JPH0316013A

JPH0316013A - 面内磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置

Info

Publication number: JPH0316013A
Application number: JP1231561A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Suzuki; 博之鈴木; Yoshihiro Shiroishi; 芳博城石; Sadao Hishiyama; 菱山　定夫; Tsuguyuki Oono; 大野　徒之; Shinan Yaku; 四男屋久; Yoshifumi Matsuda; 松田　好文; Norikazu Tsumita; 積田　則和; Masaki Oura; 大浦　正樹; Takaaki Shirokura; 白倉　高明; Noriyuki Shige; 重　則幸
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-03-06
Filing date: 1989-09-08
Publication date: 1991-01-24
Anticipated expiration: 2014-01-13
Also published as: JP2845974B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、面内磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁
気記憶装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の面内磁気記録媒体用磁性層としては，例としてＣ
ｒ，Ｍｏ．Ｗ，Ｎｂ，Ｖ等の単体金ｇｃ層もしくはＣｒ
−Ｖ．Ｃｒ−Ｆｅ等の合金層を形ｌ戊し、それを介して
Ｃｏ−ＰＬ合金磁性層を形成したものや、特開５９−８
８８０６号に見られるようにＮｉ−Ｐ下地層上にＧｏ−
Ｃｒ−Ｐｔ合金磁性層を形成したもの，更には特開昭６
１−２４６９１４号、特開昭６１−２５３６２２号に見
られるようにアルミニウム合金基板上にアルマイト下地
層を形成し、それを介してＭｏ，Ｖ及びＷの少なくとも
１種３〜１５原子％もしくは，Ｃ　ｒ　３　〜２　０原
子％と、Ｐ　ｔ　＋　Ｒ　ｈ　ｔ　Ｒ　ｕ　ｔ　Ｒ　ｅ
　＋Ｐｄ，Ｉｒ等の貴金属元素３〜１５原子％と、残部
Ｃ０　７５原子％以上とから成るＣｏ基合金磁性膜を形
成したもの等が提案されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記Ｎｉ−Ｐ下地層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性層を形成し
，た磁気記録媒体は耐食性と磁気特性の改善を意図した
ものであるが、特開昭５９−８８８０６に述べられてい
るように面内の保磁力角形比Ｓ＊は０．７〜０．９であ
るが、面内保磁力Ｈｃは５００〜工２０００ｅを狙った
ものの実際には５５０〜８　５　０　０　ｅと低い。一
方、特開昭６２−２５７６１７（ＵＳＰ４６５４２７６
）や特開昭６２−２５７６１８　（ＵＳＰ４６５２４９
９）に述べられているように膜厚５０ｎｍ程度のＣｒ−
Ｖ下地ｔＷ下地等の非磁性下地にＣ・一Ｐ５磁性層を設
けると面内保磁力Ｈｅは１　２０００ｅ以上に高くでき
るが、このように面内保磁力Ｈｃを高くすると保磁力角
形比Ｓ＊も増大し０．９以上と大きくなる。本発明者ら
による研究によれば保磁力と保磁力角形比を高くすれば
高密度での再生出力は高くなるが、同時にノイズも大き
くなり、出力ノイズ比の点で必ずしも有利ではないこと
が明らかになった。特にノイズという観点からすれいう
問題があった。したがって，優れた記録再生出力特性を
有する而内磁気記録媒体を得るには、これら両者の相反
する磁気特性を同時に満足させることが必須であり、面
内保磁力Ｈ　ｃ↓２０００ｅ以上、保磁力角形比Ｓ＊０
．９以下、より望ましくは０．８５以下を同時に満足さ
せることが当面の解決すべき課題である。なお，保磁力
角形比Ｓ＊とは、磁化曲線の面内保磁力ＦＩｃ点での接
線と、残留磁化Ｍｒ点でＨ軸と平行に引いた直線の交点
におけるＨの値とＨｃの値との比（Ｈ／Ｈａ）を言う。

それ故、本発明の第ｌの目的は、少なくとも１２０００
ｅの高い面内保磁力Ｈｅを有し、しかも保磁力角形比Ｓ
＊が０．９以下より望ましくは０．８５以下と小さく、
高密度において高いＳ／Ｎ比で記録再生でき、かつ耐食
性、耐摺動性に優れた高信頼性の面内磁気記録媒体を提
供することにある。第２の目的は上記第１の目的を達或
できる面内記録媒体の製造方法を、そして第３の目的は
上記第１の目的を達戊できる磁気記録媒体を用いた磁気
記憶装置を、それぞれ提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記第１の目的は非磁性基板上に形成されたＣｒ，Ｍｏ
，Ｗ，Ｖ．Ｎｂ及びＳｉから成る群から選ばれた少なく
とも１種の金属元素を含む非磁性金属下地層を介して、
Ｐｔ及びＩｒから成る群から選ばれた少なくとも１種の
第１の添加元素１〜３５原子％と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成
る群から選ばれた少なくとも１種の第２の添加元素■〜
ｌ７原子％、より好ましくは３〜１５Ｊ７Ｋ子％、ただ
しＳｉについては１〜４０原子％より好ましくは２〜３
０原子％と、酸素０．１〜１０原子％とを総量で２．２
〜５０原子％奄含み、残部Ｃｏから成るＣｏ基合金磁性
層を形威して成る面内磁気記録媒体により、達或される
。そして、第４図に示されるように、面内保磁力向上の
点から、上記非磁性金属下地層の膜厚は好ましくは１５
０ｎｍ以上であり，より望ましくは２００ｎｍ以上であ
る。この金属下地層を介して上記磁性層を形成すると、
磁性層の結晶配向性は基板面内或分が多くなるので面内
保磁力が向上する。さらに、磁性膜に比べて硬度の大き
な上記非磁性金属下地層を設けることで耐摺動信頼性を
高めることができる。また、非磁性金属下地層の膜厚は
６００ｎｍを超えると表面粗さの問題が大きくなり磁気
ヘッドの浮上性が劣化し、しかもコストも高くなるなど
の理由から６００ｎｍ以下とすることが望ましい。上記
Ｃｏ基合金磁性層のより好ましい組或は、前記第１の添
加元素を３〜１３１子％、更に好ましくは５〜９ｙＡ子
％とすることであり、前記第２の添加元素については、
３〜１５原子％ただしＳｉについては、３〜１５原子た
だしＳｉについては２〜３０原子％含有することである
。

上記第２の添加元素について更に詳述すれば、上記群の
うち、特にＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉの選択が好ま
しく、これら元素の少なくとも１ｌが必須威分として含
有されることが望ましい。

