JPH06111287A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH06111287A JPH06111287A JP4261148A JP26114892A JPH06111287A JP H06111287 A JPH06111287 A JP H06111287A JP 4261148 A JP4261148 A JP 4261148A JP 26114892 A JP26114892 A JP 26114892A JP H06111287 A JPH06111287 A JP H06111287A
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- G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
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- G—PHYSICS
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 水素含有炭素膜の磁気記録媒体への付着力を
向上させ、低浮上薄膜ヘッドに対して、優れた耐摩擦摩
耗特性を有する磁気記録媒体を提供する。 【構成】 磁性膜４上にある特定の材料をバッファー層
５として設け、その上に水素含有炭素膜６を成膜する。 【効果】 バッファー層として、ｂｃｃ構造を持ちなお
かつ原子半径０．１２２ｎｍ以上の材料、もしくはダイ
アモンド構造を持つ材料をバッファー層として形成する
ことにより、バッファー層の上に成膜された水素含有炭
素膜の炭素原子がバッファー層中に拡散してゆく。この
拡散現象により水素含有炭素膜のディスクへの付着力を
向上させることができ、低浮上薄膜ヘッドに対して優れ
た耐摩擦摩耗特性を有する。
向上させ、低浮上薄膜ヘッドに対して、優れた耐摩擦摩
耗特性を有する磁気記録媒体を提供する。 【構成】 磁性膜４上にある特定の材料をバッファー層
５として設け、その上に水素含有炭素膜６を成膜する。 【効果】 バッファー層として、ｂｃｃ構造を持ちなお
かつ原子半径０．１２２ｎｍ以上の材料、もしくはダイ
アモンド構造を持つ材料をバッファー層として形成する
ことにより、バッファー層の上に成膜された水素含有炭
素膜の炭素原子がバッファー層中に拡散してゆく。この
拡散現象により水素含有炭素膜のディスクへの付着力を
向上させることができ、低浮上薄膜ヘッドに対して優れ
た耐摩擦摩耗特性を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、保護膜として炭素膜を
用いた磁気記録媒体に関するものである。
用いた磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスクドライブ装置の高
密度記録技術はめざましい進歩を遂げている。記録密度
向上のための技術として、第一に磁気ヘッドの低浮上
化、第二に薄膜ヘッドの実用化があげられる。
密度記録技術はめざましい進歩を遂げている。記録密度
向上のための技術として、第一に磁気ヘッドの低浮上
化、第二に薄膜ヘッドの実用化があげられる。
【０００３】上記技術の確立のためには、磁気ヘッド
（以下ヘッドと称す）・磁気記録媒体（以下ディスクと
称す）インターフェイスの耐摩擦摩耗特性を従来よりも
さらに向上させなければならないことになる。
（以下ヘッドと称す）・磁気記録媒体（以下ディスクと
称す）インターフェイスの耐摩擦摩耗特性を従来よりも
さらに向上させなければならないことになる。
【０００４】現在、ハードディスクドライブ装置の起動
・停止方式として一般的にコンタクト・スタート・スト
ップ（以下ＣＳＳと称す）方式が用いられている。この
方式では、装置の起動・停止時にヘッドとディスクの接
触・摺動が発生する。
・停止方式として一般的にコンタクト・スタート・スト
ップ（以下ＣＳＳと称す）方式が用いられている。この
方式では、装置の起動・停止時にヘッドとディスクの接
触・摺動が発生する。
【０００５】このＣＳＳ方式を用いるハードディスクド
ライブ装置において、ヘッドの低浮上化を考えた場合、
ヘッド浮上量が低下するほどヘッドとディスクの接触・
摺動がディスクの高速回転時に発生する事になる。この
ことは、ディスクとヘッドの高速摺動に対する耐摩擦摩
耗特性の向上が必要である事を意味している。
ライブ装置において、ヘッドの低浮上化を考えた場合、
ヘッド浮上量が低下するほどヘッドとディスクの接触・
摺動がディスクの高速回転時に発生する事になる。この
ことは、ディスクとヘッドの高速摺動に対する耐摩擦摩
耗特性の向上が必要である事を意味している。
【０００６】また、薄膜ヘッドはスライダー材料として
現在一般的にはＡｌ2 Ｏ2 ＴｉＣ（以下アルチックと称
す）材が用いられている。このアルチック材は、従来の
ウインチェスター型ヘッドに用いられているフェライト
材に比べ非常に高硬度な材料である。このことは、ディ
スクは高硬度なスライダー材料に対する耐摩擦摩耗特性
の向上が必要である事を意味している。
現在一般的にはＡｌ2 Ｏ2 ＴｉＣ（以下アルチックと称
す）材が用いられている。このアルチック材は、従来の
ウインチェスター型ヘッドに用いられているフェライト
材に比べ非常に高硬度な材料である。このことは、ディ
スクは高硬度なスライダー材料に対する耐摩擦摩耗特性
の向上が必要である事を意味している。
【０００７】上記の理由により、現在ディスクは高速摺
動・高硬度スライダー材料に対する耐摩擦摩耗特性向上
の検討が盛んに行われている。
動・高硬度スライダー材料に対する耐摩擦摩耗特性向上
