JPH05143970A - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体Info
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- JPH05143970A JPH05143970A JP30355191A JP30355191A JPH05143970A JP H05143970 A JPH05143970 A JP H05143970A JP 30355191 A JP30355191 A JP 30355191A JP 30355191 A JP30355191 A JP 30355191A JP H05143970 A JPH05143970 A JP H05143970A
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- Japan
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- magnetic recording
- recording medium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐久性に優れ、ひいては高密度記録化の可能
な金属薄膜型磁気記録媒体を提供する。 【構成】 非磁性基板1 の上にＣｒ下地層2 、磁気記録
層3 および保護用Ｃ層4が同順序で積層形成された金属
薄膜型磁気記録媒体において、前記保護用Ｃ層4は少な
くともその表面層がアモルファスカーボンにＦイオン又
はＦとＢとの混合イオンが注入されて形成されたダイヤ
モンドライクカーボンにより形成されている。
な金属薄膜型磁気記録媒体を提供する。 【構成】 非磁性基板1 の上にＣｒ下地層2 、磁気記録
層3 および保護用Ｃ層4が同順序で積層形成された金属
薄膜型磁気記録媒体において、前記保護用Ｃ層4は少な
くともその表面層がアモルファスカーボンにＦイオン又
はＦとＢとの混合イオンが注入されて形成されたダイヤ
モンドライクカーボンにより形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置に使用
される面内記録用金属薄膜型磁気記録媒体に関する。
される面内記録用金属薄膜型磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金を非磁性基板上にＣｒ下地層を介
して成膜した面内記録用金属薄膜型磁気記録媒体が用い
られている。磁気記録媒体における技術的課題の一つ
は、媒体表面と磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減し、耐摩
耗性、耐久性を向上させることにある。従来、耐久性の
向上のため、基板表面にテキスチャーと呼ばれる凹凸加
工を施し、以って媒体表面を凹凸にして接触抵抗を軽減
している。又、Ｃｏ合金からなる磁気記録層の上に炭素
からなる保護用Ｃ（カーボン）層を形成したり、更にそ
の上に液体潤滑層を形成している。
って、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金を非磁性基板上にＣｒ下地層を介
して成膜した面内記録用金属薄膜型磁気記録媒体が用い
られている。磁気記録媒体における技術的課題の一つ
は、媒体表面と磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減し、耐摩
耗性、耐久性を向上させることにある。従来、耐久性の
向上のため、基板表面にテキスチャーと呼ばれる凹凸加
工を施し、以って媒体表面を凹凸にして接触抵抗を軽減
している。又、Ｃｏ合金からなる磁気記録層の上に炭素
からなる保護用Ｃ（カーボン）層を形成したり、更にそ
の上に液体潤滑層を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような耐久性向
上手段が採られているにも拘らず、磁気記録媒体を繰り
返して回転、停止すると媒体表面と磁気ヘッド表面とが
繰り返して接触することに起因して、摩擦係数が増大
し、回転起動が不可能になったり、Ｃ層が摩耗してヘッ
ドクラッシュが起こったりするようになり、媒体の耐久
性（寿命）に一定の限度がある。
上手段が採られているにも拘らず、磁気記録媒体を繰り
返して回転、停止すると媒体表面と磁気ヘッド表面とが
繰り返して接触することに起因して、摩擦係数が増大
し、回転起動が不可能になったり、Ｃ層が摩耗してヘッ
ドクラッシュが起こったりするようになり、媒体の耐久
