素を組み合わせてＣｒに添加しても良
い。Ｃｏ系磁性層５にＰｔを添加して保磁力Ｈｃの向上
を図る場合、Ｐｔ添加に伴うＣｏ格子間隔の増大に合わ
せて下地層３に用いるＣｒ系合金の格子間隔を増大させ
るには、添加物の添加量を０〜２０ａｔ％の範囲に設定
することが望ましい。
るＮｉＡｌのＢ２構造と非常に近い結晶構造を有すると
共に、格子定数もＮｉＡｌの格子定数と近い。又、Ｃｒ
系合金上へは、Ｃｏがエピタキシャル成長しやすく、低
ノイズのＣｏ系磁性層５を成長しやすくなる。更に、Ｃ
ｒ下地層３の格子間隔をＣｏ系磁性層５の格子間隔に近
づけるために、Ｃｒに添加物を添加してＣｒ下地層３の
格子間隔を広げると、特に保磁力Ｈｃを向上することが
できる。Ｃｒへの添加物としては、例えばＭｏ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｗ等を用いることができる。又、これらの添加物の
うち、複数の元素を組み合わせてＣｒに添加しても良
い。Ｃｏ系磁性層５にＰｔを添加して保磁力Ｈｃの向上
を図る場合、Ｐｔ添加に伴うＣｏ格子間隔の増大に合わ
せて下地層３に用いるＣｒ系合金の格子間隔を増大させ
るには、添加物の添加量を０〜２０ａｔ％の範囲に設定
することが望ましい。
【００４８】Ｃｒ下地層３の膜厚を大きくすると、下層
のＮｉＡｌ種子層２のＮｉＡｌの（２１１）面の配向が
乱され、結晶粒径も粗大化してしまう。そこで、Ｃｒ下
地層３の膜厚は、好ましくは約１〜８ｎｍに設定され
る。
のＮｉＡｌ種子層２のＮｉＡｌの（２１１）面の配向が
乱され、結晶粒径も粗大化してしまう。そこで、Ｃｒ下
地層３の膜厚は、好ましくは約１〜８ｎｍに設定され
る。
【００４９】Ｃｒ下地層３は、複数の下地層からなる多
層構造を有しても良い。この場合、Ｃｒ下地層３の多層
構造を構成する複数の下地層のうち、例えばＮｉＡｌ種
子層２に近い側の下地層をＮｉＡｌの格子間隔に近いも
ので形成し、Ｃｏ系磁性層５に近い側の下地層をＣｏの
格子間隔に近いもので形成することで、ＮｉＡｌ，Ｃ
ｒ，Ｃｏの成長をスムースに行うことができ、結晶性及
び配向性の良いＣｏ系磁性層５を形成することが可能と
なる。このように、Ｃｒ下地層３の多層構造を構成する
各下地層の格子間隔を制御するには、格子間隔を増大さ
せるためにＣｒに添加する添加物の量を、多層構造の上
層において下層より多く設定すれば良い。図１７は、保
磁力Ｈｃの下地層３の膜厚依存性を示す図である。又、
図１８は、高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔの下地層
３の膜厚依存性を示す図である。図１８の高周波トータ
ルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔは、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層の組成
が異なる他は上記と同様に作成した基準媒体の高周波ト
ータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔを基準にした場合の値で示
す。図１７及び図１８の調査結果は、上記製造方法の第
１実施例と同様の条件下で、ＣｒＭｏ下地層３の膜厚の
異なる磁気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより測定
を行うことで求めた。図１７からもわかるように、Ｃｒ
Ｍｏ下地層３を設けることにより保磁力Ｈｃが改善され
ることが確認された。又、図１８からもわかるように、
ＣｒＭｏ下地層３を設けることによりＳ/Ｎ比が改善さ
れるが、ＣｒＭｏ下地層３の膜厚をあまり大きくする
と、Ｓ/Ｎ比が低下してしまうことが確認された。従っ
て、ＣｒＭｏ下地層３の膜厚は、好ましくは約１〜８ｎ
ｍであることが確認された。
層構造を有しても良い。この場合、Ｃｒ下地層３の多層
構造を構成する複数の下地層のうち、例えばＮｉＡｌ種
子層２に近い側の下地層をＮｉＡｌの格子間隔に近いも
ので形成し、Ｃｏ系磁性層５に近い側の下地層をＣｏの
格子間隔に近いもので形成することで、ＮｉＡｌ，Ｃ
ｒ，Ｃｏの成長をスムースに行うことができ、結晶性及
び配向性の良いＣｏ系磁性層５を形成することが可能と
なる。このように、Ｃｒ下地層３の多層構造を構成する
各下地層の格子間隔を制御するには、格子間隔を増大さ
せるためにＣｒに添加する添加物の量を、多層構造の上
層において下層より多く設定すれば良い。図１７は、保
磁力Ｈｃの下地層３の膜厚依存性を示す図である。又、
図１８は、高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔの下地層
３の膜厚依存性を示す図である。図１８の高周波トータ
ルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔは、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層の組成
が異なる他は上記と同様に作成した基準媒体の高周波ト
ータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ/Ｎｔを基準にした場合の値で示
す。図１７及び図１８の調査結果は、上記製造方法の第
１実施例と同様の条件下で、ＣｒＭｏ下地層３の膜厚の
異なる磁気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより測定
を行うことで求めた。図１７からもわかるように、Ｃｒ
Ｍｏ下地層３を設けることにより保磁力Ｈｃが改善され
ることが確認された。又、図１８からもわかるように、
ＣｒＭｏ下地層３を設けることによりＳ/Ｎ比が改善さ
れるが、ＣｒＭｏ下地層３の膜厚をあまり大きくする
