JPH08147662A

JPH08147662A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH08147662A
Application number: JP28694894A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Sato; 毅志佐藤; Tsutomu Isobe; 勤磯部
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1994-11-21
Filing date: 1994-11-21
Publication date: 1996-06-07

Abstract

(57)【要約】【目的】高密度記録に対応する為、磁気ヘッドの低浮
上量を可能とし、かつ、磁気ヘッドの貼り付きが起き
ず、一層の耐久性に優れたファインな表面粗さを持ち、
摩擦係数が一層低減し、走行性に優れた磁気記録媒体を
提供することを目的とする。【構成】基板と、この基板上に設けられた金属Ｍ
₁（Ｍ₁はカーバイドを形成し得る金属）を構成要素と
する第１層と、この第１層上に設けられたＡｌ−Ｍ
₂（Ｍ₂はカーバイドを形成し得る金属、Ｍ₂はＭ₁と
同じでも異なっていても良い。）系合金材料よりなる第
２層と、この第２層上に設けられた金属系磁性層とを具
備する磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、摩擦係数が低く、耐久
性に優れた磁気ディスク等の磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明の背景】コンピュータ等の外部記憶装置に使用さ
れる磁気ディスクにおいては、磁気ディスクと磁気ヘッ
ドとの間の距離、すなわち磁気ヘッドの浮上高さを低く
することが再生出力などの点から求められている。従っ
て、磁気ディスクの表面は平滑であることが好ましいと
言える。しかし、表面が平滑すぎると、磁気ヘッドが磁
気ディスクに貼り付き、磁気ディスクや磁気ヘッドに損
傷の恐れが有る。よって、表面を適度な粗さにする為、
テクスチャ処理が基板に施されることになる。

【０００３】このテクスチャ処理として、従来より幾つ
かの手法が提案されている。例えば、アルミニウム基板
に対しては機械的研磨法が提案されている。ガラス基板
に対しては、化学的エッチング法（特開昭６４−３７７
１８号公報）や、微粒子含有塗料の塗布法（特開平１−
１９４１２８号公報）が提案されている。又、カーボン
基板に対しては、熱酸化法（特開平４−２１４２２５号
公報）が提案されている。しかし、これらの方法では、
磁気ヘッドの浮上高さの一層の低下が要求される今日に
あっては十分にその要求を満たすことが出来なくなって
いる。

【０００４】すなわち、優れた耐久性を維持しつつ、磁
気ヘッドの一層の低浮上化を可能とするテクスチャ技
術、つまり平滑でありながらも適度な粗さを有する表面
特性が求められている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような要望に沿っ
た技術として、Ｓｎ，Ｉｎ等の低融点金属を真空蒸着さ
せて凹凸を形成する方法（特開昭６０−２１１６１４号
公報、特開昭６１−２４０４２９号公報）、Ａｌ，Ｃｕ
等の低融点金属をスパッタして不連続な島状構造とする
方法（特開平３−７３４１９号公報）、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ
等の高融点金属を用いて粗面とする方法（特開平２−２
６７７２２号公報）等が提案されている。

【０００６】これらの方法は、テクスチャ処理と磁性層
の形成を真空系で一貫して行える特長が有る。しかし、
低融点の単一金属を用いた場合には、凹凸度が良くな
く、かつ、基板との密着性が悪くて剥離し易く、実用に
耐えない。又、高融点金属を用いた場合には、凹凸度が
良くなく、耐久性（ＣＳＳ特性）が悪いと言う問題が有
った。

【０００７】前記の問題に対する検討が本発明者によっ
ても鋭意押し進められて行った。すなわち、磁性層、あ
るいは磁性層の下地層とガラス状カーボン基板との間に
凹凸が容易に形成される層を設け、この層の密着性の向
上を図ることを考えた。この指針に沿った研究を精力的
に行っている中に、Ａｌ−Ｓｉ系合金材料をスパッタ等
の手段で設けたものは、凹凸形成が容易で、かつ、適度
な凹凸が形成され、更には密着性に富むことが判って来
た。更に、他の材料についても検討を行った結果、Ａｌ
−Ｓｉ系合金の他にもＡｌ−Ｃｒ系合金、Ａｌ−Ｔａ系
合金、Ａｌ−Ｔｉ系合金、Ａｌ−Ｚｒ系合金、Ａｌ−Ｙ
系合金、Ａｌ−Ｍｏ系合金、Ａｌ−Ｗ系合金、Ａｌ−Ｖ
系合金の層を設けたものにあっても、凹凸形成が容易
で、かつ、適度な凹凸が形成され、更には密着性に富む
ことが判って来た。