の検討が盛んに行われている。
【０００８】その手段として、表面保護膜の開発・ディ
スク表面形状の改良や有機潤滑剤の開発が行われてい
る。なかでも表面保護膜の開発は盛んに行われている。
保護膜の材料としては、炭素材料が一般的に用いられて
いる。
スク表面形状の改良や有機潤滑剤の開発が行われてい
る。なかでも表面保護膜の開発は盛んに行われている。
保護膜の材料としては、炭素材料が一般的に用いられて
いる。
【０００９】現在、炭素保護膜の耐摩耗性向上を目的と
して水素を混合したガスを用いて、スパッタリング法に
より成膜した水素含有炭素膜の検討が行われている。
して水素を混合したガスを用いて、スパッタリング法に
より成膜した水素含有炭素膜の検討が行われている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
炭素膜とは異なり水素含有炭素膜をディスク保護膜とし
て用いた場合、水素含有炭素膜の磁性膜への付着力が十
分ではなくなる。
炭素膜とは異なり水素含有炭素膜をディスク保護膜とし
て用いた場合、水素含有炭素膜の磁性膜への付着力が十
分ではなくなる。
【００１１】付着力の低下の原因としては、従来の炭素
膜と水素含有炭素膜の膜質の違いによるものが考えられ
る。従来の炭素膜はグラファイト性の高い膜であり、水
素含有炭素膜はダイアモンド性の高い膜である。この膜
質の違いは、ラマンスペクトルの相対強度の値により知
ることができる。相対強度の値が小さいほどダイアモン
ド性の高い膜であると言うことができる。
膜と水素含有炭素膜の膜質の違いによるものが考えられ
る。従来の炭素膜はグラファイト性の高い膜であり、水
素含有炭素膜はダイアモンド性の高い膜である。この膜
質の違いは、ラマンスペクトルの相対強度の値により知
ることができる。相対強度の値が小さいほどダイアモン
ド性の高い膜であると言うことができる。
【００１２】従来の炭素膜は、グラファイト性の高い膜
であるため磁性膜材料であるＣｏが炭素膜中に拡散して
いき磁性膜と炭素膜の界面の付着力が得られていた。し
かし、水素含有炭素膜はダイアモンド性の高い膜である
ため、炭素膜中にＣｏが拡散してゆくことができず、付
着力を得ることができないのである。
であるため磁性膜材料であるＣｏが炭素膜中に拡散して
いき磁性膜と炭素膜の界面の付着力が得られていた。し
かし、水素含有炭素膜はダイアモンド性の高い膜である
ため、炭素膜中にＣｏが拡散してゆくことができず、付
着力を得ることができないのである。
【００１３】保護膜の磁性膜への付着力はディスクの耐
摩擦摩耗特性において非常に重要なパラメータである。
いかに優れた特性を有する膜であっても、磁性膜への付
着力が弱ければ、ヘッドの摺動により保護膜と磁性膜の
界面より剥離が発生しディスクの破壊に至ってしまう。
摩擦摩耗特性において非常に重要なパラメータである。
いかに優れた特性を有する膜であっても、磁性膜への付
着力が弱ければ、ヘッドの摺動により保護膜と磁性膜の
界面より剥離が発生しディスクの破壊に至ってしまう。
【００１４】本発明は、前記の課題を解決するもので、
水素含有炭素膜の基板への付着力を向上させ、ディスク
の耐摩擦摩耗特性を向上させることを目的としている。
水素含有炭素膜の基板への付着力を向上させ、ディスク
の耐摩擦摩耗特性を向上させることを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、水素含有炭素膜と磁性膜の間に水素含有炭素膜の付
着力を向上させるためのバッファー層を設けた。
に、水素含有炭素膜と磁性膜の間に水素含有炭素膜の付
着力を向上させるためのバッファー層を設けた。
【００１６】
【作用】本発明は、水素含有炭素膜の磁性膜への付着力
における問題点を解決することを目的とする。
における問題点を解決することを目的とする。
【００１７】以下にその作用について述べる。水素含有
炭素膜は従来の炭素膜に比べダイアモンド性が高い膜で
ある。このため磁性膜への付着力が弱くなっている。
炭素膜は従来の炭素膜に比べダイアモンド性が高い膜で
ある。このため磁性膜への付着力が弱くなっている。
【００１８】そこで本発明は、水素含有炭素膜と磁性膜
の間にバッファー層を設けることにより水素含有炭素膜
の付着力の向上を実現した。
の間にバッファー層を設けることにより水素含有炭素膜
の付着力の向上を実現した。
【００１９】ここで、バッファー層材料としては結晶構
造がｂｃｃ構造を持ち、なおかつ原子半径が０．１２２
ｎｍ以上のものか、もしくは結晶構造がダイアモンド構
造を持つものでなければならない。
造がｂｃｃ構造を持ち、なおかつ原子半径が０．１２２
ｎｍ以上のものか、もしくは結晶構造がダイアモンド構
造を持つものでなければならない。
【００２０】結晶構造がｂｃｃ構造を持ち、なおかつ原
子半径が０．１２２ｎｍ以上である材料をバッファー層
として用いることにより、炭素原子がバッファー層の格
子間の八面体位置もしくは四面体位置に拡散してゆきバ
ッファー層と水素含有炭素膜の界面で強い付着力が得ら
れることになる。原子半径が０．１２２ｎｍ以上でなけ
ればならない理由としては、母体原子の格子間に拡散原
子が拡散してゆくためには拡散原子の原子半径が母体原
子の原子半径の５９％以下でなければならないというヘ
ッグの法則に起因しており、炭素の原子半径０．０７２
ｎｍより算出した値である。
子半径が０．１２２ｎｍ以上である材料をバッファー層
として用いることにより、炭素原子がバッファー層の格
子間の八面体位置もしくは四面体位置に拡散してゆきバ
ッファー層と水素含有炭素膜の界面で強い付着力が得ら
れることになる。原子半径が０．１２２ｎｍ以上でなけ