と、Ｓ/Ｎ比が低下してしまうことが確認された。従っ
て、ＣｒＭｏ下地層３の膜厚は、好ましくは約１〜８ｎ
ｍであることが確認された。
【００５０】図１９及び図２０は、Ｃｒ下地層３を設け
た場合の保磁力Ｈｃの基板温度依存性を、異なる添加物
の添加量について示す図である。図１９及び図２０の調
査結果は、上記製造方法の第１実施例と同様の条件下
で、異なる基板温度で異なる添加物の添加量について磁
気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより測定を行うこ
とで求めた。図１９中、○印はＣｒ下地層３への添加物
がない場合のデータを示し、□印はＣｒ下地層３へのＭ
ｏ添加量が５ａｔ％の場合のデータを示す。又、図２０
中、○印はＣｒ下地層３への添加物がない場合のデータ
を示し、□印はＣｒ下地層３へのＭｏ添加量が１０ａｔ
％の場合のデータを示す。図１９及び図２０からもわか
るように、Ｃｒ下地層３へ添加物であるＭｏを添加する
ことにより、格子整合がなされ、保磁力Ｈｃが向上する
ことが確認された。
た場合の保磁力Ｈｃの基板温度依存性を、異なる添加物
の添加量について示す図である。図１９及び図２０の調
査結果は、上記製造方法の第１実施例と同様の条件下
で、異なる基板温度で異なる添加物の添加量について磁
気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより測定を行うこ
とで求めた。図１９中、○印はＣｒ下地層３への添加物
がない場合のデータを示し、□印はＣｒ下地層３へのＭ
ｏ添加量が５ａｔ％の場合のデータを示す。又、図２０
中、○印はＣｒ下地層３への添加物がない場合のデータ
を示し、□印はＣｒ下地層３へのＭｏ添加量が１０ａｔ
％の場合のデータを示す。図１９及び図２０からもわか
るように、Ｃｒ下地層３へ添加物であるＭｏを添加する
ことにより、格子整合がなされ、保磁力Ｈｃが向上する
ことが確認された。
【００５１】図２１は、面内保磁力のＣｒ下地層３への
Ｍｏ添加量依存性を示す図である。同図に示す調査結果
は、上記製造方法の第１実施例と同様の条件下で、Ｃｒ
下地層３へのＭｏ添加量の異なる磁気記録媒体を製造し
てＧＭＲヘッドにより測定を行うことで求めた。同図か
らもわかるように、面内保磁力増大効果を得るために
は、Ｃｒ下地層３への添加元素量、即ち、Ｍｏ添加量
は、好ましくは約１〜２０ａｔ％であることが確認され
た。
Ｍｏ添加量依存性を示す図である。同図に示す調査結果
は、上記製造方法の第１実施例と同様の条件下で、Ｃｒ
下地層３へのＭｏ添加量の異なる磁気記録媒体を製造し
てＧＭＲヘッドにより測定を行うことで求めた。同図か
らもわかるように、面内保磁力増大効果を得るために
は、Ｃｒ下地層３への添加元素量、即ち、Ｍｏ添加量
は、好ましくは約１〜２０ａｔ％であることが確認され
た。
【００５２】図２２は、ＣｒＭｏ下地層３が単層からな
る場合と、２層からなる場合について測定した面内保磁
力を示す図である。同図では、ＣｒＭｏ下地層３が単層
からなる場合、Ｍｏ添加量が６ａｔ％と１５ａｔ％の場
合の面内保磁力を示す。又、ＣｒＭｏ下地層３が２層か
らなる場合、上側の下地層のＭｏ添加量が１５ａｔ％で
あり下側の下地層のＭｏ添加量が６ａｔ％の場合の面内
保磁力を示す。同図からもわかるように、２層構造を有
するＣｒＭｏ下地層３の方が、同様のＭｏ添加量の単層
構造のＣｒＭｏ下地層３より高い面内保磁力が得られる
ことが確認された。
る場合と、２層からなる場合について測定した面内保磁
力を示す図である。同図では、ＣｒＭｏ下地層３が単層
からなる場合、Ｍｏ添加量が６ａｔ％と１５ａｔ％の場
合の面内保磁力を示す。又、ＣｒＭｏ下地層３が２層か
らなる場合、上側の下地層のＭｏ添加量が１５ａｔ％で
あり下側の下地層のＭｏ添加量が６ａｔ％の場合の面内
保磁力を示す。同図からもわかるように、２層構造を有
するＣｒＭｏ下地層３の方が、同様のＭｏ添加量の単層
構造のＣｒＭｏ下地層３より高い面内保磁力が得られる
ことが確認された。
【００５３】次に、本発明になる磁気記録媒体の第９実
施例を説明する。本実施例では、下地層３と磁性層５と
の間に設けられた中間層４が、Ｃｏ−Ｃｒ系合金からな
る。Ｃｒ下地層上へ直接Ｃｏ磁性層を形成する場合、ヘ
テロエピタキシャル成長されるＣｏ磁性層の初期層の結
晶性は比較的悪い。そこで、本実施例では、非磁性のＣ
ｏ−Ｃｒ系合金からなる中間層４で磁性層５の初期層を
代替することで、媒体ノイズの低減を図る。尚、中間層
４の膜厚は、大きすぎると配向性の劣化や結晶粒径の粗
大化を招くので、約０.５〜５ｎｍに設定することが好
ましい。
施例を説明する。本実施例では、下地層３と磁性層５と
の間に設けられた中間層４が、Ｃｏ−Ｃｒ系合金からな
る。Ｃｒ下地層上へ直接Ｃｏ磁性層を形成する場合、ヘ
テロエピタキシャル成長されるＣｏ磁性層の初期層の結
晶性は比較的悪い。そこで、本実施例では、非磁性のＣ
ｏ−Ｃｒ系合金からなる中間層４で磁性層５の初期層を
代替することで、媒体ノイズの低減を図る。尚、中間層
４の膜厚は、大きすぎると配向性の劣化や結晶粒径の粗
大化を招くので、約０.５〜５ｎｍに設定することが好
ましい。
【００５４】図２３は、保磁力ＨｃのＣｏ−Ｃｒ系合金
からなる中間層４の膜厚依存性を示す図である。図２４
は、低周波媒体Ｓ/Ｎ比ＳＬＦ/ＮｍのＣｏ−Ｃｒ系合金
からなる中間層４の膜厚依存性を示す図である。図２４
の低周波媒体Ｓ/Ｎ比ＳＬＦ/Ｎｍは、ＣｏＣｒＰｔＢ磁
性層の組成が異なる他は上記と同様に作成した基準媒体
の低周波媒体Ｓ/Ｎ比ＳＬＦ/Ｎｍを基準にした場合の値
で示す。又、図２５は、高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ
／ＮｔのＣｏ−Ｃｒ系合金からなる中間層４の膜厚依存
