CN1175400C - 带有预置籽晶层的非金属薄膜磁记录盘 - Google Patents
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Abstract
描述了一种用于盘驱动器中的磁性薄膜盘的设计，该盘带有非晶或毫微晶体预置籽晶层，接着还有钌铝(RuAl)籽晶层。预置籽晶层可以是CrTa或AlTi。沉积在玻璃基片上的预置籽晶层例如允许要被沉积的RuAl籽晶层有更强烈取向，从而有利地影响随后的层中的取向和晶粒大小，这些随后的层优选地包括至少一个Cr合金底层和至少一个磁性层。
Description
下面讨论的优选实施例中所包括的RuAl籽晶层的使用在共同转让的序列号为09/295,267的未决美国申请中进行了描述。在下面讨论的优选实施例中所包括的开始(onset)层的使用在共同转让的序列号为08/976,565的未决美国申请中进行了描述，该申请的名称为“带有开始(onset)层的薄膜盘”(“Thin Film Disk with Onset Layer”)。下面将提到名称为“具有掺杂难熔金属的活性元素籽晶层的薄膜磁盘”(“THIN FILM MAGNETIC DISK HAVING REACTIVE ELEMENTDOPED REFRACTORY METAL SEED LAYER”)的美国专利商标局的序列号09/020,151的申请。
技术领域
本发明涉及用于诸如盘驱动器的数据存储设备的磁盘中的薄膜材料领域。本发明尤其涉及用于调节非磁性基片的薄膜层，以接着调节晶体层结构。
背景技术
传统驱动器组件中的磁记录盘一般由基片、薄膜铬(Cr)或Cr合金构成的底层、沉积在底层上的钴基磁性合金以及在磁性层上的保护盖层组成。已经使用了各种盘基片，如涂覆NiP的AlMg、玻璃、玻璃陶瓷、玻璃态碳等。当前市场上最普通的盘是由AlMg基片盘制成的，在该基片上化学沉积非晶NiP层。化学沉积NiP处理的使用有几个缺点，包括它是一个必须与溅射处理相当独立地来执行的湿处理，而剩余层是通过溅射处理沉积的。难以在NiP表面上实现平滑和均匀，而这一点正是现在的盘驱动器要求的密度所需要的。NiP也是腐蚀问题的来源，并且它一定程度上限制了处理温度，这是因为如果在某一点以上加热NiP会变成具有磁性。
磁性层的微结构参数，即晶体学择优取向(PO)、晶粒大小和晶粒之间的磁交换去耦，在控制盘的记录特性方面具有重要作用。Cr底层主要被用来影响诸如PO和钴基磁性合金的晶粒大小的微结构参数。构成盘上的层的各种材料的PO不必要是材料中发现的专用取向，而可以仅仅是择优取向。当在升高的温度下将Cr底层沉积在涂覆NiP的AlMg基片上时，通常形成[100]的择优取向(PO)。这个PO促进hcp钴(Co)合金的[11
20]PO的外延生长，从而提高纵向记录的盘的平面磁性能。[11
20]PO指的是其(11
20)平面主要平行于膜的表面的六方结构的膜。由于在玻璃和大部分非金属基片上Cr或Cr合金底层的形核和生长与在涂覆NiP的AlMg基片上的那些明显不同，在玻璃基片盘上使用不同的材料和层结构来获得最佳结果。由于包括上面提到的多种原因，传统NiP涂覆对于在玻璃上使用并不是优选的。非金属基片盘通常具有在Cr合金底层之前溅射沉积在基片上的所谓的“籽晶层”。使用正确选择的籽晶层使得非金属基片的性能超出NiP/AlMg盘。籽晶层影响底层的形核和生长，其依次影响磁性层。在公开的文章中已经提出了用于玻璃和非金属基片上的籽晶层的几种材料，如：Al，Cr，CrNi，Ti，Ni3P，MgO，Ta，C，W，Zr，AlN和NiAl(例如参看1996年4月15日的“应用物理”第79(8)中第4902ff页Lee等人的题目为“在NiAl底层中诱发(002)晶体学织构的籽晶层”(“Seed layer induced(002)crystallographictexture in NiAl underlayers”)的文章)。在一个单磁性层盘中，Laughlin等人描述了在NiAl籽晶层之后使用2.5nm厚Cr底层和CoCrPt磁性层。带有Cr底层的NiAl籽晶层据说在磁性层中诱发[10
