JPH08147661A - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JPH08147661A
JPH08147661A JP28694794A JP28694794A JPH08147661A JP H08147661 A JPH08147661 A JP H08147661A JP 28694794 A JP28694794 A JP 28694794A JP 28694794 A JP28694794 A JP 28694794A JP H08147661 A JPH08147661 A JP H08147661A
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JP
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layer
magnetic
alloy
alloy layer
substrate
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JP28694794A
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English (en)
Inventor
Takeshi Sato
毅志 佐藤
Tsutomu Isobe
勤 磯部
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Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高密度記録に対応する為、磁気ヘッドの低浮
上化を可能とし、かつ、磁気ヘッドの貼り付きが起き
ず、更には凹凸層の密着性が良好で剥離し難く、耐久性
に優れたファインな表面粗さを持つ磁気記録媒体を提供
することを目的とする。 【構成】 基板と、この基板上に設けられた表面に凹凸
が形成されたAl−M(Mはカーバイドを形成し得る金
属)系合金材料よりなる凹凸層と、この上に設けられた
金属系磁性層とを具備する磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、摩擦係数が低く、耐久
性に優れた磁気ディスク等の磁気記録媒体に関する。
【0002】
【発明の背景】コンピュータ等の外部記憶装置に使用さ
れる磁気ディスクにおいては、磁気ディスクと磁気ヘッ
ドとの間の距離、すなわち磁気ヘッドの浮上高さを低く
することが再生出力などの点から求められている。従っ
て、磁気ディスクの表面は平滑であることが好ましいと
言える。しかし、表面が平滑すぎると、磁気ヘッドが磁
気ディスクに貼り付き、磁気ディスクや磁気ヘッドに損
傷の恐れが有る。よって、表面を適度な粗さにする為、
テクスチャ処理が基板に施されることになる。
【0003】このテクスチャ処理として、従来より幾つ
かの手法が提案されている。例えば、アルミニウム基板
に対しては機械的研磨法が提案されている。ガラス基板
に対しては、化学的エッチング法(特開昭64−377
18号公報)や、微粒子含有塗料の塗布法(特開平1−
194128号公報)が提案されている。又、カーボン
基板に対しては、熱酸化法(特開平4−214225号
公報)が提案されている。しかし、これらの方法では、
磁気ヘッドの浮上高さの一層の低下が要求される今日に
あっては十分にその要求を満たすことが出来なくなって
いる。
【0004】すなわち、優れた耐久性を維持しつつ、磁
気ヘッドの一層の低浮上化を可能とするテクスチャ技
術、つまり平滑でありながらも適度な粗さを有する表面
特性が求められている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような要望に沿っ
た技術として、Sn,In等の低融点金属を真空蒸着さ
せて凹凸を形成する方法(特開昭60−211614号
公報、特開昭61−240429号公報)、Al,Cu
等の低融点金属をスパッタして不連続な島状構造とする
方法(特開平3−73419号公報)、Cr,Mo,W
等の高融点金属を用いて粗面とする方法(特開平2−2
67722号公報)等が提案されている。
【0006】これらの方法は、テクスチャ処理と磁性層
の形成を真空系で一貫して行える特長が有る。しかし、
低融点の単体金属を用いた場合には、凹凸度が良くな
く、かつ、基板との密着性が悪くて剥離し易く、実用に