性を示す図である。図２５の高周波トータルＳ/Ｎ比Ｓ
ＨＦ/Ｎｔは、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層の組成が異なる他
は上記と同様に作成した、図２４のデータを求めるのに
用いたのと同じ基準媒体の高周波トータルＳ/Ｎ比Ｓ
ＨＦ/Ｎｔを基準にした場合の値で示す。図２３〜図２
５に示す調査結果は、上記製造方法の第１実施例と同様
の条件下で、Ｃｏ−Ｃｒ系合金からなる中間層４の膜厚
の異なる磁気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより測
定を行うことで求めた。尚、中間層４の膜厚が０の場合
は、中間層４を設けない場合に相当する。又、図２４及
び図２５における磁性材料Ｍ１，Ｍ２は、夫々磁性層５
のＣｒ含有量が２４ａｔ％，２２ａｔ％の場合を示す。
特に図２４及び図２５からもわかるように、非磁性Ｃｏ
−Ｃｒ系合金からなる中間層４を設けることで、磁性層
５に用いる磁性材料にかかわらず、Ｓ/Ｎ比が著しく改
善されることが確認された。更に、図２３〜図２５から
も明らかなように、中間層４の膜厚は、大きすぎるとＳ
/Ｎ比の低下につながるので、約０.５〜５ｎｍに設定す
ることが好ましいことも確認された。
からなる中間層４の膜厚依存性を示す図である。図２４
は、低周波媒体Ｓ/Ｎ比ＳＬＦ/ＮｍのＣｏ−Ｃｒ系合金
からなる中間層４の膜厚依存性を示す図である。図２４
の低周波媒体Ｓ/Ｎ比ＳＬＦ/Ｎｍは、ＣｏＣｒＰｔＢ磁
性層の組成が異なる他は上記と同様に作成した基準媒体
の低周波媒体Ｓ/Ｎ比ＳＬＦ/Ｎｍを基準にした場合の値
で示す。又、図２５は、高周波トータルＳ/Ｎ比ＳＨＦ
／ＮｔのＣｏ−Ｃｒ系合金からなる中間層４の膜厚依存
性を示す図である。図２５の高周波トータルＳ/Ｎ比Ｓ
ＨＦ/Ｎｔは、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層の組成が異なる他
は上記と同様に作成した、図２４のデータを求めるのに
用いたのと同じ基準媒体の高周波トータルＳ/Ｎ比Ｓ
ＨＦ/Ｎｔを基準にした場合の値で示す。図２３〜図２
５に示す調査結果は、上記製造方法の第１実施例と同様
の条件下で、Ｃｏ−Ｃｒ系合金からなる中間層４の膜厚
の異なる磁気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより測
定を行うことで求めた。尚、中間層４の膜厚が０の場合
は、中間層４を設けない場合に相当する。又、図２４及
び図２５における磁性材料Ｍ１，Ｍ２は、夫々磁性層５
のＣｒ含有量が２４ａｔ％，２２ａｔ％の場合を示す。
特に図２４及び図２５からもわかるように、非磁性Ｃｏ
−Ｃｒ系合金からなる中間層４を設けることで、磁性層
５に用いる磁性材料にかかわらず、Ｓ/Ｎ比が著しく改
善されることが確認された。更に、図２３〜図２５から
も明らかなように、中間層４の膜厚は、大きすぎるとＳ
/Ｎ比の低下につながるので、約０.５〜５ｎｍに設定す
ることが好ましいことも確認された。
【００５５】次に、本発明になる磁気記録媒体の製造方
法の第２実施例を説明する。保磁力、角型性及びノイズ
特性の面で優れた磁気記録媒体を製造するには、製造時
の各種条件を適切に設定することも重要である。
法の第２実施例を説明する。保磁力、角型性及びノイズ
特性の面で優れた磁気記録媒体を製造するには、製造時
の各種条件を適切に設定することも重要である。
【００５６】本実施例では、静止対向型スパッタ装置を
用いて、ＤＣスパッタリングにより磁気記録媒体の各層
を形成する。スパッタリングを行う際のＡｒガス圧は、
約３〜１０ｍＴｏｒｒに設定することが好ましい。
用いて、ＤＣスパッタリングにより磁気記録媒体の各層
を形成する。スパッタリングを行う際のＡｒガス圧は、
約３〜１０ｍＴｏｒｒに設定することが好ましい。
【００５７】又、種子層２及び磁性層５の成膜温度も、
磁気記録媒体の特性を左右する重要な因子である。Ｎｉ
Ａｌ種子層２の成膜温度が２００℃より低い場合、十分
な結晶化が起こらず、満足な保磁力を得ることができな
い。他方、ＮｉＡｌ種子層２の成膜温度が２８０℃より
高い場合、ＮｉＡｌ種子層２の結晶粒が粗大化してしま
い、媒体ノイズが増大する。このため、ＮｉＡｌ種子層
２の成膜温度は、約２００〜２８０℃に設定することが
好ましい。更に、磁性層５の成膜温度が１６０℃より低
い場合、磁性層５中のＣｒの粒界への偏析が不充分とな
り、Ｃｏ粒子間で相互作用が大きくなって、保磁力の低
下及び媒体のノイズの増大を招く。他方、磁性層５の成
膜温度が２２０℃より高い場合、結晶粒径の粗大化によ
り、保磁力が低下し、媒体ノイズが増大してしまう。従
って、磁性層５の成膜温度は、約１６０〜２２０℃に設
定することが好ましい。ＮｉＡｌ種子層２及び磁性層５
の成膜温度は、夫々上記の如き好ましい範囲内に設定さ
れていないと、十分な静磁気特性及びＳ/Ｎ比を得るこ
とはできない。
磁気記録媒体の特性を左右する重要な因子である。Ｎｉ
Ａｌ種子層２の成膜温度が２００℃より低い場合、十分
な結晶化が起こらず、満足な保磁力を得ることができな
い。他方、ＮｉＡｌ種子層２の成膜温度が２８０℃より
高い場合、ＮｉＡｌ種子層２の結晶粒が粗大化してしま
い、媒体ノイズが増大する。このため、ＮｉＡｌ種子層
２の成膜温度は、約２００〜２８０℃に設定することが
好ましい。更に、磁性層５の成膜温度が１６０℃より低
い場合、磁性層５中のＣｒの粒界への偏析が不充分とな
り、Ｃｏ粒子間で相互作用が大きくなって、保磁力の低
下及び媒体のノイズの増大を招く。他方、磁性層５の成
膜温度が２２０℃より高い場合、結晶粒径の粗大化によ
り、保磁力が低下し、媒体ノイズが増大してしまう。従
って、磁性層５の成膜温度は、約１６０〜２２０℃に設
