JP2000331338A - コバルトベース合金製の高保磁度縦方向記録媒体およびその製造法 - Google Patents
コバルトベース合金製の高保磁度縦方向記録媒体およびその製造法Info
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 保磁度が顕著に向上し、低ノイズおよび良好
な熱的安定性を有する記録媒体構造体を提供する。 【解決手段】 縦方向磁気記録用の改良された薄膜媒体
構造体であって、基板、該基板と接触する少なくとも１
つの下層、および少なくとも１つの磁気層、を含んで成
り、該薄膜媒体構造体が、層の蒸着後熱処理を受けたも
のであることを特徴とする媒体構造体。
な熱的安定性を有する記録媒体構造体を提供する。 【解決手段】 縦方向磁気記録用の改良された薄膜媒体
構造体であって、基板、該基板と接触する少なくとも１
つの下層、および少なくとも１つの磁気層、を含んで成
り、該薄膜媒体構造体が、層の蒸着後熱処理を受けたも
のであることを特徴とする媒体構造体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体用の改
良された薄膜構造体に関し、そして製造において蒸着後
に行う熱処理によって顕著な磁性向上がもたらされる磁
性薄膜媒体に関する。
良された薄膜構造体に関し、そして製造において蒸着後
に行う熱処理によって顕著な磁性向上がもたらされる磁
性薄膜媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野では、記録密度を増加さ
せることが重要である。事実、磁気記録媒体の記録密度
は最近２０年間に非常に増加している。
せることが重要である。事実、磁気記録媒体の記録密度
は最近２０年間に非常に増加している。
【０００３】典型的な薄膜ディスクは複層構造で、下層
によってカバーされた基板、磁気層、そしてこれは任意
だが最上部の被覆から成る。情報の磁気ビットは、この
磁気層内に記録される。最近の産業界の主流は、非磁性
基板上にクロムやクロム合金をベースにした下層が蒸着
しているコバルト合金ベースの磁気フィルムからなる縦
方向記録媒体である。
によってカバーされた基板、磁気層、そしてこれは任意
だが最上部の被覆から成る。情報の磁気ビットは、この
磁気層内に記録される。最近の産業界の主流は、非磁性
基板上にクロムやクロム合金をベースにした下層が蒸着
しているコバルト合金ベースの磁気フィルムからなる縦
方向記録媒体である。
【０００４】保磁度（Hc）、残留磁気密度と保磁スクェ
アネス（squareness）（S＊）の積、のような磁性は、
コバルト合金ベースの薄膜媒体の記録性能に対する決定
的な要因となる。薄膜の縦方向磁気記録媒体にとって、
コバルト合金の望ましい結晶構造は、単軸結晶異方性お
よびc軸が膜平面上にある磁化容易方向とを有する六方
細密構造である。平面内にc軸があるという結晶学的構
造によって、縦方向磁気記録に用いられるコバルト合金
薄膜の適性が決定づけられる。
アネス（squareness）（S＊）の積、のような磁性は、
コバルト合金ベースの薄膜媒体の記録性能に対する決定
的な要因となる。薄膜の縦方向磁気記録媒体にとって、
コバルト合金の望ましい結晶構造は、単軸結晶異方性お
よびc軸が膜平面上にある磁化容易方向とを有する六方
細密構造である。平面内にc軸があるという結晶学的構
造によって、縦方向磁気記録に用いられるコバルト合金
薄膜の適性が決定づけられる。
【０００５】磁気粒子の粒径が小さいと薄膜媒体が熱的
に安定しない。一方、粒径が大きい薄膜では熱的安定性
は高いがＳＮ比が低くなる。
に安定しない。一方、粒径が大きい薄膜では熱的安定性
は高いがＳＮ比が低くなる。
【０００６】磁気粒子間の交換結合も媒体雑音（ノイ
ズ）を高くする。したがって、ＳＮ比が高くしかも熱的
に安定した磁気媒体を達成するために、コバルト合金薄
膜は均一で、小さい粒子を有し、その粒子界面が近隣粒
子からの磁気的隔離を保障するものでなければならな
い。このような微粒子構造および結晶学的構造は、一般
