JPH07262547A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH07262547A JPH07262547A JP4921294A JP4921294A JPH07262547A JP H07262547 A JPH07262547 A JP H07262547A JP 4921294 A JP4921294 A JP 4921294A JP 4921294 A JP4921294 A JP 4921294A JP H07262547 A JPH07262547 A JP H07262547A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保護層を薄く形成しても、従来に比して十分
な耐摩耗性と耐食性を確保することができる磁気記録媒
体及びその製造方法を提供する。 【構成】 非磁性基板１の上に下地層２、磁性層３およ
び保護層４が同順序で積層成膜された磁気記録媒体であ
る。前記保護層４は基板側の下部炭素層５と、Ｔａ，Ｎ
ｂ，Ｔｉ及びＺｒの内から選択された一種以上の金属を
含む非磁性中間層６と、表面側の上部炭素層７が同順序
で積層成膜されている。非磁性中間層６を前記金属のみ
で形成してもよい。また、金属の含有量が５〜８０at％
であり、残部が炭素からなる金属炭素化合物により形成
してもよい。また、下部炭素層５及び上部炭素層７はダ
イヤモンド状炭素により形成するのがよい。
な耐摩耗性と耐食性を確保することができる磁気記録媒
体及びその製造方法を提供する。 【構成】 非磁性基板１の上に下地層２、磁性層３およ
び保護層４が同順序で積層成膜された磁気記録媒体であ
る。前記保護層４は基板側の下部炭素層５と、Ｔａ，Ｎ
ｂ，Ｔｉ及びＺｒの内から選択された一種以上の金属を
含む非磁性中間層６と、表面側の上部炭素層７が同順序
で積層成膜されている。非磁性中間層６を前記金属のみ
で形成してもよい。また、金属の含有量が５〜８０at％
であり、残部が炭素からなる金属炭素化合物により形成
してもよい。また、下部炭素層５及び上部炭素層７はダ
イヤモンド状炭素により形成するのがよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属薄膜型面内記録用の
磁気記録媒体、特にその保護膜の改善に関する。
磁気記録媒体、特にその保護膜の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金からなる磁性層を非磁性基板上に
Ｃｒ下地層を介して積層成膜した面内記録用金属薄膜型
磁気記録媒体が用いられている。
って、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金からなる磁性層を非磁性基板上に
Ｃｒ下地層を介して積層成膜した面内記録用金属薄膜型
磁気記録媒体が用いられている。
【０００３】磁気記録媒体の記録密度を向上させるため
には、媒体表面から磁気ヘッドまでの高さ（グライドハ
イト）を低くする必要がある。このヘッドの低浮上化に
伴って、媒体の耐久性を向上させることも必要であり、
媒体表面と磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減し、媒体表面
の耐摩耗性を向上させるために、基板表面にテキスチャ
ーと呼ばれる凹凸加工を施したり、磁性層の上にダイヤ
モンド状、グラファイト状などの固体炭素膜を保護層と
して積層形成することが行われている。
には、媒体表面から磁気ヘッドまでの高さ（グライドハ
イト）を低くする必要がある。このヘッドの低浮上化に
伴って、媒体の耐久性を向上させることも必要であり、
媒体表面と磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減し、媒体表面
の耐摩耗性を向上させるために、基板表面にテキスチャ
ーと呼ばれる凹凸加工を施したり、磁性層の上にダイヤ
モンド状、グラファイト状などの固体炭素膜を保護層と
して積層形成することが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録媒体の磁気特
性を向上させるには、ヘッドを磁性層になるべく近接さ
せることが必要であり、そのためには前記保護層をなる
べく薄く形成することが望ましい。しかし、この場合、
保護層の微量の摩耗により、摩擦係数が変動し、ヘッド
の吸着及びヘッドクラッシュが生じるという問題があ
る。また、従来の炭素質保護層はポーラスで、緻密性に
欠けるため、十分な耐食性を備えていないという問題が
ある。
性を向上させるには、ヘッドを磁性層になるべく近接さ
せることが必要であり、そのためには前記保護層をなる
べく薄く形成することが望ましい。しかし、この場合、