定することが好ましい。ＮｉＡｌ種子層２及び磁性層５
の成膜温度は、夫々上記の如き好ましい範囲内に設定さ
れていないと、十分な静磁気特性及びＳ/Ｎ比を得るこ
とはできない。
【００５８】図２６は、保磁力Ｈｃの種子層２の成膜温
度依存性を示す図であり、図２７は、孤立波媒体Ｓ/Ｎ
比Ｓｉｓｏ/Ｎｍの種子層２の成膜温度依存性を示す図
である。図２６及び図２７に示す調査結果は、本実施例
の条件下で磁気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより
測定を行うことで求めた。本実施例では、ガラス基板１
を約２２０℃に加熱した後、ＤＣスパッタリングにより
ＮｉＡｌ種子層２を６０ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０下地層
３を４ｎｍ、ＣｏＣｒ中間層４を１.５ｎｍ、ＣｏＣｒ
ＰｔＢ磁性層５及びＣ保護層６を順次形成した。ガス圧
は、ＮｉＡｌ種子層２〜ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層５までの
成膜は５ｍＴｏｒｒで、Ｃ保護層６の成膜は８ｍＴｏｒ
ｒで行った。ＮｉＡｌ種子層２については、加熱条件を
種々設定して、２種類の組成の磁性層５について、保磁
力Ｈｃ及び孤立波媒体Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎｍの変化を調
査した。図２６及び図２７中、△印及び○印は、夫々２
種類の組成の磁性層５を用いた場合のデータを示す。図
２６及び図２７からも明らかなように、ＮｉＡｌ種子層
２の成膜温度は、約２００〜２８０℃の範囲に設定され
ると、保磁力Ｈｃ及び孤立波媒体Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎｍ
がともに改善されることが確認された。
度依存性を示す図であり、図２７は、孤立波媒体Ｓ/Ｎ
比Ｓｉｓｏ/Ｎｍの種子層２の成膜温度依存性を示す図
である。図２６及び図２７に示す調査結果は、本実施例
の条件下で磁気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより
測定を行うことで求めた。本実施例では、ガラス基板１
を約２２０℃に加熱した後、ＤＣスパッタリングにより
ＮｉＡｌ種子層２を６０ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０下地層
３を４ｎｍ、ＣｏＣｒ中間層４を１.５ｎｍ、ＣｏＣｒ
ＰｔＢ磁性層５及びＣ保護層６を順次形成した。ガス圧
は、ＮｉＡｌ種子層２〜ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層５までの
成膜は５ｍＴｏｒｒで、Ｃ保護層６の成膜は８ｍＴｏｒ
ｒで行った。ＮｉＡｌ種子層２については、加熱条件を
種々設定して、２種類の組成の磁性層５について、保磁
力Ｈｃ及び孤立波媒体Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎｍの変化を調
査した。図２６及び図２７中、△印及び○印は、夫々２
種類の組成の磁性層５を用いた場合のデータを示す。図
２６及び図２７からも明らかなように、ＮｉＡｌ種子層
２の成膜温度は、約２００〜２８０℃の範囲に設定され
ると、保磁力Ｈｃ及び孤立波媒体Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎｍ
がともに改善されることが確認された。
【００５９】図２８は、保磁力Ｈｃの磁性層５の成膜温
度依存性を示す図であり、図２９は、孤立波媒体Ｓ/Ｎ
比Ｓｉｓｏ/Ｎｍの磁性層５の成膜温度依存性を示す図
である。図２８及び図２９に示す調査結果は、上記図２
６及び図２７を求める際の条件と同様に設定した。又、
磁性層５については、加熱条件を種々設定して、２種類
の組成の磁性層５について、保磁力Ｈｃ及び孤立波媒体
Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎｍの変化を調査した。図２８及び図
２９中、△印及び○印は、夫々２種類の組成の磁性層５
を用いた場合のデータを示す。図２８及び図２９からも
明らかなように、磁性層５の成膜温度は、約１６０〜２
２０℃の範囲に設定されると、保磁力Ｈｃ及び孤立波媒
体Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎｍがともに改善されることが確認
された。
度依存性を示す図であり、図２９は、孤立波媒体Ｓ/Ｎ
比Ｓｉｓｏ/Ｎｍの磁性層５の成膜温度依存性を示す図
である。図２８及び図２９に示す調査結果は、上記図２
６及び図２７を求める際の条件と同様に設定した。又、
磁性層５については、加熱条件を種々設定して、２種類
の組成の磁性層５について、保磁力Ｈｃ及び孤立波媒体
Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎｍの変化を調査した。図２８及び図
２９中、△印及び○印は、夫々２種類の組成の磁性層５
を用いた場合のデータを示す。図２８及び図２９からも
明らかなように、磁性層５の成膜温度は、約１６０〜２
２０℃の範囲に設定されると、保磁力Ｈｃ及び孤立波媒
体Ｓ/Ｎ比Ｓｉｓｏ/Ｎｍがともに改善されることが確認
された。
【００６０】又、磁性層５の成膜後に、アニール処理を
行うと、磁気記録媒体の特性を更に向上することができ
る。このようなアニール処理を行うと、磁性層５のＣｒ
偏析をより促進することができ、結晶粒径の更なる微細
化を安定に制御することが可能となる。尚、アニール処
理は、保護層６の成膜後に行っても良い。
行うと、磁気記録媒体の特性を更に向上することができ
