JPH10334443A - 垂直磁気記録媒体および記録再生装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体および記録再生装置Info
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Abstract
磁気記録媒体およびこれを用いた記録再生装置を提供す
る。 【解決手段】主記録層であるCo合金系の垂直磁気記録
媒体の表面に軟磁性膜もしくは面内磁化膜を形成し、垂
直磁気記録層の表面に存在する磁化揺らぎを低減する。
Description
適する磁性膜を有する磁気記録媒体およびこれを用いた
記録再生装置に関する。
は、面内磁気記録方式が採用されている。ディスク基板
面と平行な方向に磁化し易い面内磁気記録媒体に基板と
平行な面内磁区を高密度に形成することが技術課題とな
っている。この面内磁気記録媒体の記録密度を伸ばす方
式として、面内方向に磁化容易軸を持つ記録媒体表面
に、極薄の軟磁性膜を形成したキーパードメディアを用
いる方法が提案されている。
関する第41回年次会議(41stAnnual Conference on
Magnetism & Magnetic Materials)(November12−1
5,1996)で発行されたアブストラクト集の116
ページ(論文番号DQ−13)および133ページ(論
文番号EB−12)などに掲載されている。
り、自己記録再生方式の薄膜ヘッドを用いて、磁気記録
の面記録密度を1Gb/in2 以上に向上できることが述
べられているが、面内記録方式の場合は、このような技
術を用いても本質的に互いに隣接する記録ビットの磁化
が互いに向あっているため、境界に幅をもった磁化遷移
領域が形成されるため、5Gb/in2 以上の面記録密度
を実現するためには、技術的な困難が予想される。
に磁化を形成する方式で、記録原理や媒体ノイズの発現
機構が従来の面内磁気記録媒体の場合とは異なるが、隣
接する磁化が向き合わないために、本質的に高密度磁気
記録に適した方式として注目され、垂直磁気記録に適し
た媒体の構造などが提案されている。
向性を改善するために垂直磁化膜と基板との間に非磁性
材料下地を設ける方法が検討されている。例えば、特開
昭58−77025 号,特開昭58−141435号にはCo−Cr磁
性膜の下地層としてTi膜を形成する方法が、特開昭60
−214417号には下地層としてGe,Si材料を用いる方
法が、特開昭60−064413号にはCoO,NiO等の酸化
物下地層材料が開示されている。また、単磁極型の記録
ヘッドと組み合わせて用いられる垂直磁気記録媒体とし
て基板と垂直磁化膜の間にパーマロイなどの軟磁性膜層
を設けた媒体が検討されている。
密度磁気記録が可能な垂直磁気記録媒体としては、線記
録密度分解能が大きいことに加えて媒体ノイズが小さい
ことが必要である。今まで報告されている公知例では、
例えば第5回垂直磁気記録シンポジウム会議資料集(1
996年10月23日−25日)95頁から100頁に
記載されている「単層垂直磁気ディスク媒体の高S/N
化」と題する論文に記載されているように、垂直磁化膜
の厚さを小さくする、垂直磁化膜と基板の間に非磁性の
CoCr下地を導入する、あるいはCo合金磁性膜の添
加元素としてTa等の非磁性元素を添加する、磁性結晶
粒径を小さくするなどが有効であることが知られてい
る。このような対策を行うことで媒体ノイズをかなり低
減できるが、さらにノイズを低減できれば磁気記録装置
の記録密度をより容易に伸ばすことが可能となる。
を実現するための低ノイズ特性をもつ垂直磁気記録媒体
を提供し、高密度記録再生装置の実現を容易ならしめる
