JP2796511B2 - 薄膜垂直磁気記録媒体の製造方法および薄膜垂直磁気記録媒体 - Google Patents
薄膜垂直磁気記録媒体の製造方法および薄膜垂直磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP2796511B2 JP2796511B2 JP7067705A JP6770595A JP2796511B2 JP 2796511 B2 JP2796511 B2 JP 2796511B2 JP 7067705 A JP7067705 A JP 7067705A JP 6770595 A JP6770595 A JP 6770595A JP 2796511 B2 JP2796511 B2 JP 2796511B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- substrate
- film
- recording medium
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 26
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 16
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 11
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical compound [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- UMUXBDSQTCDPJZ-UHFFFAOYSA-N chromium titanium Chemical compound [Ti].[Cr] UMUXBDSQTCDPJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/656—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing Co
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7377—Physical structure of underlayer, e.g. texture
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンピュータ用磁気ディ
スク装置、フロッピーディスク装置、磁気テープを用い
た音声、画像、ディジタル情報信号の記録装置に用いら
れる薄膜磁気記録媒体に関し、特にスパッタリングによ
り成膜されるコバルト・クロム系合金薄膜磁気記録媒体
の第３元素添加による磁気特性の改良に関する。
スク装置、フロッピーディスク装置、磁気テープを用い
た音声、画像、ディジタル情報信号の記録装置に用いら
れる薄膜磁気記録媒体に関し、特にスパッタリングによ
り成膜されるコバルト・クロム系合金薄膜磁気記録媒体
の第３元素添加による磁気特性の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、上記のような各種の記録装置にお
いては、スパッタリング法により成膜したコバルト・ク
ロム系合金薄膜磁気記録媒体が多用されている。これら
の用途においては、長手磁気記録媒体および垂直磁気記
録媒体のいずれでも、コバルト・クロム系合金の磁気特
性を改善するために通常１〜５原子パーセントの高純度
タンタルが添加されている( Ｒ．Ｄ．Ｆｉｓｈｅｒ，
Ｊ．Ｃ．Ａｌｌａｎ ａｎｄ Ｊ．Ｌ．Ｐｒｅｓｓｅｓ
ｋｙ；ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ．，ｖｏ
ｌ．２２，３５２（１９８６）：Ｂ．Ｊ．Ｌａｎｇｌａ
ｎｄ ａｎｄ Ｐ．Ａ．Ａｌｂｅｒｔ；ＩＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ．，ｖｏｌ．１７，２５４７
（１９８１）およびＭ．Ｎａｏｅ，Ｍ．Ｍａｔｓｕｏｋ
ａ ａｎｄ Ｙ．Ｈｏｓｈｉ；Ｊ．ｏｆ Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，ｖｏｌ．５７，４０１９（１９８５）な
ど）。しかし、タンタルはニオブとの分離精製が困難で
あり、純度の高いタンタルは高価であるため、結果的に
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系薄膜磁気記録媒体の製品コストが上
昇する。
いては、スパッタリング法により成膜したコバルト・ク
ロム系合金薄膜磁気記録媒体が多用されている。これら
の用途においては、長手磁気記録媒体および垂直磁気記
録媒体のいずれでも、コバルト・クロム系合金の磁気特
性を改善するために通常１〜５原子パーセントの高純度
タンタルが添加されている( Ｒ．Ｄ．Ｆｉｓｈｅｒ，
Ｊ．Ｃ．Ａｌｌａｎ ａｎｄ Ｊ．Ｌ．Ｐｒｅｓｓｅｓ
ｋｙ；ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ．，ｖｏ
ｌ．２２，３５２（１９８６）：Ｂ．Ｊ．Ｌａｎｇｌａ
ｎｄ ａｎｄ Ｐ．Ａ．Ａｌｂｅｒｔ；ＩＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ．，ｖｏｌ．１７，２５４７
（１９８１）およびＭ．Ｎａｏｅ，Ｍ．Ｍａｔｓｕｏｋ
ａ ａｎｄ Ｙ．Ｈｏｓｈｉ；Ｊ．ｏｆ Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．，ｖｏｌ．５７，４０１９（１９８５）な
ど）。しかし、タンタルはニオブとの分離精製が困難で
あり、純度の高いタンタルは高価であるため、結果的に
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系薄膜磁気記録媒体の製品コストが上
昇する。
【０００３】一方、コバルト・クロム合金にニオブを５