10]织构。(1996年9月的IEEE Trans.Magnetic.32(5)的第3632页题目为“纵向薄膜记录媒体的晶体学织构的控制和特性”(“The Control and Characterization ofthe Crystallographic Texture of Longitudinal Thin Film RecordingMedia”)的文章)。在上面提到的一个相关申请中，公开了将RuAl用作籽晶层。
磁盘的设计在最近几年迅速发展，使得再进行改进变得更困难。在一些计量方面，例如信噪比(SNR)，现在甚至1dB的提高都被认为是相当明显的。在本申请提出时，宣称的工业上磁盘的最高记录密度在每平方英寸30到40千兆比特。这个密度仅在实验室实现了，在已有的商业应用的盘驱动器中发现的密度远低于此值。盘上记录的信息的热稳定性随着寻求更高的密度而推断成为限制因素。商业利用的盘驱动器必须能够将存储的信息保持以年来计算的一段时间。
Chen等人最近描述了一种对于带有他们称作Cr次籽晶层的盘的实验结果。带有溅射NiP层的玻璃基片被用于接收Cr/NiAl/Cr合金/Co合金层结构。该文章对于Cr次籽晶层的需要的晶体结构未作说明(参看1999年9月的IEEE Transactions on Magnetics第35卷第5期2637页Q.Chen等人的文章)。
发明内容
本发明的薄膜盘包括非晶或毫微晶体结构的薄膜预置籽晶层。可以是铬钽(CrTa)或铝钛(AlTi)的预置籽晶层在第一晶体层之前被沉积。尽管预置籽晶层可以是非晶或毫微晶体，为了简洁，这里称其为非晶，意在包括毫微晶体结构。在优选实施例中，预置籽晶层被溅射到非金属基片如玻璃上，接着是B2结构的钌铝(RuAl)层。本发明的预置籽晶层的使用改善了晶粒大小和分布、平面晶体学取向和矫顽力(Hc)和SNR。在优选实施例中，预置籽晶层之后是RuAl籽晶层、Cr合金底层、开始层和磁性层。非晶预置籽晶层允许使用更薄RuAl籽晶层，这导致更小的整体晶粒大小，以及由于钌的相对高成本而使制造成本降低。提高的矫顽力也允许使用更薄的Cr合金底层，这也有助于降低晶粒大小。另一个好处在于预置籽晶层提供附加的热传导，这会有助于防止玻璃盘上的热擦除。
具体地说，本发明提供一种薄膜磁盘，包括：一个非金属的基片；一个具有非晶或毫微晶体结构的预置籽晶层，直接沉积在所述基片上，所述预置籽晶层主要由AlTi构成；一个非磁性RuAl籽晶层，具有B2结构且沉积在所述预置籽晶层上；至少一个非磁性底层，沉积在该RuAl籽晶层上；以及至少一个磁性层，沉积在该底层上。
根据本发明的上述盘，其中RuAl层有<200>择优取向。
根据本发明的上述盘，其中预置籽晶层显示出没有明显的X射线衍射峰。
根据本发明的上述盘，其中所述至少一个底层主要由CrTi构成并包含大约10at％的钛。
根据本发明的上述盘，还包括主要由沉积在底层和磁性层之间的钴合金构成的1到4nm厚的薄膜开始层，其中：预置籽晶层具有大于10nm的厚度；籽晶层厚度在3到20nm之间；以及底层厚度在3到15nm之间。根据本发明的上述盘，其中预置籽晶层包含大约50at％的Ti。
根据本发明的上述盘，其中预置籽晶层具有大于或等于10nm厚度。
根据本发明的上述盘，其中预置籽晶层具有小于或等于60nm厚度。
根据本发明的上述盘，还包括主要由底层与磁性层之间的钴合金构成的薄膜开始层，。
根据本发明的上述盘，其中开始层包括CoCr。
根据本发明的上述盘，其中磁性层包括CoPtCrB。
根据本发明的上述盘，其中RuAl籽晶层厚度在3到20nm之间。