保護層の微量の摩耗により、摩擦係数が変動し、ヘッド
の吸着及びヘッドクラッシュが生じるという問題があ
る。また、従来の炭素質保護層はポーラスで、緻密性に
欠けるため、十分な耐食性を備えていないという問題が
ある。
【０００５】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、保護層を薄く形成しても、従来に比して十分な耐摩
耗性と耐食性を確保することができる磁気記録媒体及び
その製造方法を提供することを目的とする。
で、保護層を薄く形成しても、従来に比して十分な耐摩
耗性と耐食性を確保することができる磁気記録媒体及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性基板の上に下地層、磁性層および保護層が同
順序で積層成膜された磁気記録媒体において、前記保護
層は基板側の下部炭素層と、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒ
の内から選択された一種以上の金属を含む非磁性中間層
と、表面側の上部炭素層が同順序で積層成膜されてい
る。この場合、非磁性中間層を前記金属のみで形成して
もよい。また、金属の含有量が５〜８０at％であり、残
部が炭素からなる金属炭素化合物により形成してもよ
い。この際、下部炭素層及び上部炭素層はダイヤモンド
状炭素により形成するのがよい。
は、非磁性基板の上に下地層、磁性層および保護層が同
順序で積層成膜された磁気記録媒体において、前記保護
層は基板側の下部炭素層と、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒ
の内から選択された一種以上の金属を含む非磁性中間層
と、表面側の上部炭素層が同順序で積層成膜されてい
る。この場合、非磁性中間層を前記金属のみで形成して
もよい。また、金属の含有量が５〜８０at％であり、残
部が炭素からなる金属炭素化合物により形成してもよ
い。この際、下部炭素層及び上部炭素層はダイヤモンド
状炭素により形成するのがよい。
【０００７】一方、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、非磁性基板の上に下地層、磁性層および保護層をス
パッタリングにより同順序で積層成膜する磁気記録媒体
の製造方法において、スパッタリングガスとして不活性
ガスに炭化水素ガスが８０vol％以下含有された混合ガ
スを用いて、下部炭素層と、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒ
の内から選択された一種以上の金属を含む非磁性中間層
と、上部炭素層からなる保護層を同順序で積層成膜す
る。非磁性中間層の成膜の際には、前記混合ガスの使用
の有無を問わず、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒの内から選
択された一種以上の金属原子が５〜８０ａｔ％含有した
前記金属と炭素との混合物からなるターゲットを用いる
とよい。
は、非磁性基板の上に下地層、磁性層および保護層をス
パッタリングにより同順序で積層成膜する磁気記録媒体
の製造方法において、スパッタリングガスとして不活性
ガスに炭化水素ガスが８０vol％以下含有された混合ガ
スを用いて、下部炭素層と、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒ
の内から選択された一種以上の金属を含む非磁性中間層
と、上部炭素層からなる保護層を同順序で積層成膜す
る。非磁性中間層の成膜の際には、前記混合ガスの使用
の有無を問わず、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒの内から選
択された一種以上の金属原子が５〜８０ａｔ％含有した
前記金属と炭素との混合物からなるターゲットを用いる
とよい。
【０００８】
【作用】保護層の非磁性中間層に含まれるＴａ，Ｎｂ，
Ｔｉ，Ｚｒは炭素と強固に結合し、硬質で化学的に安定
な金属炭素化合物を形成する。このため、非磁性中間層
として前記金属の一種以上を含む非磁性材で形成するこ
とにより、下部炭素層と非磁性中間層、あるいは非磁性
中間層と上部炭素層との境界部に炭素炭素原子中に前記
金属原子が拡散した、緻密で耐摩耗性及び耐食性に富む
金属炭素化合物が形成される。非磁性中間層に含まれる
前記金属原子の含有量は、金属原子の拡散を促進するた
め、５０at％以上にすることが好ましい。勿論、前記非
磁性中間層は、所定の金属のみにより形成してもよい。
この場合、前記金属原子の拡散は非常に良好になる。
Ｔｉ，Ｚｒは炭素と強固に結合し、硬質で化学的に安定
な金属炭素化合物を形成する。このため、非磁性中間層