原子パーセント以上添加した薄膜磁気記録媒体も知られ
ている（Ｎ．Ｗａｔａｎａｂｅ，Ｙ．Ｉｓｈｉｚｕｋ
ａ，Ｋ．Ｋｉｍｕｒａ ａｎｄ Ｅ．Ｉｍａｏｋａ；Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ．，ｖｏｌ．２
１，１３６８（１９８５））。この論文では、ポリイミ
ド基板上に直接Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜をスパッタ堆積し
た場合に、１００Ｏｅ以下の低い抗磁力を持つ初期層が
５０ｎｍ程度もの厚さで形成されるため、１００ｎｍ以
下の薄膜では高抗磁力が得られないことが報告されてい
る。このように、従来のＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ系薄膜磁気記
録媒体では、特にスパッタリングによる成膜初期におい
て結晶配向性が低下していると思われる低抗磁力の初期
層が形成されるため、Ｎｂ添加による磁気特性の改善効
果を得ることができず、高出力を達成することができな
かった。
原子パーセント以上添加した薄膜磁気記録媒体も知られ
ている（Ｎ．Ｗａｔａｎａｂｅ，Ｙ．Ｉｓｈｉｚｕｋ
ａ，Ｋ．Ｋｉｍｕｒａ ａｎｄ Ｅ．Ｉｍａｏｋａ；Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａｇｎ．，ｖｏｌ．２
１，１３６８（１９８５））。この論文では、ポリイミ
ド基板上に直接Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜をスパッタ堆積し
た場合に、１００Ｏｅ以下の低い抗磁力を持つ初期層が
５０ｎｍ程度もの厚さで形成されるため、１００ｎｍ以
下の薄膜では高抗磁力が得られないことが報告されてい
る。このように、従来のＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ系薄膜磁気記
録媒体では、特にスパッタリングによる成膜初期におい
て結晶配向性が低下していると思われる低抗磁力の初期
層が形成されるため、Ｎｂ添加による磁気特性の改善効
果を得ることができず、高出力を達成することができな
かった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した課題
を解決するためになされたものであり、一般的に用いら
れているＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系薄膜磁気記録媒体と同等あ
るいはそれ以上の磁気特性を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ系
薄膜磁気記録媒体を提供することを目的とする。
を解決するためになされたものであり、一般的に用いら
れているＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系薄膜磁気記録媒体と同等あ
るいはそれ以上の磁気特性を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ系
薄膜磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段と作用】本願第１の発明の
薄膜磁気記録媒体の製造方法は、基板の表面を逆スパッ
タリングにより表面処理する工程と、該基板上にスパッ
タリングによりニオブを２〜５原子パーセント含有する
膜厚１００ｎｍ以下のコバルト・クロム系磁気記録層を
成膜する工程とを具備したことを特徴とするものであ
る。
薄膜磁気記録媒体の製造方法は、基板の表面を逆スパッ
タリングにより表面処理する工程と、該基板上にスパッ
タリングによりニオブを２〜５原子パーセント含有する
膜厚１００ｎｍ以下のコバルト・クロム系磁気記録層を
成膜する工程とを具備したことを特徴とするものであ
る。
【０００６】本願第２の発明の薄膜磁気記録媒体は、基
板と、該基板上に形成された、ｈｃｐ結晶のｃ軸の膜面
垂直配向分散角が７度以下である結晶配向促進層と、該
結晶配向促進層上に成膜された、ニオブを２〜５原子パ
ーセント含有する膜厚１００ｎｍ以下のコバルト・クロ
ム系磁気記録層とを具備したことを特徴とするものであ
る。
板と、該基板上に形成された、ｈｃｐ結晶のｃ軸の膜面
垂直配向分散角が７度以下である結晶配向促進層と、該
結晶配向促進層上に成膜された、ニオブを２〜５原子パ
ーセント含有する膜厚１００ｎｍ以下のコバルト・クロ
ム系磁気記録層とを具備したことを特徴とするものであ
る。
【０００７】本願第１の発明における逆スパッタリング
により表面処理され清浄化された基板、および本願第２
の発明におけるｈｃｐ結晶のｃ軸の膜面垂直配向分散角
が１０度以下である結晶配向促進層は、いずれもその上
にスパッタ成膜されるＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の結晶配向
性を改善する作用を有する。なお、本願第２の発明にお
いても逆スパッタリングにより表面処理された基板を用
いてもよい。この場合、結晶配向促進層の結晶配向性を
改善することができるので、その上にスパッタ成膜され
るＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の結晶配向性を改善するのに有
利になる。
により表面処理され清浄化された基板、および本願第２
の発明におけるｈｃｐ結晶のｃ軸の膜面垂直配向分散角
が１０度以下である結晶配向促進層は、いずれもその上
にスパッタ成膜されるＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の結晶配向
性を改善する作用を有する。なお、本願第２の発明にお
いても逆スパッタリングにより表面処理された基板を用
いてもよい。この場合、結晶配向促進層の結晶配向性を
改善することができるので、その上にスパッタ成膜され
るＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の結晶配向性を改善するのに有
利になる。
【０００８】本発明において逆スパッタリングは、例え
ばアルゴン圧力１Ｐａ、投入電力５００Ｗ程度の一般的
な条件で、３００秒以上より好ましくは６００秒以上行
うことが好ましい。これは逆スパッタリングの時間が短
すぎると、基板の清浄化が不十分となり、その上に成膜
される薄膜の結晶配向性を改善する作用が不十分となる
ためである。
ばアルゴン圧力１Ｐａ、投入電力５００Ｗ程度の一般的
な条件で、３００秒以上より好ましくは６００秒以上行
うことが好ましい。これは逆スパッタリングの時間が短
すぎると、基板の清浄化が不十分となり、その上に成膜
される薄膜の結晶配向性を改善する作用が不十分となる
ためである。
【０００９】本願第２の発明において、結晶配向促進層
の材料としてはチタンまたはチタン・クロムなどを用い
ることができる。結晶配向促進層のｈｃｐ結晶のｃ軸の
膜面垂直配向分散角は、結晶配向促進層自体の結晶配向
性の指標となる値である。この値が１０度を超えると、
その上にスパッタ成膜されるＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の結
晶配向性を改善する作用が不十分となる。結晶配向促進
層のｈｃｐ結晶のｃ軸の膜面垂直配向分散角は、７度以
下、さらには５度以下であることがより好ましい。
の材料としてはチタンまたはチタン・クロムなどを用い
ることができる。結晶配向促進層のｈｃｐ結晶のｃ軸の
膜面垂直配向分散角は、結晶配向促進層自体の結晶配向
性の指標となる値である。この値が１０度を超えると、
その上にスパッタ成膜されるＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の結
晶配向性を改善する作用が不十分となる。結晶配向促進
層のｈｃｐ結晶のｃ軸の膜面垂直配向分散角は、７度以
下、さらには５度以下であることがより好ましい。
【００１０】本発明において、磁気記録層の膜厚は１０
０ｎｍ以下、好ましくは５０〜１００ｎｍに設定され
る。磁気記録層を構成するＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜のＮｂ
含有量を８原子パーセント以下としたのは、Ｎｂ含有量
が８原子パーセントを超えると、高抗磁力が得られない
ためである。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜のＮｂ含有量は２〜
５原子パーセントであることがより好ましい。
０ｎｍ以下、好ましくは５０〜１００ｎｍに設定され
る。磁気記録層を構成するＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜のＮｂ
含有量を８原子パーセント以下としたのは、Ｎｂ含有量
が８原子パーセントを超えると、高抗磁力が得られない
ためである。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜のＮｂ含有量は２〜
５原子パーセントであることがより好ましい。
【００１１】本発明のように逆スパッタリングにより表
面処理され清浄化された基板またはｈｃｐ結晶のｃ軸の
膜面垂直配向分散角が１０度以下である結晶配向促進層
を有する場合には、その上にスパッタ成膜されるＣｏ−
Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の結晶配向性は成長初期から良好である
ため、優れた磁気特性を有する磁気記録媒体を提供でき
る。
面処理され清浄化された基板またはｈｃｐ結晶のｃ軸の
膜面垂直配向分散角が１０度以下である結晶配向促進層
を有する場合には、その上にスパッタ成膜されるＣｏ−
Ｃｒ−Ｎｂ薄膜の結晶配向性は成長初期から良好である
ため、優れた磁気特性を有する磁気記録媒体を提供でき
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 直流マグネトロンスパッタ装置（ＳＰＦ−５４０Ｈ、日
電アネルバ社製）を用い、強化ガラスディスク基板（旭
硝子製）およびターゲットを設置した。ターゲットとし
ては、１９原子％のクロムを含むコバルト・クロム合金
ターゲット（直径１０ｃｍ）上にニオブのペレットを設
けたものを用い、ニオブペレットの個数を調節すること
により、成膜すべきＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜中のＮｂ添加
量を調節するようにした。
電アネルバ社製）を用い、強化ガラスディスク基板（旭
硝子製）およびターゲットを設置した。ターゲットとし
ては、１９原子％のクロムを含むコバルト・クロム合金
ターゲット（直径１０ｃｍ）上にニオブのペレットを設
けたものを用い、ニオブペレットの個数を調節すること
により、成膜すべきＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜中のＮｂ添加
量を調節するようにした。
【００１３】まず、基板側に高周波電圧を印加し、アル
ゴン圧力１Ｐａ、投入電力５００Ｗの条件で１０分間に
わたって逆スパッタリングして基板の表面処理を行っ
た。次に、基板温度を１５０℃に設定し、合金ターゲッ
トをスパッタリングして、基板上に膜厚１００ｎｍのＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜を成膜した。
ゴン圧力１Ｐａ、投入電力５００Ｗの条件で１０分間に
わたって逆スパッタリングして基板の表面処理を行っ
た。次に、基板温度を１５０℃に設定し、合金ターゲッ
トをスパッタリングして、基板上に膜厚１００ｎｍのＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜を成膜した。
【００１４】比較例１ 基板の逆スパッタリングを行なわなかった以外は実施例