ことを目的とする。
顕微鏡や走査型スピン電子検出型顕微鏡によって調べた
結果、大部分のノイズは媒体面に存在する逆磁区や磁化
のミクロ的な揺らぎが原因であることが判明した。媒体
ノイズを減らすためには、逆磁区を減らすとともに、媒
体の表面に存在するミクロな磁化の揺らぎを減らさなけ
ればならない。
記録を可能とする、低ノイズ特性と高線記録密度特性を
合わせ持つ垂直磁気記録媒体およびこれを用いた記録再
生装置を提供することを目的とする。
以下の方法を用いれば良いことが本発明者の実験の結果
明かになった。逆磁区の原因は、垂直磁化膜を一方向に
垂直磁化すると媒体表面には強い反磁界が作用する。こ
の反磁界の作用で、垂直磁化した方向とは逆の向きを持
つ、いわゆる逆磁区が形成される。この逆磁区の形成を
妨げるためには、磁気異方性エネルギーを有する垂直磁
化膜を採用する必要がある。磁気異方性エネルギーは、
2.5×106erg/cc 以上あることが望ましい。
を用いた垂直磁化膜の磁気異方性エネルギーの値は5×
106erg/ccである。この値以上の磁気異方性エネルギ
ーを持つCo合金系規則格子材料も存在するが、磁性膜
の面内方向の相互作用が強いことに起因する媒体ノイズ
が大きくなりすぎ、ノイズを低減するのが困難になる等
の問題が生ずる。
どの多層膜からなる垂直磁化膜、あるいはTbFeCo
などの希土類元素を含む非晶質構造を持つ垂直磁化膜
は、磁気異方性エネルギーがいずれも2.5×106erg
/cc 以上であるため、本課題を達成する材料系として
は望ましいが、そのままでは前記と同様に面内方向の磁
気的相互作用が大きく、これに対応して媒体ノイズが大
きいため媒体ノイズを減らす特別な工夫が必要となる。
また、磁気記録の面密度を5Gb/in2 以上とするため
には、線記録密度として250kFCI以上が必要とな
る。この線記録密度に対応するビット長は100nmで
ある。記録を担う磁気記録媒体の厚さとしては、最短の
ビット長より小さいことが望ましく、垂直磁化膜の膜厚
を100nm以下に設定する必要がある。
用いることにより、逆磁区の発生を押さえることができ
るので、逆磁区に起因する媒体ノイズの発生を防ぐこと
ができるが、他の原因として、媒体表面に存在する磁化
のミクロレベルでの揺らぎがある。この揺らぎには、磁
性膜の面内方向の磁気的相互作用が大きい場合長周期の
磁化の揺らぎが生ずる。また、垂直磁化膜表面に磁気的
な不均質性が存在すると、短周期の磁化揺らぎが生じ、
いずれも媒体ノイズの原因となることが判明した。
抑制するためには、垂直磁化膜の表面に軟磁性膜もしく
は面内方向に磁化容易軸を持つ磁性膜を形成すれば良い
ことが、本発明者の実験の結果明らかになった。ただ
し、これらの磁性膜の膜厚は、記録に用いる垂直磁化膜
の厚さに比べ小さく選ぶ必要がある。膜厚が大きくなる
と、垂直磁化膜に記録された記録ビットから発生する磁
束がこれらの膜に吸収された閉磁路を形成するために、
媒体表面から磁束が漏洩しなくなり、磁気ヘッドで記録
信号を再生できなくなる。
磁化膜表面に存在する長周期,短周期の磁気揺らぎは垂
直磁化膜の表面に形成した磁性膜に吸収されるが、記録
ビットから発生するより強い磁束は吸収しきれない場合
がおこる。この場合、磁気揺らぎに起因する磁束は磁性
膜表面に漏洩しないため、磁気ヘッドで検出されなくな
り、媒体ノイズが減少する。磁気揺らぎに起因する磁束
を吸収し、しかも記録ビットから発生する磁束をあまり
吸収しない垂直磁化膜と表面に設ける磁性膜の厚さ等の
組み合わせは、垂直磁化膜の厚さや飽和磁化,保磁力の
値等に依存して変化するため、それぞれの場合で最適な
組み合わせを選択することが必要となる。
膜の制御性やディスク表面全域における膜厚分布の制御