として前記金属の一種以上を含む非磁性材で形成するこ
とにより、下部炭素層と非磁性中間層、あるいは非磁性
中間層と上部炭素層との境界部に炭素炭素原子中に前記
金属原子が拡散した、緻密で耐摩耗性及び耐食性に富む
金属炭素化合物が形成される。非磁性中間層に含まれる
前記金属原子の含有量は、金属原子の拡散を促進するた
め、５０at％以上にすることが好ましい。勿論、前記非
磁性中間層は、所定の金属のみにより形成してもよい。
この場合、前記金属原子の拡散は非常に良好になる。
【０００９】一方、非磁性中間層を金属原子の含有量が
５〜８０ａｔ％、残部が炭素からなる金属炭素化合物に
より形成することにより、境界部のみならず、非磁性中
間層全体が非常に耐摩耗性、耐食性に富んだ層になる。
金属原子の含有量が５％未満では炭素が主体となり、非
磁性中間層内に安定な化合物量が不足し、耐摩耗性、耐
食性が不足するようになる。一方、８０％を越えると金
属が主体となり、この場合も安定な化合物量が不足する
ようになる。
５〜８０ａｔ％、残部が炭素からなる金属炭素化合物に
より形成することにより、境界部のみならず、非磁性中
間層全体が非常に耐摩耗性、耐食性に富んだ層になる。
金属原子の含有量が５％未満では炭素が主体となり、非
磁性中間層内に安定な化合物量が不足し、耐摩耗性、耐
食性が不足するようになる。一方、８０％を越えると金
属が主体となり、この場合も安定な化合物量が不足する
ようになる。
【００１０】また、保護層の表面側、裏面側には下部炭
素層、上部炭素層が設けられいるので、磁性層の上に保
護層を成膜する場合も、保護層の上に液体潤滑層を形成
する場合にも、良好な接合や親和性が得られる。非磁性
基板の上に下地層、磁性層、保護層を成膜する手段とし
て、各種蒸着法が適用可能であるが、スパッタリングが
成膜速度が高く、生産性に優れるので好適である。保護
層のスパッタリングに際して、スパッタリングガスとし
て不活性ガスに炭化水素ガスが８０vol ％以下（好まし
くは、１０〜５０ vol％）含有された混合ガスを用いる
ことにより、炭素層を緻密、硬質、化学的に安定なダイ
ヤモンド状炭素により成膜することができる。混合ガス
を使用すると、中間層の成膜に際しても、詳細な理由は
明らかでないが、金属原子の拡散を促進することがで
き、拡散層の層厚を拡大することができる。炭化水素ガ
スの混合量が８０ vol％を越えると、スパッタリングが
困難になるので、それ以下に止めるべきである。
素層、上部炭素層が設けられいるので、磁性層の上に保
護層を成膜する場合も、保護層の上に液体潤滑層を形成
する場合にも、良好な接合や親和性が得られる。非磁性
基板の上に下地層、磁性層、保護層を成膜する手段とし
て、各種蒸着法が適用可能であるが、スパッタリングが
成膜速度が高く、生産性に優れるので好適である。保護
層のスパッタリングに際して、スパッタリングガスとし
て不活性ガスに炭化水素ガスが８０vol ％以下（好まし
くは、１０〜５０ vol％）含有された混合ガスを用いる
ことにより、炭素層を緻密、硬質、化学的に安定なダイ
ヤモンド状炭素により成膜することができる。混合ガス
を使用すると、中間層の成膜に際しても、詳細な理由は
明らかでないが、金属原子の拡散を促進することがで
き、拡散層の層厚を拡大することができる。炭化水素ガ
スの混合量が８０ vol％を越えると、スパッタリングが
困難になるので、それ以下に止めるべきである。
【００１１】非磁性中間層を金属原子が５〜８０at％含
有し、残部が炭素からなる金属炭素化合物層として成膜
する場合、当該金属炭素化合物からなるスパッタリング
用のターゲットを製作することは困難であるので、この
場合は金属原子が５〜８０ａｔ％含有することになる、
前記金属と炭素との混合物からなるターゲットを用いる
とよい。かかる混合物としては、前記金属粉末と炭素粉
末からなる焼結体や炭素中に前記金属を埋設したものを
例示することができる。この場合、非磁性中間層の成膜
に際しては、基板に負のバイアス電圧を印加するのがよ
い。負のバイアス電圧を印加することにより、スパッタ
膜中の水素を除去することができ、膜中の金属原子の結
合を強めることができ、より硬質の膜を形成することが
できる。バイアス電圧の大きさは５０Ｖ以上、好ましく
は２００〜３００Ｖ程度にするのがよい。
有し、残部が炭素からなる金属炭素化合物層として成膜
する場合、当該金属炭素化合物からなるスパッタリング
用のターゲットを製作することは困難であるので、この
場合は金属原子が５〜８０ａｔ％含有することになる、
前記金属と炭素との混合物からなるターゲットを用いる
とよい。かかる混合物としては、前記金属粉末と炭素粉
末からなる焼結体や炭素中に前記金属を埋設したものを
例示することができる。この場合、非磁性中間層の成膜