【０００８】これらの知見を基にして考察して行く中
に、カーバイドを形成し得る金属Ｍを含有するＡｌ−Ｍ
系金属層（凹凸形成層）がカーボン基板上に設けられて
いると、カーボン基板のＣ成分とカーバイドを形成する
金属Ｍの存在によってカーボン基板とＡｌ−Ｍ系金属層
（凹凸形成層）との間の結合は強く、従ってこの上に金
属磁性層、あるいは下地層（金属層）を介して金属磁性
層を設けた場合には、適度な凹凸が表面に形成されてお
り、摩擦係数が小さく、耐久性に優れ、更には剥離の問
題も解決されることが判って来た。

【０００９】しかし、より一層の信頼性向上の観点か
ら、更なるＣＳＳ耐久性の向上、摩擦係数の低減が要望
された。

【００１０】

【課題を解決する為の手段】上記の磁気ディスクの表面
をＳＥＭやＡＭＦで観察しているうちに、Ａｌ−Ｍ層の
凹凸に起因した表面の凹凸高さは略均一で、かつ、滑ら
かであることから、初期摩擦係数の低減に限界があるこ
とが判った。これを解決する為の研究が鋭意押し進めら
れて行くうちに、金属層を複数層、例えば二層構成と
し、これらの各層に凹凸を形成させたならば、記録媒体
の表面を好ましい表面形状に出来、これによって摩擦係
数の一層の低減、及びＣＳＳ耐久性の向上を得ることが
出来ると推察するに至った。

【００１１】本発明はこれらの知見を基にして達成され
たものであり、高密度記録に対応する為、磁気ヘッドの
低浮上量を可能とし、かつ、磁気ヘッドの貼り付きが起
きず、一層の耐久性に優れたファインな表面粗さを持
ち、摩擦係数が一層低減し、走行性に優れた磁気記録媒
体を提供することを目的とする。この本発明の目的は、
基板と、この基板上に設けられた金属Ｍ₁（Ｍ₁はカー
バイドを形成し得る金属）を構成要素とする第１層と、
この第１層上に設けられたＡｌ−Ｍ₂（Ｍ₂はカーバイ
ドを形成し得る金属、Ｍ₂はＭ₁と同じでも異なってい
ても良い。）系合金材料よりなる第２層と、この第２層
上に設けられた金属系磁性層とを具備することを特徴と
する磁気記録媒体によって達成される。

【００１２】特に、カーボン基板（中でもガラス状カー
ボン基板）と、このカーボン基板上に設けられた金属Ｍ
₁（Ｍ₁はカーバイドを形成し得る金属）を構成要素と
する第１層と、この第１層上に設けられたＡｌ−Ｍ
₂（Ｍ₂はカーバイドを形成し得る金属、Ｍ₂はＭ₁と
同じでも異なっていても良い。）系合金材料よりなる第
２層と、この第２層上に設けられた金属系磁性層とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体によって達成され
る。

【００１３】又、基板と、この基板上に設けられた金属
Ｍ₁（Ｍ₁はカーバイドを形成し得る金属）を構成要素
とする第１層と、この第１層上に設けられたＡｌ−Ｍ₂
（Ｍ ₂はカーバイドを形成し得る金属、Ｍ₂はＭ₁と同
じでも異なっていても良い。）系合金材料よりなる第２
層と、この第２層上に設けられたＣｒあるいはＣｒ合金
からなる下地層と、この下地層上に設けられた金属系磁
性層とを具備することを特徴とする磁気記録媒体によっ
て達成される。

【００１４】特に、カーボン基板（中でもガラス状カー
ボン基板）と、このカーボン基板上に設けられた金属Ｍ
₁（Ｍ₁はカーバイドを形成し得る金属）を構成要素と
する第１層と、この第１層上に設けられたＡｌ−Ｍ
₂（Ｍ₂はカーバイドを形成し得る金属、Ｍ₂はＭ₁と
同じでも異なっていても良い。）系合金材料よりなる第
２層と、この第２層上に設けられたＣｒあるいはＣｒ合
金からなる下地層と、この下地層上に設けられた金属系
磁性層とを具備することを特徴とする磁気記録媒体によ
って達成される。

【００１５】尚、本発明において、第１層の表面には微
細な第１の凹凸が形成され、第２層の表面には第１の凹
凸の影響による凹凸と第２層自身によって形成される前
記第１の凹凸よりも大きめの凹凸とが複合した構造の第
２の凹凸が形成されてなることが好ましい。又、第１層
の厚さは１０〜２００ｎｍ、第２層の厚さは５〜１００
ｎｍが好ましい。そして、凹凸層（第１層や第２層）
は、図１に示す如く、表面に凹凸構造を有し、下層部が
連続しているタイプであることが好ましい。