耐えない。又、高融点金属を用いた場合には、凹凸度が
良くなく、耐久性(CSS特性)が悪いと言う問題が有
った。
【0007】
【課題を解決する為の手段】前記の問題に対する検討が
本発明者によって鋭意押し進められて行った。すなわ
ち、磁性層、あるいは磁性層の下地層とガラス状カーボ
ン基板との間に凹凸が容易に形成される層を設け、この
層の密着性の向上を図ることを考えた。この指針に沿っ
た研究を精力的に行っている中に、Al−Si系合金材
料をスパッタ等の手段で設けたものは、凹凸形成が容易
で、かつ、適度な凹凸が形成され、更には密着性に富む
ことが判って来た。更に、他の材料についても検討を行
った結果、Al−Si系合金の他にもAl−Cr系合
金、Al−Ta系合金、Al−Ti系合金、Al−Zr
系合金、Al−Y系合金、Al−Mo系合金、Al−W
系合金、Al−V系合金の層を設けたものにあっても、
凹凸形成が容易で、かつ、適度な凹凸が形成され、更に
は密着性に富むことが判って来た。
【0008】これらの知見を基にして考察して行く中
に、カーバイドを形成し得る金属Mを含有するAl−M
系金属層(凹凸形成層)がカーボン基板上に設けられて
いると、カーボン基板のC成分とカーバイドを形成する
金属Mの存在によってカーボン基板とAl−M系金属層
(凹凸形成層)との間の結合は強く、従ってこの上に金
属磁性層、あるいは下地層(金属層)を介して金属磁性
層を設けた場合には、適度な凹凸が表面に形成されてお
り、摩擦係数が小さく、耐久性に優れ、更には剥離の問
題も解決されると推察された。
【0009】本発明はこの知見を基にして達成されたも
のであり、高密度記録に対応する為、磁気ヘッドの低浮
上化を可能とし、かつ、磁気ヘッドの貼り付きが起き
ず、更には凹凸層の密着性が良好で剥離し難く、耐久性
に優れたファインな表面粗さを持つ磁気記録媒体を提供
することを目的とする。この本発明の目的は、基板と、
この基板上に表面に凹凸が形成されたAl−M(Mはカ
ーバイドを形成し得る金属)系合金材料よりなる凹凸層
を設け、更に当該凹凸層上に金属系磁性層を設けること
を特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【0010】特に、カーボン基板(中でも、ガラス状カ
ーボン基板)と、このカーボン基板上に表面に凹凸が形
成されたAl−M(Mはカーバイドを形成し得る金属)
系合金材料よりなる凹凸層を設け、更に当該凹凸層上に
金属系磁性層を設けることを特徴とする磁気記録媒体に
よって達成される。尚、本発明において、凹凸層は、図
1に示す如く、表面に凹凸構造を有し、下層部が連続し
ているタイプが好ましく、そして凹凸層の厚さは5〜1
00nmが好ましい。
【0011】又、凹凸層と金属系磁性層との間にCrあ
るいはCr合金からなるCr系層(下地層)が設けられ
てなることが好ましい。又、金属系磁性層の上には保護
層が設けられてなることが好ましい。以下、本発明につ
いて詳述する。本発明において、基板は磁性を有するも
のでも非磁性のものでも良いが、一般的には非磁性のも
のが用いられる。例えば、カーボン(特公昭63−46
004号公報、特開平3−11005号公報など)、強
化ガラス、結晶化ガラス、AlあるいはAl合金、チタ
ンあるいはチタン合金、セラミックス、樹脂、あるいは
前記材料の複合材料が用いられる。中でも、カーボン、
特にガラス状カーボンは、耐熱性、スパッタによって磁
性層などを設ける際の加熱によるガス発生が少ないこと
等から、本発明の場合には最も好ましい。
【0012】そして、例えばRa(中心線平均粗さ)が
0.5〜0.9nmのカーボン基板上に、直接、Al−
M(Mはカーバイドを形成し得る金属)系合金層が設け
られる。このAl−M系合金の具体例としては、MがS
i,Cr,Ta,Ti,Zr,Y,Mo,W,V等の元
素の中から選ばれる少なくとも一種以上を含むAl−M
系合金が挙げられる。例えば、Al−Si系合金(好ま
しくはSiが0.2〜15wt%、より好ましくはSi
が1〜10wt%)、Al−Cr系合金(好ましくはC
rが0.1〜10wt%、より好ましくはCrが1〜5
wt%)、Al−Ta系合金(好ましくはTaが0.1
〜3wt%、より好ましくはTaが1〜2wt%)、A
l−Ti系合金(好ましくはTiが0.5〜15wt
%、より好ましくはTiが1〜10wt%)、Al−Z
r系合金(好ましくはZrが0.1〜9wt%、より好