に際しては、基板に負のバイアス電圧を印加するのがよ
い。負のバイアス電圧を印加することにより、スパッタ
膜中の水素を除去することができ、膜中の金属原子の結
合を強めることができ、より硬質の膜を形成することが
できる。バイアス電圧の大きさは５０Ｖ以上、好ましく
は２００〜３００Ｖ程度にするのがよい。
【００１２】
【実施例】図１は実施例に係る金属薄膜型磁気記録媒体
の部分断面図を示しており、非磁性基板１の上に、Ｃｒ
下地層２、磁性層３、および３層構造の保護層４が積層
成膜されている。更に、保護層４の上には、液体潤滑層
８が塗布形成されている。前記基板１としては、Ａｌ合
金板の上に１０〜２０μm 程度の非晶質ＮｉＰメッキ層
が形成されたＡｌ合金・ＮｉＰ基板や、ガラス基板、セ
ラミックス基板、炭素基板等が使用される。尚、基板の
上面には、通常、磁気ヘッドとの接触摩擦抵抗を軽減す
るためにテキスチャーと呼ばれる凹凸加工が周方向に、
あるいはガラス基板等では等方向に形成される。
の部分断面図を示しており、非磁性基板１の上に、Ｃｒ
下地層２、磁性層３、および３層構造の保護層４が積層
成膜されている。更に、保護層４の上には、液体潤滑層
８が塗布形成されている。前記基板１としては、Ａｌ合
金板の上に１０〜２０μm 程度の非晶質ＮｉＰメッキ層
が形成されたＡｌ合金・ＮｉＰ基板や、ガラス基板、セ
ラミックス基板、炭素基板等が使用される。尚、基板の
上面には、通常、磁気ヘッドとの接触摩擦抵抗を軽減す
るためにテキスチャーと呼ばれる凹凸加工が周方向に、
あるいはガラス基板等では等方向に形成される。
【００１３】基板１の上に形成されるＣｒ下地層２は、
その上に形成される一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金
（結晶構造ｈｃｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶
軸）を面内配合させるために形成されるもので、通常、
３００〜２０００Å程度の厚さに形成される。前記磁性
層３は、既述の通り、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰａ、Ｃ
ｏＣｒＰｔ等の一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金で形
成される。尚、磁性層３は、Ｃｏ合金を単層に形成した
ものに限らず、Ｃｏ合金層とＣｒ層とを交互に複層形成
したもの（最上層はＣｏ合金層）でもよい。磁性層３の
層厚（Ｃｏ合金単層ならその層厚、複層ならＣｏ合金層
の合計厚）は通常２５０〜８００Å程度とされる。
その上に形成される一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金
（結晶構造ｈｃｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶
軸）を面内配合させるために形成されるもので、通常、
３００〜２０００Å程度の厚さに形成される。前記磁性
層３は、既述の通り、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰａ、Ｃ
ｏＣｒＰｔ等の一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金で形
成される。尚、磁性層３は、Ｃｏ合金を単層に形成した
ものに限らず、Ｃｏ合金層とＣｒ層とを交互に複層形成
したもの（最上層はＣｏ合金層）でもよい。磁性層３の
層厚（Ｃｏ合金単層ならその層厚、複層ならＣｏ合金層
の合計厚）は通常２５０〜８００Å程度とされる。
【００１４】前記磁性層３の上に積層された保護層４
は、下部炭素層５と、非磁性中間層６と、上部炭素層７
とからなる３層構造をしており、前記非磁性中間層６は
Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒの内から選択された一種以上
の金属、該金属原子が含有された非磁性材、あるいは前
記金属原子が炭素中に５〜８０ａｔ％含有した金属炭素
化合物により形成されている。前記炭素層５、７はグラ
ファイト状炭素、ダイヤモンド状炭素、あるいはこれら
が混合した状態の炭素により形成されている。もっと
も、硬度、安定性の面からはダイヤモンド状炭素が好ま
しい。各層５、６、７は連続膜であればよく、その層厚
は特に限定されない。保護層４の全体の層厚としては、
スペーシングロスを減少させるべく５０〜４００Å程度
でよい。
は、下部炭素層５と、非磁性中間層６と、上部炭素層７
とからなる３層構造をしており、前記非磁性中間層６は
Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒの内から選択された一種以上