１と同様にして基板上に膜厚１００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−
Ｎｂ薄膜を成膜した。
１と同様にして基板上に膜厚１００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−
Ｎｂ薄膜を成膜した。
【００１５】参照例１ ターゲットとして１９原子％のクロムを含むコバルト・
クロム合金ターゲット（直径１０ｃｍ）上にタンタルの
ペレットを設けたものを用いた以外は実施例１と同様に
して基板上に膜厚１００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ薄膜を
成膜した。
クロム合金ターゲット（直径１０ｃｍ）上にタンタルの
ペレットを設けたものを用いた以外は実施例１と同様に
して基板上に膜厚１００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ薄膜を
成膜した。
【００１６】参照比較例１ 基板の逆スパッタリングを行なわなかった以外は参照例
１と同様にして基板上に膜厚１００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ薄膜を成膜した。
１と同様にして基板上に膜厚１００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ薄膜を成膜した。
【００１７】実施例１、比較例１、参照例１および参照
比較例１で得られたそれぞれの磁気記録層について、試
料振動型磁力計を用いて膜面垂直方向の抗磁力を測定し
た。磁気記録層中の第３成分（ＮｂまたはＴａ）の含有
量と膜面垂直方向の抗磁力との関係を図１に示す。図１
において実施例１と比較例１とを比較すると、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｎｂ薄膜のＮｂ含有量が８原子パーセント以下であ
れば、基板の逆スパッタリングを行った場合（実施例
１）の方が、基板の逆スパッタリングを行っていない場
合（比較例１）よりも高い垂直抗磁力が得られることが
わかる。また、実施例１と参照例１とを比較すると、本
発明に係るＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜（実施例１）では従来
一般的に使用されているＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ薄膜（参照例
１）とほとんど同等の抗磁力が得られることがわかる。
比較例１で得られたそれぞれの磁気記録層について、試
料振動型磁力計を用いて膜面垂直方向の抗磁力を測定し
た。磁気記録層中の第３成分（ＮｂまたはＴａ）の含有
量と膜面垂直方向の抗磁力との関係を図１に示す。図１
において実施例１と比較例１とを比較すると、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｎｂ薄膜のＮｂ含有量が８原子パーセント以下であ
れば、基板の逆スパッタリングを行った場合（実施例
１）の方が、基板の逆スパッタリングを行っていない場
合（比較例１）よりも高い垂直抗磁力が得られることが
わかる。また、実施例１と参照例１とを比較すると、本
発明に係るＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜（実施例１）では従来
一般的に使用されているＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ薄膜（参照例
１）とほとんど同等の抗磁力が得られることがわかる。
【００１８】実施例２ 実施例１と同一の直流マグネトロンスパッタ装置を用
い、実施例１と同一の強化ガラスディスク基板および磁
気記録層用のターゲットに加えて、結晶配向促進層用の
チタンターゲットを設置した。この場合も、コバルト・
クロム合金ターゲット（直径１０ｃｍ）上にニオブのペ
レットを設けたものを用い、ニオブペレットの個数を調
節することにより、成膜すべきＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜中
のＮｂ添加量を調節するようにした。
い、実施例１と同一の強化ガラスディスク基板および磁
気記録層用のターゲットに加えて、結晶配向促進層用の
チタンターゲットを設置した。この場合も、コバルト・
クロム合金ターゲット（直径１０ｃｍ）上にニオブのペ
レットを設けたものを用い、ニオブペレットの個数を調
節することにより、成膜すべきＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜中
のＮｂ添加量を調節するようにした。
【００１９】まず、基板側に高周波電圧を印加し、アル
ゴン圧力１Ｐａ、投入電力５００Ｗの条件で逆スパッタ
リングして基板の表面処理を行った。次に、基板温度を
室温のままでチタンターゲットをスパッタして膜厚７０
ｎｍの結晶配向促進層を形成した。さらに、合金ターゲ
ットをスパッタリングして、基板上に膜厚１００ｎｍの
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜を成膜した。
ゴン圧力１Ｐａ、投入電力５００Ｗの条件で逆スパッタ
リングして基板の表面処理を行った。次に、基板温度を
室温のままでチタンターゲットをスパッタして膜厚７０
ｎｍの結晶配向促進層を形成した。さらに、合金ターゲ
ットをスパッタリングして、基板上に膜厚１００ｎｍの
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜を成膜した。
【００２０】参照例２ ターゲットとして１９原子％のクロムを含むコバルト・
クロム合金ターゲット（直径１０ｃｍ）上にタンタルの
ペレットを設けたものを用いた以外は実施例２と同様に
して基板上に膜厚１００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ薄膜を
成膜した。