つまり、上記第２の添加元素をＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及
びＳｉから戒るＡ群と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ及
びＳｉから戒るＢ群とに分類したとき、Ａ群から選ばれ
た少なくとも１種とＢ群から選ばれた少なくともｌ種と
を同時に含むか、もしくはＡ群から選ばれた少なくとも
１種を必須戊分として含むことである。特に、Ａ群の添
加元素をＣｒとＳｉとすることが望ましい。好ましいＡ
群の添加量は、前述のとおり３〜１５原子％ただしＳｉ
については２〜３０原子％、Ｂ群の添加量は１〜１５原
子％である。

なお、上記非磁性金属下地層を構成するＣｒ，Ｍｏ．Ｗ
，Ｖ，Ｎｂ及びＳｉから成る群がら選ばれた少なくとも
１種の金属元素と共に、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｐｔ
，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｄ及び酸素から成る群から選ば
れた少なくとも１種の元素を含有せしめることもできる
。この場合．Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｅ及びＣｕから成る群から
選ばれた少なくとも１種の元素の好ましい含有量は１〜
３０原子％、同じ＜Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｅ及びＰｄから成る
群から選ばれた少なくとも１種の元素の好ましい含有量
は０．０１〜｛０原子％、そして酸素の好ましい含有量
は０．１〜１０原子％である。

これにより、面内保磁力角形比Ｓ　＊　０．８　５以下
、好ましくは０．８５〜０．４、より好ましくは０．８
１〜０．６、面内保磁力Ｈｃｌ２０００ｅ以上、より好
ましくは少なくとも１５０００ｅを有する特性が達威さ
れ、耐食性、Ｓ／Ｎ比の点で優れた磁性層と成る。さら
に上記Ｃｏ基合金磁性層に適量のＮｉ．ＡＱなどを添加
すれば、耐食性は劣化するがＳ／Ｎ比を向上させること
ができる。

上記第２の目的は、非磁性基板上に物理蒸着法によりＣ
ｒ．Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＳｉから成る群から選ばれ
た少なくとも１種の金属元素を含む非磁性金属下地層を
介して、Ｐｔ及びＩｒから成る群から選ばれた少なくと
も１種の第１の添加元素１〜３５原子％と、Ｔｉ，Ｚｒ
，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇ’ｅ及び
Ｓｉから成る群から選ばれた少なくとも１種の第２の添
加元素１〜１７Ｊ）７ｔ子％，より好ましくは３〜工５
原子％、ただしＳｉについては１〜４０原子％より好ま
しくは２〜３０原子％と、酸素０．１〜１０原子％とを
総量で２．２〜５０原子％参含み、残部Ｃｏから成るＣ
ｏ基合金磁性層を＊ｉの酸素ガス含有雰囲気下で、それ
ぞれの金属元素を含むターゲットを用いてスパッタリン
グ法により形成する工程、及び保護膜を形成する工程を
有して成る面内磁気記録媒体の製造方法により、達或さ
れる。

そして，好ましくは、上記非磁性金属下地層を形戒する
工程の前段に、予め例えばＮｉ−Ｐメッキ膜等の非磁性
メッキ膜下地層を形成する工程を付加することが望まし
い。非磁性金属下地層及びＣｏ基合金磁性層の成膜法と
しては、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、イオン
ビーム蒸着法ｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＳｉから成る
群から選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む非磁性
酸素から成る群から選ばれた少なくとも１種の元素を含
有せしめることもできる。この場合、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｅ
及びＣｕから成る群から選ばれた少なくとも１種の元素
の好ましい含有量は■〜３０［子％、同じ＜Ｐｔ．Ｒｈ
，Ｒｕ，Ｒｅ及びＰｄから成る群から選ばれた少なくと
も１種の元素の好ましい含有量は０．０１〜１０原子％
、そして酸素の好ましい含有量は０．１〜１０原子％で
ある。

更にまた、上記Ｃｏ基合金磁性層のより好ましい形成方
法としては、前記第工の添加元素を３〜１３原子％，更
に好ましくは５〜９原子％とすることであり、前記第２
の添加元素については、３〜１５原子％ただしＳｉにつ
いては２〜３ｏｙＫ子％含有せしめることである。

上記第２の添加元素について更に詳述すれば、上記群の
うち、特警Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉの選択が好ま
しく、これら元素の少なくともｌ種を必須或分として含
有せしめることが望ましい。つまり、上記第２の添加元
素をＣｒ，Ｍｏ，Ｗ．Ｇｅ及びＳｉから成るＡ群と、Ｔ
ｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ及びＳｉから成るＢ群とに分
類したとき、Ａ群から選ばれた少なくとも１種とＢ群か
ら選ばれた少なくとも１種とを同時に含有させるか、も
しくはＡ群から選ばれた少なくとも１種好ましいＡ群の
添加量は、前述のとおり３〜１５原子％ただしＳｉにつ
いては２〜３０原子％、Ｂ群の添加量は１〜１５原子％
であり、かかる組成を満足するようスパッタリング条件
等を設定して戊膜することである。

上記スパッタリング法による磁性層の形成工程において
は、下地基板を加熱維持した状態で形成することが望ま
しく、実用的には上ＯＯ〜３５０℃が好ましい。３５０
℃を超えると下地基板と磁性層が反応してしまい、一方
１００℃より低い温度では眉間化合物ができ易く保磁力
角形比が異常に大きくなり好ましくない。なお、磁性膜
を形成する前工程として、下地基板表面を一般にテクス
チャ加工と呼ばれている加工技術等で予め化学的、物理
的な手段で溝状、不規則溝状、もしくは島状などに粗面
加工しておくことが好ましい。例えば層の結晶粒が磁気
ヘッド走行方向に結晶配向し、ヘッド走行方向の角形比
、保磁力等の磁気特性が著しく改善されるので特に好ま
しい。また、このテクスチャ加工は磁性層形成時の基板
加熱と相応して磁気特性の向上に寄与する。特に、不規
則溝状、島状の粗面状態の場合にはＣＳＳ特性が著しく
向上するので好ましい。

上記第３の目的は、第１０図（ａ）および第１０図（ｂ
）にその一例を示すような、磁気記録媒体２１と、これ
を回転関動する駆動部２２と、磁気ヘッド２３及びその
岨動手段２４と、磁気ヘッドの記録再生信号処理手段２
５とを有して成るれる。

〔作用〕

本発明において、非磁性基板上に設けられたＣｒ，Ｍｏ
，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＳｉから成る群から選ばれた少なく
とも１種の金属元素の単体もしくは合金からなる非磁性
金属下地層は、その表面に形威されるＣｏ基合金磁性層
の磁気特性に太きな影響を及ぼし、磁性層と密接な関係
を有する。

即ち、この非磁性金属下地層は、休心立方構造をとり基
板上に（１１０）配向しやすい。そして，この上に形成
される磁性層が容易にエビタキシャル戊長ずる結果、磁
気異方性の面内或分が大きくなる。このように、非磁性
金属下地層は磁性層の面内保磁力Ｈｃを大きくする作用
を有する。