【００１６】以下、本発明について詳述する。本発明に
おいて、基板は磁性を有するものでも非磁性のものでも
良いが、一般的には非磁性のものが用いられる。例え
ば、カーボン（特公昭６３−４６００４号公報、特開平
３−１１００５号公報など）、強化ガラス、結晶化ガラ
ス、ＡｌあるいはＡｌ合金、チタンあるいはチタン合
金、セラミックス、樹脂、あるいは前記材料の複合材料
が用いられる。中でも、カーボン、特にガラス状カーボ
ンは、耐熱性、スパッタによって磁性層などを設ける際
の加熱によるガス発生が少ないこと等から、本発明の場
合には最も好ましい。

【００１７】そして、例えばＲａ（中心線平均粗さ）が
０．５〜０．９ｎｍのカーボン基板上に、直接、金属Ｍ
₁（Ｍ₁はカーバイドを形成し得る金属であって、Ｓ
ｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｙ，Ｍｏ，Ｗ及びＶの群
の中から選ばれる一種以上）からなる第１層を１０〜２
００ｎｍ厚さ設ける。すなわち、真空蒸着、スパッタリ
ングあるいはイオンプレーティング等のＰＶＤ手段でＴ
ｉ層、Ｍｏ層、Ｗ層、Ｓｉ層、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｚｒ
層、Ｙ層、Ｖ層を設ける。Ｔｉ層の場合には、その厚さ
が１０〜１５０ｎｍ（望ましくは５０〜１２０ｎｍ）が
好ましい。Ｍｏ層の場合には、その厚さが１０〜１２０
ｎｍ（望ましくは５０〜１００ｎｍ）が好ましい。Ｗ層
の場合には、その厚さが１０〜１２０ｎｍ（望ましくは
４０〜１００ｎｍ）が好ましい。Ｓｉ層の場合には、そ
の厚さが１０〜１５０ｎｍ（望ましくは４０〜１２０ｎ
ｍ）が好ましい。Ｃｒ層の場合には、その厚さが５〜２
００ｎｍ（望ましくは３０〜１２０ｎｍ）が好ましい。
Ｔａ層の場合には、その厚さが１０〜１３０ｎｍ（望ま
しくは５０〜１２０ｎｍ）が好ましい。Ｚｒ層の場合に
は、その厚さが１０〜１５０ｎｍ（望ましくは５０〜１
２０ｎｍ）が好ましい。Ｙ層の場合には、その厚さが１
０〜１４０ｎｍ（望ましくは５０〜１３０ｎｍ）が好ま
しい。Ｖ層の場合には、その厚さが１０〜１４０ｎｍ
（望ましくは６０〜１２０ｎｍ）が好ましい。これによ
って、第１層の表面には微細な凹凸（Ｒａが９〜１１
Å、最大中心線高さＲｐが２０〜４０Å）が形成され
る。

【００１８】この金属Ｍ₁からなる第１層上に、直接、
Ａｌ−Ｍ₂（Ｍ₂はカーバイドを形成し得る金属）系合
金材料よりなる第２層を設ける。このＡｌ−Ｍ₂系合金
の具体例としては、Ｍ₂がＳｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｚ
ｒ，Ｙ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ等の元素の中から選ばれる少なく
とも一種以上を含むＡｌ−Ｍ₂系合金が挙げられる。例
えば、Ａｌ−Ｓｉ系合金（好ましくはＳｉが０．２〜１
５ｗｔ％、より好ましくはＳｉが１〜１０ｗｔ％）、Ａ
ｌ−Ｃｒ系合金（好ましくはＣｒが０．１〜１０ｗｔ
％、より好ましくはＣｒが１〜５ｗｔ％）、Ａｌ−Ｔａ
系合金（好ましくはＴａが０．１〜３ｗｔ％、より好ま
しくはＴａが１〜２ｗｔ％）、Ａｌ−Ｔｉ系合金（好ま
しくはＴｉが０．５〜１５ｗｔ％、より好ましくはＴｉ
が１〜１０ｗｔ％）、Ａｌ−Ｚｒ系合金（好ましくはＺ
ｒが０．１〜９ｗｔ％、より好ましくはＺｒが１〜５ｗ
ｔ％）、Ａｌ−Ｙ系合金（好ましくはＹが０．１〜１０
ｗｔ％、より好ましくはＹが１〜５ｗｔ％）、Ａｌ−Ｍ
ｏ系合金（好ましくはＭｏが０．２〜１０ｗｔ％、より
好ましくはＭｏが１〜５ｗｔ％）、Ａｌ−Ｗ系合金（好
ましくはＷが０．２〜１０ｗｔ％、より好ましくはＷが
１〜８ｗｔ％）、Ａｌ−Ｖ系合金（好ましくはＶが０．
５〜８ｗｔ％、より好ましくはＶが１〜５ｗｔ％）等が
挙げられる。又、Ａｌ−５ｗｔ％Ｓｉ−５ｗｔ％Ｃｒ系
合金、Ａｌ−５ｗｔ％Ｓｉ−３ｗｔ％Ｍｏ系合金、Ａｌ
−５ｗｔ％Ｓｉ−３ｗｔ％Ｗ系合金などの三元以上の系
のＡｌ合金も挙げられる。中でも、特に好ましいのはＡ
ｌ−Ｓｉ系合金やＡｌ−Ｃｒ系合金である。