クロム合金ターゲット（直径１０ｃｍ）上にタンタルの
ペレットを設けたものを用いた以外は実施例２と同様に
して基板上に膜厚１００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ薄膜を
成膜した。
【００２１】最初に、基板の逆スパッタリング時間を種
々変化させ、基板上に成膜される結晶配向促進層（Ｔ
ｉ）のｈｃｐ結晶ｃ軸の膜面垂直配向分散角を測定し、
逆スパッタリング時間がｃ軸の膜面垂直配向分散角に及
ぼす影響を調べた。図２に逆スパッタリング時間とＸ線
（００２）面回折線のロッキング曲線の半値幅として測
定したｃ軸膜面垂直配向分散角Δθ50との関係を示す。
この図から、結晶配向促進層のｃ軸膜面垂直配向分散角
を１０度以下にするには、逆スパッタリング時間を３０
０秒（５分）以上に設定すればよいことがわかる。
々変化させ、基板上に成膜される結晶配向促進層（Ｔ
ｉ）のｈｃｐ結晶ｃ軸の膜面垂直配向分散角を測定し、
逆スパッタリング時間がｃ軸の膜面垂直配向分散角に及
ぼす影響を調べた。図２に逆スパッタリング時間とＸ線
（００２）面回折線のロッキング曲線の半値幅として測
定したｃ軸膜面垂直配向分散角Δθ50との関係を示す。
この図から、結晶配向促進層のｃ軸膜面垂直配向分散角
を１０度以下にするには、逆スパッタリング時間を３０
０秒（５分）以上に設定すればよいことがわかる。
【００２２】なお、これ以降においては、基板の逆スパ
ッタリング時間を６００秒（１０分）に設定した場合に
ついて説明する。実施例２および参照例２で得られたそ
れぞれの磁気記録層について、試料振動型磁力計を用い
て膜面垂直方向の抗磁力を測定した。磁気記録層中の第
３成分（ＮｂまたはＴａ）の含有量と膜面垂直方向の抗
磁力との関係を図３に示す。図３において実施例２と参
照例２とを比較すると、本発明に係るＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ
薄膜（実施例２）では従来一般的に使用されているＣｏ
−Ｃｒ−Ｔａ薄膜（参照例２）と同等の抗磁力が得ら
れ、特に第３成分の添加量が４原子パーセントまでなら
ば両者の抗磁力はほぼ同等であることがわかる。
ッタリング時間を６００秒（１０分）に設定した場合に
ついて説明する。実施例２および参照例２で得られたそ
れぞれの磁気記録層について、試料振動型磁力計を用い
て膜面垂直方向の抗磁力を測定した。磁気記録層中の第
３成分（ＮｂまたはＴａ）の含有量と膜面垂直方向の抗
磁力との関係を図３に示す。図３において実施例２と参
照例２とを比較すると、本発明に係るＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ
薄膜（実施例２）では従来一般的に使用されているＣｏ
−Ｃｒ−Ｔａ薄膜（参照例２）と同等の抗磁力が得ら
れ、特に第３成分の添加量が４原子パーセントまでなら
ば両者の抗磁力はほぼ同等であることがわかる。
【００２３】さらに、上記の磁気記録層のうち飽和磁化
Ｍｓが６００ｋＡ／ｍ以上になったものについて、垂直
抗磁力を比較した結果を下記表１に示す。この表から、
高飽和磁化を有する磁気記録層では、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ
系の方がＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系よりも垂直抗磁力が大きい
ことがわかる。
Ｍｓが６００ｋＡ／ｍ以上になったものについて、垂直
抗磁力を比較した結果を下記表１に示す。この表から、
高飽和磁化を有する磁気記録層では、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ
系の方がＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系よりも垂直抗磁力が大きい
ことがわかる。
【００２４】
【表１】
【００２５】なお、結晶配向促進層を、クロム、モリブ
デンまたはクロム・チタン合金などｂｃｃ構造を有し、
そのｂｃｃ結晶の＜１００＞軸が膜面垂直配向したもの
に代えれば、磁気記録層のｈｃｐ結晶のｃ軸が面内配向
した長手記録媒体への応用も可能である。また、結晶配
向促進層とＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜との間にパーマロイ膜
のような高透磁率磁性膜を設けた、いわゆる複合膜媒体
（Ｓ．Ｉｗａｓａｋｉ，Ｙ．Ｎａｋａｍｕｒａ ａｎｄ
Ｋ．Ｏｕｃｈｉ；ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａ
ｇｎ．，ｖｏｌ．１５，１４５６（１９７９）への応用
も可能である。
デンまたはクロム・チタン合金などｂｃｃ構造を有し、
そのｂｃｃ結晶の＜１００＞軸が膜面垂直配向したもの
に代えれば、磁気記録層のｈｃｐ結晶のｃ軸が面内配向
した長手記録媒体への応用も可能である。また、結晶配
向促進層とＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ薄膜との間にパーマロイ膜
のような高透磁率磁性膜を設けた、いわゆる複合膜媒体
（Ｓ．Ｉｗａｓａｋｉ，Ｙ．Ｎａｋａｍｕｒａ ａｎｄ
Ｋ．Ｏｕｃｈｉ；ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ｏｎ Ｍａ
ｇｎ．，ｖｏｌ．１５，１４５６（１９７９）への応用
も可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、従
来の技術では実現できなかった、高抗磁力および高飽和
磁化を兼ね備えたＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ系の磁気記録層を有
する薄膜磁気記録媒体を提供できる。また、高価なタン
タルの代わりにニオブを用いたり、タンタルの精製が不
要なタンタルとニオブとの合金を用いることにより、低