る。このようなアニール処理を行うと、磁性層５のＣｒ
偏析をより促進することができ、結晶粒径の更なる微細
化を安定に制御することが可能となる。尚、アニール処
理は、保護層６の成膜後に行っても良い。
【００６１】図３０は、磁性層５の成膜後にアニール処
理を行った場合に得られる磁気記録媒体の静磁気特性を
示す図である。図３０に示す調査結果は、本実施例の条
件下で磁気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより測定
を行うことで求めた。本実施例では、ガラス基板１を約
２２０℃に加熱した後、ＤＣスパッタリングによりＮｉ
Ａｌ種子層２を６０ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０下地層３を
３ｎｍ、ＣｏＣｒ中間層４を１.５ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔ
Ｂ磁性層５及びＣ保護層６を順次形成した。ガス圧は、
ＮｉＡｌ種子層２〜ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層５までの成膜
は５ｍＴｏｒｒで、Ｃ保護層６の成膜は８ｍＴｏｒｒで
行った。又、磁性層５の成膜後に、各種アニール温度で
アニール処理を行った。尚、比較のために、アニール処
理を行わない場合についても静磁気特性を測定した。図
３０からも明らかなように、アニール処理は、角型性
Ｓ，Ｓ＊の向上に寄与し、条件によっては面内保磁力も
向上するが、アニール温度が高すぎると、結晶粒径の粗
大化を招いて結果的に面内保磁力の低下や、基板１への
過剰な熱履歴付与により基板１の変形等の不具合を引き
起こす可能性がある。このため、同図に示すように、ア
ニール温度の上限は、約２００℃に設定することが好ま
しい。
理を行った場合に得られる磁気記録媒体の静磁気特性を
示す図である。図３０に示す調査結果は、本実施例の条
件下で磁気記録媒体を製造してＧＭＲヘッドにより測定
を行うことで求めた。本実施例では、ガラス基板１を約
２２０℃に加熱した後、ＤＣスパッタリングによりＮｉ
Ａｌ種子層２を６０ｎｍ、Ｃｒ９０Ｍｏ１０下地層３を
３ｎｍ、ＣｏＣｒ中間層４を１.５ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔ
Ｂ磁性層５及びＣ保護層６を順次形成した。ガス圧は、
ＮｉＡｌ種子層２〜ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層５までの成膜
は５ｍＴｏｒｒで、Ｃ保護層６の成膜は８ｍＴｏｒｒで
行った。又、磁性層５の成膜後に、各種アニール温度で
アニール処理を行った。尚、比較のために、アニール処
理を行わない場合についても静磁気特性を測定した。図
３０からも明らかなように、アニール処理は、角型性
Ｓ，Ｓ＊の向上に寄与し、条件によっては面内保磁力も
向上するが、アニール温度が高すぎると、結晶粒径の粗
大化を招いて結果的に面内保磁力の低下や、基板１への
過剰な熱履歴付与により基板１の変形等の不具合を引き
起こす可能性がある。このため、同図に示すように、ア
ニール温度の上限は、約２００℃に設定することが好ま
しい。
【００６２】図３１は、角型性を説明するためのＭ−Ｈ
曲線を示す図である。同図中、縦軸は磁化Ｍ、横軸は磁
場Ｈを示す。又、Ｍｒは残留磁化、Ｍｓは飽和磁化、Ｈ
ｃは保磁力、ΔＨは第２象限においてヒステリーシスル
ープ上にＨｃから引いた接線とＭｓ値との交点に対応す
る磁場を示す。
曲線を示す図である。同図中、縦軸は磁化Ｍ、横軸は磁
場Ｈを示す。又、Ｍｒは残留磁化、Ｍｓは飽和磁化、Ｈ
ｃは保磁力、ΔＨは第２象限においてヒステリーシスル
ープ上にＨｃから引いた接線とＭｓ値との交点に対応す
る磁場を示す。
【００６３】上記角型性Ｓは、Ｓ＝Ｍｒ/Ｍｓで表さ
れ、角型性Ｓ＊はＳ＊＝ΔＨ/Ｈｃで表される。角型性
Ｓ，Ｓ＊は、いずれも略配向性に対応しており、値が大
きく１に近いほど良好であることを示す。
れ、角型性Ｓ＊はＳ＊＝ΔＨ/Ｈｃで表される。角型性
Ｓ，Ｓ＊は、いずれも略配向性に対応しており、値が大
きく１に近いほど良好であることを示す。
【００６４】図３２は、本発明になる磁気記憶装置の一
実施例を示す平面図である。同図では、本発明がハード
ディスク装置（ＨＤＤ）に適用されている。
実施例を示す平面図である。同図では、本発明がハード
ディスク装置（ＨＤＤ）に適用されている。
【００６５】図３２に示すように、ＨＤＤ１００のハウ
ジング１０１には、回転軸１０２、回転軸１０２に装着
される磁気ディスク１０３、磁気ディスク１０３に対向
する浮上ヘッドスライダ１０４、アーム軸１０５、浮上
ヘッドスライダ１０４を先端に固着してアーム軸１０５
を中心に磁気ディスク１０３上を水平に移動するキャリ
ッジアーム１０６及びキャリッジアーム１０６を駆動し
て水平移動させるアクチュエータ１０７が収容される。
磁気ディスク１０３に対して情報の記録又は再生を行う
場合には、磁気回路で構成されたアクチュエータ１０７
によりキャリッジアーム１０６が駆動され、浮上ヘッド
スライダ１０４が回転する磁気ディスク１０３上の所望
のトラックに位置決めされる。浮上ヘッドスライダ１０
４の先端には、磁気ヘッド２００が設けられている。
尚、図３２は、便宜上、ハウジング１０１の上部に設け
られるカバーを取り外した状態を示している。
ジング１０１には、回転軸１０２、回転軸１０２に装着
される磁気ディスク１０３、磁気ディスク１０３に対向
する浮上ヘッドスライダ１０４、アーム軸１０５、浮上
ヘッドスライダ１０４を先端に固着してアーム軸１０５
を中心に磁気ディスク１０３上を水平に移動するキャリ
ッジアーム１０６及びキャリッジアーム１０６を駆動し
