JPH03224121A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH03224121A JPH03224121A JP2043063A JP4306390A JPH03224121A JP H03224121 A JPH03224121 A JP H03224121A JP 2043063 A JP2043063 A JP 2043063A JP 4306390 A JP4306390 A JP 4306390A JP H03224121 A JPH03224121 A JP H03224121A
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固定磁気ディスク記憶装置等に用いられ、非
磁性基体上に下地層と磁性層とが形成された磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。
磁性基体上に下地層と磁性層とが形成された磁気記録媒
体およびその製造方法に関する。
近年、コンビコータなどの情報処理装置の外部記録装置
として固定磁気ディスク装置が多用されてきている。こ
の固定磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体とし
て、従来、第２図の模式的断面図に示す構成のものが知
られている。第２図において、１は非磁性基板１１上に
非磁性金属層１２が形成された基体であり、この基体１
上に、非磁性金属下地層２１強磁性合金薄膜磁性層３．
アモルファスカーボン保護層４が形成されており、さら
にその上に、液体潤滑剤からなる潤滑層５が設けられて
いる。
として固定磁気ディスク装置が多用されてきている。こ
の固定磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体とし
て、従来、第２図の模式的断面図に示す構成のものが知
られている。第２図において、１は非磁性基板１１上に
非磁性金属層１２が形成された基体であり、この基体１
上に、非磁性金属下地層２１強磁性合金薄膜磁性層３．
アモルファスカーボン保護層４が形成されており、さら
にその上に、液体潤滑剤からなる潤滑層５が設けられて
いる。
このような媒体は、例えば、へ１合金材料からなる所要
の平行度、平面度および表面粗さに仕上げ加工された非
磁性基板１１の表面に無電解めっきでＮ１−Ｐ合金から
なる非磁性金属層１２を形成し、その表面を研磨して所
要の表面粗さの非磁性基体１とし、 この非磁性基体１
を２００℃に加熱し、その表面上に、Ｃｒからなり膜厚
３０００人の非磁性金属下地層２．Ｃｏ−３０％Ｎｉ−
７，５％Ｃｒ合金からなり膜厚５００人の磁性層３ お
よびアモルファスカーボンがらなり 膜厚２００人の保
護層４を順次スパッタ法により積層形成し、さらに保護
層４上に、フロロカーボン系の液体潤滑剤を膜７２０人
に塗布して潤滑層５とすることによって作製される。こ
のようにして作製された媒体は、強度１寸法精度などの
機械的特性は実用上支障なく良好であり、磁気特性も保
磁力Ｈｃが１００００ｅ程度かつ角形比Ｂｒ／Ｂｓが０
．８０〜０．８５程度と良好である。
の平行度、平面度および表面粗さに仕上げ加工された非
磁性基板１１の表面に無電解めっきでＮ１−Ｐ合金から
なる非磁性金属層１２を形成し、その表面を研磨して所
要の表面粗さの非磁性基体１とし、 この非磁性基体１
を２００℃に加熱し、その表面上に、Ｃｒからなり膜厚
３０００人の非磁性金属下地層２．Ｃｏ−３０％Ｎｉ−
７，５％Ｃｒ合金からなり膜厚５００人の磁性層３ お
よびアモルファスカーボンがらなり 膜厚２００人の保
護層４を順次スパッタ法により積層形成し、さらに保護
層４上に、フロロカーボン系の液体潤滑剤を膜７２０人
に塗布して潤滑層５とすることによって作製される。こ
のようにして作製された媒体は、強度１寸法精度などの
機械的特性は実用上支障なく良好であり、磁気特性も保
磁力Ｈｃが１００００ｅ程度かつ角形比Ｂｒ／Ｂｓが０
．８０〜０．８５程度と良好である。
しかしながら、最近、情報の多量化、多様化が急速に進
み、情報の大量処理の必要性から固定磁気ディスク装置
の高記録密度化、大容量化が強く要望されてきた。その
たｔ１磁気記録媒体の保磁力Ｈｃをさらに高めかつ、高
記録密度化のために用いられる薄膜磁気ヘッドに対応し
た角形比Ｂｒ／Ｂｓの高い磁気記録媒体が必要となって
きた。
み、情報の大量処理の必要性から固定磁気ディスク装置
の高記録密度化、大容量化が強く要望されてきた。その
たｔ１磁気記録媒体の保磁力Ｈｃをさらに高めかつ、高
記録密度化のために用いられる薄膜磁気ヘッドに対応し
た角形比Ｂｒ／Ｂｓの高い磁気記録媒体が必要となって
きた。
この発明は、これらの点に鑑みてなされたものであって
、より高保磁力でかつ高角形比の磁気記録媒体およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
、より高保磁力でかつ高角形比の磁気記録媒体およびそ
の製造方法を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、第１の本発明の磁気記録媒
体は、非磁性基体上に、非磁性金属下地層２強磁性合金
薄膜磁性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成し
てなる磁気記録媒体において、強磁性合金薄膜磁性層が
クロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が６〜１８
原子％、残部がコバルトの合金からなることをｖｆ微と
し、非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり
、その膜厚が７００〜３５００人であり、強磁性合金薄
膜磁性層膜厚が３００Å以上であるのがよい。
体は、非磁性基体上に、非磁性金属下地層２強磁性合金
薄膜磁性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成し
てなる磁気記録媒体において、強磁性合金薄膜磁性層が
クロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が６〜１８
原子％、残部がコバルトの合金からなることをｖｆ微と
し、非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり
、その膜厚が７００〜３５００人であり、強磁性合金薄
膜磁性層膜厚が３００Å以上であるのがよい。
第２の本発明の磁気記録媒体は、強磁性合金薄膜磁性層
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下、 タンタルの濃度が０．２〜３．０原子％、
残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、非磁
性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、その膜
厚が５００〜３０００人であり、強磁性合金薄膜磁性層
膜厚が３００〜７００人であるのがよい。
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下、 タンタルの濃度が０．２〜３．０原子％、
残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、非磁
性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、その膜
厚が５００〜３０００人であり、強磁性合金薄膜磁性層
膜厚が３００〜７００人であるのがよい。
第２の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性金属
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１７０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１７０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
第３の本発明の磁気記録媒体は、強磁性合金薄膜磁性層
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下、 ハフニウムの濃度が０．３〜４．７原子％
、 残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、非
磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、その
膜厚が５００〜３４００人であり、強磁性合金薄膜磁性
層膜厚が２５０〜８００人であるのがよい。
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下、 ハフニウムの濃度が０．３〜４．７原子％
、 残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、非
磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、その
膜厚が５００〜３４００人であり、強磁性合金薄膜磁性
層膜厚が２５０〜８００人であるのがよい。
第３の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性金属
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１７０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１７０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
第４の本発明の磁気記録媒体は、強磁性合金薄膜磁性層
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下、タングステンの濃度が０．１５〜３．５原子
％、 残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、
非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、そ
の膜厚が５００〜３０００人であり、強磁性合金薄膜磁
性層膜厚が２５０〜８００人であるのがよい。
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下、タングステンの濃度が０．１５〜３．５原子
％、 残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、
非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、そ
の膜厚が５００〜３０００人であり、強磁性合金薄膜磁
性層膜厚が２５０〜８００人であるのがよい。
第４の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性金属
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１６０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１６０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
第５の本発明の磁気記録媒体は、強磁性合金薄膜磁性層
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下１ ジルコニウムの濃度が０．３〜５．４原子
％、残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、非
磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、その
膜厚が５００〜３５００人であり、強磁性合金薄膜磁性
層膜厚が２５０〜７５０人であるのがよい。
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下１ ジルコニウムの濃度が０．３〜５．４原子
％、残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、非
磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、その
膜厚が５００〜３５００人であり、強磁性合金薄膜磁性
層膜厚が２５０〜７５０人であるのがよい。
第５の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性金属
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１７０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１７０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
第６の本発明の磁気記録媒体は、強磁性合金薄膜磁性層
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下、 ニオブの濃度が０．２５〜４．８原子％、
残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、非磁性
金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、その膜厚