性などの要因から考えて、2〜10nmさらに望ましく
は3〜5nmの範囲が適当である。磁性膜としては、パ
ーマロイ,Fe−Si,Fe−Si−Al,CoNbZrなど
の軟磁性膜、あるいはCo,Ni,Fe,CoNi,Co
NiCrなどの面内磁化し易い磁性膜が可能である。垂直磁
化膜表面にC,B,N,Pなどの軽元素を拡散もしくは
打ち込みすることにより、表面の一部を軟磁性膜化もし
くは面内磁化膜化しても良い。
本発明を適用した場合の例を示す。単層型の垂直磁気記
録媒体は、通常、非磁性基板11上に磁性膜の垂直配向
性向上や結晶粒径制御を目的とした下地層12を介して
垂直磁化膜13が形成される。通常はこの上にカーボン
等からなる保護膜が形成される。
r,Ta,Pt,Pd,Si,V,Nb,W,Mo,H
f,Re,Zr,B,P,Ruなどから選ばれたすくな
くとも1種の元素を含むCo合金が用いられる。この磁
性膜は多結晶膜であり、高い線記録密度特性と低いノイ
ズ特性をもたせるために、結晶粒径は通常20nm以下
でしかも結晶粒界面には非磁性元素が優先的に偏析させ
た構造が用いられる。この垂直磁化膜は膜面方向では、
結晶粒界に偏析層が存在するために、磁気結合力は小さ
くしかも媒体表面には組成偏析や起伏等のためにミクロ
レベルの磁気的な揺らぎが存在する。
ように、この垂直磁化膜13の上に垂直磁化膜の膜厚に
比べ薄い軟磁性膜もしくは面内磁化膜14を形成する。
垂直磁化膜13としてはCo合金系の材料の代わりに、
Co/Pt,Co/Pd,Co合金/Pt,Co合金/
Pd,Co合金/PtもしくはPd合金等からなる多層
膜型の垂直磁化膜、もしくはTbFeCoなどの稀土類元素を
含む非晶質垂直磁化膜を用いても良い。
ことにより、垂直磁化膜13の表面に存在する磁気揺ら
ぎから発生する磁束が磁性膜に吸収され、この結果媒体
ノイズが低減する。また薄い磁性膜が形成されることに
より表面にミクロな起伏や組成偏析が存在しても磁気揺
らぎは容易には形成されなくなる。ここで、15は保護
膜である。
めには、垂直磁化膜13と軟磁性膜14の合計の膜厚さ
は、100nm以下7nm以上であることが必要であ
る。100nm以上では膜を構成する磁性結晶粒子の体
積が大きくなり、この結果磁化反転体積も大きくなり、
媒体ノイズが増大し、5Gb/in2 以上の記録密度を実
現するための信号/ノイズ比が得られなくなる。膜厚が
7nm以下では、熱揺らぎによる記録磁化の劣化が顕在
化するので望ましくない。
を達成することができる。図2に示した媒体構造は、第
1の垂直磁化膜24と非磁性基板21の間に六方最密充
填構造を持つ非磁性もしくは飽和磁化が100emu/cc
以下の弱磁性の六方最密充填構造を持つ下地材料層23
とこの下地材料層の結晶配向を制御するための下地層2
2を持つ場合である。垂直磁化膜24の上には薄い軟磁
性膜もしくは面内磁化膜からなる磁性膜25が形成され
る。このような2層下地構造を採用することにより、垂
直磁化膜の結晶粒径や配向の高度制御が可能になり、さ
らに低ノイズ特性が実現する。
は、垂直磁化膜の下部に軟磁性膜層を保有する型の垂直
磁気記録媒体場合の構造を説明したものである。32,
42がそれぞれ軟磁性膜層である。この場合も垂直磁化
膜の上部には軟磁性膜もしくは面内磁気異方性を持つ磁
性膜34,45がそれぞれ形成されている。
膜の上に形成された磁性膜は垂直磁化膜の表面に存在す
る長周期,短周期の磁気揺らぎから発生する磁束を吸収
し、媒体ノイズを低減する役割を果たす。図1の下地1
2,図2の六方最密充填構造を持つ非磁性もしくは飽和
磁化が100emu/cc 以下の弱磁性の六方最密充填構造
を持つ下地材料層23およびその下に設けた下地22図