て水平移動させるアクチュエータ１０７が収容される。
磁気ディスク１０３に対して情報の記録又は再生を行う
場合には、磁気回路で構成されたアクチュエータ１０７
によりキャリッジアーム１０６が駆動され、浮上ヘッド
スライダ１０４が回転する磁気ディスク１０３上の所望
のトラックに位置決めされる。浮上ヘッドスライダ１０
４の先端には、磁気ヘッド２００が設けられている。
尚、図３２は、便宜上、ハウジング１０１の上部に設け
られるカバーを取り外した状態を示している。
【００６６】磁気ディスク１０３は、上記磁気記録媒体
の実施例のいずれかの構造を有する。又、磁気ディスク
１０３は、複数設けられていても良い。この場合、磁気
ヘッド２００等も磁気ディスク１０３の数に応じた数だ
け設けられることは、言うまでもない。
の実施例のいずれかの構造を有する。又、磁気ディスク
１０３は、複数設けられていても良い。この場合、磁気
ヘッド２００等も磁気ディスク１０３の数に応じた数だ
け設けられることは、言うまでもない。
【００６７】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
【００６８】本発明は、以下に付記する発明をも包含す
るものである。
るものである。
【００６９】（付記１） 基板上に設けられた非磁性種
子層と、該非磁性種子層上に１又は複数の層を介して形
成された磁性層とを備えた磁気記録媒体において、該非
磁性種子層は、酸素濃度が約１５００〜４０００ｐｐｍ
のＮｉＡｌからなることを特徴とする、磁気記録媒体。
子層と、該非磁性種子層上に１又は複数の層を介して形
成された磁性層とを備えた磁気記録媒体において、該非
磁性種子層は、酸素濃度が約１５００〜４０００ｐｐｍ
のＮｉＡｌからなることを特徴とする、磁気記録媒体。
【００７０】（付記２） 前記非磁性種子層では、Ｎｉ
Ａｌ結晶粒内に酸素がごま状に偏在していることを特徴
とする、（付記１）記載の磁気記録媒体。
Ａｌ結晶粒内に酸素がごま状に偏在していることを特徴
とする、（付記１）記載の磁気記録媒体。
【００７１】（付記３） 前記非磁性種子層の膜厚は、
約４０〜８０ｎｍであることを特徴とする、（付記１）
又は（付記２）記載の磁気記録媒体。
約４０〜８０ｎｍであることを特徴とする、（付記１）
又は（付記２）記載の磁気記録媒体。
【００７２】（付記４） 前記非磁性種子層のＮｉＡｌ
結晶粒径は、約８〜１１ｎｍであることを特徴とする、
（付記１）〜（付記３）のいずれか１項記載の磁気記録
媒体。
結晶粒径は、約８〜１１ｎｍであることを特徴とする、
（付記１）〜（付記３）のいずれか１項記載の磁気記録
媒体。
【００７３】（付記５） 前記非磁性種子層は、複数の
種子層からなることを特徴とする、（付記１）又は（付
記２）記載の磁気記録媒体。
種子層からなることを特徴とする、（付記１）又は（付
記２）記載の磁気記録媒体。
【００７４】（付記６） 前記複数の種子層のうち、隣
接する種子層は非磁性層により分断されていることを特
徴とする、（付記５）記載の磁気記録媒体。
接する種子層は非磁性層により分断されていることを特
徴とする、（付記５）記載の磁気記録媒体。
【００７５】（付記７） 前記複数の種子層は、酸素含
有量が異なり、前記基板に近い側の種子層の酸素含有量
は該基板から遠い側の種子層の酸素含有量より大きいこ
とを特徴とする、（付記５）又は（付記６）記載の磁気
記録媒体。
有量が異なり、前記基板に近い側の種子層の酸素含有量
は該基板から遠い側の種子層の酸素含有量より大きいこ
とを特徴とする、（付記５）又は（付記６）記載の磁気
記録媒体。
【００７６】（付記８） 前記基板は、非磁性で結晶化
ガラスからなることを特徴とする、（付記１）〜（付記
７）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
ガラスからなることを特徴とする、（付記１）〜（付記
７）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００７７】（付記９） 前記磁性層は、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ−Ｂ系合金からなることを特徴とする、（付記１）
〜（付記８）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
Ｐｔ−Ｂ系合金からなることを特徴とする、（付記１）
〜（付記８）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００７８】（付記１０） 前記磁性層は、Ｃｒ含有量
が約１８〜２４ａｔ％であることを特徴とする、（付記
１）〜（付記９）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
が約１８〜２４ａｔ％であることを特徴とする、（付記
１）〜（付記９）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００７９】（付記１１） 前記磁性層は、Ｐｔ含有量
が約８〜１２ａｔ％であることを特徴とする、（付記
１）〜（付記１０）のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
が約８〜１２ａｔ％であることを特徴とする、（付記
１）〜（付記１０）のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
【００８０】（付記１２） 前記磁性層は、Ｂ含有量が
約１〜６ａｔ％であることを特徴とする、（付記１）〜
（付記１１）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
約１〜６ａｔ％であることを特徴とする、（付記１）〜