廉な磁気記録媒体を提供することができる。
来の技術では実現できなかった、高抗磁力および高飽和
磁化を兼ね備えたＣｏ−Ｃｒ−Ｎｂ系の磁気記録層を有
する薄膜磁気記録媒体を提供できる。また、高価なタン
タルの代わりにニオブを用いたり、タンタルの精製が不
要なタンタルとニオブとの合金を用いることにより、低
廉な磁気記録媒体を提供することができる。
【図１】実施例１、比較例１、参照例１および参照比較
例１の磁気記録層について、磁気記録層中の第３成分
（ＮｂまたはＴａ）の含有量と膜面垂直方向の抗磁力と
の関係を示す特性図。
例１の磁気記録層について、磁気記録層中の第３成分
（ＮｂまたはＴａ）の含有量と膜面垂直方向の抗磁力と
の関係を示す特性図。
【図２】実施例２および参照例２の磁気記録層につい
て、逆スパッタリング時間と結晶配向促進層（Ｔｉ）の
ｃ軸膜面垂直配向分散角との関係を示す特性図。
て、逆スパッタリング時間と結晶配向促進層（Ｔｉ）の
ｃ軸膜面垂直配向分散角との関係を示す特性図。
【図３】実施例２および参照例２の磁気記録層につい
て、磁気記録層中の第３成分（ＮｂまたはＴａ）の含有
量と膜面垂直方向の抗磁力との関係を示す特性図。
て、磁気記録層中の第３成分（ＮｂまたはＴａ）の含有
量と膜面垂直方向の抗磁力との関係を示す特性図。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−77125（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−263910（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−102615（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−234237（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−119017（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/84 G11B 5/85
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の表面を逆スパッタリングにより表
面処理する工程と、該基板上にスパッタリングによりニ
オブを２〜５原子パーセント含有する膜厚１００ｎｍ以
下のコバルト・クロム系磁気記録層を成膜する工程とを
具備したことを特徴とする薄膜垂直磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項２】 基板と、該基板上に形成された、ｈｃｐ
結晶のｃ軸の膜面垂直配向分散角が７度以下である結晶
配向促進層と、該結晶配向促進層上に成膜された、ニオ
ブを２〜５原子パーセント含有する膜厚１００ｎｍ以下
のコバルト・クロム系磁気記録層とを具備したことを特
徴とする薄膜垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7067705A JP2796511B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 薄膜垂直磁気記録媒体の製造方法および薄膜垂直磁気記録媒体 |
| US08/613,042 US5759682A (en) | 1995-03-27 | 1996-03-08 | Thin film magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7067705A JP2796511B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 薄膜垂直磁気記録媒体の製造方法および薄膜垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08273141A JPH08273141A (ja) | 1996-10-18 |
| JP2796511B2 true JP2796511B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=13352653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7067705A Expired - Fee Related JP2796511B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 薄膜垂直磁気記録媒体の製造方法および薄膜垂直磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5759682A (ja) |
| JP (1) | JP2796511B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849326B1 (en) | 2000-10-10 | 2005-02-01 | Seagate Technology Llc | Niobium alloy seedlayer for magnetic recording media |
| KR100374794B1 (ko) * | 2001-01-04 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기 기록 매체 |
| US6682826B2 (en) * | 2001-08-01 | 2004-01-27 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US7360299B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-04-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B. V. | Method for manufacturing a magnetic read sensor employing oblique etched underlayers for inducing uniaxial magnetic anisotropy in a hard magnetic in-stack bias layer |