ればならない理由としては、母体原子の格子間に拡散原
子が拡散してゆくためには拡散原子の原子半径が母体原
子の原子半径の５９％以下でなければならないというヘ
ッグの法則に起因しており、炭素の原子半径０．０７２
ｎｍより算出した値である。
【００２１】またバッファー層にダイアモンド構造を持
つ材料を用いることにより、炭素原子がバッファー層の
格子欠陥もしくはバッファー層の原子と置換を起こし拡
散してゆく。このことによりバッファー層と水素含有炭
素膜の界面で強い付着力が得られることになる。
つ材料を用いることにより、炭素原子がバッファー層の
格子欠陥もしくはバッファー層の原子と置換を起こし拡
散してゆく。このことによりバッファー層と水素含有炭
素膜の界面で強い付着力が得られることになる。
【００２２】
【実施例】以下本発明の一実施例における磁気記録媒体
について説明する。
について説明する。
【００２３】図１は本発明の一実施例における磁気記録
媒体を示す断面図である。図１において１はＡｌ等の材
料で構成された円盤状の基体で、基体１は約１．００〜
１．５０mmの厚さで構成されている。２は基体１の上に
形成されたＮｉ−Ｐ膜で、Ｎｉ−Ｐ膜２はメッキ等の手
段によって構成され、しかも膜厚２０μｍ程度の厚さで
構成されている。この基体１及びＮｉ−Ｐ膜２で基板が
構成されている。３はＮｉ−Ｐ膜２の上に形成された下
地膜で、下地膜３はＣｒ等の材料で構成されており、ス
パッタリング法等の手段によって形成される。また下地
膜３の膜厚は１００ｎｍ程度にしている。４は下地膜３
の上に形成された磁性膜で、磁性膜４は、ＣｏＣｒＴ
ａ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＰｔ，Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢ等のＣｏ系磁性材料で構
成されている。又磁性膜４はスパッタリング法等の手段
を用いて作製され、膜厚は４０〜６０ｎｍ程度で形成さ
れる。５は磁性膜４の上に形成されたバッファー層で、
バッファー層５は結晶構造がｂｃｃ構造を持ち、しかも
原子半径が０．１２２ｎｍ以上の材料か、または結晶構
造がダイヤモンド構造を持つ材料で構成される。材料の
具体的な例として、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ等が挙げられ
る。バッファー層５は１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で形成
され、スパッタリング法等の手段によって構成される。
６はバッファー層５の上に形成された水素含有炭素膜
で、水素含有炭素膜６はスパッタリング法等の手段を用
い膜厚２０〜２５ｎｍで形成される。７は水素含有炭素
膜６の上に形成された潤滑膜で、潤滑膜７はパーフルオ
ロポリエーテル等の材料で構成され、膜厚３〜６ｎｍで
作製される。
媒体を示す断面図である。図１において１はＡｌ等の材
料で構成された円盤状の基体で、基体１は約１．００〜
１．５０mmの厚さで構成されている。２は基体１の上に
形成されたＮｉ−Ｐ膜で、Ｎｉ−Ｐ膜２はメッキ等の手
段によって構成され、しかも膜厚２０μｍ程度の厚さで
構成されている。この基体１及びＮｉ−Ｐ膜２で基板が
構成されている。３はＮｉ−Ｐ膜２の上に形成された下
地膜で、下地膜３はＣｒ等の材料で構成されており、ス
パッタリング法等の手段によって形成される。また下地
膜３の膜厚は１００ｎｍ程度にしている。４は下地膜３
の上に形成された磁性膜で、磁性膜４は、ＣｏＣｒＴ
ａ，ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＰｔ，Ｃｏ
ＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢ等のＣｏ系磁性材料で構
成されている。又磁性膜４はスパッタリング法等の手段
を用いて作製され、膜厚は４０〜６０ｎｍ程度で形成さ
れる。５は磁性膜４の上に形成されたバッファー層で、
バッファー層５は結晶構造がｂｃｃ構造を持ち、しかも
原子半径が０．１２２ｎｍ以上の材料か、または結晶構
造がダイヤモンド構造を持つ材料で構成される。材料の
具体的な例として、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ等が挙げられ
る。バッファー層５は１０ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で形成
され、スパッタリング法等の手段によって構成される。
６はバッファー層５の上に形成された水素含有炭素膜
で、水素含有炭素膜６はスパッタリング法等の手段を用
い膜厚２０〜２５ｎｍで形成される。７は水素含有炭素
膜６の上に形成された潤滑膜で、潤滑膜７はパーフルオ
ロポリエーテル等の材料で構成され、膜厚３〜６ｎｍで
作製される。
【００２４】以上の様に構成された磁気記録媒体におい
て、以下に示す様なサンプルを作製し、後にそれらの諸
特性について説明する。
て、以下に示す様なサンプルを作製し、後にそれらの諸
特性について説明する。
【００２５】（実施例１）磁性膜上にバッファー層を形
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＣｒを用いた。Ｃｒの結晶構造は
ｂｃｃ構造であり、原子半径は０．１２５ｎｍである。
水素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混
合ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流