根据本发明的上述盘，其中所述至少一个底层厚度在3到15nm之间。
本发明提供一种盘驱动器，包括：用于旋转主轴的电动机；安装在主轴上的薄膜磁盘，包括非金属的基片；直接沉积在所述基片上的非晶或毫微晶体的预置籽晶层，所述预置籽晶层主要由AlTi构成；具有B2结构的RuAl籽晶层，沉积在所述预置籽晶层上；至少一个非磁性底层，沉积在该RuAl籽晶层上；和至少一个磁性层，沉积在该底层上；以及致动器组件，其包括用于当盘旋转时写入磁性信息到盘上的磁头。
根据本发明的上述盘驱动器，其中RuAl籽晶层有<200>择优取向。
根据本发明的上述盘驱动器，其中底层主要由CrTi构成且包含大约10at％的钛。
根据本发明的上述盘驱动器，还包括薄膜开始层，该薄膜开始层主要由CoCr构成，置于底层和磁性层之间。
根据本发明的上述盘驱动器，其中薄膜磁盘还包括沉积在底层和磁性层之间的主要由CoCr构成的1到4nm厚的薄膜开始层，其中：AlTi预置籽晶层具有大于10nm的厚度；RuAl籽晶层厚度在2到20nm之间；以及CrTi底层厚度在3到15nm之间。
本发明提供一种制造薄膜磁盘的方法，包括步骤：在盘的非金属衬底表面上沉积具有非晶或毫微晶体结构的薄膜预置籽晶层，所述预置籽晶层主要由AlTi构成；在预置籽晶层之上沉积具有B2结构的晶体RuAl籽晶层；在RuAl籽晶层之上沉积至少一个非磁性底层；以及在底层之上沉积至少一个磁性层。
根据本发明的上述方法，其中通过从包含铬和钛的靶溅射来沉积至少一个所述非磁性底层。
根据本发明的上述方法，还包括在底层之后且在磁性层之前沉积主要由CoCr构成的1到4nm厚的薄膜开始层的步骤。
根据本发明的上述方法，其中：预置籽晶层被沉积到大于10nm的厚度；RuAl籽晶层被沉积到3～20nm的厚度；以及所述至少一个底层被沉积到3～15nm的厚度。
附图说明
图1是用于实施本发明的带有旋转致动器的已有技术的盘驱动器的顶视图；
图2是根据本发明的薄膜磁盘的层结构；
图3是各种样品的X射线衍射数据，各个样品随着成分变化而表示出CrTa的结构变化；
图4是根据本发明的薄膜磁盘的各种样品的X射线衍射数据，随着CrTa50薄膜层的厚度变化，其表示出材料的结构变化；
图5是根据本发明的薄膜磁盘的各种样品的X射线衍射数据，随着AlTi50薄膜层的厚度变化，其表示出材料的结构变化。
具体实施方式
本发明的CrTa预置籽晶层通过传统DC磁控溅射沉积。选择Cr与Ta的相对成分来产生带有非晶或毫微晶体结构的膜。CrTa预置籽晶层的使用提高了带有很薄的RuAl籽晶层和超薄Cr合金底层的薄膜结构的媒体矫顽力。在一个实施例中这种结构组合与没有CrTa预置籽晶层的类似结构相比盘的信噪比(SNR)被提高了1.3dB。
通常，在玻璃或其它基片上使用一些类型的籽晶层来控制Cr(或Cr合金)的形核和晶体学取向并从而控制磁Co合金层是已知的。在专利US5789056中公开了在玻璃介质上使用很薄籽晶层和底层会实质上降低磁性合金的晶粒大小，从而改进SNR。通过应用不同成分的籽晶层，晶体学织构(112)或(100)Cr层可被沉积。通过在这些Cr底层上溅射Co合金，可得到磁性层中的(10
10)或(11
20)织构。对于高沉积率溅射，发现在玻璃上应用非晶TaN籽晶层在随后生长的Cr底层中诱发(100)取向，这促进Co合金层中(1120)取向增强(看1998年2月6日提出的题目为“具有掺杂难熔金属的活性元素籽晶层的薄膜磁盘”的美国专利商标局的申请序列号09/020,151)。但是TaN层的形成需要在溅射室内有活性气氛，从而增加制造难度。Co合金层的(11
20)织构可通过沉积相对厚的RuAl籽晶层[3]获得，但是高成本的RuAl溅射靶是用于大规模生产的一个主要缺陷。使用CrTa预置籽晶层允许在玻璃基片上使用很薄的RuAl籽晶层(从而降低成本)和超薄Cr(或Cr合金)底层，这允许随后生长的强(11