の金属、該金属原子が含有された非磁性材、あるいは前
記金属原子が炭素中に５〜８０ａｔ％含有した金属炭素
化合物により形成されている。前記炭素層５、７はグラ
ファイト状炭素、ダイヤモンド状炭素、あるいはこれら
が混合した状態の炭素により形成されている。もっと
も、硬度、安定性の面からはダイヤモンド状炭素が好ま
しい。各層５、６、７は連続膜であればよく、その層厚
は特に限定されない。保護層４の全体の層厚としては、
スペーシングロスを減少させるべく５０〜４００Å程度
でよい。
【００１５】前記液体潤滑層８は、通常、フッ素化ポリ
エーテル等のフッ素系液体潤滑剤が１０〜５０Å程度塗
布形成される。前記Ｃｒ下地層、磁性層、保護層を成膜
する手段としては、通常、成膜効率の高いスパッタリン
グが適用されるが、勿論、他の物理的、化学的気相蒸着
法により成膜してもよい。保護層のスパッタリングに際
しては、スパッタリングガスとして不活性ガスにＣ
Ｈ4 、Ｃ3 Ｈ8 等の炭化物水素ガスを８０vol ％以下
（好ましくは、１０〜５０vol ％）含有された混合ガス
を用いることにより、ダイヤモンド状炭素を成膜するこ
とができ、また前記非磁性中間層の成膜の際には前記所
定の金属原子の拡散が促進される。
エーテル等のフッ素系液体潤滑剤が１０〜５０Å程度塗
布形成される。前記Ｃｒ下地層、磁性層、保護層を成膜
する手段としては、通常、成膜効率の高いスパッタリン
グが適用されるが、勿論、他の物理的、化学的気相蒸着
法により成膜してもよい。保護層のスパッタリングに際
しては、スパッタリングガスとして不活性ガスにＣ
Ｈ4 、Ｃ3 Ｈ8 等の炭化物水素ガスを８０vol ％以下
（好ましくは、１０〜５０vol ％）含有された混合ガス
を用いることにより、ダイヤモンド状炭素を成膜するこ
とができ、また前記非磁性中間層の成膜の際には前記所
定の金属原子の拡散が促進される。
【００１６】次に具体的実施例を掲げる。 (1) 膜厚１０μｍのＮｉＰメッキ層が形成されたＡｌ
合金・ＮｉＰ基板を用いて、その表面を赤外線ヒータに
より２８０℃程度に加熱した後、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ装置を用いてＣｒ下地層を６００Å、磁性層（Ｃｏ
ＣｒＴａ合金単層）を４５０Åを成膜し、その上に下部
炭素層５０Å、Ｔａ層からなる非磁性中間層５０Å及び
上部炭素層５０Åからなる保護層を順次成膜し、その上
にフッ素系潤滑剤を２５Å塗布して、実施例にかかる磁
気記録媒体を製作した。但し、下部炭素層、上部炭素層
及び中間層をスパッタリングする際、スパッタリングガ
スとして、ＣＨ4 ガス２０vol ％のＡｒ混合ガスを用
い、ガス圧１０ｍＴｏｒｒの条件で成膜した。 (2) 保護層として１５０Åの炭素層を成膜した他、
(1) と同様の条件で従来例にかかる磁気記録媒体を製作
した。 (3) 前記実施例及び従来例の媒体を用いて、ＣＳＳ
(Contact Start Stop)試験を行い、摩擦係数を測定し
た。その結果を図１に示す。
合金・ＮｉＰ基板を用いて、その表面を赤外線ヒータに
より２８０℃程度に加熱した後、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ装置を用いてＣｒ下地層を６００Å、磁性層（Ｃｏ
ＣｒＴａ合金単層）を４５０Åを成膜し、その上に下部
炭素層５０Å、Ｔａ層からなる非磁性中間層５０Å及び
上部炭素層５０Åからなる保護層を順次成膜し、その上
にフッ素系潤滑剤を２５Å塗布して、実施例にかかる磁
気記録媒体を製作した。但し、下部炭素層、上部炭素層
及び中間層をスパッタリングする際、スパッタリングガ
スとして、ＣＨ4 ガス２０vol ％のＡｒ混合ガスを用
い、ガス圧１０ｍＴｏｒｒの条件で成膜した。 (2) 保護層として１５０Åの炭素層を成膜した他、
(1) と同様の条件で従来例にかかる磁気記録媒体を製作
した。 (3) 前記実施例及び従来例の媒体を用いて、ＣＳＳ
(Contact Start Stop)試験を行い、摩擦係数を測定し
た。その結果を図１に示す。
【００１７】同図より、実施例の媒体は従来例に比して
摩擦係数が３０％程度低く、また当初から３万回に至る
まで安定した摩擦係数が得られており、耐久性に優れて
いることが分かる。 (4) 次に、実施例、従来例の媒体を用いて、耐食性試
験を実施した。この試験は、８０℃、相対湿度９０％の
雰囲気中に媒体を２週間暴露して、保護層表面における
炭素原子中のＣｏ原子濃度を測定することにより、保護
層の耐食性の良否を調べるものであり、測定されたＣｏ
濃度が高いほど、保護層に微細な孔食が生じているもの
と考えられる。尚、Ｃｏ濃度の測定はＸＰＳ（エスカ）
分析装置により行った。