的に、蒸着プロセスを操作することによって達成され
る。
ズ）を高くする。したがって、ＳＮ比が高くしかも熱的
に安定した磁気媒体を達成するために、コバルト合金薄
膜は均一で、小さい粒子を有し、その粒子界面が近隣粒
子からの磁気的隔離を保障するものでなければならな
い。このような微粒子構造および結晶学的構造は、一般
的に、蒸着プロセスを操作することによって達成され
る。
【０００７】高保存密度に対する要請から、保磁度の高
いハードディスク媒体が求められている。例えば、コバ
ルト合金ベースの薄膜を用いた最近の六方細密構造に関
し、平方インチ当り４０ギガビットの面密度を生ずるの
に十分なほどの保磁度は、現在に至るまで報告されてい
ない。
いハードディスク媒体が求められている。例えば、コバ
ルト合金ベースの薄膜を用いた最近の六方細密構造に関
し、平方インチ当り４０ギガビットの面密度を生ずるの
に十分なほどの保磁度は、現在に至るまで報告されてい
ない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、５０
００エルステッド以上の保磁度、低雑音および良好な熱
的安定性を有する縦方向磁気記録媒体を製造することで
ある。
００エルステッド以上の保磁度、低雑音および良好な熱
的安定性を有する縦方向磁気記録媒体を製造することで
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】基板、磁気層および下層
を含む磁気記録媒体の熱処理によって、本発明の目的は
果たされる。好適な態様では、中間層が磁気層と下層と
の間に挟まれている。特に好適な態様では、磁気層がCo
CrPt／Crで中間層がCoCrTaである。この中間層は比較的
薄く、好ましくは１nmから５nmである。中間層を設ける
ことにより、磁気層内の格子ひずみが減少し、磁気層の
格子定数が中間層を設けなかったときよりも大きく維持
できる。中間層の蒸着に使用されるアルゴン圧は、１mT
orrから７mTorrで変化する。中間層の蒸着中に使用され
るアルゴン圧が７mTorrに近づくにつれ、より高い保磁
度が得られる。蒸着後の焼きなましにより、保磁度をさ
らに高めることができる。
を含む磁気記録媒体の熱処理によって、本発明の目的は
果たされる。好適な態様では、中間層が磁気層と下層と
の間に挟まれている。特に好適な態様では、磁気層がCo
CrPt／Crで中間層がCoCrTaである。この中間層は比較的
薄く、好ましくは１nmから５nmである。中間層を設ける
ことにより、磁気層内の格子ひずみが減少し、磁気層の
格子定数が中間層を設けなかったときよりも大きく維持
できる。中間層の蒸着に使用されるアルゴン圧は、１mT
orrから７mTorrで変化する。中間層の蒸着中に使用され
るアルゴン圧が７mTorrに近づくにつれ、より高い保磁
度が得られる。蒸着後の焼きなましにより、保磁度をさ
らに高めることができる。
【００１０】本発明の他の態様においては、コバルト合
金ベースの縦方向記録媒体の熱処理によって、保磁度が
顕著に改良され、ＳＮ比も改良される。熱処理によって
粒径は殆んどかわらないが粒子の隔離性が高まり、その
結果ノイズが減少する。
金ベースの縦方向記録媒体の熱処理によって、保磁度が
顕著に改良され、ＳＮ比も改良される。熱処理によって
粒径は殆んどかわらないが粒子の隔離性が高まり、その
結果ノイズが減少する。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１（a）および（b）に示される
ように、本発明の磁気記録媒体は、基板、下層、および
磁気層を含んでなる。好適な態様においては、中間層
が、下層と磁気層との間に蒸着によって加えられる。中
間層は磁性を有していても有さなくともよい。更に、上
被覆層や、その上の潤滑剤層を有していてもよい。
ように、本発明の磁気記録媒体は、基板、下層、および
磁気層を含んでなる。好適な態様においては、中間層
が、下層と磁気層との間に蒸着によって加えられる。中
間層は磁性を有していても有さなくともよい。更に、上
被覆層や、その上の潤滑剤層を有していてもよい。
