JP2009070555A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】ノイズ特性、熱揺らぎ耐性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１上に、第１下地膜２、第１垂直磁性膜３、第２下地膜４、非磁性中間膜５、第２垂直磁性膜６、保護膜７が形成され、第１垂直磁性膜３の磁気異方性エネルギーが、第２垂直磁性膜６の磁気異方性エネルギーよりも高く設定されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気ディスク装置などに用いられる磁気記録媒体に関するものである。

磁気記録媒体としては、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し水平に配向した面内磁気記録媒体が広く用いられているが、面内磁気記録媒体では、高記録密度化するとビット体積が小さくなりすぎ、再生特性が悪化する問題がある。これに対し、磁性膜内の磁化容易軸が主に基板に対し垂直に配向した、いわゆる垂直磁気記録媒体は、再生特性を悪化させることなく高記録密度化が可能であることから近年大きな注目を集めており、垂直磁気記録に適した磁気記録媒体の構造などが提案されている。例えば、特開昭５８−７７０２５号公報、特開昭５８−１４１４３５号公報には、Ｃｏ合金材料からなる垂直磁性膜の下地層の材料としてＴｉを用いることが開示されている。また特開平８−１８０３６０号公報には、上記下地層の材料として、ＣｏとＲｕからなる合金を用いることが開示されている。

近年では、磁気記録媒体の更なる高記録密度化が要望されており、これに伴いノイズ特性の向上が要求されているが、従来の磁気記録媒体は、ノイズ特性の点で決して満足できるものでなく、よりノイズ特性に優れた磁気記録媒体が要望されていた。また従来の磁気記録媒体では、特に高記録密度化した場合に、熱揺らぎ現象が問題となることがあった。熱揺らぎ現象とは、記録ビットが不安定となり記録したデータの熱消失が起こる現象をいい、この現象が起こった場合には、磁気記録装置において記録したデータの再生出力が経時的に減衰することがある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ノイズ特性に優れ、かつ熱揺らぎ現象が起こりにくい磁気記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の磁気記録媒体は、基板上に第１垂直磁性膜が設けられ、その上に第２垂直磁性膜が設けられ、第１垂直磁性膜の磁気異方性エネルギーが、第２垂直磁性膜の磁気異方性エネルギーよりも高く設定され、第１垂直磁性膜の厚さが１〜１００Åであり、第２垂直磁性膜の下に、ｈｃｐ構造を有する非磁性中間膜が設けられていることを特徴とする。
第１垂直磁性膜は、５×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃ（０．５Ｊ／ｃｃ）以上の磁気異方性エネルギーを有するものとするのが好ましい。
第１垂直磁性膜の残留磁化／飽和磁化は０．９以上とするのが好ましい。
第１垂直磁性膜は、Ｃｏ系材料からなる層と、Ｐｔ系材料またはＰｄ系材料からなる層とを多数回にわたって積層した多層構造膜、または希土類元素を含む非晶質構造膜とすることができる。第１垂直磁性膜の厚さは１〜１００Åとするのが好ましい。
第２垂直磁性膜は、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、およびＢのうち１種または２種以上）のうちいずれかの合金からなるものとするのが好ましい。

以上説明したように、本発明の磁気記録媒体は、基板上に第１垂直磁性膜が設けられ、その上に第２垂直磁性膜が設けられ、第１垂直磁性膜の磁気異方性が、第２垂直磁性膜の磁気異方性よりも高く設定されているので、ノイズを低く抑え、かつ再生出力のレベルを高め、ＳＮＲなどのノイズ特性を向上させることができる。従って、記録密度の向上が可能となる。また高磁気異方性の第１垂直磁性膜によって、保磁力、磁気異方性磁界を向上させ、熱揺らぎ耐性を高めることができる。

図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、基板１上に、第１下地膜２、第１垂直磁性膜３、第２下地膜４、非磁性中間膜５、第２垂直磁性膜６、および保護膜７を順次形成してなるものである。

基板１としては、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板、ガラス基板、セラミック基板、カーボン基板、可撓性樹脂基板、またはこれらの基板にＮｉＰ膜をメッキ法やスパッタ法により形成した基板などを用いることができる。