摩擦係数が３０％程度低く、また当初から３万回に至る
まで安定した摩擦係数が得られており、耐久性に優れて
いることが分かる。 (4) 次に、実施例、従来例の媒体を用いて、耐食性試
験を実施した。この試験は、８０℃、相対湿度９０％の
雰囲気中に媒体を２週間暴露して、保護層表面における
炭素原子中のＣｏ原子濃度を測定することにより、保護
層の耐食性の良否を調べるものであり、測定されたＣｏ
濃度が高いほど、保護層に微細な孔食が生じているもの
と考えられる。尚、Ｃｏ濃度の測定はＸＰＳ（エスカ）
分析装置により行った。
【００１８】耐食性試験の結果、従来例では、テスト前
にはＣｏ濃度は０ａｔ％であったが、テスト後には１ａ
ｔ％であった。これに対し、実施例では、テストの前後
においてＣｏ濃度は０ａｔ％であり、耐食性が良好であ
ることが確認された。
にはＣｏ濃度は０ａｔ％であったが、テスト後には１ａ
ｔ％であった。これに対し、実施例では、テストの前後
においてＣｏ濃度は０ａｔ％であり、耐食性が良好であ
ることが確認された。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の磁気記録媒
体は、保護層を下部炭素層と、Ｔａ等の炭素と強固に結
合する金属を含む非磁性中間層と、上部炭素層とからな
る３層構造としたので、前記金属の拡散により中間層と
炭素層との間に緻密で硬質の金属炭素化合物が生成し、
これにより保護層の耐摩耗性、耐食性が著しく向上し、
優れた耐久性が得られる。また、磁気記録媒体の各層を
スパッタリングにより成膜することにより、高効率で成
膜することができ、保護層の成膜に際して炭化水素を含
有する不活性ガスをスパッタリングガスとして用いるこ
とにより、炭素層を優れた硬度、化学的安定性を有する
ダイヤモンド状炭素により形成することができ、また中
間層の所定金属の炭素層界面への拡散を促進することが
できる。
体は、保護層を下部炭素層と、Ｔａ等の炭素と強固に結
合する金属を含む非磁性中間層と、上部炭素層とからな
る３層構造としたので、前記金属の拡散により中間層と
炭素層との間に緻密で硬質の金属炭素化合物が生成し、
これにより保護層の耐摩耗性、耐食性が著しく向上し、
優れた耐久性が得られる。また、磁気記録媒体の各層を
スパッタリングにより成膜することにより、高効率で成
膜することができ、保護層の成膜に際して炭化水素を含
有する不活性ガスをスパッタリングガスとして用いるこ
とにより、炭素層を優れた硬度、化学的安定性を有する
ダイヤモンド状炭素により形成することができ、また中
間層の所定金属の炭素層界面への拡散を促進することが
できる。
【図１】実施例にかかる磁気記録媒体の要部断面図であ
る。
る。
【図２】実施例及び従来例の磁気記録媒体のＣＳＳ回数
と、摩擦係数との関係を示すグラフ図である。
と、摩擦係数との関係を示すグラフ図である。
１ 非磁性基板 ２ Ｃｒ下地層 ３ 磁性層 ４ 保護層 ５ 下部炭素層 ６ 非磁性中間層 ７ 上部炭素層 ８ 液体潤滑層
フロントページの続き (72)発明者 原 裕紀 大阪府大阪市浪速区敷津東一丁目２番47号 株式会社クボタ内 (72)発明者 安井 雅彦 大阪府大阪市浪速区敷津東一丁目２番47号 株式会社クボタ内
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基板の上に下地層、磁性層および
保護層が同順序で積層成膜された磁気記録媒体におい
て、 前記保護層は基板側の下部炭素層と、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ
及びＺｒの内から選択された一種以上の金属を含む非磁
性中間層と、表面側の上部炭素層が同順序で積層成膜さ
れた磁気記録媒体。 - 【請求項２】 Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒの内から選択
された一種以上の金属により非磁性中間層が形成されて
いる請求項１に記載された磁気記録媒体。 - 【請求項３】 Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒの内から選択
された一種以上の金属の含有量が５〜８０at％であり、
残部が炭素により非磁性中間層が形成されている請求項
１に記載された磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性基板の上に下地層、磁性層および
保護層をスパッタリングにより同順序で積層成膜する磁
気記録媒体の製造方法において、 スパッタリングガスとして不活性ガスに炭化水素ガスが
８０vol ％以下含有された混合ガスを用いて、下部炭素
層と、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒの内から選択された一