【００１２】好適な態様においては、中間層の厚さは１
nmから５nmである。中間層を加えることによって、本発
明の薄膜媒体の磁性が向上する。中間層は磁性を有して
いても有さなくともよい。中間層はコバルトあるいはク
ロム、チタンおよび／またはタンタル等の他の金属の合
金でよい。好適な態様では、中間層はCoCrTaである。磁
性を有さない場合には、中間層はクロム合金、ニッケル
あるいはアルミニウムでよい。基板はガラス若しくはシ
リコンでよい。熱処理に適したセラミックガラスのよう
な他のハードディスク基板も使用できる。磁気層は、磁
気膜の平面にほぼ平行な縦型の磁気c軸を有して蒸着さ
れている。磁気層はコバルトまたはコバルトベースの合
金が好ましく、その厚みは概ね５〜５０nmである。コバ
ルトベースの合金としては、コバルト、クロムおよびプ
ラチナの合金が好ましい。コバルトベースの合金は、タ
ンタル、タングステン、ホウ素、ニッケル、チタン、あ
るいはマンガンをドーピングしたものでもよい。下層
は、好ましくはクロム合金または他の材質からなり、BC
C、B２若しくは他の結晶学的構造であって垂直方向若し
くは縦方向の何れかに沿った磁化配向を生ずるものがよ
い。クロム合金は、CrV、CrO、CrTi、CrWあるいはCrTiB
でよい。
nmから５nmである。中間層を加えることによって、本発
明の薄膜媒体の磁性が向上する。中間層は磁性を有して
いても有さなくともよい。中間層はコバルトあるいはク
ロム、チタンおよび／またはタンタル等の他の金属の合
金でよい。好適な態様では、中間層はCoCrTaである。磁
性を有さない場合には、中間層はクロム合金、ニッケル
あるいはアルミニウムでよい。基板はガラス若しくはシ
リコンでよい。熱処理に適したセラミックガラスのよう
な他のハードディスク基板も使用できる。磁気層は、磁
気膜の平面にほぼ平行な縦型の磁気c軸を有して蒸着さ
れている。磁気層はコバルトまたはコバルトベースの合
金が好ましく、その厚みは概ね５〜５０nmである。コバ
ルトベースの合金としては、コバルト、クロムおよびプ
ラチナの合金が好ましい。コバルトベースの合金は、タ
ンタル、タングステン、ホウ素、ニッケル、チタン、あ
るいはマンガンをドーピングしたものでもよい。下層
は、好ましくはクロム合金または他の材質からなり、BC
C、B２若しくは他の結晶学的構造であって垂直方向若し
くは縦方向の何れかに沿った磁化配向を生ずるものがよ
い。クロム合金は、CrV、CrO、CrTi、CrWあるいはCrTiB
でよい。
【００１３】好適な磁気記録媒体は、上被覆がなくても
よいし、２〜１０nmの厚さの上被覆層を有していてもよ
い。この任意の上被覆層は機械的摩耗層を提供し、ダイ
アモンド状炭素、セラミック材料、SiO２、SiCまたはZr
O２若しくはこれらの組み合わせにより構成され得る。
上被覆の上側に設けられる潤滑剤層は２nmより薄く、フ
ルオロクロロカーボンやペルフルオロエーテルが好まし
い。
よいし、２〜１０nmの厚さの上被覆層を有していてもよ
い。この任意の上被覆層は機械的摩耗層を提供し、ダイ
アモンド状炭素、セラミック材料、SiO２、SiCまたはZr
O２若しくはこれらの組み合わせにより構成され得る。
上被覆の上側に設けられる潤滑剤層は２nmより薄く、フ
ルオロクロロカーボンやペルフルオロエーテルが好まし
い。
【００１４】好適な態様によれば、本発明の媒体構造体
は熱処理される。金属層の蒸着後、媒体を３００℃〜８
００℃の温度範囲でオーブンにてベーキングする。熱処
理時間は１秒〜３０分である。媒体構造体を５５０℃で
１分間ベーキングするのが最も好ましい。
は熱処理される。金属層の蒸着後、媒体を３００℃〜８
００℃の温度範囲でオーブンにてベーキングする。熱処
理時間は１秒〜３０分である。媒体構造体を５５０℃で
１分間ベーキングするのが最も好ましい。
【００１５】本発明の磁気記録媒体の蒸着されたままの
ものと後の熱処理されたものとの平面内の磁性比較のた
めに、２６nm厚さのCoCrPt磁気層、０nmから５nmまで厚
さが変化するCoCrTa中間層、およびCr下層とを、当業者