【００１９】Ａｌ−Ｍ₂系合金材料よりなる層はスパッ
タリング等のＰＶＤ手段で設けられる。この時のカーボ
ン基板の温度は８０〜５００℃（より好ましくは１２０
〜３５０℃）が好ましい。その厚さは５〜１００ｎｍ
（望ましくは５〜６０ｎｍ）が好ましい。すなわち、Ｐ
ＶＤ手段でＡｌ−Ｍ₂系合金層を形成するに際して、前
記のような厚さに制御することにより、Ａｌ−Ｍ₂系合
金層の表面には微細な凹凸（Ｒａが１０〜５０Å、より
好ましくは１０〜３０Å。Ｒｐが２０〜３００Å、より
好ましくは３０〜８０Å。）が形成される。尚、この第
２層の表面に形成される凹凸をＳＥＭ（走査型電子顕微
鏡）やＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって観察すると、
第１層自身によって形成される凹凸と第２層自身によっ
て形成される凹凸とが複合化した凹凸模様となってい
る。従って、このような凹凸が形成されたＡｌ−Ｍ₂系
合金層の上に磁性層などを設けたならば、前記の凹凸が
ほぼそのまま引き継がれ、表面が適度に粗面化されたも
のとなる。従って、磁気ヘッドの貼り付き現象を防止で
き、耐久性に富み、又、摩擦係数が小さく、走行性に優
れたものになる。

【００２０】本発明の磁気記録媒体は金属薄膜型のもの
である。すなわち、基板上の金属薄膜型磁性層はＰＶＤ
手段で設けられる。磁性層を構成する材料としては、例
えばＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＸ，ＣｏＮｉＸ，ＣｏＷＸ等で
表されるＣｏを主成分とするＣｏ系の磁性合金が挙げら
れる。尚、ここでＸとしては、Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｗ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｌｉ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃａ，Ａｓ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｈｆよりな
る群から選ばれる１種又は２種以上の元素が挙げられ
る。中でも、ＣｏＣｒやＣｏＣｒＰｔを好ましいものと
して挙げることが出来る。このような磁性層の膜厚は通
常３００〜１０００Å程度である。

【００２１】金属薄膜型の磁性層の下地層（Ａｌ−Ｍ₂
系合金層の上に設けられる）としてＣｒあるいはＣｒ合
金からなる非磁性のＣｒ系層がＰＶＤ手段で設けられ
る。尚、この非磁性の下地層（Ｃｒ系膜）は、上層に設
けられる磁性層の配向性などを向上させる為に設けられ
る。そして、その厚さは１０〜１００ｎｍが好ましい。
金属薄膜型の磁気記録媒体では、一般的に、磁性層上に
保護層がＰＶＤ手段やＣＶＤ手段で設けられる。保護層
の材料としては、耐摩耗性の点から硬度の高いものが望
ましい。例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒化物、炭化物
などがある。又、カーボンあるいはボロンナイトライド
等も挙げられる。中でも、ガラス状カーボンやダイヤモ
ンドライクカーボン、あるいはこれらのカーボンとセラ
ミックスとの複合材のようなカーボン系の材料は好まし
い。尚、保護膜の厚さは１００〜３００Åが好ましい。