性（寿命）に一定の限度がある。
【０００４】また、近年、高密度記録の要求が益々強く
なっており、磁気記録層とヘッドとの間隔を小さくする
ため、Ｃ層の薄膜化が要求されている。
なっており、磁気記録層とヘッドとの間隔を小さくする
ため、Ｃ層の薄膜化が要求されている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の金属薄膜型磁気
記録媒体は、非磁性基板の上にＣｒ下地層、磁気記録層
および保護用Ｃ層が同順序で積層形成された磁気記録媒
体において、前記保護用Ｃ層は少なくともその表面層が
アモルファスカーボンにＦイオン又はＦとＢの混合イオ
ンが注入されて形成されたダイヤモンドライクカーボン
により形成されている。
記録媒体は、非磁性基板の上にＣｒ下地層、磁気記録層
および保護用Ｃ層が同順序で積層形成された磁気記録媒
体において、前記保護用Ｃ層は少なくともその表面層が
アモルファスカーボンにＦイオン又はＦとＢの混合イオ
ンが注入されて形成されたダイヤモンドライクカーボン
により形成されている。
【０００６】
【作用】スパッタリングにより磁気記録層の上に形成さ
れたＣ層はＳＰ2性の高い非晶質のアモルファスカーボ
ンであるが、これにＦイオン又はＦとＢの混合イオン注
入すると、ＳＰ3 性の高いダイヤモンドライクカーボン
(ｉ−カーボン）となる。このカーボンはアモルファス
カーボンに比べて高硬度であり、耐摩耗性、耐久性に優
れる。従って、同じ耐久性を確保する場合、アモルファ
スカーボンからなる従来のＣ層に対して、ダイヤモンド
ライクカーボンからなるＣ層では、その層厚を薄くする
ことができ、従来と同等の耐久性を確保しつつ記録密度
の向上を図ることができる。
れたＣ層はＳＰ2性の高い非晶質のアモルファスカーボ
ンであるが、これにＦイオン又はＦとＢの混合イオン注
入すると、ＳＰ3 性の高いダイヤモンドライクカーボン
(ｉ−カーボン）となる。このカーボンはアモルファス
カーボンに比べて高硬度であり、耐摩耗性、耐久性に優
れる。従って、同じ耐久性を確保する場合、アモルファ
スカーボンからなる従来のＣ層に対して、ダイヤモンド
ライクカーボンからなるＣ層では、その層厚を薄くする
ことができ、従来と同等の耐久性を確保しつつ記録密度
の向上を図ることができる。
【０００７】
【実施例】図１は実施例に係る金属薄膜型磁気記録媒体
の部分断面図を示しており、非磁性基板1 の上に、Ｃｒ
下地層2 、磁気記録層3 、および保護用Ｃ層4 がこの順
序で積層形成されており、前記Ｃ層4 の上には、液体潤
滑膜5 が塗布形成されている。
の部分断面図を示しており、非磁性基板1 の上に、Ｃｒ
下地層2 、磁気記録層3 、および保護用Ｃ層4 がこの順
序で積層形成されており、前記Ｃ層4 の上には、液体潤
滑膜5 が塗布形成されている。
【０００８】前記基板1 としては、Ａｌ合金製基板1 の
上に、剛性を確保するため10〜20μm 程度の非晶質Ｎｉ
−Ｐメッキ層が形成されたものが通常使用されるが、か
かる構成に限らず、ガラス基板やセラミックス基板等、
ある程度の剛性のある非磁性材ならいずれのものも使用
可能である。尚、基板の上面には、通常、磁気ヘッドと
の接触摩擦抵抗を軽減するためにテキスチャーと呼ばれ
る凹凸加工が施される。
上に、剛性を確保するため10〜20μm 程度の非晶質Ｎｉ
−Ｐメッキ層が形成されたものが通常使用されるが、か
かる構成に限らず、ガラス基板やセラミックス基板等、
ある程度の剛性のある非磁性材ならいずれのものも使用
可能である。尚、基板の上面には、通常、磁気ヘッドと
の接触摩擦抵抗を軽減するためにテキスチャーと呼ばれ
る凹凸加工が施される。
【０００９】基板1 の上に形成されるＣｒ下地層2 は、
その上に形成される一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金
（結晶構造ｈｃｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶
軸）を面内配合させるために形成されるもので、通常、
500〜2000Å程度の厚さにスパッタリングにより形成さ
れる。前記磁気記録層3 は、既述の通り、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒＰａ、ＣｏＣｒＰｔ等の一軸結晶磁気異方
性を示すＣｏ合金で形成される。尚、磁気記録層3 は、
Ｃｏ合金を単層に形成したものに限らず、Ｃｏ合金層と
Ｃｒ層とを交互に複層形成したもの（最上層はＣｏ合金