4の六方最密充填構造を持つ非磁性もしくは飽和磁化が
100emu/cc 以下の弱磁性の六方最密充填構造を持つ
下地43は、いずれもこれらの下地の上に形成される磁
性膜の結晶配向や結晶粒径を制御することを目的に設け
られたものであり、これにより磁性膜の特性の目的に添
った方向での改善が可能となる。
膜である。
直流マグネトロンスパッタ法によって、図1に示す断面
構造を持つ磁気記録媒体を作製した。基板11上に、下
地層12,垂直磁化膜13,軟磁性膜14,保護膜15
をこの順序で形成した。下地用にはTi−10at.5C
rターゲット、垂直磁化膜用にCo−19at.%Cr−
8at.%Ptターゲット、軟磁性膜用にはCoNbZrのター
ゲット、保護膜用にカーボンターゲットを用いた。スパ
ッタのArガス圧力を3mTorr、スパッタパワー10W
/cm2 、基板温度250Cの条件でCrTi膜を30n
m、第1垂直磁化膜を30nm、軟磁性膜であるCoNbZr
膜を4nm、カーボン膜を10nmの厚さに形成した。
−Si,Fe−Si−Alを用いた垂直磁気記録媒体を
作製した。また、軟磁性膜14の代わりに面内磁気異方
性を持つCo,Ni−Cr膜を4nmの厚さに形成した
垂直磁気記録媒体を作成した。
接カーボン保護膜15を形成した垂直磁気記録媒体を作
製した。
記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて測定した。記録ヘ
ッドのギャップ長は0.2mm 、再生用の磁気抵抗効果型
(MR)ヘッドのシールド間隔は0.2mm、測定時のス
ペーシングは0.06mmとした。記録密度は低周波の再
生出力の半分になる出力半減記録密度(D50)を測定
し、20kFCIの磁気記録を行った場合のノイズは、
比較試料のノイズに対する相対値で示した。これらの結
果を表1に示す。
てD50が大幅に向上し、しかも媒体ノイズが低減して
おり、高密度磁気記録媒体として望ましいことがわかっ
た。本実施例で作製した磁気記録媒体を用いて、再生素
子としてMRヘッドを用いた2.5インチの磁気記録再
生装置を作製した。面記録密度6Gb/in2の条件でエ
ラーレート10-9が確保でき、超高密度記録再生装置と
して動作することを確認した。
基板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によって、
図2に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製し
た。基板21上に、第1下地層22,第2下地層23,
垂直磁化膜24,磁性膜25,保護膜26をこの順序で
形成した。第1下地用にはTi−10at.5Crターゲ
ット、第2下地用にはCo−35at.%Crターゲッ
ト、垂直磁化膜用にCo−16at.%Cr−8at.%Pt
−3at.%Taターゲット、磁性膜用にFe−80at
%Niのターゲット、保護膜用にカーボンターゲットを
用いた。Co−35at%Crの飽和磁化は20emu/c
c 以下であり、弱磁性膜が得られる。スパッタのArガ
ス圧力を3mTorr、スパッタパワー10W/cm2 、基板
温度280℃の条件でCrTi膜を30nm、CoCr膜を
15nm、垂直磁化膜を25nm、軟磁性膜であるFe
Ni膜を3nm、カーボン膜を10nmの厚さに形成
し、図2に断面構造を示す垂直磁気記録媒体を形成し
た。
接カーボン保護膜26を形成した垂直磁気記録媒体を作
製した。
記録再生特性の評価を、それぞれ振動型磁力計(VS
M)、記録再生分離型の磁気ヘッドを用いて行った。記
録ヘッドのギャップ長は0.2mm 、再生用の巨大磁気抵
抗効果型(GMR)ヘッドのシールド間隔は0.15m
m、測定時のスペーシングは0.04mmとした。記録密度