が５００〜３０００人であり、強磁性合金薄膜磁性層膜
厚が２５０〜８５０人であるのがよい。
がクロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原
子％以下、 ニオブの濃度が０．２５〜４．８原子％、
残部がコバルトの合金からなることを特徴とし、非磁性
金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、その膜厚
が５００〜３０００人であり、強磁性合金薄膜磁性層膜
厚が２５０〜８５０人であるのがよい。
第６の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性金属
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１６０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
下地層１強磁性合金薄膜磁性層および保護層をスパッタ
法により形成する前に、真空中において１６０〜２７０
℃の温度で非磁性基体の加熱処理を行うことを特徴とし
ている。
上記のように構成すると、磁性膜の結晶性が微細化しか
つ、面内に磁化容易軸が向きやすくなることから、また
、結晶粒径が小さく、かつ、結晶間隔が大きくなること
から、高記録密度化に適する高保磁力でかつ高角形比の
磁気記録媒体が得られる。
つ、面内に磁化容易軸が向きやすくなることから、また
、結晶粒径が小さく、かつ、結晶間隔が大きくなること
から、高記録密度化に適する高保磁力でかつ高角形比の
磁気記録媒体が得られる。
第１実施例
第１図は、本発明に係わる媒体の第１実施例を示す模式
的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡ６
合金からなるディスク状の基板１１の表面に無電解めっ
きでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性金属層１２を形成し、
その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均粗
さＲａで約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施して
、所要の表面形状の基体１とする。この基体１を精密洗
浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグネト
ロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５Ｘ１０−６
Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００℃に加
熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧力５ｍ
Ｔｏｒｒの＾ｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚が０
〜４０００人の非磁性金属下地層２． （ＣＯｓｓＣ
ｒ＋５）ｔｏｏ−ＸＰｔＸ合金からなり、Ｘが６〜１８
の範囲で膜厚を２５０人、３００人、４００人、６００
Ａとした磁性層３１アモルファスカーボンからなり膜厚
２００人の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。
的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡ６
合金からなるディスク状の基板１１の表面に無電解めっ
きでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性金属層１２を形成し、
その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均粗
さＲａで約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施して
、所要の表面形状の基体１とする。この基体１を精密洗
浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグネト
ロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５Ｘ１０−６
Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００℃に加
熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧力５ｍ
Ｔｏｒｒの＾ｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚が０
〜４０００人の非磁性金属下地層２． （ＣＯｓｓＣ
ｒ＋５）ｔｏｏ−ＸＰｔＸ合金からなり、Ｘが６〜１８
の範囲で膜厚を２５０人、３００人、４００人、６００
Ａとした磁性層３１アモルファスカーボンからなり膜厚
２００人の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。
その後、ホルダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして
基体をホルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護
層４の表面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して
膜厚２０人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
基体をホルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護
層４の表面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して
膜厚２０人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
上述の磁気記録媒体において、ＣｏＣｒＰｔ磁性層３１
のｐｔ組成を変化させて作製した際の磁気特性を調べた
結果を第３図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下地層２の
膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔ磁性層３１の膜厚を
６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび飽和磁束密度Ｂ
ｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出される角形比５＝
Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
のｐｔ組成を変化させて作製した際の磁気特性を調べた
結果を第３図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下地層２の
膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔ磁性層３１の膜厚を
６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび飽和磁束密度Ｂ
ｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出される角形比５＝
Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
Ｐｔ組成が増加するにつれて保磁力Ｈｃは向上し、１４
原子％のとき極大となり、その後しだいに小さくなる。
原子％のとき極大となり、その後しだいに小さくなる。
一方、角形比ＳもＰｔ組成が１０原子％で極大となるま
で増加傾向を示すが、その後急速に減少してゆく。高記
録密度媒体として必要な１００００ｅ以上の保磁力でか
つ０．８５以上の角形比を有するためには、Ｐｔ組成が
６〜１８原子％の範囲にあることが必要条件となる。
で増加傾向を示すが、その後急速に減少してゆく。高記
録密度媒体として必要な１００００ｅ以上の保磁力でか
つ０．８５以上の角形比を有するためには、Ｐｔ組成が
６〜１８原子％の範囲にあることが必要条件となる。
また、第４図は、Ｃｒ非磁性金属下地層２の膜厚Ｔと［
：ｏＣｒＰｔ磁性層３１の膜厚δを変化させて作製した
際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたＣｏＣ
ｒＰｔ磁性層３１の組成比は、７６．５ ：１３．５
：１０である。残留磁束密度ＢｒとＣｏＣｒＰｔ磁性層
膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加にともない
単調減少する傾向にある。しかし、高記録密度化のため
には、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有する必要が
ある。この条件を満足するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが３
５００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔ層膜厚δが３００Å以上
必要である。一方、角形比ＳはＣｒ層膜厚Ｔが１７５０
人付近で極大値をもつ傾向を示し、Ｔが７００Å以上の
とき０８５以上となる。したがって、高記録密度媒体と
して必要な条件である３００Ｇ・μｍ以上のＢ「・δと
０．８５以上のＳを満足するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが
７００〜３５００人でかつＣｏＣｒＰｔ層膜厚δが３０
０Å以上の範囲にある必要がある。
：ｏＣｒＰｔ磁性層３１の膜厚δを変化させて作製した
際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたＣｏＣ
ｒＰｔ磁性層３１の組成比は、７６．５ ：１３．５
：１０である。残留磁束密度ＢｒとＣｏＣｒＰｔ磁性層
膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加にともない
単調減少する傾向にある。しかし、高記録密度化のため
には、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有する必要が
ある。この条件を満足するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが３
５００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔ層膜厚δが３００Å以上
必要である。一方、角形比ＳはＣｒ層膜厚Ｔが１７５０
人付近で極大値をもつ傾向を示し、Ｔが７００Å以上の
とき０８５以上となる。したがって、高記録密度媒体と
して必要な条件である３００Ｇ・μｍ以上のＢ「・δと
０．８５以上のＳを満足するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが
７００〜３５００人でかつＣｏＣｒＰｔ層膜厚δが３０
０Å以上の範囲にある必要がある。
上記の磁気特性は、非磁性金属下地層２がチタンの場合
も同様の結果を示すことが別途確認されている。また、
保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）によ
り上記磁気特性が変わらないことも確言忍されている。
も同様の結果を示すことが別途確認されている。また、
保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）によ
り上記磁気特性が変わらないことも確言忍されている。
この第１実施例によれば、非磁性基体上１にクロムもし
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が６〜１８原子％、残部コバ
ルトからなる強磁性合金薄膜磁性層３１、アモルファス
カーボンもしくは二酸化ケイ素からなる保護層４を順次
スパッタ法で積層形成し、その上に液体潤滑層５を形成
し媒体とする。
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が６〜１８原子％、残部コバ
ルトからなる強磁性合金薄膜磁性層３１、アモルファス
カーボンもしくは二酸化ケイ素からなる保護層４を順次
スパッタ法で積層形成し、その上に液体潤滑層５を形成
し媒体とする。
また、上記非磁性金属下地層２の膜厚Ｔを７００〜３５
００人、強磁性合金薄膜磁性層３１の膜厚δを３００Å
以上と限定する。このようにして作製された磁気記録媒
体は、１００００ｅ以上の高保磁力と３００Ｇ・μｍ以
上のＢｒ・δ値で、かつ、０．８５以上の高角形比を有
し、高記録密度媒体として優れたものである。
００人、強磁性合金薄膜磁性層３１の膜厚δを３００Å
以上と限定する。このようにして作製された磁気記録媒
体は、１００００ｅ以上の高保磁力と３００Ｇ・μｍ以
上のＢｒ・δ値で、かつ、０．８５以上の高角形比を有
し、高記録密度媒体として優れたものである。
第２実施例
第５図は、本発明に係わる媒体の第２実施例を示す模式
的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡｐ
金合金らなるディスク状の基板１１の表面に無電解めっ
きでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し、
その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均粗
さＲａで約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施して
、所要の表面形状の基体１とする。この基体１を精密洗
浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のフグネト
ロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ Ｘｌ０−
６Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００℃に
加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧力５
ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚が
０〜４０００人の非磁性金属下地層２． （ＣＯｔ３
Ｃｒ＋ｓＰｊ＋２） ｔｏｏ−ＸＴａＸ合金からなり、
Ｘが０〜５の範囲で膜厚を３００〜７００人とした磁
性層３２．アモルファスカーボンからなり膜厚２００人
の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。その後、
ホルダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基体をホ
ルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護層４の表
面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚２０
人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡｐ
金合金らなるディスク状の基板１１の表面に無電解めっ
きでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し、
その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均粗
さＲａで約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施して
、所要の表面形状の基体１とする。この基体１を精密洗
浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のフグネト
ロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ Ｘｌ０−
６Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００℃に
加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧力５
ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚が
０〜４０００人の非磁性金属下地層２． （ＣＯｔ３
Ｃｒ＋ｓＰｊ＋２） ｔｏｏ−ＸＴａＸ合金からなり、
Ｘが０〜５の範囲で膜厚を３００〜７００人とした磁
性層３２．アモルファスカーボンからなり膜厚２００人
の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。その後、
ホルダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基体をホ
ルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護層４の表
面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚２０
人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
上述の磁気記録媒体において、ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層
３２のＴａ組成を変化させて作製した際の磁気特性を調
べた結果を第６図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下地Ｆ
Ｊ ２ ノ膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性
層３２の膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび
飽和磁束密度Ｂｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出さ
れる角形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
３２のＴａ組成を変化させて作製した際の磁気特性を調
べた結果を第６図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下地Ｆ
Ｊ ２ ノ膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性
層３２の膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび
飽和磁束密度Ｂｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出さ
れる角形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
Ｔａ組成が増加するにつれて保磁力Ｈｃは向上し、１．
３原子％のとき極大となり、その後急激に減少する。一
方、角形比Ｓは、Ｔａ組成の増加に対して単調減少する
傾向を示す。高記録密度媒体として必要な１５０００ｅ
以上の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有するため
には、Ｔａ組成が０．２〜３．０原子％範囲にあること
が必要条件となる。
３原子％のとき極大となり、その後急激に減少する。一
方、角形比Ｓは、Ｔａ組成の増加に対して単調減少する
傾向を示す。高記録密度媒体として必要な１５０００ｅ
以上の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有するため
には、Ｔａ組成が０．２〜３．０原子％範囲にあること
が必要条件となる。
また、第７図は、Ｃｒ非磁性金属下地層２の膜厚ＴとＣ
ｏＣｒＰｔＴａ磁性層３２の膜厚δを変化させて作製し
た際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたｃｏ
ｃｒｐｔＴａ磁性層３２の組成比は、７１．８ ： １
．４．７１１．８：１，７である。残留磁束密度Ｂｒと
磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加にと
もない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密度化
のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有する
必要がある。この条件を満足するためには、Ｃｒ層膜厚
Ｔが３０００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔＴａ層膜厚δが３
００Å以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃｒ層膜厚
Ｔが８００人付近で極大値をもつ傾向を示す。
ｏＣｒＰｔＴａ磁性層３２の膜厚δを変化させて作製し
た際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたｃｏ
ｃｒｐｔＴａ磁性層３２の組成比は、７１．８ ： １
．４．７１１．８：１，７である。残留磁束密度Ｂｒと
磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加にと
もない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密度化
のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有する
必要がある。この条件を満足するためには、Ｃｒ層膜厚
Ｔが３０００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔＴａ層膜厚δが３
００Å以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃｒ層膜厚
Ｔが８００人付近で極大値をもつ傾向を示す。
したがって、高記録密度媒体として必要な条件である１
５０００ｅ以上の保磁力と、０．８５以上の角形比を満
足するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３０００人で
かつＣｏＣｒＰｔＴａ層膜厚δが３００〜７００人の範
囲にある必要がある。
５０００ｅ以上の保磁力と、０．８５以上の角形比を満
足するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３０００人で
かつＣｏＣｒＰｔＴａ層膜厚δが３００〜７００人の範
囲にある必要がある。
第８図は、スパッタ膜作製前の基体１の基板加熱温度を
変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５０
００ｅ以上の保磁力を有するためには、１７０〜２７０
℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要があるこ
とがわかる。
変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５０
００ｅ以上の保磁力を有するためには、１７０〜２７０
℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要があるこ
とがわかる。
上記の磁気特性は、非磁性金属下地層２が、チタンの場
合も同様の結果を示すこ止が別途確認されている。また
、保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）に
より上記磁気特性が変わらないことも確認されている。
合も同様の結果を示すこ止が別途確認されている。また
、保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）に
より上記磁気特性が変わらないことも確認されている。
この第２実施例によれば、非磁性基体ｌ上にクロムもし
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％以下、タンタル
濃度が０．２〜３．０原子％、残部コバルトからなる強
磁性合金薄膜磁性層３２）アモルファスカーボンもしく
は二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ法で積
層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体とする。
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％以下、タンタル
濃度が０．２〜３．０原子％、残部コバルトからなる強
磁性合金薄膜磁性層３２）アモルファスカーボンもしく
は二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ法で積
層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体とする。
また、上記非磁性金属下地層２の膜厚Ｔを５００〜３０
００人、強磁性合金薄膜磁性層３２の膜厚δを３００〜
７００人と限定する。また、上記スパッタ膜を形成する
前に１７０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１の加熱
処理を行う。このようにして作製された磁気記録媒体は
、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００Ｇ・μｍ以
上のＢｒ・δ積値と０．８５以上の高角形比を有し、高
記録密度媒体として優れたものである。
００人、強磁性合金薄膜磁性層３２の膜厚δを３００〜
７００人と限定する。また、上記スパッタ膜を形成する
前に１７０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１の加熱
処理を行う。このようにして作製された磁気記録媒体は
、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００Ｇ・μｍ以
上のＢｒ・δ積値と０．８５以上の高角形比を有し、高
記録密度媒体として優れたものである。
第３実施例
第９図は、本発明に係わる媒体の第３実施例を示す模式
的断面図である。内外径加工および面切削を施したへ１
合金からなるディスク状の基板１１の表面に無電解めっ
きでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し、
その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均粗
さＲａ で約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施し