層）でもよい。磁気記録層3 の層厚（Ｃｏ合金単層なら
その層厚、複層ならＣｏ合金層の合計厚）は通常 600〜
800 Åとされる。再生出力の確保とノイズ低減のために
は、磁気記録媒体としてＢｒδが 400〜600 Ｇ・μ程度
のものが要求されているからである。
その上に形成される一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金
（結晶構造ｈｃｐ）のｃ軸（結晶磁気異方性を示す結晶
軸）を面内配合させるために形成されるもので、通常、
500〜2000Å程度の厚さにスパッタリングにより形成さ
れる。前記磁気記録層3 は、既述の通り、ＣｏＮｉＣ
ｒ、ＣｏＣｒＰａ、ＣｏＣｒＰｔ等の一軸結晶磁気異方
性を示すＣｏ合金で形成される。尚、磁気記録層3 は、
Ｃｏ合金を単層に形成したものに限らず、Ｃｏ合金層と
Ｃｒ層とを交互に複層形成したもの（最上層はＣｏ合金
層）でもよい。磁気記録層3 の層厚（Ｃｏ合金単層なら
その層厚、複層ならＣｏ合金層の合計厚）は通常 600〜
800 Åとされる。再生出力の確保とノイズ低減のために
は、磁気記録媒体としてＢｒδが 400〜600 Ｇ・μ程度
のものが要求されているからである。
【００１０】前記磁気記録層3 の上には少なくとも表面
層がダイヤモンドライクカーボンによって形成された保
護用Ｃ層4 が 200〜400 Å程度形成されている。該Ｃ層
4 は、スパッタリングにより成膜したＣ層にＦイオン又
はＦとＢの混合イオンを 1×1014〜 5×1016個／cm2 程
度イオン注入することにより容易に形成することができ
る。 1×1014未満ではＳＰ3 性の高いダイヤモンドライ
クカーボン量が少なく、一方 5×1016を越えて注入する
と前記カーボン量が過剰となり、又注入時間も長くな
る。尚、ダイヤモンドライクカーボンは、Ｃ層4 の全層
に限らず、表面層(少なくとも50Å程度) に形成されて
いるだけでも十分効果がある。
層がダイヤモンドライクカーボンによって形成された保
護用Ｃ層4 が 200〜400 Å程度形成されている。該Ｃ層
4 は、スパッタリングにより成膜したＣ層にＦイオン又
はＦとＢの混合イオンを 1×1014〜 5×1016個／cm2 程
度イオン注入することにより容易に形成することができ
る。 1×1014未満ではＳＰ3 性の高いダイヤモンドライ
クカーボン量が少なく、一方 5×1016を越えて注入する
と前記カーボン量が過剰となり、又注入時間も長くな
る。尚、ダイヤモンドライクカーボンは、Ｃ層4 の全層
に限らず、表面層(少なくとも50Å程度) に形成されて
いるだけでも十分効果がある。
【００１１】前記液体潤滑膜5 は、通常フッ素化ポリエ
ーテル等の潤滑剤により20〜50Å程度塗布形成される。
前記Ｃｒ下地層、磁気記録層および保護用Ｃ層の基とな
るファモルファスＣ層は、通常、スパッタリングにより
積層成膜されるが、磁気記録媒体を工業的に生産する場
合、所期層を成膜するためのターゲット材を備えたスパ
ッタリング装置を併設し、基板を各スパッタリング装置
に順次移動させて積層成膜すればよい。
ーテル等の潤滑剤により20〜50Å程度塗布形成される。
前記Ｃｒ下地層、磁気記録層および保護用Ｃ層の基とな
るファモルファスＣ層は、通常、スパッタリングにより
積層成膜されるが、磁気記録媒体を工業的に生産する場
合、所期層を成膜するためのターゲット材を備えたスパ
ッタリング装置を併設し、基板を各スパッタリング装置
に順次移動させて積層成膜すればよい。
【００１２】次に具体的実施例を掲げる。 (1) アルミニウム合金基板の表面にＮｉ−Ｐ無電解メ
ッキ層（20μm)を形成し、表面をポリッシュ、テキスチ
ャー処理をした後、直流マグネトロンスッタリングによ
り、Ａｒ雰囲気 7×10-3Ｔｏｒｒの下でＣｒ下地層1000
Å、磁気記録層 (Ｃｏ合金単層）600 Å、Ｃ層 200Åを
この順序で成膜し試料Ａを得た。 (2) 試料ＡのＣ層にＦイオンを 2×1016個／cm2 で注
入して試料Ｂを得た。また、同様にＦとＢの混合イオン
を2 ×1016個／cm2 で注入して試料Ｃを得た。尚、試料
Ａは従来例、試料ＢおよびＣは実施例に該当する。 (3) 試料Ａ、Ｂ、ＣのＣ層をラマン分光分析した。そ
の結果を図２〜４に示す。図２は試料Ａ、図３は試料
Ｂ、図４は試料Ｃに対応する。同図より、試料Ａでは I
NTENSITY (分光強度) が二山分布を示しており、Ｃ層は
ＳＰ2 性の高いアモルファスカーボンで形成されている
ことが分かる。一方、試料Ｂ、Ｃでは図２における右側
の山部が消失しており、Ｃ層はＳＰ3 性の高いダイヤモ
ンドライクカーボンとなっていることを示している。
尚、試料Ｂ、Ｃについて、Ｃ層は全層がダイヤモンドラ
イクカーボンとなっていたが、Ｃｏ合金層へのイオンの
注入は認められなかった。 (4) 試料Ａ、ＢおよびＣに対して、薄膜ヘッドを用い
てドラッグテスト (ディスク回転数 100ｒｐｍ）を行っ
た結果を表１に示す。表中の値はμf (動摩擦係数) で
ある。
ッキ層（20μm)を形成し、表面をポリッシュ、テキスチ
ャー処理をした後、直流マグネトロンスッタリングによ
り、Ａｒ雰囲気 7×10-3Ｔｏｒｒの下でＣｒ下地層1000
Å、磁気記録層 (Ｃｏ合金単層）600 Å、Ｃ層 200Åを
この順序で成膜し試料Ａを得た。 (2) 試料ＡのＣ層にＦイオンを 2×1016個／cm2 で注
入して試料Ｂを得た。また、同様にＦとＢの混合イオン
を2 ×1016個／cm2 で注入して試料Ｃを得た。尚、試料
Ａは従来例、試料ＢおよびＣは実施例に該当する。 (3) 試料Ａ、Ｂ、ＣのＣ層をラマン分光分析した。そ
の結果を図２〜４に示す。図２は試料Ａ、図３は試料
Ｂ、図４は試料Ｃに対応する。同図より、試料Ａでは I
NTENSITY (分光強度) が二山分布を示しており、Ｃ層は
ＳＰ2 性の高いアモルファスカーボンで形成されている
ことが分かる。一方、試料Ｂ、Ｃでは図２における右側
の山部が消失しており、Ｃ層はＳＰ3 性の高いダイヤモ
ンドライクカーボンとなっていることを示している。
尚、試料Ｂ、Ｃについて、Ｃ層は全層がダイヤモンドラ
イクカーボンとなっていたが、Ｃｏ合金層へのイオンの
注入は認められなかった。 (4) 試料Ａ、ＢおよびＣに対して、薄膜ヘッドを用い
てドラッグテスト (ディスク回転数 100ｒｐｍ）を行っ
た結果を表１に示す。表中の値はμf (動摩擦係数) で
ある。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１より、良好な低摩擦係数とされるμf
＝１程度となる試験時間は、試料Ａ（従来例）では２〜
３時間であるのに対し、試料Ｂ、Ｃ（実施例１、２）で
は６時間以上であり、実施例は従来例に対して２倍以上
耐久性が優れている。 (5) また、試料Ａ、Ｂ、Ｃに液体潤滑剤を20Å塗布
し、薄膜ヘッドを用いてＣＳＳ (Constanrt tart Stop)
テストを行った。ＣＳＳテスト中のμf を測定した結果
を表２に示す。
＝１程度となる試験時間は、試料Ａ（従来例）では２〜
３時間であるのに対し、試料Ｂ、Ｃ（実施例１、２）で
は６時間以上であり、実施例は従来例に対して２倍以上
耐久性が優れている。 (5) また、試料Ａ、Ｂ、Ｃに液体潤滑剤を20Å塗布
し、薄膜ヘッドを用いてＣＳＳ (Constanrt tart Stop)
テストを行った。ＣＳＳテスト中のμf を測定した結果
を表２に示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】表２より、実施例に係る試料Ｂ、Ｃは3000
0 回後のμf が 0.3程度と低摩擦係数であるのに対し
て、従来例に係る試料Ａでは、同程度のμf におけるＣ
ＳＳ回数は 10000〜15000 回程度であり、実施例は２倍
以上の耐久性があることが確かめられた。
0 回後のμf が 0.3程度と低摩擦係数であるのに対し
て、従来例に係る試料Ａでは、同程度のμf におけるＣ
ＳＳ回数は 10000〜15000 回程度であり、実施例は２倍
以上の耐久性があることが確かめられた。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の金属薄膜型
磁気記録媒体は、磁気記録層の上に積層形成した保護用
Ｃ層の少なくともその表面層をアモルファスカーボンに
Ｆイオン又はＦとＢの混合イオンを注入して形成したダ
イヤモンドライクカーボンで形成したので、従来のアモ
ルファスカーボンに比して硬度の向上ひいては耐摩耗
性、耐久性の向上を図ることができ、Ｃ層の層厚減少に
より記録密度の高度化をも図ることができる。
磁気記録媒体は、磁気記録層の上に積層形成した保護用
Ｃ層の少なくともその表面層をアモルファスカーボンに
Ｆイオン又はＦとＢの混合イオンを注入して形成したダ
イヤモンドライクカーボンで形成したので、従来のアモ
ルファスカーボンに比して硬度の向上ひいては耐摩耗
性、耐久性の向上を図ることができ、Ｃ層の層厚減少に
より記録密度の高度化をも図ることができる。
【図１】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の要部断面図
である。
である。
【図２】従来の金属薄膜型磁気記録媒体の保護用Ｃ層の
ラマンスペクトル図である。
ラマンスペクトル図である。
【図３】実施例の金属薄膜型磁気記録媒体におけるＦイ
オンが注入された保護用Ｃ層のラマンスペクトル図であ
る。
オンが注入された保護用Ｃ層のラマンスペクトル図であ
る。
【図４】他の実施例に係る金属薄膜型磁気記録媒体にお
けるＦとＢの混合イオンが注入された保護用Ｃ層のラマ
ンスペクトル図である。
けるＦとＢの混合イオンが注入された保護用Ｃ層のラマ
ンスペクトル図である。
1 非磁性基板 2 Ｃｒ下地層 3 磁気記録層 4 保護用Ｃ層 5 液体潤滑膜
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性基板の上にＣｒ下地層、磁気記録
層および保護用Ｃ層が同順序で積層形成された金属薄膜
型磁気記録媒体において、 前記保護用Ｃ層は少なくともその表面層がアモルファス
カーボンにＦイオン又はＦとＢとの混合イオンが注入さ
れて形成されたダイヤモンドライクカーボンにより形成
されていることを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30355191A JPH05143970A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30355191A JPH05143970A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05143970A true JPH05143970A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17922372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30355191A Pending JPH05143970A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 金属薄膜型磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05143970A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034430A1 (fr) * | 1997-12-27 | 1999-07-08 | Tokyo Electron Limited | Film fluorocarbone et procede de fabrication |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029936A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体およびその製法 |
| JPH03224121A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-10-03 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-11-19 JP JP30355191A patent/JPH05143970A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029936A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体およびその製法 |
| JPH03224121A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-10-03 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034430A1 (fr) * | 1997-12-27 | 1999-07-08 | Tokyo Electron Limited | Film fluorocarbone et procede de fabrication |
| US6531409B1 (en) | 1997-12-27 | 2003-03-11 | Tokyo Electron Limited | Fluorine containing carbon film and method for depositing same |
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