によく知られている技法を用いて、ガラス基板上にスパ
ッタリング蒸着させた。直流（DC）スパッタリングを用
い、基板温度３００℃、ベース圧１x１０−６Torrで膜
蒸着させた。CoCrPt磁気層およびCr下層共にスパッタリ
ング中のアルゴン圧は、１mTorrで一定にした。一方、C
oCrTa中間層のスパッタリング中のアルゴン圧は、１mTo
rrから７mTorrで変化させた。２つのセットの試料を蒸
着させた。第１セットの試料は、CoCrPt／Cr薄膜媒体で
種々の厚さのCoCrTa中間層付きのものであった。第２セ
ットの試料は、CoCrPt／Cr薄膜媒体で１mTorrから７mTo
rrで変化するアルゴン圧で蒸着された２．６nm厚さのCo
CrTa中間層付きのものであった。蒸着後に熱処理が両方
のセットの試料に行われ、この間に温度は５５０℃に設
定され１分間この温度が維持された。
ものと後の熱処理されたものとの平面内の磁性比較のた
めに、２６nm厚さのCoCrPt磁気層、０nmから５nmまで厚
さが変化するCoCrTa中間層、およびCr下層とを、当業者
によく知られている技法を用いて、ガラス基板上にスパ
ッタリング蒸着させた。直流（DC）スパッタリングを用
い、基板温度３００℃、ベース圧１x１０−６Torrで膜
蒸着させた。CoCrPt磁気層およびCr下層共にスパッタリ
ング中のアルゴン圧は、１mTorrで一定にした。一方、C
oCrTa中間層のスパッタリング中のアルゴン圧は、１mTo
rrから７mTorrで変化させた。２つのセットの試料を蒸
着させた。第１セットの試料は、CoCrPt／Cr薄膜媒体で
種々の厚さのCoCrTa中間層付きのものであった。第２セ
ットの試料は、CoCrPt／Cr薄膜媒体で１mTorrから７mTo
rrで変化するアルゴン圧で蒸着された２．６nm厚さのCo
CrTa中間層付きのものであった。蒸着後に熱処理が両方
のセットの試料に行われ、この間に温度は５５０℃に設
定され１分間この温度が維持された。
【００１６】図２に示されるように、CoCrTa中間層を加
えたときに保磁度（Hc）の向上が観察された。この保磁
度（Hc）の向上とMｒtの変化が、CoCrTa中間層の厚さの
関数として図３に示される。保磁度は、CoCrTa中間層厚
みの増加につれて増加し、概ね２．５nmでピークに達す
る。観察された最高保磁度は５８００エルステッドであ
った。CoCrTa中間層が更に５nmに至るまで厚くなる場合
には、保磁度は減少することが観察された。保磁度の向
上は、図４に示されるX線回析（XRD）スペクトルによっ
て説明できる。コバルト（１０１）ピークは、中間層が
蒸着されたとき低角度側にシフトした。CoCrTa中間層の
付加が、CoCrPt磁気層における格子ひずみを減少させ、
中間層を加えなかった場合よりCoCrPtの格子定数を大き
く維持させるものと考えられる。しかしCoCrTa中間層の
厚さを更に３nmを越えるほどに増加させると格子の弛緩
を招くことになり、これにより保磁度が減少するものと
考えられる。
えたときに保磁度（Hc）の向上が観察された。この保磁
度（Hc）の向上とMｒtの変化が、CoCrTa中間層の厚さの
関数として図３に示される。保磁度は、CoCrTa中間層厚
みの増加につれて増加し、概ね２．５nmでピークに達す
る。観察された最高保磁度は５８００エルステッドであ
った。CoCrTa中間層が更に５nmに至るまで厚くなる場合
には、保磁度は減少することが観察された。保磁度の向
上は、図４に示されるX線回析（XRD）スペクトルによっ
て説明できる。コバルト（１０１）ピークは、中間層が
蒸着されたとき低角度側にシフトした。CoCrTa中間層の
付加が、CoCrPt磁気層における格子ひずみを減少させ、
中間層を加えなかった場合よりCoCrPtの格子定数を大き
く維持させるものと考えられる。しかしCoCrTa中間層の
厚さを更に３nmを越えるほどに増加させると格子の弛緩
を招くことになり、これにより保磁度が減少するものと
考えられる。
【００１７】図５に示されるように、CoCrTa中間層の蒸