（付記１１）のいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【００８１】（付記１３） 前記磁性層は、Ｃｏ含有量
が約６０ａｔ％以上であることを特徴とする、（付記
１）〜（付記１２）のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
が約６０ａｔ％以上であることを特徴とする、（付記
１）〜（付記１２）のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
【００８２】（付記１４） 前記磁性層の結晶粒径は、
約８〜１１ｎｍであり、前記非磁性種子層の結晶粒径と
の粒径比は約０.８〜１.４であることを特徴とする、
（付記１）〜（付記３）のいずれか１項記載の磁気記録
媒体。
約８〜１１ｎｍであり、前記非磁性種子層の結晶粒径と
の粒径比は約０.８〜１.４であることを特徴とする、
（付記１）〜（付記３）のいずれか１項記載の磁気記録
媒体。
【００８３】（付記１５） 前記磁性層は、各層がＣｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなる多層構造を有すること
を特徴とする、（付記１）〜（付記８）のいずれか１項
記載の磁気記録媒体。
−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなる多層構造を有すること
を特徴とする、（付記１）〜（付記８）のいずれか１項
記載の磁気記録媒体。
【００８４】（付記１６） 前記非磁性種子層と前記磁
性層との間に設けられた下地層を更に備え、該下地層は
非磁性Ｃｒ系合金からなることを特徴とする、（付記
１）〜（付記１５）のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
性層との間に設けられた下地層を更に備え、該下地層は
非磁性Ｃｒ系合金からなることを特徴とする、（付記
１）〜（付記１５）のいずれか１項記載の磁気記録媒
体。
【００８５】（付記１７） 基板上に設けられた非磁性
種子層と、該非磁性種子層上に１又は複数の層を介して
形成された磁性層とを備えた磁気記録媒体の製造方法で
あって、約２００〜２８０℃の範囲でＮｉＡｌを成膜し
て該非磁性種子層を形成するステップを含むことを特徴
とする、磁気記録媒体の製造方法。
種子層と、該非磁性種子層上に１又は複数の層を介して
形成された磁性層とを備えた磁気記録媒体の製造方法で
あって、約２００〜２８０℃の範囲でＮｉＡｌを成膜し
て該非磁性種子層を形成するステップを含むことを特徴
とする、磁気記録媒体の製造方法。
【００８６】（付記１８） 前記磁性層を、約１６０〜
２００℃の範囲で成膜するステップを更に含むことを特
徴とする、（付記１７）記載の磁気記録媒体の製造方
法。
２００℃の範囲で成膜するステップを更に含むことを特
徴とする、（付記１７）記載の磁気記録媒体の製造方
法。
【００８７】（付記１９） 前記磁性層の成膜後に、ア
ニールを行うステップを更に含むことを特徴とする、
（付記１８）記載の磁気記録媒体の製造方法。
ニールを行うステップを更に含むことを特徴とする、
（付記１８）記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００８８】（付記２０） 前記アニールの上限温度
は、約２００℃であることを特徴とする、（付記１９）
記載の磁気記録媒体の製造方法。
は、約２００℃であることを特徴とする、（付記１９）
記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００８９】（付記２１） （付記１）〜（付記１６）
のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備
えたことを特徴とする、磁気記憶装置。
のいずれか１項記載の磁気記録媒体を少なくとも１つ備
えたことを特徴とする、磁気記憶装置。
【００９０】
【発明の効果】本発明によれば、保磁力、角型性及び媒
体ノイズの更なる向上を可能とする磁気記録媒体及びそ
の製造方法並びにそのような磁気記録媒体を備えた磁気
記憶装置を実現可能となる。
体ノイズの更なる向上を可能とする磁気記録媒体及びそ
の製造方法並びにそのような磁気記録媒体を備えた磁気
記憶装置を実現可能となる。
【図１】本発明になる磁気記録媒体の第１実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】種子層における酸素濃度を変化に対する電磁変
換特性の変化の調査結果を示す図である。
換特性の変化の調査結果を示す図である。
【図３】種子層における微小スポットのＳＴＥＭ暗視野
像を示す図である。
像を示す図である。
【図４】種子層における微小スポットのＥＤＳ分析結果
を示す図である。
を示す図である。
【図５】電磁変換特性の種子層の膜厚依存性を示す図で
ある。
ある。
【図６】媒体ノイズのＮｉＡｌ結晶粒径依存性を示す図
である。
である。
【図７】本発明になる磁気記録媒体の第５実施例の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】電磁変換特性の調査結果を示す図である。
【図９】磁気記録媒体の第５実施例の変形例の要部を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１０】第５実施例の変形例の媒体特性を示す図であ
る。
る。
【図１１】基板に結晶化ガラスを用いた場合と、化学強
化ガラスを用いた場合に形成される種子層のＮｉＡｌ結
晶粒径を示す図である。
化ガラスを用いた場合に形成される種子層のＮｉＡｌ結
晶粒径を示す図である。
【図１２】基板に結晶化ガラス及び化学強化ガラスを用