ここで、第９図（ａ）および第９図（ｂ）は各々本発明
の一実施例の面内磁気記録媒体に対するＸ線回折線パタ
ーンおよび磁性層と下地層の配向性、結晶性を示す図で
ある。すなわち、３．５′φの強化ガラス基板（表面を
化学エッチ処理で粗らＴｉ組戒を１〜３０ａｔ％と変え
た、ＣｒＴｉ合厚５０ｎｍ）．Ｃ保護ｙＩ（膜厚３０ｎ
ｍ）を連続してＤＣスパッタリング法で形成した。

同図（ｂ）に示すように、ＣｒＴｉ下地層の膜厚が０．
０５μｍよりも小さいとＣｒＴｉ膜は（ｌ　Ｏ　Ｏ）配
向が主であるが、０．１　５　μｍ（１５０ｎｍ）より
も大きくなると、急激に（１１０）配向戊分が多くなり
、これに伴ってＣ　ｏ　Ｃ　ｒ　ｐ’＆ｓ’　ｉ磁性膜
もエビタキシャル的に（↓０１１）配向するようになる
。ＣｒＴｉ下地層を設けることで、ＣｏＣｒＰｔＳｉの
磁気異方性の主軸であるＣ軸が面内に存在する（１　０
　１　０）配向も同時に発生する。このように、ＣｒＴ
ｉ下地層を設けることで、ＣｏＣｒＰｔＳｉのＣ軸が面
内方向戊分を持つ（１　０　１　１）及び（１０１０）
配向することにより、高保磁力化しているのである。な
おここで，磁性層中の酸素含有量は２ａｔ％であった。

なお、第９図（ａ）および第９図（ｂ）に示した関係は
ＣｏＣｒＰｔＳｉとＣｒＴｉに限るものではなく、本発
明の他の構成のものについても成り立つ。そして、この
非磁性金属下地層の膜厚は保磁力角形比Ｓ本と面内保磁
力Ｈｃとの関係にも大きな役割を果たす。以下、第４図
を用いて説明する。

第４図は、非磁性ディスク基板上に、周知の技術により
Ｎｉ−Ｐメッキ層を形威し、この基板上に本発明の非磁
性金属下地層（この例ではＣｒを代表例とした）及び磁
性層（この例ではＧｏ，。Ｃｒエ。Ｐｔエ。を代表例と
した）を基板温度向上することにより磁気特性が飛躍的
に改善されると共に、これら複合膜の総合的な強度が向
上するため耐摺動性も向上し好ましい。しかし、下地層
膜厚が６００ｎｍを超えると磁性膜表面の凹凸が大きく
なり、さらに下地層を形成している非磁性金属が異常成
長しやすく、それに伴い磁性層表面の粗さが大きくなり
磁気ヘッドの浮上性が劣化し、またコストも高くなるの
で好ましくなくを示した特性曲線図である。なお，試料
における磁性膜の膜厚は、７５ｎｍと一定に固定した。

ここで磁性膜中の酸素濃度は２ａｔ％であった。同図か
ら明らかなように下地層膜厚が１５０ｎｍ付近から急激
に大きな変化を示し、面内の保磁力角形比Ｓ＊が０．８
５以下に低下する傾向において面内保磁力Ｈａは１２０
００ｅ以上となり，さらに膜厚が２００ｎｍを超えると
Ｓ＊は０．８以下、Ｈｅは１　５　０　０　０　ｅ以上
となり、より高密度で高いＳ／Ｎ比の記録再生が可能と
なる。このように下地層膜厚が大きくなると下地層の結
晶配向性がはＬ　５　０　〜６　０　０　ｎ　ｍ、より
好ましくは２００〜４５０ｎｍである。なお、面内の保
磁力角形比Ｓ＊と磁気記録媒体のノイズとの関係につい
ては、第７図に示す特性曲線図のとおりである。Ｓ本が
０．８５を超えると急激にノイズは増大し好ましくない
．また．Ｓ本が０．４より小さくなると、再生出力波形
が歪むため実用的なＳ＊は０．８５〜０．４、より好ま
しくは０．８１〜０．５、更に好ましくは０．７５〜０
．６となる。

ここでＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等の上記非磁性金属下地層中に酸
素を０．１〜１０原子％含有せしめると、この上にエビ
タキシャル的に或長ずる磁性膜の結晶粒が１　０　’Ｏ
　ｎ　ｍ以下に小さくなり、ノイズが低下するので特に
好ましい。ただし酸素含有量が１０原子％を超えると、
このエビタキシャル戊長が著しく阻害され保磁力が劣化
してしまうので好ましくない。また、上記非磁性金属下
地層に含有させるＴ　ｘ　ｒ　Ｓ　Ｉ　Ｉ　Ｇ　ｅ　Ｈ
　Ｃ　ｕ　，Ｐ　＆　Ｉ　Ｒ　ｕ　ｔＲｈ，Ｒｅ及びＰ
ｄから成る群から選ばれた少なくとも１種の元素は、酸
化添加の場合と同様に下地層の結晶粒を微細化でき、そ
の上に形成される磁性層の保磁力角形比を０．８５以下
とすると共に、ノイズを低減できるので好ましい。さら
にこの場合には第９図（ａ）および第９図（ｂ）に示し
たように、下地層の結晶粒配向性も高まりまた、第１上
図に示すように面内保磁力さらには出力向上の効果が大
きいので特に好ましい。実用的に好ましいこれら元素の
添加量について述べれば、前述のとおりＴｉ，Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ｃｕの群は１〜３０ｆＪＫ子％、Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ
．Ｒｅ及びＰｄの群は０．０　１〜１０原子％であり、
少なければ効果が不十分であり、多すぎればエビタキシ
ャル或長が阻害され、面内保磁力が劣化もしくはＳ＊が
高くなりすぎるなど磁気特性が劣化することから過剰な
添加は好ましくない。

非磁性下地金層を形成する前工程として、Ｎｉ−ｐ等の
基板下地表面を略ヘッド走行方向に沿って微細な傷が入
るように加工し、走行方向の中心線平均面粗さＲａを１
〜１０ｎｍ、これに直角方向のＲａを２〜３０ｎｍとす
ることで、ヘッド走行方向の面内保磁力を半径方向のそ
れよりも大きくすることができ、出力を１〜２割高くで
きるので特に好ましい。これは、非磁性下地金ｉ層が下
地形状に倣って戒長ずるいわゆるグラフォエピタキシャ
ル効果にあるものであることが、ＳＥＭ等のａ察で明ら
かになった。直角方向のＲａについては２ｎｍ以上でな
いと効果は小さ＜．３０ｎｍよりも大きくすると耐摺動
性が劣化するので好ましくない。