て、所要の表面形状の基体１とする。この基体１を精密
洗浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグネ
トロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ ＸＩＤ
−Ｉ′Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００
℃に加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧
力５ｍ７ｏｒｒの后ガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚
が０〜４０００人の非磁性金属下地層２ 、 （ＣＯ
＋ｓＣｒ＋５Ｐｔ１２） ｔｏｏ−Ｊｆｘ合金からなり
、 Ｘが０〜５の範囲て膜厚を２５０〜８００人とした
磁性層３３．アモルファスカーボンからなり膜厚２００
人の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。その後
、ホルダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基体を
ホルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護層４の
表面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚２
０人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
的断面図である。内外径加工および面切削を施したへ１
合金からなるディスク状の基板１１の表面に無電解めっ
きでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し、
その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均粗
さＲａ で約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施し
て、所要の表面形状の基体１とする。この基体１を精密
洗浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグネ
トロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ ＸＩＤ
−Ｉ′Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００
℃に加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧
力５ｍ７ｏｒｒの后ガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚
が０〜４０００人の非磁性金属下地層２ 、 （ＣＯ
＋ｓＣｒ＋５Ｐｔ１２） ｔｏｏ−Ｊｆｘ合金からなり
、 Ｘが０〜５の範囲て膜厚を２５０〜８００人とした
磁性層３３．アモルファスカーボンからなり膜厚２００
人の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。その後
、ホルダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基体を
ホルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護層４の
表面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚２
０人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
上述の磁気記録媒体において、ＣｏＣｒＰｔ）ｔｆ磁性
層３３のＨｆ組成を変化させて作製した際の磁気特性を
調べた結果を第１０図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下
地層２の膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔＨｆ磁性層
３３の膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび飽
和磁束密度Ｂｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出され
る角形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
層３３のＨｆ組成を変化させて作製した際の磁気特性を
調べた結果を第１０図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下
地層２の膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔＨｆ磁性層
３３の膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび飽
和磁束密度Ｂｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出され
る角形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
Ｈｆ組成が増加するにつれて保磁力Ｈｃは向上し、２．
２原子％のとき極大となり、その後減少する。
２原子％のとき極大となり、その後減少する。
一方、角形比Ｓは、Ｈｆ組成の増加に対して、ｌｌ調減
少する傾向を示す。高記録密度媒体として必要な１５０
００ｅ以上の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有す
るためには、Ｈｆ組成が０．３〜４．７原子％範囲にあ
ることが必要条件となる。
少する傾向を示す。高記録密度媒体として必要な１５０
００ｅ以上の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有す
るためには、Ｈｆ組成が０．３〜４．７原子％範囲にあ
ることが必要条件となる。
また、第１１図は、Ｃｒ非磁性金属下地層２の膜厚Ｔと
ＣｏＣｒＰｔ）Ｉｆ磁性層３３の膜厚δを変化させて作
製した際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いた
ＣｏＣｒＰｔＨｆ磁性層３３の組成比は、７１．５ ：
１４．７ ：１１．８＋２．０である。残留磁束密度Ｂ
ｒと磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加
にともない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密
度化のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有
する必要がある。この条件を満足するためにはＣｒ層膜
厚Ｔが３４００Å以下でかつ、ＣｏＣｒＰｔｆ（ｆ層膜
厚δが２５０Å以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃ
ｒ層膜厚Ｔが１５００人付近で極大値をもつ傾向を示す
。
ＣｏＣｒＰｔ）Ｉｆ磁性層３３の膜厚δを変化させて作
製した際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いた
ＣｏＣｒＰｔＨｆ磁性層３３の組成比は、７１．５ ：
１４．７ ：１１．８＋２．０である。残留磁束密度Ｂ
ｒと磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加
にともない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密
度化のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有
する必要がある。この条件を満足するためにはＣｒ層膜
厚Ｔが３４００Å以下でかつ、ＣｏＣｒＰｔｆ（ｆ層膜
厚δが２５０Å以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃ
ｒ層膜厚Ｔが１５００人付近で極大値をもつ傾向を示す
。
したがって、高記録密度媒体として必要な条件である１
５０００ｅ以上の保磁力と、０．８５以上の角形比を満
足するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３４００人で
かつＣｏＣｒＰｔ）Ｉｆ層膜厚δが２５０〜８００人の
範囲にある必要がある。
５０００ｅ以上の保磁力と、０．８５以上の角形比を満
足するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３４００人で
かつＣｏＣｒＰｔ）Ｉｆ層膜厚δが２５０〜８００人の
範囲にある必要がある。
第１２図は、スパッタ膜作製前の基体１０基板加熱温度
を変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５
０００ｅ以上の保磁力を有するためには、１７０〜２７
０℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要がある
ことがわかる。
を変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５
０００ｅ以上の保磁力を有するためには、１７０〜２７
０℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要がある
ことがわかる。
上記の磁気特性は、非磁性金属下地層２が、チタンの場
合も同様の結果を示すことが別途確認されている。また
、保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）に
より上記磁気特性が変わらないことも確君忍されている
。
合も同様の結果を示すことが別途確認されている。また
、保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）に
より上記磁気特性が変わらないことも確君忍されている
。
この第３実施例によれば、非磁性基体１上にクロムもし
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％以下、ハフニウ
ム濃度が０．３〜４．７原子％、残部コバルトからなる
強磁性合金薄膜磁性層３３、アモルファスカーボンもし
くは二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ法で
積層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体とする
。また、上記非磁性金属下地層２の膜厚Ｔを５００〜３
４００人、強磁性合金薄膜磁性層３３の膜厚δを２５０
〜８００人と限定する。また、上記スパッタ膜を形成す
る前に、１７０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１の
加熱処理を行う。このようにして作製された磁気記録媒
体は、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００Ｇ・μ
ｍ以上のＢｒ・δ積値と０．８５以上の高角形比を有し
、高記録密度媒体として優れたものである。
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％以下、ハフニウ
ム濃度が０．３〜４．７原子％、残部コバルトからなる
強磁性合金薄膜磁性層３３、アモルファスカーボンもし
くは二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ法で
積層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体とする
。また、上記非磁性金属下地層２の膜厚Ｔを５００〜３
４００人、強磁性合金薄膜磁性層３３の膜厚δを２５０
〜８００人と限定する。また、上記スパッタ膜を形成す
る前に、１７０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１の
加熱処理を行う。このようにして作製された磁気記録媒
体は、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００Ｇ・μ
ｍ以上のＢｒ・δ積値と０．８５以上の高角形比を有し
、高記録密度媒体として優れたものである。
第４実施例
第１３図は、本発明に係わる媒体の第４実施例を示す模
式的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡ
４合金からなるディスク状の基板１１の表面に無電解め
っきでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し
、その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均
粗さＲａで約６ｏ人とし、さらにテクスチャ加工を施し
て、所定の表面形状の基体１とする。この基体１を精密
洗浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグネ
トロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ Ｘｌ０
−’Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００℃