いた場合の媒体ノイズの測定結果を示す図である。
いた場合の媒体ノイズの測定結果を示す図である。
【図１３】飽和磁化のＣｒ濃度依存性を示す図である。
【図１４】規格化ノイズのＣｒ濃度依存性を示す図であ
る。
る。
【図１５】媒体表面のＴＥＭ像を示す図である。
【図１６】規格化ノイズの粒径比依存性を示す図であ
る。
る。
【図１７】保磁力の下地層の膜厚依存性を示す図であ
る。
る。
【図１８】高周波トータルＳ/Ｎ比の下地層の膜厚依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図１９】下地層を設けた場合の保磁力の基板温度依存
性を、異なる添加物の添加量について示す図である。
性を、異なる添加物の添加量について示す図である。
【図２０】下地層を設けた場合の保磁力の基板温度依存
性を、異なる添加物の添加量について示す図である。
性を、異なる添加物の添加量について示す図である。
【図２１】面内保磁力のＣｒ下地層へのＭｏ添加量依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図２２】ＣｒＭｏ下地層が単層からなる場合と、２層
からなる場合について測定した面内保磁力を示す図であ
る。
からなる場合について測定した面内保磁力を示す図であ
る。
【図２３】保磁力の中間層の膜厚依存性を示す図であ
る。
る。
【図２４】低周波媒体Ｓ/Ｎ比の中間層の膜厚依存性を
示す図である。
示す図である。
【図２５】高周波トータルＳ/Ｎ比の中間層の膜厚依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図２６】保磁力の種子層の成膜温度依存性を示す図で
ある。
ある。
【図２７】孤立波媒体Ｓ/Ｎ比の種子層の成膜温度依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図２８】保磁力の磁性層の成膜温度依存性を示す図で
ある。
ある。
【図２９】孤立波媒体Ｓ/Ｎ比の磁性層の成膜温度依存
性を示す図である。
性を示す図である。
【図３０】磁性層の成膜後にアニール処理を行った場合
に得られる磁気記録媒体の静磁気特性を示す図である。
に得られる磁気記録媒体の静磁気特性を示す図である。
【図３１】角型性を説明するためのＭ−Ｈ曲線を示す図
である。
である。
【図３２】本発明になる磁気記憶装置の一実施例を示す
平面図である。
平面図である。
１ 基板 ２ 種子層 ３ 下地層 ４ 中間層 ５ 磁性層 ６ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 梅田 久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 岡本 巌 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 CA01 CA05 CA06 DA03 EA03 FA09 5D112 AA03 AA05 AA11 AA24 BD03 FA04 FB19
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に設けられた非磁性種子層と、該
非磁性種子層上に１又は複数の層を介して形成された磁
性層とを備えた磁気記録媒体において、 該非磁性種子層は、酸素濃度が約１５００〜４０００ｐ
ｐｍのＮｉＡｌからなることを特徴とする、磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 前記非磁性種子層では、ＮｉＡｌ結晶粒
内に酸素がごま状に偏在していることを特徴とする、請
求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記非磁性種子層の膜厚は、約４０〜８
０ｎｍであることを特徴とする、請求項１又は２記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記非磁性種子層のＮｉＡｌ結晶粒径
は、約８〜１１ｎｍであることを特徴とする、請求項１
〜３のいずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 前記非磁性種子層は、複数の種子層から
なることを特徴とする、請求項１又は２記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項６】 基板上に設けられた非磁性種子層と、該
非磁性種子層上に１又は複数の層を介して形成された磁
性層とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、 約２００〜２８０℃の範囲でＮｉＡｌを成膜して該非磁
性種子層を形成するステップを含むことを特徴とする、
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１〜５のいずれか１項記載の磁気
記録媒体を少なくとも１つ備えたことを特徴とする、磁
気記憶装置。
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|---|---|---|---|
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| JP2000107078A JP2001291231A (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置 |
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-
2000
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