次に、Ｃｏ基合金磁性層の組成と磁気特性にっいて述べ
る。先ず、Ｃｏを主或分とする組或に含有するＰｔ及び
Ｉｒから成る群から選ばれた少なくとも１種の第ｌの添
加元素（１〜３５原子％）これも面内の保磁力角形比Ｓ
＊と同様にＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，
Ｍｏ＋　Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成る群から選ばれた少な
くとも１種の第２の添加元素（１〜１７原子％、より好
ましくは３〜１５原子％、ただしＳｉについては１〜４
０原子％より好ましくは２〜３０原子％）と、酸素（０
．１〜１０原子％）との共存下における相互作用で発揮
されるものであり，それぞれの添加元素単独の作用とし
て発揮されるものではの添加元素（Ｐｔ，Ｉｒ）のみを
添加すると一般に高保磁力になり易い。しかし、これら
の組合せだけでは安定に１００００ｅ以上の保磁力を得
ることは困難であり、しかもノイズが大きく、高いＳ／
Ｎ比は得られにくい。これに対し本発明者らは、Ｃｏに
上記第１の添加元素と上記第２の添加元素とを同時に添
加し、酸素ガス含有放電ガス雰囲気下で、戒膜すると、
面内保磁力Ｈ　ｃ、結晶配向性が高く、高記録密度でも
高Ｓ／Ｎ比の磁気記録媒体が得られることを見出した。

これはｃｏに第２の添加元素が添加され，スパッタリン
グ法による或膜時の放電ガス雰囲気中に酸素ガス或分が
含有されていると、酸素の助けを借りてこの第２の添加
元素が結晶粒界や結晶粒内に偏析し、結晶粒間の相互作
用が低減されると共に結晶配向性も向上するため、結果
として磁気記録媒体のノイズが低下するというものであ
る。一方、第１の添加元素を用いないで第２の添加元素
のみを用いた場合には、面内保磁力Ｈｃが低下するので
出力も低下し易い。しかし、本発明のように第１，第２
の添加元素を酸素と共に同時に添加すると，第↓２図に
示すように面内保磁力Ｈｅも高くなるので、第１の添加
元素（Ｐｔ，Ｉｒ）のみを単独に添加した場合に比べて
ノイズが少なく、結果として高いＳ／Ｎ比が得られる。

第１２図に示した実施例の試料は、磁性層が膜厚６５ｎ
ｍのＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−７ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｓ
ｉであり、Ｃｒ下地層は膜厚３５０ｎｍ．Ｃ保護層は膜
厚４０ｎｍである。

（酸素含有量Ｏａｔ％の試料は比較例である。）この時
、磁性膜中の酸素含有量は０．１原子％以上が望ましい
。磁性膜中の酸素含有量が１０原子％よりも増大すると
著しく酸化が進行し、飽和磁化の値が小さくなると共に
、面内保磁力も低下し、再生出力の低下が著しいので好
ましくなく、実用上０．１〜１０原子％とすることが望
ましい。上記磁性膜中の酸素含有量の調整は、例えばス
パッタリングの戒膜法による場合には、Ａｒ等の放電ガ
ス雰囲気中の酸素ガス分圧を調整することにより任意値
に設定できる。

以上、各添加元素の作用及び有効量について述べたが、
これら酸素も含めた添加元素の総量は多くても５０原子
％以下、つまり残部を構成するＣｏ主或分が少なくとも
５０原子％を有することが望ましい。

以下さらに作用について結晶学的な面から詳細に説明す
る。

非磁性基板上に、前述の非磁性金属下地層を介して磁性
層を形成すると、例えば酸素を０．１ｖｏｌ％含むＡｒ
ガス中でスパッタリングにより或膜した場合には，第２
図に示すように第１の添加元素（この例ではＰｔを代表
例とした）の添加量が１〜３５原子％で面内保磁力Ｈｃ
が１　２０００ｅ以上となる。これはＰｔをＣｏに添加
するとＣｏ−Ｐｔ規則相を生じ、磁壁の移動がおさえら
れるためである。保磁力はＰｔ添加量が１３原子％で極
大となるが、結晶粒内でのＣｏ−Ｐｔ規則相の出現と関
係して、Ｐｔ量が１３原子％よりも多い磁性層と、それ
よりも少ない磁性層とでは，保磁力出現の機構が異なり
、Ｐｔ量がｌ３原子％以下の場合に特に動的な磁化反転
箋エムーズとなる。これに対応してＰｔ量が１３原子％
以下の記録媒体はオーバライト特性が特に高く、しかも
トラック幅方向の漏れ記録の効率、消去の効率が高く、
ヘッド記録再生時での位置ずれに対するマージンが広い
という効果がある。この効果はＰｔ量が９原子％以下の
時に特に顕著であり、Ｐｔ量としては１３原子％以下、
より好ましくは９原子％以下とすることが望ましい。

なお、ここでＰｔの増加と共に飽和磁化はゆるやかに減
少した６つまり、Ｐｔを３原子％よりも多くすると飽和
磁化が減少し、ノイズも相対的に大きくなる傾向に有り
、第５図に示すようにＳ／Ｎ比はＰｔ．ｆＴｈが１〜３
％のときに特に高くなる。しかも．Ｐｔ，Ｉｒは高価な
貴金属であることから不要む多量の添加量はコスト的に
も好ましくなく実用的には上述のとおり、１〜３原子％
とすることがより望ましい。このＰｔのごとき第１の添
加元素を３原子％以上とする場合には、前述のようにＰ
ｔ．Ｉｒ量を１３原子％、より望ましくは９ｙＫ子％以
下としてオーバライト特性を向上せしめ、さらにＣｏを
７５原子％以下とすることで耐食性を高めると共にノイ
ズを著しく低減することにより相対的にＳ／Ｎ比を高め
ることが望ましい。ＣｏにＰｔのごとき第１の添加元素
と同時に添加する第２の添加元素としては、第２図に示
したＣｒ，Ｍｏ，Ｗの他Ｇｅ，Ｓｉの群がとりわけ望ま
しいが、残りの群の’［’ｘ，Ｚｒｙ　Ｈｆ’＋　Ｖｖ
Ｎｂ，Ｔａについても有効であることは言うまでもない
。特にこれら残りの群の元素等が添加された４元磁性合
金の場合には、これら元素の酸化物あるいは水酸化物等
が表面や結晶粒界に優位的に偏析し第８図に示すように
３元合金に比べて耐食性が著しく向上するので特に好ま
しい。なお、同様にして形威したＣｏ−２０ａｔ％Ｓｉ
−８ａｔ％Ｐｔ磁性膜．Ｃｏ−１０ａｔ％Ｇｅ−８ａｔ
％Ｐｔ磁性膜、及びＣｏ−８ａｔ％Ｐｔ膜（比較例）の
、塩水噴震試験４時間後の残存磁化は、それぞれ０．８
５，０．８２，及び０．７５であった。つまり、この第
８図は、縦軸に腐食による劣化の程度を示す残存磁化Ｍ
ｓ（ｔ）／Ｍｓ（ｏ）を、横軸に４０℃の塩水噴霧試験
時間（ｈｒ）をそれぞれ示したもので、時間経過によっ
て残存磁化が低下しないものほど耐食性に優れているこ
とを意味している。本発明のこの４元系磁性合金におい
ては、Ｃｒ，Ｍｏ．Ｗｅ　Ｇｅ，Ｓｉ等をＣｏ−Ｐｔ合
金に添加した３元合金の場合に比べＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ．Ｎｂ，Ｔａ等がＣｒ，Ｍｏ等との相乗効果によって
特に強固に結晶粒界及び結晶粒内に偏析するので、結晶
粒間の磁気的な相互作用が低減され記録密度特性、Ｓ／
Ｎ比がさらに改善されるのでより望ましい。第８図では
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁性合金について説明したが、Ｍｏ
，Ｗ，Ｓｉ，Ｇｅを用いた場合も同様である，耐食性、
Ｓ／Ｎ比改善の上からは、これら残りの群の少なくとも
１種の元素の添加量は１〜１５原子％がより好ましい。