第１下地膜２は、第１垂直磁性膜３の垂直磁気異方性を向上させるためのもので、その材料としては、ＳｉＮ、Ｐｔ、Ｃ、Ｃｕ、Ｐｄ等を用いることができる。 第１下地膜２の厚さは、１０００Å以下とすることができる。なお、本発明では第１下地膜を設けない構成も可能である。

第１垂直磁性膜３は、磁化容易軸が基板に対し主に垂直方向に配向した磁性材料からなる膜である。第１垂直磁性膜３としては、Ｃｏ系材料からなる層と、Ｐｔ系材料またはＰｄ系材料からなる層とを多数回にわたって積層した多層構造膜を用いることができる。
Ｃｏ系材料としては、Ｃｏ、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＸ’系（Ｘ’：Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、およびＢのうち１種または２種以上）合金を用いることができる。Ｐｔ系材料としてはＰｔ、Ｐｔ合金を用いることができる。Ｐｄ系材料としてはＰｄ、Ｐｄ合金を用いることができる。また第１垂直磁性膜３としては、希土類元素を含む非晶質構造膜、例えばＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏなどからなる非晶質膜を用いることもできる。

第１垂直磁性膜３の残留磁化／飽和磁化（以下、Ｍｒ／Ｍｓという）は０．９以上とするのが好ましい。Ｍｒ／Ｍｓを上記範囲とすることによって、ヒステリシスループにおいて残留磁化付近での傾きが小さくなり、消磁が起こりにくくなる。

第１垂直磁性膜３の厚さは、１〜１００Åとするのが好ましい。この厚さが上記範囲未満であると、十分な磁束が得られず、再生出力が低下し、ＳＮＲなどのノイズ特性が低下する。またこの厚さが上記範囲を越えると、第１垂直磁性膜３内の交換結合により媒体ノイズが増大する。

本実施形態の磁気記録媒体において、第１垂直磁性膜３は、第２垂直磁性膜６よりも磁気異方性エネルギーが高く設定された高磁気異方性膜である。
第１垂直磁性膜３の磁気異方性エネルギーは、５×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃ（０．５Ｊ／ｃｃ（１ｅｒｇ＝１００ｎＪ））以上（好ましくは１×１０⁷ｅｒｇ／ｃｃ以上）とするのが望ましい。
この磁気異方性エネルギーが上記範囲未満であると、第２垂直磁性膜６表面に磁気揺らぎが起こりやすくなりノイズ増加を招くとともに、保磁力（Ｈｃ）、磁気異方性磁界（Ｈｋ）が低くなり熱揺らぎ耐性が低下する。

第２下地膜４は、非磁性中間膜５、第２垂直磁性膜６の結晶配向性を高め、第２垂直磁性膜６内の垂直磁気異方性を高めるためのもので、ｈｃｐ構造をなす材料を用いるのが好ましい。第２下地膜４の構成材料としては、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｒｅ、Ｙ、Ｇｄ、およびＴｂのうち１種または２種以上を主成分とする材料を挙げることができる。この材料としては、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃ、Ｒｅ、Ｙ、Ｇｄ、およびＴｂのうちいずれかを単体として用いることもできるし、隣接する膜（第１垂直磁性膜３、第２下地膜４）に対する格子の整合性を考慮してこれら材料にＣｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等を添加した合金を用いることもできる。

第２下地膜４の厚さは、１０００Å以下とするのが好ましい。この厚さが上記範囲を越えると、第２下地膜４内で結晶粒子の粗大化が起こり、非磁性中間膜５、第２垂直磁性膜６における結晶粒子粗大化を招き、ノイズ特性が低下する。なお、本発明では第２下地膜を設けない構成も可能である。