【００２２】走行性を向上させる為に、保護層上には、
例えば厚さが５〜４０Å程度の潤滑剤層が設けられる。
潤滑剤としては、分子中に極性基を持つ潤滑剤と極性基
を持たない潤滑剤とを単独で用いても良いが、併用する
ことが好ましい。例えば、極性基を持つ潤滑剤溶液を塗
布した後、末端に極性基を持たない潤滑剤溶液を塗布し
たり、極性基を持つ潤滑剤と極性基を持たない潤滑剤と
の混合溶液を塗布し、主として保護層側に近い下層側に
極性基を持つ潤滑剤を、上層側に極性基を持たない潤滑
剤を存在させるようにしても良い。用いられる有極性の
潤滑剤は、分子量が２０００〜４０００のパーフロロポ
リエーテル系のものであり、末端に芳香族環を持つもの
が好ましい。すなわち、−（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_n−（Ｃ
Ｆ₂Ｏ） _m−の骨格を有し、末端に芳香族環を持ち、分
子量が２０００〜４０００であるものが好ましい。具体
例としては、フォンブリンＡＭ２００１（モンテカチー
ニ社製）やデムナムＳＰ（ダイキン工業社製）等が挙げ
られる。極性基を持たない潤滑剤は、分子量が２０００
〜１００００のパーフロロポリエーテル系のものが好ま
しい。すなわち、ＣＦ₃−（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_n−（Ｃ
Ｆ₂Ｏ）_m−ＣＦ₃で表され、分子量が２０００〜１０
０００のものが好ましい。具体例としては、フォンブリ
ンＺ０３（モンテカチーニ社製）等が挙げられる。

【００２３】そして、上記のように構成させた磁気記録
媒体は、磁性層あるいはＣｒ系の下地層とカーボン基板
との間にＭ₁層およびＡｌ−Ｍ₂系合金層（Ｍ₁，Ｍ₂
はカーバイドを形成し得る金属）を介在させたので、こ
のＭ₁層がカーボン基板に強固に結合し、Ａｌ−Ｍ₂系
合金層がＭ₁層に強固に結合しており、これらの層を介
して磁性層あるいはＣｒ系の下地層が強固に結合してい
るので、密着性が高く、耐久性に優れたものになる。

【００２４】しかも、Ｍ₁層およびＡｌ−Ｍ₂系合金層
に凹凸を形成したので、その上に設けられる磁性層など
にも凹凸が形成されるようになり、摩擦係数が小さく、
走行性に優れ、ＣＳＳ耐久性に優れたものになる。以
下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれ
に限定されるものではない。

【００２５】

【実施例】

〔実施例１〕密度１．５ｇ／ｃｍ³、ビッカース硬度６
５０の特性のガラス状カーボンを用いてカーボン基板１
を作製した。このカーボン基板１は、Ｒａが０．８ｎｍ
（触針式表面粗さ計により評価）である。

【００２６】このカーボン基板１上に、Ａｒガス圧２ｍ
Ｔｏｒｒ、カーボン基板温度を２５０℃の条件でＤＣマ
グネトロンスパッタリングにより１００ｎｍ厚さのＴｉ
層２を設けた。尚、このＴｉ層２の表面はＲａが１．０
ｎｍであった。次いで、Ａｒガス圧２ｍＴｏｒｒ、カー
ボン基板温度を２６０℃の条件でＤＣマグネトロンスパ
ッタリングによりＴｉ層２上に２０ｎｍ厚さのＡｌ−１
０ｗｔ％Ｓｉ合金層３を設けた。尚、Ｔｉ層を設けず、
基板上に直接このＡｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ合金層３のみを
形成した後の表面はＲａが１．８ｎｍであった。従っ
て、Ｔｉ層２上にＡｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ合金層３が設け
られた場合の表面プロフィールは、図１に示す如くの複
合凹凸模様を呈している。

【００２７】この後、Ａｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ合金層３上
にＤＣマグネトロンスパッタリングで４０ｎｍ厚さのＣ
ｒ層４を設け、次いで５０ｎｍ厚さのＣｏＣｒＰｔ系合
金磁性層５を設けた。更に、ＤＣマグネトロンスパッタ
リングによりＣｏＣｒＰｔ系合金磁性層５上に保護層
（ガラス状カーボン層）６を１５ｎｍ厚さ設けた。

【００２８】この後、フォンブリンＺ０３溶液を塗布
し、１５Å厚さの潤滑剤層７を設け、図１に示す如くの
磁気ディスクを得た。〔実施例２〜８４〕実施例１における１００ｎｍ厚さの
Ｔｉ層２を１００ｎｍ厚さの表−１に示すＭ₁層に、か
つ、２０ｎｍ厚さのＡｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ合金層３を２
０ｎｍ厚さの表−１に示すＡｌ−Ｍ₂合金層にした以外
は実施例１に準じて、磁気ディスクを得た。