は低周波の再生出力の半分になる出力半減記録密度(D
50)を測定し、20kFCIの磁気記録を行った場合のシグ
ナルとノイズの比率S/Nは、比較試料のS/Nに対す
る相対値で示した。これらの結果を表2に示す。
比べてD50,S/Nが大幅に改善されており、高密度
磁気記録媒体として望ましいことがわかった。本実施例
で作製した垂直磁気記録媒体を用いて、再生素子として
GMRヘッドを用いた2.5インチの磁気記録再生装置
を作製した。面記録密度8Gb/in2 の条件でエラーレ
ート10-9が確保でき、超高密度記録再生装置として動
作することを確認した。
板を用いて、直流マグネトロンスパッタ法によって、図
3に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製した。
基板31上に、軟磁性層32,多層膜からなる垂直磁化
膜33,CoB合金からなる磁性膜34,保護膜35を
この順序で形成した。軟磁性層用にはFe−80at.%
Niターゲット、多層膜からなる垂直磁化膜用にCo,
Ptターゲット、CoB合金からなる磁性膜用にCo−
6at.%Bターゲット、保護膜用にカーボンターゲット
を用いた。スパッタのArガス圧力を3mTorr、スパッ
タパワー10W/cm2 、基板温度250℃の条件でFe
−Ni膜を30nm、Co/Pt多層膜からなる垂直磁
化膜を30nm、CoB磁性膜を3nm、カーボン膜を
10nmの厚さに形成した。ここで垂直磁化膜33であ
るCo/Pt多層膜は、Co,Ptターゲットを交互に
用いてそれぞれ1.5nm の厚さずつ10サイクル形成
し、合計30nm厚の垂直磁化膜を作製した。
接カーボン保護膜35を形成した垂直磁気記録媒体を作
製した。
較した結果、本実施例の磁気記録媒体は、比較例に比べ
てD50,S/Nが大幅に改善されており、高密度磁気
記録媒体として望ましいことがわかった。本実施例で作
製した磁気記録媒体を用いて、再生素子として磁気トン
ネル現象を応用した高感度再生ヘッドを用いた2.5イ
ンチの磁気記録再生装置を作製した。面記録密度20G
b/in2 の条件でエラーレート10-9が確保でき、超高
密度記録再生装置として動作することを確認した。
記録媒体において、軟磁性層42の上に、20nm厚さ
のCo35at.%Cr膜43を設けた以外は同様にして
図4に示す断面構造を持つ垂直磁気記録媒体を作製し
た。比較例として、垂直磁化膜44の上に直接保護膜4
6を形成した垂直磁気記録媒体も作製した。実施例3と
同様な記録再生条件で特性比較を行った結果、本発明の
垂直磁気記録媒体の方が比較例に比べ、D50,S/N
がそれぞれ25%,55%改善されていることを確認し
た。
記録媒体と巨大磁気抵抗効果(GMR)を用いた高感度
再生素子を持つ記録再分離ヘッドを用いて図5に示す磁
気記録再生装置を作製した。図において、51は磁気記
録媒体、52は磁気記録媒体駆動部、53は磁気ヘッ
ド、54は磁気ヘッド駆動部、55は信号処理部であ
る。記録ヘッドのトラック幅0.4mm ,再生用のGMR
ヘッド素子のトラック幅0.32mm 、ヘッドと媒体のス
ペーシング20nmとした。信号処理としてPR5方式
を採用し、36Gb/in2 の面記録密度の条件で装置を
動作させたところ、10-9以下の誤り率が得られた。
イズを低減することができ、この結果高いS/N比が得
られるので、磁気ディスク装置の高密度化が可能とな
る、特に5Gb/in2 以上の高密度磁気記録が可能とな
り、装置の小型化や大容量化が容易になる。
平面図および断面図。
軟磁性膜もしくは面内磁化膜、15…保護膜、21…基
板、22…下地層、23…六方稠密構造を持つ非磁性も
しくは弱磁性下地膜、24…垂直磁化膜、25…軟磁性