非磁性中間膜５は、直上に形成される第２垂直磁性膜６の結晶配向性を高め、第２垂直磁性膜６内の垂直磁気異方性を高めるためのもので、ｈｃｐ構造を有する非磁性材料からなるものを用いるのが好ましい。非磁性中間膜５の材料としては、ＣｏＣｒ系、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ’系（Ｘ’：Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、およびＢのうち１種または２種以上）のうちいずれかの合金を用いるのが好適である。特に、Ｃｒの含有率が２５〜５０ａｔ％、Ｐｔの含有率が０〜１５ａｔ％、Ｘ’の含有率が０〜１０ａｔ％、残部がＣｏからなるＣｏ合金を主成分とするものを用いるのが好ましい。非磁性中間膜５は、単層構造をなすものとしてもよいし、多層構造をなすものとしてもよい。多層構造とする場合には、上記材料から選ばれた互いに同一または異なる複数の材料からなる層を積層したものとすることができる。

非磁性中間膜５の厚さは、５００Å以下とするのが好ましい。この厚さが５００Åを越えると、非磁性中間膜５内において結晶粒子の粗大化が起きやすくなり、第２垂直磁性膜６内の磁性粒子粗大化によるノイズ特性の低下が起こりやすくなる。非磁性中間膜５の厚さは５０〜２００Åとするのがより好ましい。非磁性中間膜５を多層にする場合においても、その厚さは、全体で５００Å以下、好ましくは５０〜２００Åとするのが望ましい。なお、本発明では非磁性中間膜を設けない構成も可能である。

第２垂直磁性膜６は、磁化容易軸が基板に対し主に垂直方向に配向した磁性材料からなる膜であり、その材料としては、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、およびＢのうち１種または２種以上）のうちいずれかの合金を用いるのが好ましい。特に、Ｃｒの含有率が１３〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有率が０〜１５ａｔ％、Ｘの含有率が０〜５ａｔ％、残部がＣｏからなるＣｏ合金を用いるのが好ましい。上記各成分の含有率が上記範囲を外れると、ノイズ特性または再生出力が低下するため好ましくない。

第２垂直磁性膜６の厚さは、１００〜１０００Åとするのが好ましい。第２垂直磁性膜６の厚さが１００Å未満であると、十分な磁束が得られず、再生出力が低下し、ＳＮＲなどのノイズ特性が低下する。また第２垂直磁性膜６の厚さが１０００Åを越えると、第２垂直磁性膜６内の磁性粒子の粗大化が起き、ノイズ特性が低下するため好ましくない。第２垂直磁性膜６の厚さは、２００〜７００Åとするのがさらに好ましい。これは、第２垂直磁性膜６の厚さをこの範囲とすると、再生出力を向上させるとともに、第２垂直磁性膜６内の磁性粒子の粗大化を防ぎ、ノイズ特性をより高めることができるためである

本実施形態の磁気記録媒体において、第２垂直磁性膜６は、磁気異方性エネルギーが第１垂直磁性膜の磁気異方性エネルギーよりも低く設定された低磁気異方性膜である。この磁気異方性エネルギーが上記範囲を越える場合（すなわちこの磁気異方性エネルギーが第１垂直磁性膜の磁気異方性エネルギー以上に設定された場合）には、記録磁区の境界が非直線的になる、すなわち境界がジグザグ状に形成されやすくなり、記録密度を高めたときに磁区境界から発生するノイズの影響が大きくなり、磁気記録媒体のノイズ特性が悪化する。

保護膜７は、第２垂直磁性膜６の腐食を防ぐとともに、ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぎ、かつヘッドと媒体の間の潤滑特性を高めるためのもので、従来公知の材料を使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂の単一組成、またはこれらを主成分とし他元素を含むものが使用可能である。保護膜７の厚さは、１０〜１００Åが望ましい。また、保護膜７上には、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などからなる潤滑膜を設けるのが好ましい。

上記構成の磁気記録媒体を製造するには、基板１上に、第１下地膜２、第１垂直磁性膜３、第２下地膜４、非磁性中間膜５、第２垂直磁性膜６を順次をスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの手法により形成し、次いで保護膜７を、プラズマＣＶＤ法、イオンビーム法、スパッタリング法により形成する方法を採用することができる。また、潤滑膜を形成するには、ディッピング法、スピンコート法などの従来公知の方法を採用することができる。