【００２９】表−１Ｍ₁ 層Ａｌ−Ｍ₂ 合金層Ｍ₁ 層表面のＲａ実施例２Ｔｉ Al−５wt％Cr １．０実施例３Ｔｉ Al−８wt％Ｗ１．０実施例４Ｔｉ Al−10wt％Ti １．０実施例５Ｔｉ Al−２wt％Ta １．０実施例６Ｔｉ Al−５wt％Zr １．０実施例７Ｔｉ Al−５wt％Ｙ１．０実施例８Ｔｉ Al−５wt％Ｖ１．０実施例９Ｔｉ Al−５wt％Mo １．０実施例10 Ｃｒ Al−10wt％Si １．１実施例11 Ｃｒ Al−５wt％Cr １．１実施例12 Ｃｒ Al−８wt％Ｗ１．１実施例13 Ｃｒ Al−10wt％Ti １．１実施例14 Ｃｒ Al−２wt％Ta １．１実施例15 Ｃｒ Al−５wt％Zr １．１実施例16 Ｃｒ Al−５wt％Ｙ１．１実施例17 Ｃｒ Al−５wt％Ｖ１．１実施例18 Ｃｒ Al−５wt％Mo １．１実施例19 Ｗ Al−10wt％Si １．０実施例20 Ｗ Al−５wt％Cr １．０実施例21 Ｗ Al−８wt％Ｗ１．０実施例22 Ｗ Al−10wt％Ti １．０実施例23 Ｗ Al−２wt％Ta １．０実施例24 Ｗ Al−５wt％Zr １．０実施例25 Ｗ Al−５wt％Ｙ１．０実施例26 Ｗ Al−５wt％Ｖ１．０実施例27 Ｗ Al−５wt％Mo １．０実施例28 Ｓｉ Al−10wt％Si ０．９実施例29 Ｓｉ Al−５wt％Cr ０．９実施例30 Ｓｉ Al−８wt％Ｗ０．９実施例31 Ｓｉ Al−10wt％Ti ０．９実施例32 Ｓｉ Al−２wt％Ta ０．９実施例33 Ｓｉ Al−５wt％Zr ０．９実施例34 Ｓｉ Al−５wt％Ｙ０．９実施例35 Ｓｉ Al−５wt％Ｖ０．９実施例36 Ｓｉ Al−５wt％Mo ０．９実施例37 Ｔａ Al−10wt％Si １．０実施例38 Ｔａ Al−５wt％Cr １．０実施例39 Ｔａ Al−８wt％Ｗ１．０実施例40 Ｔａ Al−10wt％Ti １．０実施例41 Ｔａ Al−２wt％Ta １．０実施例42 Ｔａ Al−５wt％Zr １．０実施例43 Ｔａ Al−５wt％Ｙ１．０実施例44 Ｔａ Al−５wt％Ｖ１．０実施例45 Ｔａ Al−５wt％Mo １．０実施例46 Ｚｒ Al−10wt％Si １．０実施例47 Ｚｒ Al−５wt％Cr １．０実施例48 Ｚｒ Al−８wt％Ｗ１．０実施例49 Ｚｒ Al−10wt％Ti １．０実施例50 Ｚｒ Al−２wt％Ta １．０実施例51 Ｚｒ Al−５wt％Zr １．０実施例52 Ｚｒ Al−５wt％Ｙ１．０実施例53 Ｚｒ Al−５wt％Ｖ１．０実施例54 Ｚｒ Al−５wt％Mo １．０実施例55 Ｙ Al−10wt％Si ０．９実施例56 Ｙ Al−５wt％Cr ０．９実施例57 Ｙ Al−８wt％Ｗ０．９実施例58 Ｙ Al−10wt％Ti ０．９実施例59 Ｙ Al−２wt％Ta ０．９実施例60 Ｙ Al−５wt％Zr ０．９実施例61 Ｙ Al−５wt％Ｙ０．９実施例62 Ｙ Al−５wt％Ｖ０．９実施例63 Ｙ Al−５wt％Mo ０．９実施例64 Ｖ Al−10wt％Si １．０実施例65 Ｖ Al−５wt％Cr １．０実施例66 Ｖ Al−８wt％Ｗ１．０実施例67 Ｖ Al−10wt％Ti １．０実施例68 Ｖ Al−２wt％Ta １．０実施例69 Ｖ Al−５wt％Zr １．０実施例70 Ｖ Al−５wt％Ｙ１．０実施例71 Ｖ Al−５wt％Ｖ１．０実施例72 Ｖ Al−５wt％Mo １．０実施例73 Ｍｏ Al−10wt％Si １．１実施例74 Ｍｏ Al−５wt％Cr １．１実施例75 Ｍｏ Al−８wt％Ｗ１．１実施例76 Ｍｏ Al−10wt％Ti １．１実施例77 Ｍｏ Al−２wt％Ta １．１実施例78 Ｍｏ Al−５wt％Zr １．１実施例79 Ｍｏ Al−５wt％Ｙ１．１実施例80 Ｍｏ Al−５wt％Ｖ１．１実施例81 Ｍｏ Al−５wt％Mo １．１実施例82 Ｔｉ Al-5wt%Si-5wt%Cr １．０実施例83 Ｔｉ Al-5wt%Si-3wt%Mo １．０実施例84 Ｔｉ Al-5wt%Si-3wt%W １．０〔実施例８５〕実施例１におけるカーボン基板を強化ガ
ラス基板にした以外は実施例１に準じて、磁気ディスク
を得た。