| US7672090B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic read sensor employing oblique etched underlayers for inducing uniaxial magnetic anisotropy in a hard magnetic pinning layer |
| US7460343B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-12-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic read sensor employing oblique etched underlayers for inducing uniaxial magnetic anisotropy in a hard magnetic in-stack bias layer |
| US7382586B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-06-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic read sensor employing oblique etched underlayers for inducing uniaxial magnetic anisotropy in a self biased free layer |
| US7363699B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-04-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B. V. | Method for manufacturing a magnetic read sensor employing oblique etched underlayers for inducing uniaxial magnetic anisotropy in hard magnetic bias layers |
| US7360300B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-04-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for manufacturing a magnetic read sensor employing oblique etched underlayers for inducing uniaxial magnetic anisotropy in a hard magnetic pinning layer |
| US7457085B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-11-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic read sensor employing oblique etched underlayers for inducing uniaxial magnetic anisotropy in hard magnetic bias layers |
| JP5101266B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-12-19 | 株式会社アルバック | 磁気デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6177125A (ja) * | 1984-09-22 | 1986-04-19 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS62234237A (ja) * | 1986-04-03 | 1987-10-14 | Seiko Epson Corp | 磁気デイスクの製造方法 |
| JPS63119017A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| US4743481A (en) * | 1986-11-26 | 1988-05-10 | Flex Technologies, Inc. | Molding process for articles having an irregular shaped internal passage |
| JP2669529B2 (ja) * | 1988-04-13 | 1997-10-29 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体および磁気ディスク装置 |
| US5082750A (en) * | 1988-10-21 | 1992-01-21 | Kubota Ltd. | Magnetic recording medium of thin metal film type |
| JPH03102615A (ja) * | 1989-09-14 | 1991-04-30 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2697227B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-01-14 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-03-27 JP JP7067705A patent/JP2796511B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-03-08 US US08/613,042 patent/US5759682A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08273141A (ja) | 1996-10-18 |