着中のアルゴン圧の増加は保磁度の増加をもたらす。中
間層の蒸着中に１mTorrから７mTorrの範囲内でアルゴン
圧を変化させて行われた試料のXRDスペクトル（図６）
によれば、アルゴン圧が増加するにつれコバルト
（１０１）ピークは高角度側にシフトする。飛行時間型
２次イオン質量分光分析（TOF-SIMS）による深さ方向分
布測定を、１mTorrおよび７mTorrに設定されたアルゴン
圧下で行われたCoCrTa中間層蒸着を行った２つの試料に
ついて行った。その結果が図７、８に示されている。高
アルゴン圧（即ち７mTorr）で蒸着されたCoCrTa中間層
付きの試料でのTaの拡散分布は、低アルゴン圧（即ち１
mTorr）の蒸着に比べて、上下するスロープで示される
ように、大きい。CoCrTa中間層を蒸着させるのに高アル
ゴン圧を用いると、TaがCoCrTa中間層からCoCrPt磁気層
の粒界まで拡散し、それによって粒子の隔離化が進むと
いうのが磁性向上に対する説明である。中間層の蒸着中
のアルゴンレベルを高くすると、少なくとも２０mTorr
迄ならば、保磁度の向上が得られるものと考えられる。
着中のアルゴン圧の増加は保磁度の増加をもたらす。中
間層の蒸着中に１mTorrから７mTorrの範囲内でアルゴン
圧を変化させて行われた試料のXRDスペクトル（図６）
によれば、アルゴン圧が増加するにつれコバルト
（１０１）ピークは高角度側にシフトする。飛行時間型
２次イオン質量分光分析（TOF-SIMS）による深さ方向分
布測定を、１mTorrおよび７mTorrに設定されたアルゴン
圧下で行われたCoCrTa中間層蒸着を行った２つの試料に
ついて行った。その結果が図７、８に示されている。高
アルゴン圧（即ち７mTorr）で蒸着されたCoCrTa中間層
付きの試料でのTaの拡散分布は、低アルゴン圧（即ち１
mTorr）の蒸着に比べて、上下するスロープで示される
ように、大きい。CoCrTa中間層を蒸着させるのに高アル
ゴン圧を用いると、TaがCoCrTa中間層からCoCrPt磁気層
の粒界まで拡散し、それによって粒子の隔離化が進むと
いうのが磁性向上に対する説明である。中間層の蒸着中
のアルゴンレベルを高くすると、少なくとも２０mTorr
迄ならば、保磁度の向上が得られるものと考えられる。
【００１８】一つはCoCrTa中間層の厚さを変化させたも
の、もう一つはCoCrTa中間層蒸着アルゴン圧を変化させ
たもの、これら両方の試料を熱処理した。蒸着後の熱処
理温度を５５０℃に設定し、試料をこの温度に１分間維
持した。図９は、２．６nm厚CoCrTa中間層付きCoCrPt／
Cr薄膜の蒸着後熱処理後の保磁度の実質的増加を示して
いる。
の、もう一つはCoCrTa中間層蒸着アルゴン圧を変化させ
たもの、これら両方の試料を熱処理した。蒸着後の熱処
理温度を５５０℃に設定し、試料をこの温度に１分間維
持した。図９は、２．６nm厚CoCrTa中間層付きCoCrPt／
Cr薄膜の蒸着後熱処理後の保磁度の実質的増加を示して
いる。
【００１９】図１０は、種々の厚さのCoCrTa中間層付き
のCoCrPt／Cr薄膜の熱処理後の保磁度の増加を示してい
る。CoCrTa中間層厚さに対する保磁度の傾向は同様であ
る（つまりどちらの場合でも、CoCrTa中間層の２．５nm
でHcがピークになる）が、熱処理後に保磁度は顕著に向
上する。図１０に示されるように、アルゴン圧を変化さ
せて蒸着させた２．６nm厚さのCoCrTa中間層付きCoCrPt
／Cr薄膜媒体における熱処理後の磁性の向上も観察され
た。
のCoCrPt／Cr薄膜の熱処理後の保磁度の増加を示してい
る。CoCrTa中間層厚さに対する保磁度の傾向は同様であ
る（つまりどちらの場合でも、CoCrTa中間層の２．５nm
でHcがピークになる）が、熱処理後に保磁度は顕著に向
上する。図１０に示されるように、アルゴン圧を変化さ
せて蒸着させた２．６nm厚さのCoCrTa中間層付きCoCrPt
／Cr薄膜媒体における熱処理後の磁性の向上も観察され
た。
【００２０】種々の厚さのCoCrTa中間層付きCoCrPt／Cr