第３図は、Ｃｏ−Ｐｔ系に第２の添加元素としてＣｒを
代表例として添加した場合の、Ｃｒの添加量とＨｃとの
関係を示したものであり、１原子％以上、特に３原子％
以上添加すれば面内保磁力は１２０００ｅよりも高くな
るので望ましい。

１７ｉ子％よりも多く添加すると飽和磁化が劣化するの
なで好ましくない。したがって、前述のとおける試料の
非磁性金属下地層は、いずれもＣｒを代表例としたもの
であるが、ＭｏｔＷ＋Ｖ＋Ｎｂ，Ｔａや、これらを主或
分とする合金など、その他のものであっても同様の結果
が得られるのは言うまでもない。

さらに磁性層中の酸素量について述べれば、上記第１お
よび第２の添加元素を含む本発明のＣｏ基合金に酸素を
０．１〜１０原子％含有させると、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等の
休心立方構造をとる非磁性金属下地層上においてもｈｃ
ｐ構造の面内（１０１０）配向（（１００）配向と略記
）だけではなく垂直ｉ（Ｏ　Ｏ　Ｏ　１　）配向（（０
０１）配向と略記）或分も大きくなる。すなわち結晶学
的にいえば，第９図（ａ）および第９図（ｂ）に示した
ようにＣｏ基合金の００２Ｘ線回折線強度と１００Ｘ線
回折線強度との比が３よりも大きくなり、磁気的には，
基本的に面内異方性を有するが、垂直異方性戊分も付与
されＣｏ基合金のＣ軸が実質的に等方的になり、前記第
４図に示したように非磁性金属下地層の膜厚が増加する
につれ面内の保磁力角形比Ｓ本が０．８５以下、さらに
は０．８以下となる。これは第２の添加元素、例えばＣ
ｒ，Ｍｏ，Ｗが酸素の助けを借りて粒界さらには粒内に
も偏析しやすくなり、結晶粒が微細化したり、垂直に配
向する結晶粒或分が大きくなることなどのためである。

このように垂直異方性が大きくなると磁化遷移移領域が
小さくなり、ノイズが低下することになるので好ましい
。なお、第２図、第３図に示した本実施例の磁性層中の
酸素濃度はそれぞれ１，１．５ａｔ％であった。

ここで，本発明の磁気記録媒体を、作動ギャップ近傍に
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ，Ｆｅ−ＡＱ−Ｓｉ，Ｎｉ−Ｆｅ等の
強磁性金属を設けたメタルインギャップタイプもしくは
薄膜形磁気ヘッドで記録再生したところ、第６図に示す
ようにディスク円周方向の面内保磁力Ｈｅを１２０００
ｅ以上とすれば再生出力が格段に向上することが確認さ
れた。

上記面内保磁力Ｈｃを１　５０００ｅ以上にすれば、さ
らに出力記録密度特性が向上するのでより好ましい。こ
こで，少なくとも磁極の一部を上記のように金属磁性材
料で４ｉ１ｆｆ戊すると記録磁界が強くなるので、本発
明のような高保磁力の記録媒体には好適で、これを用い
て記録再生すれば効率が向上し、特に大容量の磁気記憶
装置が提供できるので好ましい。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を説明する。

実施例工．第１図は，本発明の一実施例となる磁気記録媒体の縦断
面図を示したものであり，図において、１１はＮｉ−Ｐ
，Ｎｉ−’Ｐ−Ｗ等の非磁性メッキＡｎ合金，化学強化
ガラス等からなる非磁性基板，１２．１２’は前記基板
の両面に設けられたＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＳｉ
から成る群から選ばれた少なくとも１種の休心立方構造
をとる単体あるいはこれらの元素を主或分とする合金、
さらにはこれら単体もしくは合金にＴ　ｉ＊　Ｓ　ｉ＋
　Ｇ　ｅ　＋Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｄ及び
酸素から成る群から選ばれた少なくとも１種の元素を含
有してなる非磁性金属下地層、１３．１３”は磁性層で
Ｐｔ及びＩｒから成る群力濱選ばれた少なくとも１種の
第１の添加元素１〜３５原子％（以下．ａｔ％と略称）
と、’ｌ’　ｉ＊　Ｚ　ｔ’　Ｈ　Ｈ　ｆ　ｒ　Ｖ　＋
Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成る群
から選ばれた少なくともｌ種の第２の添加元素１〜１７
ａｔ％ただしＳｉについては１〜４０ａｔ％と、酸素０
．１〜ｌＯａｔ％と、残部Ｃｏとから成るＣｏ基合金層
、１４．１４’はＣ，Ｂ，Ｂ４Ｃ，Ｓｉ−Ｃ，Ｃｏ３０
４ｔＳｌ０２＃Ｓ　ｉ，Ｎ，，Ｗ−Ｃ，Ｚ　ｒ−Ｗ−Ｃ
，Ｚ　ｒ−Ｎｂ−Ｎ等からなる保護層であり，それぞれ
は以下に示す例のように形成される。