ましくはZrが1〜5wt%)、Al−Y系合金(好ま
しくはYが0.1〜10wt%、より好ましくはYが1
〜5wt%)、Al−Mo系合金(好ましくはMoが
0.2〜10wt%、より好ましくはMoが1〜5wt
%)、Al−W系合金(好ましくはWが0.2〜10w
t%、より好ましくはWが1〜8wt%)、Al−V系
合金(好ましくはVが0.5〜10wt%、より好まし
くはVが1〜5wt%)等が挙げられる。又、Al−5
wt%Si−5wt%Cr系合金、Al−5wt%Si
−3wt%Mo系合金、Al−5wt%Si−3wt%
W系合金などの三元以上の系のAl合金も挙げられる。
尚、中でも好ましいものはAl−Si系合金、Al−C
r系合金である。
【0013】このAl−M系合金材料の層は、例えば真
空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング
等のPVD手段で設けられる。この時のカーボン基板の
温度は80〜500℃(より好ましくは120〜350
℃)が好ましい。そして、その厚さは2〜100nm、
望ましくは5〜60nmが好ましい。尚、この層は不連
続な島状構造のものであっても良いが、密着性を考える
と、図1の如く、表面に凹凸構造を有し、下層部が連続
しているタイプが好ましい。すなわち、前記のようなP
VD手段でAl−M系合金層を形成するに際して、前記
のような厚さに制御することにより、Al−M系合金層
の表面には微細な凹凸が形成される。従って、この表面
に凹凸が形成されたAl−M系合金層の上に磁性層など
を設けていったならば、前記の凹凸がほぼそのまま引き
継がれ、表面が適度に粗面化されたものとなる。従っ
て、磁気ヘッドの貼り付きを防止でき、耐久性に優れた
ものになる。
【0014】本発明に係る磁気記録媒体は金属薄膜型の
ものである。すなわち、基板上の金属薄膜型磁性層はP
VD手段で設けられる。磁性層を形成する材料として
は、例えばCoCr,CoCrX,CoNiX,CoW
X等で表されるCoを主成分とするCo系の磁性合金が
挙げられる。尚、ここでXとしては、Ta,Pt,A
u,Ti,V,Cr,Ni,W,La,Ce,Pr,N
d,Pm,Sm,Eu,Li,Si,B,Ca,As,
Y,Zr,Nb,Mo,Ru,Rh,Ag,Sb,Hf
よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素が挙げ
られる。中でも、CoCrやCoCrPtを好ましいも
のとして挙げることが出来る。このような磁性層の膜厚
は通常300〜1000Å程度である。
【0015】この金属薄膜型の磁性層の下地層(Al−
M系合金層の上に設けられる)としてCrあるいはCr
合金からなる非磁性のCr系層が、PVD手段で設けら
れる。尚、この非磁性の下地層(Cr系層)は、上層に
設けられる磁性層の配向性などを向上させる為に設けら
れる。そして、その厚さは100〜1000Åが好まし
い。
【0016】金属薄膜型の磁気記録媒体は、一般的に、
磁性層上に保護層がPVD手段やCVD手段で設けられ
る。保護層の材料としては、耐摩耗性の点から硬度の高
いものが望ましい。例えば、Al,Si,Ti,Cr,
Zr,Nb,Mo,Ta,W等の金属の酸化物、窒化
物、炭化物などがある。又、カーボンあるいはボロンナ
イトライド等も挙げられる。中でも、ガラス状カーボン
やダイヤモンドライクカーボン、あるいはこれらのカー
ボンとセラミックスとの複合材のようなカーボン系の材
料は好ましいものである。尚、保護層の厚さは100〜
300Åが好ましい。
【0017】走行性を向上させる為に、保護層上には、
例えば厚さが5〜100Å程度の潤滑剤の層が設けられ
る。潤滑剤としては、分子中に極性基を持つ潤滑剤と極
性基を持たない潤滑剤とを単独で用いても良いが、併用
することが好ましい。例えば、極性基を持つ潤滑剤溶液
を塗布した後、極性基を持たない潤滑剤溶液を塗布した
り、極性基を持つ潤滑剤と極性基を持たない潤滑剤との
混合溶液を塗布し、主として保護層側に近い下層側に極
性基を持つ潤滑剤を、上層側に極性基を持たない潤滑剤
を存在させるようにしても良い。用いられる極性基を持
つ潤滑剤は、分子量が2000〜4000のパーフロロ
ポリエーテル系のものであり、末端に芳香族環を持つも
のが好ましい。すなわち、−(CF2 CF2 O)n
(CF2 O)m −の骨格を有し、末端に芳香族環を持
ち、分子量が2000〜4000であるものが好まし