薄膜媒体につき、熱処理前後の保磁度の角度変化につい
ての研究も行った。図１２は、蒸着されたままの試料に
対する保磁度の角度変化を示している。CoCrTa中間層付
きの試料では、保磁度は最初に増加してピーク値に至
り、それから磁場角度が９０°に近づくにつれ減少す
る。CoCrTa中間層のない試料では、保磁度のピークは観
察されなかった。保磁度のピークが中間層付きの試料に
見られるということは、粒子の間に相互作用があること
を示している。図１３は、熱処理された試料についての
保磁度の角度変化を示している。５nmのCoCrTa中間層が
加えられたもの以外は、保磁度のピークは観察されなか
った。これは、熱処理が粒子間の相互作用を減少させ、
従って媒体ノイズを減少させることを意味している。
薄膜媒体につき、熱処理前後の保磁度の角度変化につい
ての研究も行った。図１２は、蒸着されたままの試料に
対する保磁度の角度変化を示している。CoCrTa中間層付
きの試料では、保磁度は最初に増加してピーク値に至
り、それから磁場角度が９０°に近づくにつれ減少す
る。CoCrTa中間層のない試料では、保磁度のピークは観
察されなかった。保磁度のピークが中間層付きの試料に
見られるということは、粒子の間に相互作用があること
を示している。図１３は、熱処理された試料についての
保磁度の角度変化を示している。５nmのCoCrTa中間層が
加えられたもの以外は、保磁度のピークは観察されなか
った。これは、熱処理が粒子間の相互作用を減少させ、
従って媒体ノイズを減少させることを意味している。
【００２１】図１４に示されるように、２．６nmのCoCr
Ta中間層付きCoCrPt／Cr薄膜媒体の蒸着されたままのも
のと熱処理されたものとにつき、磁気粘性係数を調べ
た。熱処理された試料の最大磁気粘性は、蒸着されたま
まの試料にくらべて非常に低くなっている。これは、薄
膜媒体が熱処理後に熱的により安定したことを示すもの
である。
Ta中間層付きCoCrPt／Cr薄膜媒体の蒸着されたままのも
のと熱処理されたものとにつき、磁気粘性係数を調べ
た。熱処理された試料の最大磁気粘性は、蒸着されたま
まの試料にくらべて非常に低くなっている。これは、薄
膜媒体が熱処理後に熱的により安定したことを示すもの
である。
【００２２】このように、中間層つきで製造され蒸着後
の熱処理を受けた薄膜の縦方向磁気記録媒体は、蒸着後
の熱処理あるいは焼きなましを行っていないものと比べ
て性能が向上している。
の熱処理を受けた薄膜の縦方向磁気記録媒体は、蒸着後
の熱処理あるいは焼きなましを行っていないものと比べ
て性能が向上している。
【図１】本発明の媒体構造体の複層構造を説明する図で
ある。
ある。
【図２】中間層を加えたあとの保磁度の向上を示す図で
ある。
ある。
【図３】CoCrTa中間層の厚さの関数としてCoCrPt／Cr磁
気層における保磁度の変化をプロットした図である。
気層における保磁度の変化をプロットした図である。
【図４】CoCrTa中間層付きのものと中間層のないものと
のCoCrPt／Cr膜におけるX線回析スペクトルを示す図で
ある。
のCoCrPt／Cr膜におけるX線回析スペクトルを示す図で
ある。
【図５】CoCrTa中間層蒸着中のアルゴン圧の変化に応じ
たCoCrPt／Cr磁気層の保磁度の変化をプロットした図で
ある。
たCoCrPt／Cr磁気層の保磁度の変化をプロットした図で
ある。
【図６】アルゴン圧を変えて蒸着させたCoCrTa中間層付
きCoCrPt／Cr膜のX線回析スペクトルを示す図である。
きCoCrPt／Cr膜のX線回析スペクトルを示す図である。
【図７】１m Torrのアルゴン圧で蒸着させたCoCrTa中間
層付きCoCrPt／Cr薄膜における飛行時間型２次イオン質
量分光分析（TOF-SIMS）による深さ分布を示す図であ
る。
層付きCoCrPt／Cr薄膜における飛行時間型２次イオン質
量分光分析（TOF-SIMS）による深さ分布を示す図であ
る。
【図８】７m Torrのアルゴン圧で蒸着させたCoCrTa中間
層付きCoCrPt／Cr薄膜における飛行時間型２次イオン質