量比は５：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜
電力は５００ｗである。
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＣｒを用いた。Ｃｒの結晶構造は
ｂｃｃ構造であり、原子半径は０．１２５ｎｍである。
水素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混
合ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流
量比は５：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜
電力は５００ｗである。
【００２６】（実施例２）磁性膜上にバッファー層を形
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＭｏを用いた。Ｍｏの結晶構造は
ｂｃｃ構造であり、原子半径は０．１３６ｎｍである。
水素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混
合ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流
量比は５：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜
電力は５００ｗである。
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＭｏを用いた。Ｍｏの結晶構造は
ｂｃｃ構造であり、原子半径は０．１３６ｎｍである。
水素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混
合ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流
量比は５：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜
電力は５００ｗである。
【００２７】（実施例３）磁性膜上にバッファー層を形
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＷを用いた。Ｗの結晶構造はｂｃ
ｃ構造であり、原子半径は０．１３７ｎｍである。水素
含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混合ガ
スを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により成
膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流量比
は５：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜電力
は５００ｗである。
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＷを用いた。Ｗの結晶構造はｂｃ
ｃ構造であり、原子半径は０．１３７ｎｍである。水素
含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混合ガ
スを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により成
膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流量比
は５：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜電力
は５００ｗである。
【００２８】（実施例４）磁性膜上にバッファー層を形
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＳｉを用いた。Ｓｉの結晶構造は
ダイアモンド構造である。水素含有炭素膜は、スパッタ
ガスに水素とアルゴンの混合ガスを用いてＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により成膜した。スパッタ時のア
ルゴンガスと水素ガスの流量比は５：１で、全ガス圧は
１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜電力は５００ｗである。
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＳｉを用いた。Ｓｉの結晶構造は
ダイアモンド構造である。水素含有炭素膜は、スパッタ
ガスに水素とアルゴンの混合ガスを用いてＤＣマグネト
ロンスパッタリング法により成膜した。スパッタ時のア
ルゴンガスと水素ガスの流量比は５：１で、全ガス圧は
１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜電力は５００ｗである。
【００２９】（比較例１）比較例として、バッファー層
を設けず磁性膜の上に直接水素含有炭素膜を成膜した。
水素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混
合ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流
量比は５：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜
電力は５００ｗである。
を設けず磁性膜の上に直接水素含有炭素膜を成膜した。
水素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混
合ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流
量比は５：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜
電力は５００ｗである。
【００３０】図２に実施例１〜４および比較例１の水素
含有炭素膜のラマン分光分析結果のグラフを示す。横軸
はラマンシフトの波数で、縦軸はピーク強度である。ま
た図２おいて８は測定曲線、９は測定曲線８の第１のピ
ークである波数１５５０cm-1地点の２成分のガウス関数
で近似した近似曲線、１０は測定曲線８の第２のピーク
である波数１３５０cm-1地点の２成分のガウス関数で近
似した近似曲線である。曲線９と横軸で囲まれた面積
（面積強度）で曲線１０と横軸で囲まれた面積（面積強
度）を割った水素含有炭素膜の相対強度の値は、２．４
３である。
含有炭素膜のラマン分光分析結果のグラフを示す。横軸
はラマンシフトの波数で、縦軸はピーク強度である。ま
た図２おいて８は測定曲線、９は測定曲線８の第１のピ
ークである波数１５５０cm-1地点の２成分のガウス関数
で近似した近似曲線、１０は測定曲線８の第２のピーク
である波数１３５０cm-1地点の２成分のガウス関数で近
似した近似曲線である。曲線９と横軸で囲まれた面積
（面積強度）で曲線１０と横軸で囲まれた面積（面積強
度）を割った水素含有炭素膜の相対強度の値は、２．４
３である。
【００３１】（実施例５）磁性膜上にバッファー層を形
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＣｒを用いた。Ｃｒの結晶構造は
ｂｃｃ構造であり、原子半径は０．１２５ｎｍである。
水素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混
合ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流
量比は１０：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成
膜電力は５００ｗである。
成し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバ
ッファー層材料としてＣｒを用いた。Ｃｒの結晶構造は
ｂｃｃ構造であり、原子半径は０．１２５ｎｍである。
水素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混
合ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流
量比は１０：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成
膜電力は５００ｗである。
【００３２】成膜された水素含有炭素膜の相対強度の値
は２．９５である。 （比較例２）ディスクの磁性膜上にバッファー層を形成
し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバッ
ファー層材料としてＣｒを用いた。Ｃｒの結晶構造はｂ
ｃｃ構造であり、原子半径は０．１２５ｎｍである。水
素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混合
ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により
成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流量
比は２０：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜
電力は５００ｗである。
は２．９５である。 （比較例２）ディスクの磁性膜上にバッファー層を形成
し、その上に水素含有炭素膜を成膜した。このときバッ
ファー層材料としてＣｒを用いた。Ｃｒの結晶構造はｂ
ｃｃ構造であり、原子半径は０．１２５ｎｍである。水
素含有炭素膜は、スパッタガスに水素とアルゴンの混合
ガスを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により
成膜した。スパッタ時のアルゴンガスと水素ガスの流量
比は２０：１で、全ガス圧は１〜１０ｍＴｏｒｒ、成膜
電力は５００ｗである。
【００３３】成膜された水素含有炭素膜の相対強度の値
は３．１４である。 （従来例１）従来例として、スパッタガスにアルゴンガ
スのみを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り磁性膜上に直接炭素膜を成膜した。これは、従来のデ
ィスクに用いられている炭素保護膜である。
は３．１４である。 （従来例１）従来例として、スパッタガスにアルゴンガ
スのみを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法によ
り磁性膜上に直接炭素膜を成膜した。これは、従来のデ
ィスクに用いられている炭素保護膜である。
【００３４】図３に従来例１の炭素膜のラマン分光分析
結果のグラフを示す。横軸はラマンシフトの波数で、縦
軸はピーク強度である。１１は測定曲線、１２は第１の
ピークの近似曲線、１３は第２のピークの近似曲線であ
る。この炭素膜の相対強度の値は、４．１２である。
結果のグラフを示す。横軸はラマンシフトの波数で、縦
軸はピーク強度である。１１は測定曲線、１２は第１の
ピークの近似曲線、１３は第２のピークの近似曲線であ
る。この炭素膜の相対強度の値は、４．１２である。
【００３５】上記実施例・比較例・従来例に示す炭素膜
の特性について以下説明する。なお、この比較実験には
潤滑膜は形成せずに行なった。
の特性について以下説明する。なお、この比較実験には
潤滑膜は形成せずに行なった。
【００３６】まず水素含有炭素膜の基板への付着力につ
いて説明する。なお膜の付着力測定には島津製作所製走
査型スクラッチテスタＳＳＴ１０１を用いて膜の剥離荷
重を測定しその値を評価に用いた。剥離荷重の測定条件
は触針曲率１５μｍ・スクラッチスピード２０μｍ／ｓ
・振幅５０μｍ・触針押し付けスピード１μｍ／ｓであ
る。図４に各実施例・比較例・従来例の付着力測定結果
を示す。図４からわかるように、ラマンスペクトルの相
対強度の値が４．１２である従来例１のサンプルでは炭
素膜が磁性膜に強く付着している。しかし、相対強度の
値が２．４３である比較例１の水素含有炭素膜は磁性膜
への付着力が弱く剥離し易い膜であることがわかる。だ
が、水素含有炭素膜と磁性膜の間にバッファー層を形成
した実施例１から４のサンプルは従来例１と同等の強い
付着力を得ることができる。このように、ディスクの保
護膜に水素含有炭素膜を用いた場合でも、水素含有炭素
膜と磁性膜の間にバッファー層を形成することにより、
従来の炭素膜と同等の付着力を得ることができる。
いて説明する。なお膜の付着力測定には島津製作所製走
査型スクラッチテスタＳＳＴ１０１を用いて膜の剥離荷
重を測定しその値を評価に用いた。剥離荷重の測定条件
は触針曲率１５μｍ・スクラッチスピード２０μｍ／ｓ
・振幅５０μｍ・触針押し付けスピード１μｍ／ｓであ
る。図４に各実施例・比較例・従来例の付着力測定結果
を示す。図４からわかるように、ラマンスペクトルの相
対強度の値が４．１２である従来例１のサンプルでは炭
素膜が磁性膜に強く付着している。しかし、相対強度の
値が２．４３である比較例１の水素含有炭素膜は磁性膜
への付着力が弱く剥離し易い膜であることがわかる。だ
が、水素含有炭素膜と磁性膜の間にバッファー層を形成
した実施例１から４のサンプルは従来例１と同等の強い
付着力を得ることができる。このように、ディスクの保
護膜に水素含有炭素膜を用いた場合でも、水素含有炭素
膜と磁性膜の間にバッファー層を形成することにより、
従来の炭素膜と同等の付着力を得ることができる。
【００３７】次に、水素含有炭素膜の耐摩擦摩耗特性に
ついて説明する。耐摩擦摩耗特性は、コンタクト・スタ
ート・ストップ（以下ＣＳＳと略す）テストを用いて評
価を行った。（表１）にＣＳＳテスト条件を示す。
ついて説明する。耐摩擦摩耗特性は、コンタクト・スタ
ート・ストップ（以下ＣＳＳと略す）テストを用いて評
価を行った。（表１）にＣＳＳテスト条件を示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】図５に各実施例・比較例・従来例のＣＳＳ
テスト結果を示す。図５の横軸はＣＳＳ回数、縦軸はヘ
ッド・ディスク間の摩擦係数である。ＣＳＳテスト結果
より、従来例１のサンプルでは炭素膜の摩耗によるクラ
ッシュが発生しており、従来の炭素膜では低浮上薄膜ヘ
ッドに対する耐摩耗性が十分でないことがわかる。ま
た、比較例１のサンプルでは水素含有炭素膜の剥離によ
るクラッシュが発生しており、水素含有炭素膜の磁性膜
への付着力が十分でないことを示している。一方、実施
例１・２・５のサンプルは優れたＣＳＳテスト結果を示
している。ＣＳＳテスト後の表面観察においても、水素
含有炭素膜の損傷は全く認められなかった。今回、実施
例１・２・５についてのＣＳＳテスト結果を示したが、
他の実施例についても同様の結果が得られている。
テスト結果を示す。図５の横軸はＣＳＳ回数、縦軸はヘ
ッド・ディスク間の摩擦係数である。ＣＳＳテスト結果
より、従来例１のサンプルでは炭素膜の摩耗によるクラ
ッシュが発生しており、従来の炭素膜では低浮上薄膜ヘ
ッドに対する耐摩耗性が十分でないことがわかる。ま
た、比較例１のサンプルでは水素含有炭素膜の剥離によ
るクラッシュが発生しており、水素含有炭素膜の磁性膜
への付着力が十分でないことを示している。一方、実施
例１・２・５のサンプルは優れたＣＳＳテスト結果を示
している。ＣＳＳテスト後の表面観察においても、水素
含有炭素膜の損傷は全く認められなかった。今回、実施
例１・２・５についてのＣＳＳテスト結果を示したが、
他の実施例についても同様の結果が得られている。
【００４０】比較例２の相対強度が３．１４の水素含有
炭素膜では摩耗によるクラッシュが発生している。この
ことから、水素含有炭素膜の膜質としては相対強度が
３．００以下のものでなければならないということがわ
かる。
炭素膜では摩耗によるクラッシュが発生している。この
ことから、水素含有炭素膜の膜質としては相対強度が
３．００以下のものでなければならないということがわ
かる。
【００４１】以上のように本実施例によれば、磁性膜上
にバッファー層を形成しその上に水素含有炭素膜を成膜
することで、水素含有炭素膜のディスクへの付着力を向
上させることができ、低浮上薄膜ヘッドに対して優れた
耐摩擦摩耗特性を有するディスク保護膜を提供すること
ができる。
にバッファー層を形成しその上に水素含有炭素膜を成膜
することで、水素含有炭素膜のディスクへの付着力を向
上させることができ、低浮上薄膜ヘッドに対して優れた
耐摩擦摩耗特性を有するディスク保護膜を提供すること
ができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明は、水素含有炭素膜と磁性膜の間
に、ｂｃｃ構造を持ちなおかつ原子半径０．１２２ｎｍ
以上の材料、もしくはダイアモンド構造を持つ材料をバ
ッファー層として形成することにより、水素含有炭素膜
のディスクへの付着力を向上させることができ、低浮上
薄膜ヘッドに対して優れた耐摩擦摩耗特性を有するディ
スク保護膜を提供することができる。
に、ｂｃｃ構造を持ちなおかつ原子半径０．１２２ｎｍ
以上の材料、もしくはダイアモンド構造を持つ材料をバ
ッファー層として形成することにより、水素含有炭素膜
のディスクへの付着力を向上させることができ、低浮上
薄膜ヘッドに対して優れた耐摩擦摩耗特性を有するディ
スク保護膜を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例における磁気記録媒体を示す
断面図
断面図
【図２】本発明の実施例・比較例の水素含有炭素膜のラ
マン分光分析結果を示すグラフ
マン分光分析結果を示すグラフ
【図３】従来例の水素含有炭素膜のラマン分光分析結果
を示すグラフ
を示すグラフ
【図４】付着力測定結果を示すグラフ
【図５】ＣＳＳテスト結果を示すグラフ
１ 基体 ４ 磁性膜 ５ バッファー層 ６ 水素含有炭素膜
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、前記基板の上に設けられた磁性膜
と、前記磁性膜の上に設けられたバッファー層と、前記
バッファー層の上に設けられた水素を含有する炭素膜を
備え、前記バッファー層を結晶構造がｂｃｃ構造を持
ち、なおかつ原子半径が０．１２２ｎｍ以上である材料
か、結晶構造がダイアモンド構造を持つ材料の少なくと
も一方で構成した事を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】バッファー層材料として、Ｃｒ・Ｍｏ・Ｗ
・Ｓｉの内少なくとも１つを用いることを特徴とする請
求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】炭素膜のラマン分光分析結果が１５５０cm
-1付近と１３５０cm-1付近にピークを持つラマンスペク
トルを示し、このラマンスペクトルを２成分のガウス関
数を用いて近似を行った場合、高波数側の面積強度に対
する低波数側の面積強度の相対強度の値が３．００以下
であることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4261148A JPH06111287A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 磁気記録媒体 |
| US08/124,859 US5562982A (en) | 1992-09-30 | 1993-09-22 | Magnetic recording medium |
| US08/401,354 US5679454A (en) | 1992-09-30 | 1995-03-09 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4261148A JPH06111287A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111287A true JPH06111287A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17357774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4261148A Pending JPH06111287A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5562982A (ja) |
| JP (1) | JPH06111287A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2000560A1 (en) | 1999-07-08 | 2008-12-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Hard coating and coated member |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5900324A (en) * | 1994-10-27 | 1999-05-04 | Hoya Corporation | Magnetic recording media, methods for producing the same and magnetic recorders |
| JPH09138943A (ja) * | 1995-11-14 | 1997-05-27 | Nec Corp | 磁気ディスク媒体 |
| US6340521B1 (en) | 1998-11-09 | 2002-01-22 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording medium with protective barrier layer |
| DE10018143C5 (de) * | 2000-04-12 | 2012-09-06 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems |
| US6881475B2 (en) * | 2001-06-13 | 2005-04-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Amorphous carbon coated tool and fabrication method thereof |
| US6962751B2 (en) * | 2001-06-13 | 2005-11-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Amorphous carbon coated tools and method of producing the same |
| JP6060484B2 (ja) * | 2012-01-19 | 2017-01-18 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| DE102012215191A1 (de) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg | Werkzeug für Ultraschallschweißvorrichtung |
| CN106795619B (zh) * | 2014-09-17 | 2019-10-01 | 日本Itf株式会社 | 被覆膜及其制造方法以及pvd装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2166668B (en) * | 1984-11-09 | 1988-03-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPH0610871B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-02-09 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPH01258218A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気デイスク |
| US5275850A (en) * | 1988-04-20 | 1994-01-04 | Hitachi, Ltd. | Process for producing a magnetic disk having a metal containing hard carbon coating by plasma chemical vapor deposition under a negative self bias |
| JPH01273215A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気デイスク |
| JPH0237678A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Honda Tsushin Kogyo Kk | フラットケーブル用コネクタ |
| US5030494A (en) * | 1989-01-26 | 1991-07-09 | International Business Machines Corporation | Carbon overcoat for a thin film magnetic recording disk containing discrete clusters of tungsten (W) or tungsten carbide (WC) which project from the surface of the overcoat |
| US5266409A (en) * | 1989-04-28 | 1993-11-30 | Digital Equipment Corporation | Hydrogenated carbon compositions |
| US5045165A (en) * | 1990-02-01 | 1991-09-03 | Komag, Inc. | Method for sputtering a hydrogen-doped carbon protective film on a magnetic disk |
| DE4040471A1 (de) * | 1990-08-01 | 1992-02-06 | Bayer Ag | Haertbare mischungen zur herstellung von epoxidnetzwerken, verfahren zu deren herstellung und verwendung |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4261148A patent/JPH06111287A/ja active Pending
-
1993
- 1993-09-22 US US08/124,859 patent/US5562982A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-09 US US08/401,354 patent/US5679454A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2000560A1 (en) | 1999-07-08 | 2008-12-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Hard coating and coated member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5562982A (en) | 1996-10-08 |
| US5679454A (en) | 1997-10-21 |
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