膜もしくは面内磁化膜、26…保護膜、31…基板、3
2…軟磁性層、33…垂直磁化膜、34…軟磁性膜もし
くは面内磁化膜、45…保護膜、41…基板、42…軟
磁性層、43…六方稠密構造を持つ非磁性もしくは弱磁
性下地膜、44…垂直磁化膜、45…軟磁性膜もしくは
面内磁化膜、46…保護膜、51…磁気記録媒体、52
…磁気記録媒体駆動部、53…磁気ヘッド、54…磁気
ヘッド駆動部、55…信号処理部。
Claims (10)
- 【請求項1】非磁性基板と該非磁性基板上に設けられた
下地膜を介して形成された垂直磁化膜上に軟磁性膜もし
くは面内磁気異方性を有する磁性膜を形成し、これら2
種類の磁性膜を加えた厚さが100nm以下で、かつ垂
直磁化膜の厚さがその上に設けた磁性膜の厚さより大き
いことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項2】請求項1記載の磁気記録媒体において、垂
直磁化膜の上に設けた磁性膜の厚さが3nm以上,10
nm以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項3】請求項1または2項記載の磁気記録媒体に
おいて、垂直磁化膜の上に設けた磁性膜の面内方向の保
磁力が200Oe以下であることを特徴とする垂直磁気
記録媒体。 - 【請求項4】請求項1から3のいずれかに記載の磁気記
録媒体において、垂直磁化膜が磁気異方性エネルギーが
2.5×106erg/ccから5×106erg/cc の範囲にあ
るCo合金からなる垂直磁化膜であり、しかもこの垂直
磁化膜と基板側で接する下地膜が、六方最密充填構造を
持つ非磁性もしくは飽和磁化が100emu/cc 以下の弱
磁性材料からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項5】請求項1から3のいずれかに記載の磁気記
録媒体において、垂直磁化膜が希土類元素を含む非晶質
磁性材料からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項6】請求項1から3のいずれかに記載の磁気記
録媒体において、垂直磁化膜がCoもしくはCo合金と
Pt,Pd、もしくはこれらの金属を主成分とする合金
からなる積層多層膜からなることを特徴とする垂直磁気
記録媒体。 - 【請求項7】請求項1に記載の磁気記録媒体において、
垂直磁化膜に接して基板側に軟磁性膜層を構成したこと
を特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項8】請求項7に記載の磁気記録媒体において、
垂直磁化膜がCo合金からなり、この膜の基板側に接し
て六方最密充填構造を持つ非磁性もしくは飽和磁化が1
00emu/cc 以下の弱磁性材料からなる中間層を設けた
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項9】請求項1から8項のいずれかに記載の垂直
磁気記録媒体を情報記録媒体とし、記録用には薄膜型の
リングヘッド、再生用には磁気抵抗効果素子もしくは巨
大磁気抵抗効果素子を用いた高感度素子を用い、面記録
密度5Gb/in2 以上で磁気記録再生を行うことを特徴
とする記録再生装置。 - 【請求項10】請求項1から8項のいずれかに記載の垂
直磁気記録媒体を情報記録媒体とし、記録用には薄膜型
のリングヘッド、再生用には磁気トンネル効果を用いた
素子からなる高感度素子を使用し、面記録密度20Gb
/in2 以上で磁気記録再生を行うことを特徴とする記録
再生装置。
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