量分光分析（TOF-SIMS）による深さ分布を示す図であ
る。
層付きCoCrPt／Cr薄膜における飛行時間型２次イオン質
量分光分析（TOF-SIMS）による深さ分布を示す図であ
る。
【図９】２．６nmのCoCrTa中間層付きCoCrPt／Cr薄膜に
おける熱処理後の保磁度の向上を示す図である。
おける熱処理後の保磁度の向上を示す図である。
【図１０】０nmから５nmまでの範囲のCoCrTa中間層付き
のCoCrPt／Cr薄膜における熱処理後の保磁度の向上を示
す図である。
のCoCrPt／Cr薄膜における熱処理後の保磁度の向上を示
す図である。
【図１１】１m Torrから７m Torrの範囲のアルゴン圧で
蒸着された２．６nm厚さのCoCrTa中間層付きのCoCrPt／
Cr薄膜媒体における熱処理後の保磁度の向上を示す図で
ある。
蒸着された２．６nm厚さのCoCrTa中間層付きのCoCrPt／
Cr薄膜媒体における熱処理後の保磁度の向上を示す図で
ある。
【図１２】CoCrTa中間層付きのものと中間層のないもの
との蒸着されたままのCoCrPt／Cr膜における角度変化を
示す図である。
との蒸着されたままのCoCrPt／Cr膜における角度変化を
示す図である。
【図１３】CoCrTa中間層付きのものと中間層のないもの
との熱処理されたCoCrPt／Cr膜における角度変化を示す
図である。
との熱処理されたCoCrPt／Cr膜における角度変化を示す
図である。
【図１４】２．６nm厚さのCoCrTa中間層付きの蒸着され
たままのものと熱処理されたものとの両方のCoCrPt／Cr
膜に逆磁場を作用させたときの磁気粘性の変化を示す図
である。
たままのものと熱処理されたものとの両方のCoCrPt／Cr
膜に逆磁場を作用させたときの磁気粘性の変化を示す図
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 リー、パン、タン シンガポール国シンガポール、ケント、リ ッジ、クレセント、10 データ、ストレー ジ、インスティテュート内 (72)発明者 ミン、ラン、イェン シンガポール国シンガポール、ケント、リ ッジ、クレセント、10 データ、ストレー ジ、インスティテュート内 (72)発明者 タオ、チョン、チョン シンガポール国シンガポール、ケント、リ ッジ、クレセント、10 データ、ストレー ジ、インスティテュート内 Ｆターム(参考） 5D006 AA02 AA05 BB01 BB07 CA01 CA05 CA06 EA03 FA09 5D112 AA03 AA05 AA07 BB05 BC03 BC05 BC07 BD03 BD04 FA02 FB20 GB01
Claims (22)
- 【請求項１】縦方向磁気記録用の改良された薄膜媒体構
造体であって、 基板、 該基板と接触する少なくとも１つの下層、および少なく
とも１つの磁気層、 を含んで成り、該薄膜媒体構造体が、層の蒸着後熱処理
を受けたものであることを特徴とする媒体構造体。 - 【請求項２】前記熱処理が、３００℃〜８００℃の範囲
の温度で前記媒体構造体を加熱することにより行われ
る、請求項１に記載の媒体構造体。 - 【請求項３】前記媒体構造体が、１秒から３０分間前記
熱処理を受ける、請求項２に記載の媒体構造体。 - 【請求項４】前記下層と磁気層との間に配設された中間
層を更に含む、請求項１に記載の媒体構造体。 - 【請求項５】縦方向磁気記録用の改良された薄膜媒体構
造体であって、 基板、 該基板と接触する少なくとも１つの下層、 少なくとも１つの磁気層、および前記下層と磁気層との
間に配設された少なくとも１つの中間層、 とを含んで成ることを特徴とする媒体構造体。 - 【請求項６】前記媒体構造体が、層の蒸着後に熱処理さ
れたものである、請求項５に記載の媒体構造体。 - 【請求項７】前記熱処理が、３００℃〜８００℃の範囲
の温度で前記媒体構造体を加熱することにより行われ
る、請求項６に記載の媒体構造体。 - 【請求項８】前記媒体構造体が、５〜３０秒間前記熱処
理を受ける、請求項７に記載の媒体構造体。 - 【請求項９】前記下層が、クロム、クロム合金、および