種以上の金属を含む非磁性中間層と、上部炭素層からな
る保護層を同順序で積層成膜する磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項５】 非磁性基板の上に下地層、磁性層および
保護層をスパッタリングにより同順序で積層成膜する磁
気記録媒体の製造方法において、 下部炭素層を成膜後、Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉ及びＺｒの内か
ら選択された一種以上の金属原子を５〜８０at％含有し
た前記金属と炭素との混合物からなるターゲットを用い
て前記下部炭素層の上に非磁性中間層を成膜し、該非磁
性中間層の上に上部炭素層を成膜し、前記下部炭素層と
前記非磁性中間層と前記上部炭素層からなる保護層を形
成する磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04921294A JP3422553B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04921294A JP3422553B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07262547A true JPH07262547A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3422553B2 JP3422553B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=12824677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04921294A Expired - Fee Related JP3422553B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3422553B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014746A1 (fr) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Showa Denko K.K. | Support 'enregistrement magnetique et son procede de production |
| US6316062B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-11-13 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium and method of producing the same |
| KR100370759B1 (ko) * | 1995-10-20 | 2003-03-26 | 삼성전자 주식회사 | 하드디스크드라이브의디스크장치 |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP04921294A patent/JP3422553B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370759B1 (ko) * | 1995-10-20 | 2003-03-26 | 삼성전자 주식회사 | 하드디스크드라이브의디스크장치 |
| WO1999014746A1 (fr) * | 1997-09-17 | 1999-03-25 | Showa Denko K.K. | Support 'enregistrement magnetique et son procede de production |
| US6316062B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-11-13 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium and method of producing the same |
| US6468602B2 (en) | 1997-09-17 | 2002-10-22 | Showa Denko K.K. | Method of manufacturing a magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3422553B2 (ja) | 2003-06-30 |
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