に加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧力
５ｍＴｏｒｒの＾ｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚
が０〜４０００人の非磁性金属下地層２ 、 （Ｃｏ
７３Ｃｒ＋５Ｐｔ２）、。。−ＸＷＸ合金からなり、ｘ
が０〜５の範囲で膜厚を２５０〜８００人とした磁性層
３４．アモルファスカーボンからなり膜厚２００人の保
護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。その後、ホル
ダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基体をホルダ
ーよりはずし、アモルファスカーボン保護層４の表面に
フロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚２０人の
潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
式的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡ
４合金からなるディスク状の基板１１の表面に無電解め
っきでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し
、その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均
粗さＲａで約６ｏ人とし、さらにテクスチャ加工を施し
て、所定の表面形状の基体１とする。この基体１を精密
洗浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグネ
トロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ Ｘｌ０
−’Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００℃
に加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧力
５ｍＴｏｒｒの＾ｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚
が０〜４０００人の非磁性金属下地層２ 、 （Ｃｏ
７３Ｃｒ＋５Ｐｔ２）、。。−ＸＷＸ合金からなり、ｘ
が０〜５の範囲で膜厚を２５０〜８００人とした磁性層
３４．アモルファスカーボンからなり膜厚２００人の保
護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。その後、ホル
ダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基体をホルダ
ーよりはずし、アモルファスカーボン保護層４の表面に
フロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚２０人の
潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
上述の磁気記録媒体において、ＣｏＣｒＰｔ Ｗ磁性層
３４のＷ組成を変化させて作製した際の磁気特性を調べ
た結果を第１４図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下地層
２の膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔ Ｗ磁性層３４
の膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび飽和磁
束密度Ｂｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出される角
形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
３４のＷ組成を変化させて作製した際の磁気特性を調べ
た結果を第１４図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下地層
２の膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔ Ｗ磁性層３４
の膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび飽和磁
束密度Ｂｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出される角
形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
Ｗ組成が増加するにつれて保磁力Ｈｃは向上し、０．６
原子％のとき極大となり、その後急激に減少する。一方
、角形比Ｓは、Ｗ組成の増加に対して単調減少する傾向
を示す。高記録密度媒体として必要な１５０００ｅ以上
の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有するためには
、Ｗ組成が０．１５〜３．５原子％範囲にあることが必
要条件となる。
原子％のとき極大となり、その後急激に減少する。一方
、角形比Ｓは、Ｗ組成の増加に対して単調減少する傾向
を示す。高記録密度媒体として必要な１５０００ｅ以上
の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有するためには
、Ｗ組成が０．１５〜３．５原子％範囲にあることが必
要条件となる。
また、第１５図は、Ｃｒ非磁性金属下地層２の膜厚Ｔと
ＣｏＣｒＰｔ Ｗ磁性層３４の膜厚δを変化させて作製
した際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたＣ
ｏＣｒＰｔ Ｗ磁性層３４の組成比は、７２．６ ：
１４．９ ：１１．９：０．６である。残留磁束密度Ｂ
ｒと磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加
にともない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密
度化のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有
する必要がある。この条件を満たすためには、Ｃｒ層膜
厚Ｔが３０００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔ Ｗ層膜厚δが
２５０Å以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃｒ層膜
厚Ｔが１０００ Ａ付近で極大値を持つ傾向を示す。し
たがって、高記録密度媒体として必要な条件である１５
０００ｅ以上の保磁力と、０．８５以上の角形比を満足
するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３０００人でか
つＣｏＣｒＰｔ ｗ層膜厚δが２５０〜８００人の範囲
にある必要がある。
ＣｏＣｒＰｔ Ｗ磁性層３４の膜厚δを変化させて作製
した際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたＣ
ｏＣｒＰｔ Ｗ磁性層３４の組成比は、７２．６ ：
１４．９ ：１１．９：０．６である。残留磁束密度Ｂ
ｒと磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加
にともない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密
度化のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有
する必要がある。この条件を満たすためには、Ｃｒ層膜
厚Ｔが３０００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔ Ｗ層膜厚δが
２５０Å以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃｒ層膜
厚Ｔが１０００ Ａ付近で極大値を持つ傾向を示す。し
たがって、高記録密度媒体として必要な条件である１５
０００ｅ以上の保磁力と、０．８５以上の角形比を満足
するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３０００人でか
つＣｏＣｒＰｔ ｗ層膜厚δが２５０〜８００人の範囲
にある必要がある。
第１６図は、スパッタ膜作製前の基体１の基板加熱温度
を変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５
１）Ｑ ０ｅＪＪ上の保磁力を有するためには、１６０
〜２７０℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要
があることがわかる。
を変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５
１）Ｑ ０ｅＪＪ上の保磁力を有するためには、１６０
〜２７０℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要
があることがわかる。
上記の磁気特性は、非磁性金属下地層２が、チタンの場
合も同様の結果を示すことが別途確認されている。また
、・保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）
により上記磁気特性が変わらないこさも確認されている
。
合も同様の結果を示すことが別途確認されている。また
、・保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）
により上記磁気特性が変わらないこさも確認されている
。
この第４実施例によれば、非磁性基体１上にクロムもし
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％９下、タングス
テン濃度が０１５〜３．５原子％、 残部コバルトから
なる強磁性合金薄膜磁性層３４、アモルファスカーボン
もしくは二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ
法で積層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体と
する。また、上記非磁性金属下地層２の膜厚Ｔを５００
〜３０００人、強磁性合金薄膜磁性層３４の膜厚δを２
５０〜８００人と限定する。また、上記スパッタ膜を形
成する前に１６０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１
の加熱処理を行う。このようにして作製された磁気記録
媒体は、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００Ｇ・
μｍ以上の１３ｒ・δ積値と０．８５以上の高角形比を
有し、高記録密度媒体として優れたものである。
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％９下、タングス
テン濃度が０１５〜３．５原子％、 残部コバルトから
なる強磁性合金薄膜磁性層３４、アモルファスカーボン
もしくは二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ
法で積層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体と
する。また、上記非磁性金属下地層２の膜厚Ｔを５００
〜３０００人、強磁性合金薄膜磁性層３４の膜厚δを２
５０〜８００人と限定する。また、上記スパッタ膜を形
成する前に１６０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１
の加熱処理を行う。このようにして作製された磁気記録
媒体は、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００Ｇ・
μｍ以上の１３ｒ・δ積値と０．８５以上の高角形比を
有し、高記録密度媒体として優れたものである。
第５実施例
第１７図は、本発明に係わる媒体の第５実施例を示す模
式的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡ
１合金からなるディスク状の基板１】の表面に無電解め
っきでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し
、その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均
粗さＲａ で約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施
して、所定の表面形状の基体１とする。この基体１を精
密洗浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグ
ネトロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ Ｘｌ
０−６Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００
℃に加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧
力５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜
厚が０〜４０００人の非磁性金属下地層２ 、 （Ｃ
Ｏ７３Ｃｒ＋ｓＰｊ＋２） ＋ｏｏ−ｘ２ｒｘ合金から
なり、 Ｘが０〜８の範囲て膜厚を２５０〜７５０人と
した磁性層３５．アモルファスカーボンからなり膜厚２
００人の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。そ
の後、ホルダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基
体をホルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護層
４０表面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜
厚２０人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
式的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡ
１合金からなるディスク状の基板１】の表面に無電解め
っきでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し
、その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均
粗さＲａ で約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施
して、所定の表面形状の基体１とする。この基体１を精
密洗浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグ
ネトロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ Ｘｌ
０−６Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００
℃に加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧
力５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜
厚が０〜４０００人の非磁性金属下地層２ 、 （Ｃ
Ｏ７３Ｃｒ＋ｓＰｊ＋２） ＋ｏｏ−ｘ２ｒｘ合金から
なり、 Ｘが０〜８の範囲て膜厚を２５０〜７５０人と
した磁性層３５．アモルファスカーボンからなり膜厚２
００人の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。そ
の後、ホルダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基
体をホルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護層
４０表面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜
厚２０人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
上述の磁気記録媒体において、ＣｏＣｒＰｔＺｒ磁性層
３５の２ｒ、ｌ！ｆｌ成を変化させて作製した際の磁気
特性を調べた結果を第１８図に示す。この図は、Ｃｒ非
磁性下地層２の膜厚を１５００人、 ［”ｏＣｒＰｔＺ
ｒ磁性層３５の膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃ
および飽和磁束密度Ｂｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から
算出される角形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
３５の２ｒ、ｌ！ｆｌ成を変化させて作製した際の磁気
特性を調べた結果を第１８図に示す。この図は、Ｃｒ非
磁性下地層２の膜厚を１５００人、 ［”ｏＣｒＰｔＺ
ｒ磁性層３５の膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃ
および飽和磁束密度Ｂｓと残留磁束密度Ｂｒとの比から
算出される角形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
Ｚｒ組成が増加するにつれて保磁力Ｈｃは向上し、１．
５原子％のとき極大となり、その後急激に減少する。一
方、角形比Ｓは、Ｚｒ＠成の増加に対して単調減少する
傾向を示す。高記録密度媒体として必要な１５０００ｅ
以上の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有するため
には、Ｚｒ組成が０．３〜５．４原子％範囲にあること
が必要条件となる。
５原子％のとき極大となり、その後急激に減少する。一
方、角形比Ｓは、Ｚｒ＠成の増加に対して単調減少する
傾向を示す。高記録密度媒体として必要な１５０００ｅ
以上の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有するため
には、Ｚｒ組成が０．３〜５．４原子％範囲にあること
が必要条件となる。
また、第１９図は、Ｃｒ非磁性金属下地層２の膜厚Ｔと
ＣｏＣｒＰｔＺｒ磁性層３５の膜厚δを変化させて作製
した際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたＣ
ｏＣｒＰｔＺｒ磁性層３５の組成比は、７１．９ ：
１４．８ ：１１．８：１．５である。残留磁束密度Ｂ
ｒと磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加
にともない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密
度化のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有
する必要がある。この条件を満たすためには、Ｃｒ層膜
厚Ｔが２８００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔＺｒ層膜厚δが
２５０Å以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃｒ層膜
厚Ｔが８００Ａ付近で極大値を持つ傾向を示す。
ＣｏＣｒＰｔＺｒ磁性層３５の膜厚δを変化させて作製
した際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたＣ
ｏＣｒＰｔＺｒ磁性層３５の組成比は、７１．９ ：
１４．８ ：１１．８：１．５である。残留磁束密度Ｂ
ｒと磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加
にともない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密
度化のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有
する必要がある。この条件を満たすためには、Ｃｒ層膜
厚Ｔが２８００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔＺｒ層膜厚δが
２５０Å以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃｒ層膜
厚Ｔが８００Ａ付近で極大値を持つ傾向を示す。
したがって、高記録密度媒体として必要な条件である１
５０００ｅ以上の保磁力と０．８５以上の角形比を満足
するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３５００人でか
つＣｏＣｒＰｔ２ｒ層膜厚δが２５０〜７５０人の範囲
にある必要がある。
５０００ｅ以上の保磁力と０．８５以上の角形比を満足
するためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３５００人でか
つＣｏＣｒＰｔ２ｒ層膜厚δが２５０〜７５０人の範囲
にある必要がある。
第２０図は、スパッタ膜作製前の基体１の基板加熱温度
を変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５
０００ｅ以上の保磁力を有するためには、１７０〜２７
０℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要がある
ことがわかる。
を変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５
０００ｅ以上の保磁力を有するためには、１７０〜２７
０℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要がある
ことがわかる。
上記の磁気特性は、非磁性金属下地層２がチタンの場合
も同様の結果を示すことが別途確認されている。また、
保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）によ
り上記磁気特性が変わらないことも確言忍されている。
も同様の結果を示すことが別途確認されている。また、
保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）によ
り上記磁気特性が変わらないことも確言忍されている。
この第５実施例によれば、非磁性基体１上にクロムもし
くはチタンからなる非磁性金属下地層２゜クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％以下 ンルコニ
ウム濃度が０．３〜５．４原子％、残部コバルトである
強磁性合金薄膜磁性層３５、アモルファスカーボンもし
くは二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ法で
積層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体とする
。また、上記非磁性金属下地層２の膜厚Ｔを５００〜３
５００人、強磁性合金薄膜磁性層３５の膜厚δを２５０
〜７５０人と限定する。また、上記スパッタ膜を形成す
る前に１７０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１の加
熱処理を行う。このようにして作製された磁気記録媒体
は、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００Ｇ・μｍ
以上のＢｒ・δ積値と０．８５以上の高角形比を有し、
高記録密度媒体として優れたものである。
くはチタンからなる非磁性金属下地層２゜クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％以下 ンルコニ
ウム濃度が０．３〜５．４原子％、残部コバルトである
強磁性合金薄膜磁性層３５、アモルファスカーボンもし
くは二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ法で
積層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体とする
。また、上記非磁性金属下地層２の膜厚Ｔを５００〜３
５００人、強磁性合金薄膜磁性層３５の膜厚δを２５０
〜７５０人と限定する。また、上記スパッタ膜を形成す
る前に１７０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１の加
熱処理を行う。このようにして作製された磁気記録媒体
は、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００Ｇ・μｍ
以上のＢｒ・δ積値と０．８５以上の高角形比を有し、
高記録密度媒体として優れたものである。
実施例６
第２１図は、本発明に係わる媒体の第６実施例を示す模
式的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡ
１合金からなるディスク状の基板１１の表面に無電解め
っきでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し
、その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均
粗さＲａで約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施し
て、所定の表面形状の基体１とする。この基体１を精密
洗浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグネ
トロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ Ｘｌ０
−’Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００℃
に加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧力
５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚
が０〜４０００人の非磁性金属下地層２ 、 （Ｃ（
ｈ３ｃｒ＋ｓＰｔ＋２） ｔｏｏ−ｘＮｂｘ合金からな
り、 Ｘが０〜８の範囲で膜厚を２５０〜８５０人とし
た磁性層３６．アモルファスカーボンからなり膜厚２０
０人の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。その