BCC若しくはB２材料の構造体から成る群から選択された
ものである、請求項５に記載の媒体構造体。 - 【請求項１０】前記クロム合金が、CrV、CrMo、CrTi、C
rWおよびCrTiBから成る群から選択されたものである、
請求項９に記載の媒体構造体。 - 【請求項１１】前記下層の厚さが５nm〜２００nmであ
る、請求項５に記載の媒体構造体。 - 【請求項１２】前記磁気層が、厚さ５nm〜５０nmのコバ
ルトまたはコバルトベース合金である、請求項５に記載
の媒体構造体。 - 【請求項１３】前記コバルトベース合金がクロムまたは
プラチナを含んで成り、クロム上に蒸着されている、請
求項１２に記載の媒体構造体。 - 【請求項１４】前記中間層が、厚さ１nm〜５nmのCoCrTa
である、請求項５に記載の媒体構造体。 - 【請求項１５】前記中間層が、アルゴン雰囲気中で蒸着
されたものである、請求項５に記載の媒体構造体。 - 【請求項１６】アルゴンの分圧が１mTorr〜２０mTorrで
ある、請求項１５に記載の媒体構造体。 - 【請求項１７】炭素、セラミック材、二酸化ケイ素、炭
化ケイ素またはジルコニアから成る群から選択された上
被覆を更に含んで成る、請求項５に記載の媒体構造体。 - 【請求項１８】前記上被覆が２〜１０nmの厚さである、
請求項１７に記載の媒体構造体。 - 【請求項１９】前記中間層が、２つの磁気層間に設けら
れている、請求項５に記載の媒体構造体。 - 【請求項２０】前記コバルトベース合金が、Ta、W、S
i、B、Ni、Ti、AlまたはMnでドーピングしたものであ
る、請求項１３に記載の媒体構造体。 - 【請求項２１】前記中間層が、磁性を有するか、または
有さないものである、請求項１に記載の媒体構造体。 - 【請求項２２】前記中間層が、コバルト、チタン、クロ
ム、タンタル、ニッケルおよびアルミニウムから成る群
より選択された合金である、請求項１に記載の媒体構造
体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SG9902226-1 | 1999-05-13 | ||
| SG9902226A SG97791A1 (en) | 1999-05-13 | 1999-05-13 | High coercivity cobalt based alloy longitudinal recording media and method for its fabrication |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331338A true JP2000331338A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=20430354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11287078A Pending JP2000331338A (ja) | 1999-05-13 | 1999-10-07 | コバルトベース合金製の高保磁度縦方向記録媒体およびその製造法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP2003162813A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
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-
1999
- 1999-05-13 SG SG9902226A patent/SG97791A1/en unknown
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-
2000
- 2000-03-03 US US09/518,710 patent/US20020098389A1/en not_active Abandoned
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