外径１３０ｍｍ．内径４０ｍｍ、厚さ１．９ｍｍのマグ
ネシウムを４ｗｔ％含むアルミニウム合金ディスク基板
の両面に厚み２０μｍのＮｉ　−１　２ｗｔ％Ｐメッキ
を施した後、さらに円周方向（ヘッド走行方向）に微綱
な凹凸を有し、その中心線平均面粗さが１０ｎｍになる
ように研磨して膜厚を１５μｍとした。この種の表面加
工を通称テクスチャ加工と称しているが、この基板を洗
浄後、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い、初期排気
を２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒまで行なった後、或膜時の放電
雰囲気ガスとして０．２ｖｏｌ％酸素を含むＡｒ、放電
ガス圧力を１５ｍＴｏｒｒ、投入電力を１．６Ｗ／ｃｎ
Ｔ，基板温度を１１０゜Ｃとして下地層、磁性層、保護
層を連続して形成し、面内磁気記録媒体とした。非磁性
金属下地層には酸素を４ａｔ％含有するＣｒ層を用い、
磁性層にはＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−１１ａｔ．％Ｐｔ合
金（ただし酸素３ａｔ％含有）を、保護膜にはカーボン
を用いた。また、保護膜の上にさらにパーフルオロアル
キルポリエーテル等の潤滑層を設けても良い。非磁性金
属下地層のＣｒ膜厚を５００ｎｍと一定にして、Ｃｏ−
１５ａｔ％Ｃｒ−１１ａｔ％Ｐｔ合金の膜厚を１０〜９
０ｎｍまで変化させたところ、第１表のような静磁気特
性が得られた。

第１表　Ｃ／Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ／Ｃｒ膜の静磁気特性な
お，表中の（　）内数値は非磁性金属下地層を設けない
比較例の特性値を示す。これら比較例から明らかなよう
に、非磁性金属下地層の存在は磁気特性の向上に重要な
役割を果たしており、保磁力角形比Ｓ本≦０．８５なる
条件を十分に満足させつつ、面内保磁力Ｈａはいずれも
１５０００ｅ以上という優れた特性を示している。

そして、非磁性金属下地層のＣｒ膜厚を５０，１００，
２００，３００および４００ｎｍとしても磁性層膜厚の
増加にともない保磁力角形比Ｓ本は上昇し、１５ｎｍ以
上の磁性層膜厚があれば、より好ましい条件である０．
８５≧Ｓ＊≧０．６となった。ここで、保磁力角形比Ｓ
＊は、ディスクの周方向すなわちヘッド走行方向及び半
径方向の値の平均値であり、面内保磁力Ｈｃは、ディス
ク周方向の値である（以下、いずれの実施例及び比較例
も同じ）。ＮｉＰメッキＡｆｌ合金基板の替りに、化学
エッチ処理で表面に凹凸をつけた化学強化ガラス基板や
アルマイト処理ＡＱ合金基板を用いても同様の結果が得
られた。

［比較例１］磁性層の組或を、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ−１５ａｔ％Ｐ
ｔとし、磁性層の膜厚を９０ｎｍとじた他の実施例１と
同様に薄膜形威したところ、面内保磁力Ｈｅの値は８６
００ｅであった。このように実施例１と同じ非磁性金属
下地層のＣｒ膜を有しているにも拘らず、磁性層の組或
が異なることにより面内保磁力Ｈａは大幅に低下した。

つまり、この比較例は本発明の第２の添加元素を含有し
ていないものである。

実施例２．面内磁気記録媒体形成装置としてロードロック式のＤＣ
マグネトロンスパッタ装置を用い、初期排気をＩＸＩＯ
−’Ｔｏｒｒまで行なった後、戊膜時の放ｆｆｉ雰囲気
ガスとして酸素を０．ｌｖｏｌ％含むＡｒ、放電ガス圧
力を１０ｍＴｏｒｒ、投入電力を１．６　〜４．８Ｗ／
ａ｛、基板温度を１５０℃として膜厚４００ｎｍのＣｒ
下地層、膜厚５０ｎｍで第２表に示す組成の磁性層を連
続して形成後、放電ガス圧力を３ｍＴｏ　ｒ　ｒとして
保護膜を形戒した他は前記実施例１と同様にして形成し
た。

なお、これらいずれの磁性層及びＣｒ下地層中にも酸素
はｌａｔ％含有された。

第２表　磁性層の組威（その１）第２表　磁性層の組或（その２）その結果、いずれの実施例も面内保磁力が１４０００ｅ
以上であった。特に、面内保磁力を１　５　０　０　０
　ｅ以上とした場合には磁性層の組成によらず出力半減
記録密度が３　５　ｋＰＣＩ以上となり、またこれらの
記録媒体の出力ノイズ比（Ｓ／Ｎ）は従来媒体のＳ／Ｎ
に比べ２　ＩＩＪ程度高かった。しかしながら、放電ガ
スとして０．１ｖｏｌ％酸素を含むＡｒガスを用いて形
成した薄膜の面内保磁力が１５０００ｅ以上あった合金
組或でも、り一クレートが大きい場合や窒素等を含有さ
せた場合には、面内保磁力が１２０００８以下となり、
Ｓ／Ｎも低い場合があった。これらの媒体を０．ＯＯ１
ｍｏｆ２／ＱのＮａＮＯ，，０．１ｍｏＲ／ＱのＮａＣ
Ｑを含む塩水を噴霧して酎食性を評価したところ、第２
の添加元素としてＴｉ．Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂの少な
くとも１種を添加したものは、その他の合金に比べ２倍
以上高い耐食性を示した。特に試料Ｎα２０１〜２０６
．２１０〜２１５，２２Ｌ及び２２３に示した４元合金
の場合には出力半減記録密度が４０ｋＰＣＩ以上と最も
高く、オーバライト特性、耐食性ともに特に良好な特性
を示し、これらの中で最も好ましかった。

これ等４元合金の場合には、０．６Ｎの塩酸と、０．０
７Ｎの硝酸の工対１混液等で磁性膜をエッチングして組
或の偏析を調べると３元合金に比べて結晶粒内での偏析
が著しかった。非磁性金属下地層として．Ｃｒの替りに
Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃ
ｒ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｓｉ，Ｃｒ−Ｐｔ，Ｍｏ−Ｔｉ，Ｗ−
Ｖ，Ｖ　一Ｓｉ，Ｎｂ−Ｃｒ，Ｔａ−Ｃｒ合金を用いて
も同様の結果が得られた。特にＣｒ−２０ａｔ％Ｔｉ．
Ｃｒ−２０ａｔ％Ｓｉ，Ｃｒ−１ａｔ％Ｐｔ，Ｍ　ｏ　
−　２　０　ａ　ｔ％Ｔｉ下地膜を用いた場合には最も
高いＳ／Ｎが得られた。いずれの下地層の場合にもＣｏ
と下地層或分元素との金属間化合物は含まれていなかっ
た。

実施例３．外径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ．厚さ１．９ｍｍのマグ
ネシウムを４％含むアルミニウム合金ディスク基板の両
面に厚み２０μｍのＮｉ−１２Ｗｔ％ｐメッキを施した
後、さらに円周方向に微細な凹凸を有しその中心線平均
面粗さが５ｎｍになるように研磨して膜厚をｌ５μｍと
した。この基板を洗浄後、ＲＦマグネトロンスパッタ装
置を用い、初期排気を２Ｘ１０’−’Ｔｏｒｒまで行な
った後、戒膜時の放＠雰囲気ガスとして０．５ｖｏｌ％
の酸素を含むＡｒを，放電ガス圧力１ＳｍＴｏｒｒ、投
入電力１．６Ｗ／ａＪ，基板温度を１００℃として下地
層、磁性層、保護層を連続して形威し、面内磁気記録媒
体とした。非磁性金属下地層には、Ｃｒを用い、磁性層
には６ａｔ％の酸素を含有するＣ　ｏ　−　８　ａ　ｔ
％Ｃｒ−３ａｔ％Ｔａ−１３ａｔ％Ｐｔ合金を、保護膜
にはカーボンを用いた。また、保護膜の上にさらにパー
フルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層を設けても良
い。

非磁性金属下地層としてのＣｒ膜厚を５００ｎｍと一定
にして、上記６ａｔ％の酸素を含有する磁性層Ｃ　ｏ　
−　８　ａ．　ｔ％Ｃｒ−３ａｔ％Ｔａ−１３ａｔ％Ｐ
ｔ合金の膜厚を１０〜９０ｎｍまで変化させたところ、
第３表のような静磁気特性が得られた。上記Ｃｒ膜厚を
１００，１５０，２００，３００，４００，６００，７
００ｎｍとしても同様の結果が得られた。しかし，Ｃ？
膜厚を１００ｎｍとした場合には、球面摺動強度が５０
００回以下で、１５０ｎｍ以上の場合の１／ｔ４以下と
極めて低く劣っていた。また、Ｃｒ膜厚を７００ｎｍと
した場合には、磁気ディスク腿動時におけるヘッドの浮
上量を０．２５μｍ以下に＋’Ａられず好ましくなかっ
た。これに対してＣｒ膜厚を６００ｎｍ以下とした場合
には、浮上量は０．１μｍまでつめられ、信頼性も格段
に向上第３表　Ｃ／Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ／Ｃｒ膜の
静磁気特性実施例４．面内磁気記録媒体形成装置としてロードロック式のＤＣ
マグネトロンスパッタ装置を用い、初期排気をＩＸＩＯ
−”Ｔｏｒｒまで行なった後、或膜時の放電ガスを０．
０５ｖｏｌ％の酸素を含むＡｒ、放電ガス圧力を１０ｍ
Ｔｏｒｒ、投入電力を１．６〜４　．　８　Ｗ／ｃｄ、
基板温度を２００℃として膜厚４００ｎｍのＣｒ下地層
、膜厚５０ｎｍで第４表に示す組或の磁性層を連続して
形成後、放電ガス圧力を３ｍＴｏｒｒとして保護膜を形
成した他は前記実施例３と同様に形成した。

その結果、いずれの試料も前記実施例３と同様に面内保
磁力Ｈ　ｃは１５０００ｅ以上であった。

面内保磁力Ｈ　ｃ　１　５　０　０　０　ｅ以上のもの
は、出力半減記録密度が３５ｋＰＣＩ以上となり、また
これらの媒体の出力ノイズ比（Ｓ／Ｎ）は、Ｃｏ−Ｎｉ
合金を用いた従来の媒体のＳ／Ｎに比べ２割程度高かっ
た。特に試料Ｎ（１４１７〜４２１の磁気ディスクはオ
ーバライト特性が特に良好で、しかもトラック幅方向の
漏れ記録もしくは消去効率が最も高く、最も良好な位置
ずれマージンが得られた。磁気ディスクを０．６Ｎの塩
酸と０．０７Ｎの硝酸でエッチングして偏析組織を透過
電顕，（ＴＥＭ），ＳＥＭ等で評価すると傘場４、試料
Ｎｏ４１７〜４２１，４０１及び４１５の磁気第４表　
磁性層の組戊（その工） ○．ＯＯ１ｍｏｌ／ＲのＮａＮ○３、Ｑ．１ｍｏ　１／
ＱのＮａＣＱを含む塩水を噴霧して耐食性を評価したと
ころ、第２の添加元素としてＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｖ，Ｎｂを添加したものは、その他の例えばＣｒ，Ｍｏ
，Ｗ，Ｇｅ，Ｓｉ等を添加した合金に比べ２倍以上高い
耐食性を示した。非磁性金属下地層として、Ｃｒの替わ
りにＭｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｗ
，Ｃｒ−Ｍｏ，Ｍｏ−Ｔｉ，Ｗ−Ｖ，Ｖ−Ｓｉ，Ｎｂ−
Ｃｒ，Ｔａ−Ｃｒ合金を用いても同様の結果が得られた
．なお、これら磁性層及び非磁性下地層中に含有する酸
素量は，いずれも０．５　ａ　ｔ％であった・第２表　磁性層の組或（その２）実施例５．面内磁気記録媒体形成装置としてロードロック式のＤＣ
マグネトロンスバッタ装置を用い、初期排気をＩＸＩ（
ｌ”Ｔｏｒｒまで行なった後、戊膜時の放電ガスを０．
０５ｖｏｌ％の酸素を含むＡｒ、放電ガス圧力を１０ｍ
Ｔｏｒｒ、投入電力を１．６〜４．８Ｗ／粛，基板温度
２５０℃として膜厚４００ｎｍのＣｒ−２０ａｔ％Ｔｉ
下地層、膜厚５０ｎｍで第５表に示す組成の磁性層を連
続して形成後、放電ガス圧力を３ｍＴｏｒｒとして保護
膜を形成した他は実施例３と同様に形成した。

その結果、いずれの試料も面内保磁力Ｈｃが１２０００
ｅ以上であった。特に、これら試料の面内保磁力Ｈａを
１２０００ｅ以上とした場合には、出力半減記録密度が
３３ｋＰＣＩ以上となり、またこれらの媒体の出力ノイ
ズ比（Ｓ／Ｎ）はｃｏ−Ｎｉ合金やＣｏ−Ｃｒ合金を用
いた従来の媒体のＳ／Ｈに比べｌ５％程度高かった。な
お、これら磁性層及び下地層中に含有する酸素量は、い
ずれも０．２ａｔ％である。また、いずれの試料におい
ても結晶粒界、結晶粒内での偏析が認められた。

第５表　磁性層の組或実施例６．ＡＩ２−Ｓｉ−Ｒｕもしくは膜厚２０，ｕｍのＣｏ−Ｎ
ｂ−Ｚｒを用いたメタルインギャップ型もしくは薄膜型
磁気ヘッドを組み合わせて磁気ディスク装置としたとこ
ろ、コーティング等の従来型塗布媒体やＣｏ−Ｎｉ合金
連続媒体等を用いて構成した磁気ディスク装置に比べ１
．５倍以上の大容量化ができ従来装置に比べ２倍以上酎
摺動性、耐食性等の信頼性に優れた装置を得ることがで
きた。