い。具体例としては、フォンブリンAM2001(モン
テカチーニ社製)やデムナムSP(ダイキン工業社製)
等が挙げられる。末端に極性基を持たない潤滑剤は、分
子量が2000〜10000のパーフロロポリエーテル
系のものが好ましい。すなわち、CF3 −(CF2 CF
2 O)n −(CF2 O)m−CF3 で表され、分子量が
2000〜10000であるものが好ましい。具体例と
しては、フォンブリンZ03(モンテカチーニ社製)等
が挙げられる。
【0018】そして、上記のように構成させた磁気記録
媒体は、適度な凹凸(好ましくは中心線平均粗さRaが
10〜50Å)が形成されたAl−M(Mはカーバイド
を形成し得る金属)系合金層を介在させたので、このA
l−M系合金層が基板に強固に結合しており、このAl
−M系合金層に対して磁性層あるいはCr系の下地層が
強固に結合しているので、密着性が高く、そして表面に
適度な凹凸が形成されているので、摩擦係数が小さく、
走行性に優れ、耐久性(CSS耐久性)に優れたものに
なる。
【0019】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0020】
【実施例】
〔実施例1〕密度1.5g/cm3 、ビッカース硬度6
50の特性のガラス状カーボンを用いてカーボン基板1
を作製した。このカーボン基板1は、Raが0.8nm
(触針式表面粗さ計により評価)である。
【0021】このカーボン基板1上に、Arガス圧2m
Torr、カーボン基板温度を250℃の条件でDCマ
グネトロンスパッタリングにより20nm厚さのAl−
1wt%Si合金層2を設けた。尚、このAl−1wt
%Si合金層2は、図1のように下層部分が連続し、表
面は多島海状のように凹凸(Ra15Å)が形成されて
いた。
【0022】この後、Al−Si層2上に、Arガス圧
2mTorr、カーボン基板温度を260℃の条件でD
Cマグネトロンスパッタリングにより40nm厚さのC
r層3を設け、次いで50nm厚さのCoCrPt系合
金磁性層4を設けた。更に、DCマグネトロンスパッタ
リングによりCoCrPt系合金磁性層4上に保護層
(ガラス状カーボン層)5を15nm厚さ設けた。
【0023】この後、フォンブリンZ03溶液を塗布
し、15Å厚さの潤滑剤層6を設け、図1に示す如くの
磁気ディスクを得た。 〔実施例2〜30〕実施例1における20nm厚さのA
l−1wt%Si合金層を20nm厚さの下記の表−1
に示すAl−X合金層にした以外は実施例1に準じて行
い、磁気ディスクを得た。
【0024】表−1 Al−X合金層 実施例2 Al−5wt%Si合金層 実施例3 Al−10wt%Si合金層 実施例4 Al−1wt%Cr合金層 実施例5 Al−3wt%Cr合金層 実施例6 Al−5wt%Cr合金層 実施例7 Al−1wt%W合金層 実施例8 Al−4wt%W合金層 実施例9 Al−8wt%W合金層 実施例10 Al−1wt%Ti合金層 実施例11 Al−5wt%Ti合金層 実施例12 Al−10wt%Ti合金層 実施例13 Al−1wt%Ta合金層 実施例14 Al−1.5wt%Ta合金層 実施例15 Al−2wt%Ta合金層 実施例16 Al−1wt%Zr合金層 実施例17 Al−3wt%Zr合金層 実施例18 Al−5wt%Zr合金層 実施例19 Al−1wt%Y合金層 実施例20 Al−3wt%Y合金層 実施例21 Al−5wt%Y合金層 実施例22 Al−1wt%V合金層 実施例23 Al−3wt%V合金層 実施例24 Al−5wt%V合金層 実施例25 Al−1wt%Mo合金層 実施例26 Al−3wt%Mo合金層 実施例27 Al−5wt%Mo合金層 実施例28 Al−5wt%Si−5wt%Cr合
金層 実施例29 Al−5wt%Si−5wt%Mo合
金層 実施例30 Al−5wt%Si−3wt%W合金
層 〔実施例31〕実施例3におけるカーボン基板を強化ガ
ラス基板にした以外は実施例1に準じて行い、磁気ディ
スクを得た。
【0025】〔実施例32〕実施例1におけるカーボン
基板をNiPメッキしたAl合金基板にした以外は実施
例1に準じて行い、磁気ディスクを得た。 〔実施例33〕実施例6におけるカーボン基板を強化ガ
ラス基板にした以外は実施例6に準じて行い、磁気ディ
スクを得た。
【0026】〔実施例34〕実施例6におけるカーボン
基板をNiPメッキしたAl合金基板にした以外は実施
例6に準じて行い、磁気ディスクを得た。 〔比較例1〕実施例1における20nm厚さのAl−1
wt%Si合金層を設けなかった以外は実施例1に準じ
て行い、磁気ディスクを得た。
【0027】〔比較例2〕実施例1における20nm厚
さのAl−1wt%Si合金層を20nm厚さのAl
(純Al)層にした以外は実施例1に準じて行い、磁気
ディスクを得た。 〔比較例3〕実施例31における20nm厚さのAl−
1wt%Si合金層を設けなかった以外は実施例31に
準じて行い、磁気ディスクを得た。
【0028】〔比較例4〕実施例31における20nm
厚さのAl−1wt%Si合金層を20nm厚さのAl
(純Al)層にした以外は実施例31に準じて行い、磁
気ディスクを得た。 〔比較例5〕実施例32における20nm厚さのAl−
1wt%Si合金層を設けなかった以外は実施例32に
準じて行い、磁気ディスクを得た。
【0029】〔比較例6〕実施例32における20nm
厚さのAl−1wt%Si合金層を20nm厚さのAl
(純Al)層にした以外は実施例32に準じて行い、磁
気ディスクを得た。 〔特性〕上記各例で得た磁気ディスクについて、その表
面粗さRa、磁性層の密着性、GHT、CSS耐久性を
調べたので、その結果を表−2に示す。
【0030】 表−2 Ra(nm) 密着性 GHT CSS耐久性 実施例1 1.4 ○ ○ 50000回以上 実施例2 1.6 ○ ○ 50000回以上 実施例3 1.8 ○ ○ 50000回以上 実施例4 1.4 ○ ○ 50000回以上 実施例5 1.6 ○ ○ 50000回以上 実施例6 1.8 ○ ○ 50000回以上 実施例7 1.4 ○ ○ 50000回以上 実施例8 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例9 1.6 ○ ○ 50000回以上 実施例10 1.4 ○ ○ 50000回以上 実施例11 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例12 1.6 ○ ○ 50000回以上 実施例13 1.4 ○ ○ 50000回以上 実施例14 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例15 1.6 ○ ○ 50000回以上 実施例16 1.4 ○ ○ 50000回以上 実施例17 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例18 1.6 ○ ○ 50000回以上 実施例19 1.4 ○ ○ 50000回以上 実施例20 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例21 1.6 ○ ○ 50000回以上 実施例22 1.4 ○ ○ 50000回以上 実施例23 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例24 1.6 ○ ○ 50000回以上 実施例25 1.4 ○ ○ 50000回以上 実施例26 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例27 1.6 ○ ○ 50000回以上 実施例28 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例29 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例30 1.5 ○ ○ 50000回以上 実施例31 1.7 ○ ○ 40000回 実施例32 1.5 ○ △ 25000回 実施例33 1.7 ○ ○ 35000回 実施例34 1.5 ○ △ 20000回 比較例1 1.0 ○ ○ 貼り付き発生 比較例2 1.8 × 評価出来ず 評価出来ず 比較例3 1.2 ○ ○ 貼り付き発生 比較例4 1.7 × 評価出来ず 評価出来ず 比較例5 1.3 ○ △ 貼り付き発生 比較例6 1.8 × 評価出来ず 評価出来ず *Ra:触針式表面粗さ計により評価 *密着性の評価:ニチバンセロテープNo.405(幅18mm、ニチバン製 )を用い、ASTM D3359−87に準じて剥離試験を行った。○は剥離な し、×は基板界面で一部または全面剥離。
【0031】*GHT:PROQUIP社製MG150
Tを用い、50%スライダヘッドを用いて行った。1.
2μインチの浮上高さで合格のものを○、1.6μイン
チの浮上高さで合格のものを△で表示した。 *CSSテスト:ヤマハ社製の薄膜ヘッド(Al2 3
・TiC製スライダ)を用い、ヘッド荷重3.5g、ヘ
ッド浮上量2.8μインチ、4500rpmで5秒間稼
働、5秒間停止のサイクルを繰り返して行い、静摩擦係
数(μs)が0.6になるまでの回数を調べた。 これによれば、本発明になるものは、基板上にAl−M
系合金層を設け、この上に磁性層を設けたので、この中
間Al−M系合金層が基板に強固に結合し、そしてこの
強固に結合した中間Al−M系合金層を介して磁性層が
基板に強固に結合しているので、密着性が高く、耐久性
に優れている。
【0032】しかも、ファインな凹凸を有するAl−M
系合金層を形成したので、その上に設けられた磁性層な
どにもファインな凹凸が形成され、磁気ヘッドの低浮上
化が達成でき、走行性に優れ、CSS耐久性にも優れて
いる。特に、基板としてカーボン基板を採用した場合に
は、一段と優れた効果を奏している。
【0033】
【効果】本発明によれば、磁気ヘッドの低浮上化が図
れ、高密度記録に対応でき、かつ、走行性及び耐久性に
優れた磁気記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】磁気記録媒体の概略図
【符号の説明】
1 カーボン基板 2 Al−1wt%Si合金層 3 Cr層 4 CoCrPt系合金磁性層 5 保護層 6 滑剤層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年12月12日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】本発明に係る磁気記録媒体は金属薄膜型の
ものであ、基板上の金属薄膜型磁性層は、例えばPV
D手段こ設けられる。磁性層を形成する材料としては、
例えばCoCr,CoCrX,CoNiX,CoWX等
ぞ表されるCoを主成分とするCo系の磁性合金が挙げ
られる。尚、ここでXとしては、Ta,Pt,Au,T
i,V,Cr,Ni,W,La,Ce,Pr,Nd,P
m,Sm,Eu,Li,Si,B,Ca,As,Y,Z
r,Nb,Mo,Ru,Rh,Ag,Sb,Hfよりな
る群から選ばれる1種又は2種以上の元素が挙げられ
る。中でも、CoCrやCoCrPtを好ましいものと
して挙げることが出来る。このような磁性層の膜厚は通
常300〜1000Å程度である。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正内容】
【0016】金属薄膜型の磁気記録媒体は、一般的
に、磁性層上に保護層がPVD手段やCVD手段で設け
られる。保護層の材料としては、耐摩耗性の点から硬度
の高いものが望ましい。例えば、Al,Si,Ti,C
r,Zr,Nb,Mo,Ta,W等の金属の酸化物、窒
化物、炭化物などがある。又、カーボンあるいはボロン
ナイトライド等も挙げられる。中でも、ガラス状カーボ
ンやダイヤモンドライクカーボン、あるいはこれらのカ
ーボンとセラミックスとの複合材のようなカーボン系の
材料は好ましいものである。尚、保護層の厚さは100
〜300Åが好ましい。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0023
【補正方法】変更
【補正内容】
【0023】この後、フォンブリンZ03溶液を塗布
し、15Å厚さの潤滑剤層6を設け、図1に示す如くの
磁気ディスクを得た。 〔実施例2〜30〕実施例1における20nm厚さのA
l−1wt%Si合金層を20nm厚さの下記の表−1
に示すAl−X合金層にした以外は実施例1に準じて、
磁気ディスクを得た。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】表−1 Al−X合金層 実施例2 Al−5wt%Si合金層 実施例3 Al−10wt%Si合金層 実施例4 Al−1wt%Cr合金層 実施例5 Al−3wt%Cr合金層 実施例6 Al−5wt%Cr合金層 実施例7 Al−1wt%W合金層 実施例8 Al−4wt%W合金層 実施例9 Al−8wt%W合金層 実施例10 Al−1wt%Ti合金層 実施例11 Al−5wt%Ti合金層 実施例12 Al−10wt%Ti合金層 実施例13 Al−1wt%Ta合金層 実施例14 Al−1.5wt%Ta合金層 実施例15 Al−2wt%Ta合金層 実施例16 Al−1wt%Zr合金層 実施例17 Al−3wt%Zr合金層 実施例18 Al−5wt%Zr合金層 実施例19 Al−1wt%Y合金層 実施例20 Al−3wt%Y合金層 実施例21 Al−5wt%Y合金層 実施例22 Al−1wt%V合金層 実施例23 Al−3wt%V合金層 実施例24 Al−5wt%V合金層 実施例25 Al−1wt%Mo合金層 実施例26 Al−3wt%Mo合金層 実施例27 Al−5wt%Mo合金層 実施例28 Al−5wt%Si−5wt%Cr合
金層 実施例29 Al−5wt%Si−5wt%Mo合
金層 実施例30 Al−5wt%Si−3wt%W合金
層 〔実施例31〕実施例3におけるカーボン基板を強化ガ
ラス基板にした以外は実施例1に準じて、磁気ディスク
を得た。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0025
【補正方法】変更
【補正内容】
【0025】〔実施例32〕実施例1におけるカーボン
基板をNiPメッキしたAl合金基板にした以外は実施
例1に準じて、磁気ディスクを得た。 〔実施例33〕実施例6におけるカーボン基板を強化ガ
ラス基板にした以外は実施例6に準じて、磁気ディスク
を得た。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】〔実施例34〕実施例6におけるカーボン
基板をNiPメッキしたAl合金基板にした以外は実施
例6に準じて、磁気ディスクを得た。 〔比較例1〕実施例1における20nm厚さのAl−1
wt%Si合金層を設けなかった以外は実施例1に準じ
て、磁気ディスクを得た。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】〔比較例2〕実施例1における20nm厚
さのAl−1wt%Si合金層を20nm厚さのAl
(純Al)層にした以外は実施例1に準じて、磁気ディ
スクを得た。 〔比較例3〕実施例31における20nm厚さのAl−
1wt%Si合金層を設けなかった以外は実施例31に
準じて、磁気ディスクを得た。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0028
【補正方法】変更
【補正内容】
【0028】〔比較例4〕実施例31における20nm
厚さのAl−1wt%Si合金層を20nm厚さのAl
(純Al)層にした以外は実施例31に準じて、磁気デ
ィスクを得た。 〔比較例5〕実施例32における20nm厚さのAl−
1wt%Si合金層を設けなかった以外は実施例32に
準じて、磁気ディスクを得た。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0029
【補正方法】変更
【補正内容】
【0029】〔比較例6〕実施例32における20nm
厚さのAl−1wt%Si合金層を20nm厚さのAl
(純Al)層にした以外は実施例32に準じて、磁気デ
ィスクを得た。 〔特性〕上記各例で得た磁気ディスクについて、その表
面粗さRa、磁性層の密着性、GHT、CSS耐久性を
調べたので、その結果を表−2に示す。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、この基板上に設けられた表面に
    凹凸が形成されたAl−M(Mはカーバイドを形成し得
    る金属)系合金材料よりなる凹凸層と、この上に設けら
    れた金属系磁性層とを具備することを特徴とする磁気記
    録媒体。
  2. 【請求項2】 凹凸層と金属系磁性層との間にCrある
    いはCr合金からなるCr系層が設けられてなることを
    特徴とする請求項1の磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】 凹凸層は、表面に凹凸構造を有し、下層
    部が連続していることを特徴とする請求項1又は請求項
    2の磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】 凹凸層は、その厚さが5〜100nmで
    あることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの磁
    気記録媒体。
  5. 【請求項5】 金属系磁性層の上に保護層が設けられて
    なることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの磁
    気記録媒体。
  6. 【請求項6】 基板がカーボン基板であることを特徴と
    する請求項1〜請求項5いずれかの磁気記録媒体。
JP28694794A 1994-11-21 1994-11-21 磁気記録媒体 Pending JPH08147661A (ja)

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JP28694794A JPH08147661A (ja) 1994-11-21 1994-11-21 磁気記録媒体
US08/561,449 US5650237A (en) 1994-11-21 1995-11-21 Magnetic recording medium having a metallic magnetic layer and an aluminum alloy underlayer
GB9523789A GB2295159B (en) 1994-11-21 1995-11-21 Magnetic recording medium

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998012698A1 (fr) * 1996-09-20 1998-03-26 Hitachi, Ltd. Support de disque magnetique, tete magnetique, appareil a disque magnetique les utilisant et procede servant a fabriquer cet appareil
US7470475B2 (en) 2003-05-15 2008-12-30 Fujitsu Limited Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus

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WO1998012698A1 (fr) * 1996-09-20 1998-03-26 Hitachi, Ltd. Support de disque magnetique, tete magnetique, appareil a disque magnetique les utilisant et procede servant a fabriquer cet appareil
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