【００３０】〔実施例８６〕実施例１におけるカーボン
基板をＮｉＰメッキしたＡｌ合金基板にした以外は実施
例１に準じて、磁気ディスクを得た。〔実施例８７〕実施例２におけるカーボン基板を強化ガ
ラス基板にした以外は実施例２に準じて、磁気ディスク
を得た。

【００３１】〔実施例８８〕実施例２におけるカーボン
基板をＮｉＰメッキしたＡｌ合金基板にした以外は実施
例２に準じて、磁気ディスクを得た。〔比較例１〕実施例１における１００ｎｍ厚さのＴｉ層
２を設けなかった以外は実施例１に準じて、磁気ディス
クを得た。

【００３２】〔比較例２〕実施例１における２０ｎｍ厚
さのＡｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合金層３を設けなかった以外は
実施例１に準じて、磁気ディスクを得た。〔比較例３〕実施例１における２０ｎｍ厚さのＡｌ−１
ｗｔ％Ｓｉ合金層３を２０ｎｍ厚さのＡｌ（純Ａｌ）層
にした以外は実施例１に準じて、磁気ディスクを得た。

【００３３】〔比較例４〕実施例８５における１００ｎ
ｍ厚さのＴｉ層を設けなかった以外は実施例８５に準じ
て、磁気ディスクを得た。〔比較例５〕実施例８５における２０ｎｍ厚さのＡｌ−
１ｗｔ％Ｓｉ合金層を設けなかった以外は実施例８５に
準じて、磁気ディスクを得た。

【００３４】〔比較例６〕実施例８５における２０ｎｍ
厚さのＡｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合金層を２０ｎｍ厚さのＡｌ
（純Ａｌ）層にした以外は実施例８５に準じて、磁気デ
ィスクを得た。〔比較例７〕実施例８６における１００ｎｍ厚さのＴｉ
層を設けなかった以外は実施例８６に準じて、磁気ディ
スクを得た。

【００３５】〔比較例８〕実施例８６における２０ｎｍ
厚さのＡｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合金層を設けなかった以外は
実施例８６に準じて、磁気ディスクを得た。〔比較例９〕実施例８６における２０ｎｍ厚さのＡｌ−
１ｗｔ％Ｓｉ合金層を２０ｎｍ厚さのＡｌ（純Ａｌ）層
にした以外は実施例８６に準じて、磁気ディスクを得
た。

【００３６】〔特性〕上記各例で得た磁気ディスクにつ
いて、その表面粗さＲａ、磁性層の密着性、ＧＨＴ、初
期摩擦係数、ＣＳＳ耐久性を調べたので、その結果を表
−２に示す。表−２Ｒａ（ｎｍ）密着性ＧＨＴ初期摩擦係数ＣＳＳ耐久性実施例１１．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例２１．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例３１．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例４１．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例５１．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例６１．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例７１．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例８１．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例９１．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例10 １．９ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例11 １．９ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例12 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例13 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例14 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例15 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例16 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例17 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例18 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例19 １．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例20 １．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例21 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例22 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例23 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例24 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例25 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例26 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例27 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例28 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例29 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例30 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例31 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例32 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例33 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例34 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例35 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例36 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例37 １．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例38 １．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例39 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例40 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例41 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例42 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例43 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例44 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例45 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例46 １．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例47 １．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例48 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例49 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例50 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例51 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例52 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例53 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例54 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例55 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例56 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例57 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例58 １．５ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例59 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例60 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例61 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例62 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例63 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例64 １．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例65 １．８ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例66 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例67 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例68 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例69 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例70 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例71 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例72 １．４ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例73 １．９ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例74 １．９ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例75 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例76 １．７ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例77 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例78 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例79 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例80 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例81 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例82 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例83 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例84 １．６ ○ ○ ０．１１００Ｋ以上実施例85 １．７ ○ ○ ０．１７５Ｋ実施例86 １．８ ○ △ ０．１５０Ｋ実施例87 １．７ ○ ○ ０．１７０Ｋ実施例88 １．８ ○ △ ０．１５０Ｋ比較例１１．８ ○ ○ ０．３６０Ｋ比較例２１．０ ○ ○ − 貼り付き発生比較例３１．８ × 評価出来ず − 評価出来ず比較例４１．７ ○ ○ ０．３４０Ｋ比較例５１．０ ○ ○ − 貼り付き発生比較例６１．７ × 評価出来ず − 評価出来ず比較例７１．５ ○ △ ０．４２５Ｋ比較例８１．２ ○ △ − 貼り付き発生比較例９１．５ × 評価出来ず − 評価出来ず＊Ｒａ：触針式表面粗さ計により評価＊密着性の評価：ニチバンセロテープＮｏ．４０５（幅１８ｍｍ、ニチバン製）を用い、ＡＳＴＭＤ３３５９−８７に準じて剥離試験を行った。○は剥離なし、×は基板界面で一部または全面剥離。

【００３７】＊ＧＨＴ：ＰＲＯＱＵＩＰ社製ＭＧ１５０
Ｔを用い、５０％スライダヘッドを用いて行った。１．
２μインチの浮上高さで合格のものを○、１．６μイン
チの浮上高さで合格のものを△で表示した。＊ＣＳＳテスト：ヤマハ社製の薄膜ヘッド（Ａｌ₂Ｏ₃
・ＴｉＣ製スライダ）を用い、ヘッド荷重３．５ｇ、ヘ
ッド浮上量２．８μインチ、４５００ｒｐｍで５秒間稼
働、５秒間停止のサイクルを繰り返して行い、静摩擦係
数（μｓ）が０．６になるまでの回数を調べた。本欄に
おけるＫは１０００の意味である。これによれば、基板上に金属Ｍ₁層、Ａｌ−Ｍ₂系合金
層を設け、この上に金属系磁性層を設けたので、金属Ｍ
₁層が基板に、Ａｌ−Ｍ₂系合金層が金属Ｍ₁層に強固
に結合しており、この強固に結合した中間Ａｌ−Ｍ₂系
合金層を介して磁性層が基板に強固に結合しているの
で、密着性が高く、耐久性に優れている。

【００３８】しかも、ファインな凹凸を有するＡｌ−Ｍ
₂系合金層を形成したので、その上に設けられた磁性層
などにもファインな凹凸が形成され、磁気ヘッドの低浮
上化が達成でき、走行性に優れ、ＣＳＳ耐久性にも優れ
ている。更には、初期摩擦係数が小さく、走行性が良
い。特に、基板としてカーボン基板を採用した場合に
は、一段と優れた効果を奏している。

【００３９】

【効果】本発明によれば、磁気ヘッドの低浮上化が図
れ、高密度記録に対応でき、かつ、走行性及び耐久性に
優れた磁気記録媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体の概略図

【符号の説明】

１カーボン基板２Ｔｉ層３Ａｌ−１０ｗｔ％Ｓｉ合金層４Ｃｒ層５ＣｏＣｒＰｔ系合金磁性層６保護層７潤滑剤層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、この基板上に設けられた金属Ｍ
₁（Ｍ₁はカーバイドを形成し得る金属）を構成要素と
する第１層と、この第１層上に設けられたＡｌ−Ｍ
₂（Ｍ₂はカーバイドを形成し得る金属、Ｍ₂はＭ₁と
同じでも異なっていても良い。）系合金材料よりなる第
２層と、この第２層上に設けられた金属系磁性層とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】基板と、この基板上に設けられた金属Ｍ
₁（Ｍ₁はカーバイドを形成し得る金属）を構成要素と
する第１層と、この第１層上に設けられたＡｌ−Ｍ
₂（Ｍ₂はカーバイドを形成し得る金属、Ｍ₂はＭ₁と
同じでも異なっていても良い。）系合金材料よりなる第
２層と、この第２層上に設けられたＣｒあるいはＣｒ合
金からなる下地層と、この下地層上に設けられた金属系
磁性層とを具備することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】第１層の表面には微細な第１の凹凸が形
成され、第２層の表面には第１の凹凸の影響による凹凸
と第２層自身によって形成される前記第１の凹凸よりも
大きめの凹凸とが複合した構造の第２の凹凸が形成され
てなることを特徴とする請求項１または請求項２の磁気
記録媒体。
【請求項４】第１層の厚さが１０〜２００ｎｍであ
り、第２層の厚さが５〜１００ｎｍであることを特徴と
する請求項１〜請求項３いずれかの磁気記録媒体。
【請求項５】金属系磁性層の上に保護層が設けられて
なることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの磁
気記録媒体。
【請求項６】基板がカーボン基板であることを特徴と
する請求項１〜請求項５いずれかの磁気記録媒体。
【請求項７】凹凸が形成された層は、表面に凹凸構造
を有し、下層部が連続していることを特徴とする請求項
３〜請求項６いずれかの磁気記録媒体。