本実施形態の磁気記録媒体では、高磁気異方性の第１垂直磁性膜３上に、低磁気異方性の第２垂直磁性膜６が設けられているので、ノイズ特性の向上が可能となる。上記構成によってノイズ特性の向上が可能となるのは、次の理由によるものであると考えられる。一般に、磁気異方性が高い磁性膜を有する磁気記録媒体は、高保磁力となるため再生出力を向上させることができる反面、記録磁区の境界が非直線的になる、すなわち境界がジグザグ状に形成されやすくなり、記録密度を高めたときに磁区境界付近の磁化反転により境界が不鮮明となりノイズが増加しやすくなる傾向がある。逆に、磁気異方性が低い磁性膜を有する磁気記録媒体では、直線的な境界を有する記録磁区が形成されやすくノイズの原因となりにくい反面、高磁気異方性膜を有する媒体に比べ再生出力を高めるのが難しい。

本実施形態の磁気記録媒体では、高磁気異方性の第１垂直磁性膜３が、低磁気異方性の第２垂直磁性膜６の下方に設けられているので、再生時において、第１垂直磁性膜３と磁気ヘッドとの距離が大きくなる。このため、高磁気異方性の第１垂直磁性膜３において記録磁区境界が非直線的となり磁化反転が起こりやすい状態となった場合でも、ノイズが検出されにくくなり、ノイズレベルを低く抑えることができる。また第２垂直磁性膜６は再生時において磁気ヘッドに近くなるためノイズが検出されやすくなるが、高磁気異方性の第１垂直磁性膜３を設けたことで磁性膜３、６間の磁気的結合により第２垂直磁性膜６における磁化揺らぎを防ぐことができるため、ノイズ増加を防ぐことができる。また第２垂直磁性膜６の磁気異方性を低く設定したため、第２垂直磁性膜６内の記録磁区の境界が直線的なものとなり、第２垂直磁性膜６を原因とするノイズが低く抑えられる。

さらには、高磁気異方性であり、保磁力が高い第１垂直磁性膜３により、再生出力を高めることができる。また再生時において磁気ヘッドとの距離が小さくなる第２垂直磁性膜６により、記録密度を高めた場合でも間隔損失を小さくし、再生出力をさらに高めることができる。このように、本実施形態の磁気記録媒体では、ノイズを低く抑え、かつ再生出力のレベルを高め、ＳＮＲなどのノイズ特性を向上させることができる。従って、記録密度の向上が可能となる。

また一般に、熱揺らぎ耐性は、保磁力（Ｈｃ）、磁気異方性磁界（Ｈｋ）が大きい媒体において良好となる。これは、保磁力（Ｈｃ）、磁気異方性磁界（Ｈｋ）が大きいと、ヒステリシスループにおいて残留磁化付近での傾きが小さくなり、消磁が起こりにくくなるためである。本実施形態の磁気記録媒体では、高磁気異方性の第１垂直磁性膜３によって、保磁力（Ｈｃ）、磁気異方性磁界（Ｈｋ）が向上することから、熱揺らぎ耐性が高められる。なお、熱揺らぎとは、記録ビットが不安定となり記録したデータの熱消失が起こる現象をいい、この現象が起きると、記録したデータの再生出力が経時的に減衰する。

また、第２下地膜４と第２垂直磁性膜６との間に、ｈｃｐ構造を有する非磁性中間膜５を設けることによって、第２垂直磁性膜６の初期成長時における結晶配向性の乱れを防ぎ、第２垂直磁性膜６の結晶配向性、磁気異方性を向上させ、保磁力、磁気異方性磁界を所望の値に設定しやすくし、ノイズ特性、熱揺らぎ耐性を確実に向上させることができる。この結晶配向性向上効果は、非磁性中間膜５をｈｃｐ構造とすることによって、第２垂直磁性膜６との間の格子の整合性が向上することにより得られると考えられる。また、非磁性中間膜５を設けることによって、第１垂直磁性膜３と第２垂直磁性膜６との間の距離を大きくし、これにより再生時において磁気ヘッドと第１垂直磁性膜３との距離を大きくし、ノイズレベルを低くすることができる。