| US5759682A (en) | 1998-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4652499A (en) | Magnetic recording medium with a chromium alloy underlayer and a cobalt-based magnetic layer | |
| US5051288A (en) | Thin film magnetic recording disk comprising alternating layers of a CoNi or CoPt alloy and a non-magnetic spacer layer | |
| EP0216610B1 (en) | Vertical magnetic recording medium with multilayered magnetisable film structure | |
| US4789598A (en) | Thin film medium for horizontal magnetic recording having an improved cobalt-based alloy magnetic layer | |
| JP3143611B2 (ja) | 磁気薄膜媒体用の超薄核形成層および該層の製造方法 | |
| US5851656A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPS62257617A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP3993786B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2796511B2 (ja) | 薄膜垂直磁気記録媒体の製造方法および薄膜垂直磁気記録媒体 | |
| JP2005251373A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置 | |
| JP3022909B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| US20040247942A1 (en) | Perpendicular media with improved corrosion performance | |
| US6689497B1 (en) | Stabilized AFC magnetic recording media with reduced lattice mismatch between spacer layer(s) and magnetic layers | |
| JPH03155606A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3222141B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
| WO1998006093A1 (fr) | Support d'enregistrement magnetique et dispositif de memoire magnetique utilisant un tel support | |
| JP2005190506A (ja) | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JP4197720B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2559984B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2001503180A (ja) | ニッケル―アルミニウムまたは鉄―アルミニウムの下層を含んで成る磁気記録媒体 | |
| Cord et al. | Application of magnetic thin films for high-density data storage | |
| JPH1041134A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3275167B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
| JPH1040527A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH09190621A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080626 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080626 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090626 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090626 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100626 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110626 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |