JPS61206918A - 磁気記憶体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS61206918A JPS61206918A JP4592685A JP4592685A JPS61206918A JP S61206918 A JPS61206918 A JP S61206918A JP 4592685 A JP4592685 A JP 4592685A JP 4592685 A JP4592685 A JP 4592685A JP S61206918 A JPS61206918 A JP S61206918A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- silicon carbide
- magnetic
- magnetic storage
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置または磁気
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
ドラム装置など）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関する。
（従来技術とその問題点）
一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気要分の間隙を作シ、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式と称され以下Ｃ８Ｓ方式と記す）。この方法では操作
終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁
気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態になる。
記憶体とを構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法に
は次のような方法がある。すなわち操作開始時にヘッド
と磁気記憶体面とを接触状態でセットした後、磁気記憶
体に所要の回転を与えることによりヘッドと磁気記憶体
面との間に空気要分の間隙を作シ、この状態で記録再生
をする方法である（コンタクト・スタート・ストップ方
式と称され以下Ｃ８Ｓ方式と記す）。この方法では操作
終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時ヘッドと磁
気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状態になる。
これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体の間
に生じる摩擦力はヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ、
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また、接触摩擦状態においてヘッドのわずかな
姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせ、ヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。また、
磁性媒体が金属の場合、高湿度において水分の侵入によ
り腐食を生じる。これらの摩耗および腐食を防ぐために
種々の保護膜が検討されてきた。従来の磁気記憶体では
、スパッタリング法による炭化ケイ素膜等の保護膜が施
されているが、いずれも十分な耐摩耗性及び防食性を有
していないという欠点があった。
に生じる摩擦力はヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ、
ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じせしめること
がある。また、接触摩擦状態においてヘッドのわずかな
姿勢の変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせ、ヘッ
ドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。また、
磁性媒体が金属の場合、高湿度において水分の侵入によ
り腐食を生じる。これらの摩耗および腐食を防ぐために
種々の保護膜が検討されてきた。従来の磁気記憶体では
、スパッタリング法による炭化ケイ素膜等の保護膜が施
されているが、いずれも十分な耐摩耗性及び防食性を有
していないという欠点があった。
（発明の目的）
本発明の目的は耐摩耗性と防食性に優れた磁気記憶体と
その製造方法を提供することに６る。
その製造方法を提供することに６る。
（発明の構成）
本発明の磁気記憶体は、下地体と、この下地体上に被覆
された磁性媒体と、この磁性媒体上に被覆され少なくと
も水素を含有する絶縁性炭化ケイ素膜とを具備して構成
される。
された磁性媒体と、この磁性媒体上に被覆され少なくと
も水素を含有する絶縁性炭化ケイ素膜とを具備して構成
される。
本発明の磁気記憶体の製造方法は、下地体の上に被覆さ
れた磁性媒体の上に少なくともテトラメチルシランと水
素ガスを含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により炭化
ケイ素膜を被覆することを特徴とする。
れた磁性媒体の上に少なくともテトラメチルシランと水
素ガスを含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により炭化
ケイ素膜を被覆することを特徴とする。
（実施例）
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施しリの部分断面図
で、下地体１はアルミ合金又は陽極酸化アルマイ）、Ｎ
ｉＰめっき膜、Ｃｒ、Ｍｏ又はＷ等を被覆したアルミ合
金又はポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエーテルサルフオンなどのグラスチックス又は窒化
ケイ素、酸化アルミ、酸化アルミと炭化チタン焼結体な
どのセラミックス又はＳｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ステンレ
ス、チタン合金などの金属又はガラス板である。
で、下地体１はアルミ合金又は陽極酸化アルマイ）、Ｎ
ｉＰめっき膜、Ｃｒ、Ｍｏ又はＷ等を被覆したアルミ合
金又はポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、
ポリエーテルサルフオンなどのグラスチックス又は窒化
ケイ素、酸化アルミ、酸化アルミと炭化チタン焼結体な
どのセラミックス又はＳｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ステンレ
ス、チタン合金などの金属又はガラス板である。
次に下地体１の上に磁性媒体２としてＦｅ５０４＋α−
Ｆｅ、。３．Ｆｅ、Ｎなどの鉄酸化物又は窒化物、又は
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｏ又はＣｏ−８ｍ等の金属又は合金を被
覆する。
Ｆｅ、。３．Ｆｅ、Ｎなどの鉄酸化物又は窒化物、又は
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｏ又はＣｏ−８ｍ等の金属又は合金を被
覆する。
さらに磁性媒体２の上Ｋ、保ａ膜として少くとも水素を
含む絶縁性炭化ケイ素膜３が少なくともテトラメチルシ
ランと水素ガスを含む雰囲気中で、プラズマＣＶＤ法に
より被覆されている。
含む絶縁性炭化ケイ素膜３が少なくともテトラメチルシ
ランと水素ガスを含む雰囲気中で、プラズマＣＶＤ法に
より被覆されている。
、 本発明で用いられる水素を含む絶縁性炭化ケイ素膜
は、水素が５〜３０原子パーセント含まれておシスバッ
タリング法により作成された水素を含まない炭化ケイ素
とは異なる。構造は非晶質であシ、電気抵抗率は５０Ω
ｃｍ以上の絶縁物であり、ビッカース硬度は１０００以
上である。スパッタリング法により作成された水素を含
まない炭化ケイ素膜は、ビッカース硬度が６００以下で
、構造が弱く、ヘッドの摺動によりディスク面から除去
され、磁気記憶体に十分な耐摩耗性を与えることができ
逐い。また、スパッタリング法により作成された水素を
含まない炭化ケイ素膜は高湿状態における水分の侵入を
防ぐ防食効果が劣っている。
は、水素が５〜３０原子パーセント含まれておシスバッ
タリング法により作成された水素を含まない炭化ケイ素
とは異なる。構造は非晶質であシ、電気抵抗率は５０Ω
ｃｍ以上の絶縁物であり、ビッカース硬度は１０００以
上である。スパッタリング法により作成された水素を含
まない炭化ケイ素膜は、ビッカース硬度が６００以下で
、構造が弱く、ヘッドの摺動によりディスク面から除去
され、磁気記憶体に十分な耐摩耗性を与えることができ
逐い。また、スパッタリング法により作成された水素を
含まない炭化ケイ素膜は高湿状態における水分の侵入を
防ぐ防食効果が劣っている。
しかるに本発明の水素を含む絶縁性炭化ケイ素膜は高い
硬度および水分の侵入を防ぐち密さと撥水性を有してお
り、十分な耐摩耗性と防食性を有している。
硬度および水分の侵入を防ぐち密さと撥水性を有してお
り、十分な耐摩耗性と防食性を有している。
次に実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図に示す下地体１がアルミ合金の上にニッケルー燐
めっき膜が被覆され、表面粗さＱ、ＱＱ５Ｐに鏡面仕上
げされたもので、この下地体１の上に第１図に示す磁性
媒体２としてコバルト−ニッケルー燐合金を０．０５μ
ｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体２の上に第１
図に示す保護膜の水素を含む絶縁性炭化ケイ素膜３とし
てテトラメチルシランを含む水素ガス中で次の条件でプ
ラズマＣＶＤ法によ！Ｄ ０．０５μｍの厚さに被覆し
、磁気ディスクを作った。条件は０℃のテトラメチルシ
ラン中に水素ガスを通し、流量が２０ ＳＣＣＭ、ガス
圧がｌ ｔｏｒｒ 、高周波電力が３０Ｗであ）、膜中
に含まれる水素量が２０原子パーセントである。
めっき膜が被覆され、表面粗さＱ、ＱＱ５Ｐに鏡面仕上
げされたもので、この下地体１の上に第１図に示す磁性
媒体２としてコバルト−ニッケルー燐合金を０．０５μ
ｍの厚さにめっきした。次にこの磁性媒体２の上に第１
図に示す保護膜の水素を含む絶縁性炭化ケイ素膜３とし
てテトラメチルシランを含む水素ガス中で次の条件でプ
ラズマＣＶＤ法によ！Ｄ ０．０５μｍの厚さに被覆し
、磁気ディスクを作った。条件は０℃のテトラメチルシ
ラン中に水素ガスを通し、流量が２０ ＳＣＣＭ、ガス
圧がｌ ｔｏｒｒ 、高周波電力が３０Ｗであ）、膜中
に含まれる水素量が２０原子パーセントである。
実施例２
実施例１と同様にして、但し、磁性媒体２としてスパッ
タリング法により、コバルト−クロム合金を０．５μｍ
の厚さに被覆し、磁気ディスクを作った。
タリング法により、コバルト−クロム合金を０．５μｍ
の厚さに被覆し、磁気ディスクを作った。
比較例
実施例１と同様にして但し、磁性媒体２の上に炭化ケイ
素を下記の条件でスパッタリング法により被覆して磁気
ディスクを作った。作成条件はアルゴンガス圧が４Ｘ
Ｉ Ｑ−２ｔｏｒｒ 、スパッタ電力密度が８νＶ／ｃ
ｍ２ である。
素を下記の条件でスパッタリング法により被覆して磁気
ディスクを作った。作成条件はアルゴンガス圧が４Ｘ
Ｉ Ｑ−２ｔｏｒｒ 、スパッタ電力密度が８νＶ／ｃ
ｍ２ である。
次に実施例１，２および比較例で示した磁気ディスクを
用いてヘッドとディスクの起動停止縁シ返し試験（ＣＳ
Ｓ試験）および温度９０℃、相対湿度９０％における耐
食性試験を１ケ月行なったところ、実施例１，２に対し
ては共にＣ８Ｓ試験では、２万回以上傷が発生せず、耐
食性試験では、工２−増加率は変わらなかった。一方、
比較例に対しては、Ｃ８Ｓ試験では、３０００回で傷が
発生し、耐食性試験では、エラー増加率が１０倍に増加
した。
用いてヘッドとディスクの起動停止縁シ返し試験（ＣＳ
Ｓ試験）および温度９０℃、相対湿度９０％における耐
食性試験を１ケ月行なったところ、実施例１，２に対し
ては共にＣ８Ｓ試験では、２万回以上傷が発生せず、耐
食性試験では、工２−増加率は変わらなかった。一方、
比較例に対しては、Ｃ８Ｓ試験では、３０００回で傷が
発生し、耐食性試験では、エラー増加率が１０倍に増加
した。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の磁気記憶体は、耐摩耗性
と防食性が優れているという効果がある。
と防食性が優れているという効果がある。
なお、本発明の実施例として磁気ディスクについて述べ
たが、フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードに
も本発明が有効であることは明らかである。
たが、フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードに
も本発明が有効であることは明らかである。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図で
ある。 １・・・・・・下地体、２・・・・・・磁性媒体、３・
・・・・・水素を含む炭化ケイ素膜。
ある。 １・・・・・・下地体、２・・・・・・磁性媒体、３・
・・・・・水素を含む炭化ケイ素膜。
Claims (2)
- （１）下地体と、この下地体上に被覆された磁性媒体と
、この磁性媒体上に被覆され少なくとも水素を含有する
絶縁性炭化ケイ素膜とを具備することを特徴とする磁気
記憶体。 - （２）下地体の上に被覆された磁性媒体の上に少なくと
もテトラメチルシランと水素ガスを含む雰囲気中でプラ
ズマ化学気相法により炭化ケイ素膜を被覆することを特
徴とする磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4592685A JPS61206918A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4592685A JPS61206918A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61206918A true JPS61206918A (ja) | 1986-09-13 |
Family
ID=12732864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4592685A Pending JPS61206918A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 磁気記憶体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61206918A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437711A (en) * | 1987-08-01 | 1989-02-08 | Hitachi Maxell | Magnetic recording medium |
| US5423092A (en) * | 1991-08-23 | 1995-06-13 | Axe Co., Ltd. | Goggles and sunglasses |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP4592685A patent/JPS61206918A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437711A (en) * | 1987-08-01 | 1989-02-08 | Hitachi Maxell | Magnetic recording medium |
| US5423092A (en) * | 1991-08-23 | 1995-06-13 | Axe Co., Ltd. | Goggles and sunglasses |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0580804B2 (ja) | ||
| JPS61242323A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61206918A (ja) | 磁気記憶体及びその製造方法 | |
| JP2594534B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
| JP2623785B2 (ja) | 磁気ディスク | |
| JP2952967B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60209929A (ja) | 磁気記憶体およびその製造方法 | |
| JPH0612568B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62110619A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS63104215A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0465453B2 (ja) | ||
| JPH01269222A (ja) | 磁気ディスク及びその製造方法 | |
| JPS62229526A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61210516A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造法 | |
| JP2751396B2 (ja) | 磁気ディスク | |
| JPH065574B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH01125720A (ja) | 磁気記憶体及びその製造方法 | |
| JPH0416855B2 (ja) | ||
| JP2785650B2 (ja) | 磁気ヘッドスライダ用保護層 | |
| JPH02148412A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2538123B2 (ja) | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 | |
| JPH07111775B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6224422A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH03263613A (ja) | 磁気記録媒体及びその装置 | |
| JPS63217520A (ja) | 磁気記憶体 |