なお、上記構成の磁気記録媒体は、ｈｃｐ構造を有する材料からなる非磁性中間膜５を設けたが、本発明の磁気記録媒体はこれに限らず、非磁性中間膜５を設けなくてもよい。非磁性中間膜５を設けない場合の磁気記録媒体を図２に示す。 また上記磁気記録媒体では第１下地膜２を設けたが、本発明では第１下地膜２を設けなくてもよい。第１下地膜２を設けない場合の磁気記録媒体を図３に示す。また本明細書において主成分とは当該成分を５０ａｔ％を越えて含むことを指す。

以下、具体例を示して本発明の作用効果を明確にする。図１、図２、または図３に示す磁気記録媒体を次のようにして作製した。

（試験例１）
ガラス基板１（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製３０１０）のチャンバ内にセットし、チャンバ内を真空到達度２×１０^-7Ｐａとなるまで排気するとともに、基板１を２００℃まで加熱した後、この基板１上に、ＳｉＮからなる第１下地膜２、ＴｂＦｅＣｏからなる第１垂直磁性膜３、Ｒｕからなる第２下地膜４、Ｃｏ−３５ａｔ％Ｃｒ−５ａｔ％Ｐｔ（Ｃｏ３５Ｃｒ５Ｐｔ）からなる非磁性中間膜５、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｃｒ−１０ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｔａ（Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔ３Ｔａ）からなる第２垂直磁性膜６を順次スパッタリングにより形成した。第２垂直磁性膜６上には、プラズマＣＶＤ法により厚さ７０Åのカーボン保護膜７を形成した。カーボン保護膜７上にはパーフルオロエーテルからなる潤滑膜（厚さ２０Å）をディッピング法により形成した。この磁気記録媒体では、第１垂直磁性膜３の磁気異方性エネルギーを、第２垂直磁性膜６の磁気異方性エネルギーよりも高く設定した。

（試験例２）
第１下地膜２、第１垂直磁性膜３を設けないこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例３〜６）
第１下地膜２および第１垂直磁性膜３の材料を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例７〜９）
第１垂直磁性膜３の厚さを変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例１０、１１）
第１垂直磁性膜３の材料を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例１２〜１４）
第２下地膜４の材料を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例１５〜１７）
非磁性中間膜５の厚さを変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例１８〜２０）
第２垂直磁性膜６の組成を変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例２１〜２４）
第２垂直磁性膜６の厚さを変えたこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例２５）
第１下地膜２を設けなかったこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例２６）
非磁性中間膜５を設けなかったこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例２７）
第１下地膜２、第１垂直磁性膜３を設けなかったこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。垂直磁性膜６の磁気異方性エネルギーは、７×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃとした。

（試験例２８）
第１下地膜２、第１垂直磁性膜３を設けなかったこと以外は試験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。垂直磁性膜６の磁気異方性エネルギーは、１×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃとした。

上記各試験例の磁気記録媒体の静磁気特性をＫｅｒｒ効果測定装置を用いて測定した。またこれら磁気記録媒体の電磁変換特性を、ＧＵＲＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。電磁変換特性の評価には、磁気ヘッドとして、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用い、記録条件を線記録密度１５０ｋＦＣＩとして測定した。上記試験例の磁気記録媒体の静磁気特性、電磁変換特性の測定結果を表１に示す。また熱揺らぎ耐性については、磁気ヘッドとして上記複合型薄膜磁気記録ヘッドを用い、線記録密度１５０ｋＦＣＩ、温度２５℃の条件で、記録直後の出力に対する出力の低下率（％／ｄｅｃａｄｅ）を、ｌｏｇ｛（Ｓ₀−Ｓ）×１００／Ｓ₀｝／３に基づいて算出した。結果を表１に併せて示す。なお、Ｓ₀は磁気記録媒体に信号を書き込んだ直後の出力を示し、Ｓは１０００秒後の出力を示す。表中、Ａ／ＢはＡとＢとを交互に多数回にわたり積層した多層構造膜を指す。

表１中、試験例１〜６の比較より、第１垂直磁性膜３を設けた試験例１、３〜５の磁気記録媒体は、第１垂直磁性膜３を設けなかった試験例２の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有するものとなったことがわかる。試験例１、７〜９の比較より、第１垂直磁性膜３の厚さを１〜１００Åの範囲とした試験例１、７、８の磁気記録媒体は、第１垂直磁性膜３の厚さを上記範囲外に設定した試験例９の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有するものとなったことがわかる。試験例１、１０、１１の比較より、第１垂直磁性膜３を表中に示す材料からなるものとした場合でもノイズ特性に優れた磁気記録媒体が得られたことがわかる。試験例１、１２〜１４の比較より、第２下地膜４を表中に示す材料からなるものとした場合でもノイズ特性に優れた磁気記録媒体が得られたことがわかる。試験例１、１５〜１７の比較より、非磁性中間膜５の厚さを５００Å以下（非磁性中間膜５を設けない構成も含む）の範囲とした試験例１、１５、１６の磁気記録媒体は、非磁性中間膜５の厚さを上記範囲外に設定した試験例１７の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を有するものとなったことがわかる。試験例１、１８〜２０の比較より、第２垂直磁性膜６の組成を上記範囲内で変化させても、優れたノイズ特性を得ることができたことがわかる。試験例１、２１〜２４の比較より、第２垂直磁性膜６の厚さを１００〜１０００Åの範囲とした試験例１、２２、２３の磁気記録媒体は、第２垂直磁性膜６の厚さを上記範囲外に設定した試験例２１、２４の磁気記録媒体に比べ、優れたノイズ特性を得ることができたことがわかる。試験例１と試験例２５の比較より、第１下地膜２を設けない場合でも高いノイズ特性を得ることができるが、第１下地膜２を設けた方が、より優れたノイズ特性を得られることがわかる。試験例１と試験例２６の比較より、非磁性中間膜５を設けない場合でも高いノイズ特性を得ることができるが、非磁性中間膜５を設けた方が、より優れたノイズ特性を得られることがわかる。試験例１と試験例２７、２８の比較より、第１垂直磁性膜３を設けない場合にはノイズ特性、熱揺らぎ耐性のうちいずれかが悪化するのに対し、第１垂直磁性膜３と第２垂直磁性膜６を備え、第１垂直磁性膜３の磁気異方性エネルギーが、第２垂直磁性膜６の磁気異方性エネルギーよりも高く設定された試験例１の磁気記録媒体は、これらノイズ特性、熱揺らぎ耐性がいずれも優れていることがわかる。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す一部断面図である。 本発明の磁気記録媒体の他の実施形態を示す一部断面図である。 本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形態を示す一部断面図である。

符号の説明

１・・・基板、２・・・第１下地膜、３・・・第１垂直磁性膜、４・・・第２下地膜、５・・・非磁性中間膜、６・・・第２垂直磁性膜。

Claims (5)

1. 基板上に第１垂直磁性膜が設けられ、その上に第２垂直磁性膜が設けられ、第１垂直磁性膜の磁気異方性エネルギーが、第２垂直磁性膜の磁気異方性エネルギーよりも高く設定され、第１垂直磁性膜の厚さが１〜１００Åであり、第２垂直磁性膜の下に、ｈｃｐ構造を有する非磁性中間膜が設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 請求項１記載の磁気記録媒体において、第１垂直磁性膜は、５×１０⁶ｅｒｇ／ｃｃ（０．５Ｊ／ｃｃ）以上の磁気異方性エネルギーを有することを特徴とする磁気記録媒体。
3. 請求項１または２記載の磁気記録媒体において、第１垂直磁性膜の残留磁化／飽和磁化が０．９以上とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
4. 請求項１〜３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体において、第１垂直磁性膜は、Ｃｏ系材料からなる層と、Ｐｔ系材料またはＰｄ系材料からなる層とを多数回にわたって積層した多層構造膜、または希土類元素を含む非晶質構造膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
5. 請求項１〜４のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体において、第２垂直磁性膜が、ＣｏＣｒＰｔ系、ＣｏＣｒＴａ系、ＣｏＣｒＰｔＸ系（Ｘ：Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、およびＢのうち１種または２種以上）のうちいずれかの合金からなるものであることを特徴とする磁気記録媒体。

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