後、ホルダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基体
をホルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護層４
の表面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚
２０人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
式的断面図である。内外径加工および面切削を施したＡ
１合金からなるディスク状の基板１１の表面に無電解め
っきでＮ１−Ｐ合金からなる非磁性合金層１２を形成し
、その表面を超精密平面研磨して表面粗さを中心線平均
粗さＲａで約６０人とし、さらにテクスチャ加工を施し
て、所定の表面形状の基体１とする。この基体１を精密
洗浄し、ホルダーにセットしてインライン方式のマグネ
トロンスパッタ装置の仕込み室へ送り込み、５ Ｘｌ０
−’Ｔｏｒｒ以下の真空に排気し、基板温度を２００℃
に加熱する。続いて、ホルダーを成膜室へ搬送し、圧力
５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中で、Ｃｒからなり膜厚
が０〜４０００人の非磁性金属下地層２ 、 （Ｃ（
ｈ３ｃｒ＋ｓＰｔ＋２） ｔｏｏ−ｘＮｂｘ合金からな
り、 Ｘが０〜８の範囲で膜厚を２５０〜８５０人とし
た磁性層３６．アモルファスカーボンからなり膜厚２０
０人の保護層４を順次ＤＣスパッタ法で成膜した。その
後、ホルダーを取り出し室に搬送し、大気圧にして基体
をホルダーよりはずし、アモルファスカーボン保護層４
の表面にフロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚
２０人の潤滑層５を形成して磁気記録媒体とする。
上述の磁気記録媒体において、Ｃ０ＣｒＰｔＮｂ磁性層
３６のＮｂ組成を変化させて作製した際の磁気特性を調
べた結果を第２２図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下地
層２の膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔＮｂ磁性層３
６ノ膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび飽和
磁束密度ＢＳと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出される
角形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
３６のＮｂ組成を変化させて作製した際の磁気特性を調
べた結果を第２２図に示す。この図は、Ｃｒ非磁性下地
層２の膜厚を１５００人、 ＣｏＣｒＰｔＮｂ磁性層３
６ノ膜厚を６００人とした場合の保磁力Ｈｃおよび飽和
磁束密度ＢＳと残留磁束密度Ｂｒとの比から算出される
角形比５＝Ｂｒ／Ｂｓを示す線図である。
Ｎｂ組成が増加するにつれて保磁力Ｈｃは向上し、２．
７原子％のとき極大となり、その後急激に減少する。一
方、角形比Ｓは、Ｎｂ組成の増加に対して単調減少する
傾向を示す。高記録密度媒体として必要な１５０００ｅ
以上の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有するため
には、Ｎｂ組成が０．２５〜４．８原子％範囲にあるこ
とが必要条件となる。
７原子％のとき極大となり、その後急激に減少する。一
方、角形比Ｓは、Ｎｂ組成の増加に対して単調減少する
傾向を示す。高記録密度媒体として必要な１５０００ｅ
以上の保磁力でかつ０．８５以上の角形比を有するため
には、Ｎｂ組成が０．２５〜４．８原子％範囲にあるこ
とが必要条件となる。
また、第２３図は、Ｃｒ非磁性金属下地層２の膜厚Ｔと
ＣｏＣｒＰｔＮｂ磁性層３６の膜厚δを変化させて作製
した際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたＣ
ｏＣｒＰｔＮｂ磁性層３６の組成比は、７２Ｊ ： １
４．９ ：１１．９：０．９である。残留磁束密度Ｂｒ
と磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加に
ともない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密度
化のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有す
る必要がある。この条件を満たすためには、Ｃｒ層膜Ｔ
が３０００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔＮｂ層膜厚δが２５
０Ａ以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃｒ層膜厚Ｔ
がｌ０ＣＩ（１人付近で極大値を持つ傾向を示す。した
がって、高記録密度媒体として必要な条件である１５０
００ｅ以上の保磁力と０．８５以上の角形比を満足する
ためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３０００人でかつＣ
ｏＣｒＰｔＮｂ層膜厚δが２５０〜８５０人の範囲にあ
る必要がある。
ＣｏＣｒＰｔＮｂ磁性層３６の膜厚δを変化させて作製
した際の磁気特性を調べた結果である。ここで用いたＣ
ｏＣｒＰｔＮｂ磁性層３６の組成比は、７２Ｊ ： １
４．９ ：１１．９：０．９である。残留磁束密度Ｂｒ
と磁性層膜厚δとの積値は、Ｃｒ下地層膜厚Ｔの増加に
ともない単調減少する傾向にある。しかし、高記録密度
化のためには、３００Ｇ・μｍ以上のＢｒ・δ値を有す
る必要がある。この条件を満たすためには、Ｃｒ層膜Ｔ
が３０００Å以下で、ＣｏＣｒＰｔＮｂ層膜厚δが２５
０Ａ以上必要である。一方、角形比Ｓは、Ｃｒ層膜厚Ｔ
がｌ０ＣＩ（１人付近で極大値を持つ傾向を示す。した
がって、高記録密度媒体として必要な条件である１５０
００ｅ以上の保磁力と０．８５以上の角形比を満足する
ためには、Ｃｒ層膜厚Ｔが５００〜３０００人でかつＣ
ｏＣｒＰｔＮｂ層膜厚δが２５０〜８５０人の範囲にあ
る必要がある。
第２４図は、スパッタ膜作製前の基体１の基板加熱温度
を変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５
０００ｅ以上の保磁力を有するためには、１６０〜２７
０℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要がある
ことがわかる。
を変えた場合の保磁力の変化を調べた結果である。１５
０００ｅ以上の保磁力を有するためには、１６０〜２７
０℃の基板温度での加熱処理後に成膜をする必要がある
ことがわかる。
上記の磁気特性は、非磁性金属下地層２がチタンの場合
も同様の結果を示す、ことが別途確認されている。また
、保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）に
より上記磁気特性が変わらないことも確認されている。
も同様の結果を示す、ことが別途確認されている。また
、保護層の有無および材質（たとえば二酸化ケイ素）に
より上記磁気特性が変わらないことも確認されている。
この第６実施例によれば、非磁性基体１上にクロムもし
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％以下、ニオブ濃
度が０．２５〜４．８原子％、 残部コバルトである強
磁性合金薄膜磁性層３６、アモルファスカーボンもしく
は二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ法で積
層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体とする。
くはチタンからなる非磁性金属下地層２）クロム濃度が
１５原子％以下、白金濃度が１２原子％以下、ニオブ濃
度が０．２５〜４．８原子％、 残部コバルトである強
磁性合金薄膜磁性層３６、アモルファスカーボンもしく
は二酸化ケイ素からなる保護層４を順次スパッタ法で積
層形成し、その上に液体潤滑層５を形成し媒体とする。
また、上記非磁性金属下地層２の膜厚Ｔを５００〜３０
００人、強磁性合金薄膜磁性層３６の膜厚δを２５０〜
８５０人と限定する。また、上記スパッタ膜を形成する
前に１６０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１の加熱
処理を行う。このようにして作製された磁気記録媒体は
、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００ Ｇ・μｍ
以上のＢｒ・δ積値と０，８５以上の高角形比を有し、
高記録密度媒体として優れたものである。
００人、強磁性合金薄膜磁性層３６の膜厚δを２５０〜
８５０人と限定する。また、上記スパッタ膜を形成する
前に１６０〜２７０℃の範囲の基板温度で基体１の加熱
処理を行う。このようにして作製された磁気記録媒体は
、１５０００ｅ以上の高保磁力でかつ３００ Ｇ・μｍ
以上のＢｒ・δ積値と０，８５以上の高角形比を有し、
高記録密度媒体として優れたものである。
以上のような本発明によれば、磁性層合金の配合濃度を
限定し、また、必要とする特性に応じて各層の厚さない
し製造時の基板温度を限定することにより、高保磁力で
かつ高角形比の高記録密度媒体が得られるので、磁気デ
ィスク記憶装置等の大容量化を図るのに好適である。
限定し、また、必要とする特性に応じて各層の厚さない
し製造時の基板温度を限定することにより、高保磁力で
かつ高角形比の高記録密度媒体が得られるので、磁気デ
ィスク記憶装置等の大容量化を図るのに好適である。
第１図は本発明の第１実施例の磁気記録媒体の模式的断
面図、第２図は従来の磁気記録媒体の模式的断面図、第
３図は本発明の第１実施例の磁気記録媒体の磁気特性と
強磁性合金薄膜磁性層中の白金濃度との関係を示す線図
、第４図は本発明の第１実施例の磁気記録媒体の磁気特
性と非磁性金属下地層膜厚および磁性層膜厚との関係を
示す線図、第５図は本発明の第２実施例の磁気記録媒体
の模式的断面図、第６図は本発明の第２実施例の磁気記
録媒体の磁気特性と強磁性合金薄膜磁性層中のタンタル
濃度との関係を示す線図、第７図は本発明の第２実施例
の磁気記録媒体の磁気特性と非磁性金属下地層膜厚およ
び磁性層膜厚との関係を示す線図、第８図は本発明の第
２実施例の磁気記録媒体の磁気特性とスパッタ膜作製時
の基板加熱温度との関係を示す線図、第９図は本発明の
第３実施例の磁気記録媒体の模式的断面図、第１０図は
本発明の第３実施例の磁気記録媒体の磁気特性と強磁性
合金薄膜磁性層中のハフニウム濃度との関係を示す線図
、第１１図は本発明の第３実施例の磁気記録媒体の磁気
特性と非磁性金属下地層膜厚および磁性層膜厚との関係
を示す線図、第１２図は本発明の第３実施例の磁気記録
媒体の磁気特性とスパッタ膜作製時の基板加熱温度との
関係を示す線図、第１３図は本発明の第４実施例の磁気
記録媒体の模式的断面図、第１４図は本発明の第４実施
例の磁気記録媒体の磁気特性と強磁性合金薄膜磁性層中
のタングステン濃度との関係を示す線図、第１５図は本
発明の第４実施例の磁気記録媒体の磁気特性と非磁性金
属下地層膜厚および磁性層膜厚との関係を示す線図、第
１６図は本発明の第４実施例の磁気記録媒体の磁気特性
とスパッタ膜作製時の基板加熱温度との関係を示す線図
、第１７図は本発明の第５実施例の磁気記録媒体の模式
的断面図、第１８図は本発明の第５実施例の磁気記録媒
体の磁気特性と強磁性合金薄膜磁性層中のジルコニウム
濃度との関係を示す線図、第１９図は本発明の第５実施
例の磁気記録媒体の磁気特性と非磁性金属下地層膜厚お
よび磁性層膜厚との関係を示す線図、第２０図は本発明
の第５実施例の磁気記録媒体の磁気特性とスパッタ膜作
製時の基板加熱温度との関係を示す線図、第２１図は本
発明の第６実施例の磁気記録媒体の模式的断面図、第２
２図は本発明の第６実施例の磁気記録媒体の磁気特性と
強磁性合金薄膜磁性層中のニオブ濃度との関係を示す線
図、第２３図は本発明の第６実施例の磁気記録媒体の磁
気特性と非磁性金属下地層膜厚および磁性層膜厚との関
係を示す線図、第２４図は本発明の第６実施例の磁気記
録媒体の磁気特性とスパッタ膜作製時の基板加熱温度と
の関係を示す線図である。 １ 非磁性基体、２ 非磁性金属下地層、３３１〜３６
強磁性合金薄膜磁性層、４ 保護層、５］ 図 ＾＝マ ヌう 図 第 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ （Ａ） 第 図 第 ５ 図 〔原子％〕 第 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ〔入〕 第 ア 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 図 第 ９ 図 〔原子％〕 第 １０ 区 非磁性金属下地層膜厚Ｔ〔人〕 第 １ 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 ２ 図 第 １３ 図 〔原子％〕 第 ４ 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ〔入〕 第 ５ 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 ６ 図 第 １７ 図 〔原子％〕 第 １８ 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ （Ａ） 第 ９ 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 ０ 図 第 ２１ 図 第 ２ 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ （人） 第 ３ 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 ４ 図