１〜５の記録媒体で構戒すると共に、前記磁気ヘッドの
磁極をＮｉ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ等で構成した薄膜
磁気ヘッドを用いて装置化した。

〔発明の効果〕

本発明によれば、高密度での記録再生が可能で、しかも
耐食性、浮上性、耐摺動信頼性に優れた磁気記録媒体お
よび大容量磁気記憶装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す磁気記録媒体の縦断面
図、第２図は本発明の一実施例を示す磁性層に含有され
ているＰｔ量と面内保磁力Ｈ　ｃとの関係を示す特性曲
線図、第３図は本発明の一実施例を示す磁性層Ｖ含有さ
れているＣｒｉと面内保磁力Ｈａとの関係を示す特性曲
線図、第４図は本発明の一実施例を示す下地層膜厚と保
磁力角形比及び面内保磁力との関係を示す特性曲線図、
ヰ第５図は同じ＜Ｐｔ量とＳ／Ｎ比との関係を示す図、第６図
は面内保磁力と再生出力の関係を示す特性曲線図、第７
図は面内保磁力角形比Ｓ＊とノイズとの関係を示した特
性曲線図、第８図は本発明の実施例となるＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔ系４元磁性合金層の耐食性を特性曲線図、第９図（
ａ）及び第９図（ｂ）は各々本発明の一実施例の磁気記
録媒体のＸ線回折線パターンと結晶配向性を示す図、第
１０図（ａ）は本発明の一実施例の磁気ディスク装置の
平面模式図、第１０図（ｂ）は第１０図（ａ）のＡ−Ａ
’断面図、第１１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の下地層組或と面内保持力Ｈａとの関係を示す図、第１
２図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の磁性層に含有
されている酸素量と面内保持力Ｈｅとの関係を示す図で
ある。符号の説明１１・・・非磁性基板、１２．１２’・・・非磁性下地
層、２５・・・記録再生信号処理系．ネ２団Ｆも六〃Ｏ量Ｘ　（αｔク）第３図Ｃｒ　　対１クロ量× （一％ノ４屓處力内邪丸Ｓ８第皐図ＣｒＴ地榎梗１しＣカ，）委？図吋悶（ｈｒ）某／θ 図ネ７図Ｌ”）　ＣｌＣｏＣｒＰｃＳＪＣｒＴ曲和Ｘ’＃！）ｑ
ｒｉ７−７’め／／ｄ丁抛４中丁９牲仄ｒ−（戊ｔ％）

Claims

【特許請求の範囲】

１．非磁性基板上に形成されたＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎ
ｂ及びＴａから成る群から選ばれた少なくとも１種の金
属元素を含む非磁性金属下地層を介して、Ｐｔ及びＩｒ
から成る群から選ばれた少なくとも１種の第１の添加元
素を１〜３５原子％と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ及びＳｉから成る群から選
ばれた少なくとも１種の第２の添加元素を１〜１７原子
％（ただしＳｉについては１〜４０原子％）と、酸素を
０．１〜１０原子％含み、かつ上記第１の添加元素、第
２の添加元素及び酸素を総量で２．２〜５０原子％を含
み、残部Ｃｏから成るＣｏ基合金磁性層を形成して成る
面内磁気記録媒体。
２．上記第２の添加元素がＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ及びＳ
ｉから成るＡ群から選ばれた少なくとも１種と、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ及びＴａから成るＢ群から選ばれ
た少なくとも１種とから成る請求項１記載の面内磁気記
録媒体。
３．上記第２の添加元素がＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ及びＳ
ｉから成るＡ群から選ばれた少なくとも１種から成る請
求項１記載の面内磁気記録媒体。
４．上記非磁性金属下地層が上記Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、
Ｎｂ及びＴａから成る群から選ばれた少なくとも１種の
金属元素の他に、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ
、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ及び酸素から成る群から選ばれた少
なくとも１種の元素を含有して成る請求項１記載の面内
磁気記録媒体。
５．上記第１の添加元素はＰｔであり、上記第２の添加
元素はＧｒとＳｉである請求項１もしくは４項記載の面
内磁気記録媒体。
６．上記Ｃｏ基合金磁性層の面内保磁力が少なくとも１
２００Ｏｅ、保磁力角形比Ｓ＊が０．８５以下である請
求項１、２、３、４もしくは５記載の面内磁気記録媒体
。
７．上記下地層の膜厚が１５０〜６００ｎｍである請求
項１、２、３、４もしくは５記載の面内磁気記録媒体。
８．非磁性基板上に物理蒸着法によりＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｖ、Ｎｂ及びＴａから成る群から選ばれた少なくとも１
種の金属元素を含む非磁性金属下地層を形成する工程、
Ｐｔ及びＩｒから成る群から選ばれた少なくとも１種の
第１の添加元素を１〜３５原子％と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ及びＳｉから
成る群から選ばれた少なくとも１種の第２の添加元素を
１〜１７原子％（ただしＳｉについては１〜４０原子％
）と、酸素を０．１〜１０原子％含み、かつ上記第１の
添加元素、第２の添加元素及び酸素を総量で２．２〜５
０原子％含むＣｏ基合金磁性層を、微量の酸素ガス含有
雰囲気下で、上記第１の添加元素及び第２の添加元素を
含むターゲットを用いてスパッタリング法により形成す
る工程を有して成る面内磁気記録媒体の製造方法。
９．上記第２の添加元素をＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ及びＳ
ｉから成るＡ群から選ばれた少なくとも１種と、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ及びＴａから成るＢ群から選ばれ
た少なくとも１種との２群系で構成して成る請求項８記
載の面内磁気記録媒体の製造方法。
１０．上記第２の添加元素をＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ及び
Ｓｉから成るＡ群から選ばれた少なくとも１種で構成し
て成る請求項８記載の面内磁気記録媒体の製造方法。
１１．上記非磁性金属下地層形成工程の前に、予め上記
非磁性基板上に非磁性メッキ膜下地層を形成する工程と
上記Ｃｏ基合金磁性層形成工程後にカーボン含有保護膜
を形成する工程を有して成る請求項８記載の面内磁気記
録媒体の製造方法。
１２．上記非磁性メッキ膜下地層を形成する工程はＮｉ
−Ｐ無電解メッキを施す工程である請求項１１記載の面
内磁気記録媒体の製造方法。
１３．磁気記録媒体と、これを回転駆動する駆動部と、
金属磁性材の磁極を有する磁気ヘッド及びその駆動手段
と、磁気ヘッドの記録再生信号処理手段とを有して成る
磁気記憶装置において、前記磁気記録媒体を請求項１、
２、３、４、５、６もしくは７記載の面内磁気記録媒体
で構成して成る磁気記憶装置。