面図、第２図は従来の磁気記録媒体の模式的断面図、第
３図は本発明の第１実施例の磁気記録媒体の磁気特性と
強磁性合金薄膜磁性層中の白金濃度との関係を示す線図
、第４図は本発明の第１実施例の磁気記録媒体の磁気特
性と非磁性金属下地層膜厚および磁性層膜厚との関係を
示す線図、第５図は本発明の第２実施例の磁気記録媒体
の模式的断面図、第６図は本発明の第２実施例の磁気記
録媒体の磁気特性と強磁性合金薄膜磁性層中のタンタル
濃度との関係を示す線図、第７図は本発明の第２実施例
の磁気記録媒体の磁気特性と非磁性金属下地層膜厚およ
び磁性層膜厚との関係を示す線図、第８図は本発明の第
２実施例の磁気記録媒体の磁気特性とスパッタ膜作製時
の基板加熱温度との関係を示す線図、第９図は本発明の
第３実施例の磁気記録媒体の模式的断面図、第１０図は
本発明の第３実施例の磁気記録媒体の磁気特性と強磁性
合金薄膜磁性層中のハフニウム濃度との関係を示す線図
、第１１図は本発明の第３実施例の磁気記録媒体の磁気
特性と非磁性金属下地層膜厚および磁性層膜厚との関係
を示す線図、第１２図は本発明の第３実施例の磁気記録
媒体の磁気特性とスパッタ膜作製時の基板加熱温度との
関係を示す線図、第１３図は本発明の第４実施例の磁気
記録媒体の模式的断面図、第１４図は本発明の第４実施
例の磁気記録媒体の磁気特性と強磁性合金薄膜磁性層中
のタングステン濃度との関係を示す線図、第１５図は本
発明の第４実施例の磁気記録媒体の磁気特性と非磁性金
属下地層膜厚および磁性層膜厚との関係を示す線図、第
１６図は本発明の第４実施例の磁気記録媒体の磁気特性
とスパッタ膜作製時の基板加熱温度との関係を示す線図
、第１７図は本発明の第５実施例の磁気記録媒体の模式
的断面図、第１８図は本発明の第５実施例の磁気記録媒
体の磁気特性と強磁性合金薄膜磁性層中のジルコニウム
濃度との関係を示す線図、第１９図は本発明の第５実施
例の磁気記録媒体の磁気特性と非磁性金属下地層膜厚お
よび磁性層膜厚との関係を示す線図、第２０図は本発明
の第５実施例の磁気記録媒体の磁気特性とスパッタ膜作
製時の基板加熱温度との関係を示す線図、第２１図は本
発明の第６実施例の磁気記録媒体の模式的断面図、第２
２図は本発明の第６実施例の磁気記録媒体の磁気特性と
強磁性合金薄膜磁性層中のニオブ濃度との関係を示す線
図、第２３図は本発明の第６実施例の磁気記録媒体の磁
気特性と非磁性金属下地層膜厚および磁性層膜厚との関
係を示す線図、第２４図は本発明の第６実施例の磁気記
録媒体の磁気特性とスパッタ膜作製時の基板加熱温度と
の関係を示す線図である。 １ 非磁性基体、２ 非磁性金属下地層、３３１〜３６
強磁性合金薄膜磁性層、４ 保護層、５］ 図 ＾＝マ ヌう 図 第 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ （Ａ） 第 図 第 ５ 図 〔原子％〕 第 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ〔入〕 第 ア 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 図 第 ９ 図 〔原子％〕 第 １０ 区 非磁性金属下地層膜厚Ｔ〔人〕 第 １ 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 ２ 図 第 １３ 図 〔原子％〕 第 ４ 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ〔入〕 第 ５ 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 ６ 図 第 １７ 図 〔原子％〕 第 １８ 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ （Ａ） 第 ９ 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 ０ 図 第 ２１ 図 第 ２ 図 非磁性金属下地層膜厚Ｔ （人） 第 ３ 図 基板加熱温度（”Ｃ） 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）非磁性基体上に、非磁性金属下地層、強磁性合金薄
膜磁性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成して
なる磁気記録媒体において、強磁性合金薄膜磁性層はク
ロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が６〜１８原
子％、残部がコバルトの合金からなることを特徴とする
磁気記録媒体。 ２）特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体において
、非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、
その膜厚が７００〜３５００Åであり、強磁性合金薄膜
磁性層膜厚が３００Å以上であることを特徴とする磁気
記録媒体。 ３）非磁性基体上に、非磁性金属下地層、強磁性合金薄
膜磁性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成して
なる磁気記録媒体において、強磁性合金薄膜磁性層はク
ロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原子％
以下、タンタルの濃度が０．２〜３．０原子％、残部が
コバルトの合金からなることを特徴とする磁気記録媒体
。 ４）特許請求の範囲第３項記載の磁気記録媒体において
、非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、
その膜厚が５００〜３０００Åであり、強磁性合金薄膜
磁性層膜厚が３００〜７００Åであることを特徴とする
磁気記録媒体。 ５）特許請求の範囲第３項記載の磁気記録媒体の製造方
法において、非磁性金属下地層、強磁性合金薄膜磁性層
および保護層をスパッタ法により形成する前に、真空中
において１７０〜２７０℃の温度で非磁性基体の加熱処
理を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 ６）非磁性基体上に、非磁性金属下地層、強磁性合金薄
膜磁性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成して
なる磁気記録媒体において、強磁性合金薄膜磁性層はク
ロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原子％
以下、ハフニウムの濃度が０．３〜４．７原子％、残部
がコバルトの合金からなることを特徴とする磁気記録媒
体。 ７）特許請求の範囲第６項記載の磁気記録媒体において
、非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり、
その膜厚が５００〜３４００Åであり、強磁性合金薄膜
磁性層膜厚が２５０〜８００Åであることを特徴とする
磁気記録媒体。 ８）特許請求の範囲第６項記載の磁気記録媒体の製造方
法において、非磁性金属下地層、強磁性合金薄膜磁性層
および保護層をスパッタ法により形成する前に、真空中
において１７０〜２７０℃の温度で非磁性基体の加熱処
理を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 ９）非磁性基体上に、非磁性金属下地層、強磁性合金薄
膜磁性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成して
なる磁気記録媒体において、強磁性合金薄膜磁性層はク
ロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原子％
以下、タングステンの濃度が０．１５〜３．５原子％、
残部がコバルトの合金からなることを特徴とする磁気記
録媒体。 １０）特許請求の範囲第９項記載の磁気記録媒体におい
て、非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからなり
、その膜厚が５００〜３０００Åであり、強磁性合金薄
膜磁性層膜厚が２５０〜８００Åであることを特徴とす
る磁気記録媒体。 １１）特許請求の範囲第９項記載の磁気記録媒体の製造
方法において、非磁性金属下地層、強磁性合金薄膜磁性
層および保護層をスパッタ法により形成する前に、真空
中において１６０〜２７０℃の温度で非磁性基体の加熱
処理を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 １２）非磁性基体上に、非磁性金属下地層、強磁性合金
薄膜磁性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成し
てなる磁気記録媒体において、強磁性合金薄膜磁性層は
クロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原子
％以下、ジルコニウムの濃度が０．３〜５．４原子％、
残部がコバルトの合金からなることを特徴とする磁気記
録媒体。 １３）特許請求の範囲第１２項記載の磁気記録媒体にお
いて、非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからな
り、その膜厚が５００〜３５００Åであり、強磁性合金
薄膜磁性層膜厚が２５０〜７５０Åであることを特徴と
する磁気記録媒体。 １４）特許請求の範囲第１２項記載の磁気記録媒体の製
造方法において、非磁性金属下地層、強磁性合金薄膜磁
性層および保護層をスパッタ法により形成する前に、真
空中において１７０〜２７０℃の温度で非磁性基体の加
熱処理を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
。 １５）非磁性基体上に、非磁性金属下地層、強磁性合金
薄膜磁性層および保護層を順次スパッタ法で積層形成し
てなる磁気記録媒体において、強磁性合金薄膜磁性層は
クロムの濃度が１５原子％以下、白金の濃度が１２原子
％以下、ニオブの濃度が０．２５〜４．８原子％、残部
がコバルトの合金からなることを特徴とする磁気記録媒
体。 １６）特許請求の範囲第１５項記載の磁気記録媒体にお
いて、非磁性金属下地層がクロムもしくはチタンからな
り、その膜厚が５００〜３０００Åであり、強磁性合金
薄膜磁性層膜厚が２５０〜８５０Åであることを特徴と
する磁気記録媒体。 １７）特許請求の範囲第１５項記載の磁気記録媒体の製
造方法において、非磁性金属下地層、強磁性合金薄膜磁
性層および保護層をスパッタ法により形成する前に、真
空中において１６０〜２７０℃の温度で非磁性基体の加
熱処理を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4033349A DE4033349A1 (de) | 1989-10-20 | 1990-10-19 | Magnetaufzeichnungstraeger und verfahren zu seiner herstellung |
| US08/074,720 US5552217A (en) | 1989-10-20 | 1993-06-10 | Magnetic recording medium and a method for producing it |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27320789 | 1989-10-20 | ||
| JP1-336060 | 1989-12-25 | ||
| JP1-273207 | 1989-12-25 | ||
| JP33606089 | 1989-12-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03224121A true JPH03224121A (ja) | 1991-10-03 |
| JP2697227B2 JP2697227B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=26550560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2043063A Expired - Fee Related JP2697227B2 (ja) | 1989-10-20 | 1990-02-23 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5552217A (ja) |
| JP (1) | JP2697227B2 (ja) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5552217A (en) | 1996-09-03 |
| JP2697227B2 (ja) | 1998-01-14 |
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