20)取向的Co合金层带有受控的较小的晶粒大小。
在本发明的优选实施例中，CrTa预置籽晶层被溅射沉积在玻璃基片上，接着沉积薄RuAl籽晶层、超薄Cr合金底层、Co合金开始层和CoPtCrB磁性层。为改善RuAl与Cr合金底层之间的晶格匹配，优选CrTi或CrMo合金。当使用CrMo底层时，又一个优点是SNR对底层厚度改变更不敏感。带有和不带有CrTa预置籽晶层的盘的磁性能和SNR数据在表1中列出。
表1
| 盘 | 结构 | Hc(Oe) | Mrt | S* | SoNR(B) |
| 1 | RuAl50/CrTi10/CoCr37/CoPt11Cr20B7 | 3040 | 0.375 | 0.66 | 27.6 |
| 2 | CrTa50/RuAl50/CrTi10/CoCr37/CoPt11Cr20B7 | 3660 | 0.420 | 0.80 | 27.7 |
| 3 | NiAl50/CrV20/CoCr37/CoPt10Cr20B6 | 3400 | 0.420 | 0.78 | 26.4 |
| 4 | AlTi50/RuAl50/CrTi10/CoCr37/CoPt11Cr20B7 | 3500 | 0.430 | 0.81 | 27.7 |
表1的数据显示尽管盘1和盘2具有可比拟的SoNR，盘2带有CrTa50，即50at％的Ta的预置籽晶层，表现出更高的Hc和矫顽力方形度S*。在与盘3相同的Mrt处，与NiAl50籽晶层结构的盘3相比，盘2产生1.3dB的SoNR改善。由AlTi50预置籽晶层制得的盘4也表现出比已有技术的NiAl50(盘3)提高的性能。以CrTa和AlTi预置籽晶层实现的高矫顽力和方形度是产生增强的RuAl<100>和平面Co<1120>织构的结果。
图3表示带有CrTa50、CrTa20，CrTa10、CrTa2和仅Ta预置籽晶层的一组膜结构的X射线衍射谱。对于CrTa50没有明显的峰出现，表明这一成分结果基本上是非晶或毫微晶体膜。纯Ta和CrTa20膜产生明显的衍射峰，表明是晶体结构。
图4表示以从0到45nm的变化厚度的CrTa50籽晶层制造的薄膜盘的X射线衍射数据。直到厚度为60nm这些结果都被认为是有效的。整个X射线谱上没有观察到晶体CrTa衍射峰，从而确认它的非晶特性。已知在玻璃基片上应用RuAl籽晶层产生导致Co合金层中的<11
20>织构的Cr<200>织构。对于没有CrTa预置籽晶层的膜结构，所有衍射峰强度非常弱，表明由于很薄的RuAl籽晶层和CrTi底层直接沉积在玻璃上引起较差的结构完整性。通过沉积CrTa预置籽晶层，可观察到RuAl(100)，(200)，CrTi(200)和Co合金(11
20)衍射峰的明显增强，表明C轴平面取向的明显提高。
图5表示对于用0,150,300和450埃的AlTi50预置籽晶层制造的盘的X射线衍射曲线。直到厚度下降为100埃(即)即10nm这些结果都被认为是有效的。盘具有RuAl籽晶层，CrTi底层和钴合金磁性层。曲线表明优选的取向RuAl(100)、RuAl(200)、CrTi(200)和Co(11
20)随着AlTi预置籽晶层的厚度增加而强化。如图3所示，CrTa预置籽晶层的优选的成分是CrTa50。AlTi的行为在这方面类似于CrTa，从而AlTi的优选的成分也是50-50。
表2总结了从RuAl(200)和Co(11
20)峰获得的全宽半峰值(FWHM)的值。显然对于带有CrTa50或AlTi50预置籽晶层的膜结构测量很小的FWHM值。小的FWHM表明六方Co结构的高的平面织构和低的[11
20]择优取向的离散。
表2
| 膜结构 | RuAl(200)(°FWHM) | Co(11 20)(°FWHM) |
| RuAl50/CrTi10/CoCr/CoPtCrB | 17.6 | 12.8 |
| CrTa50/RuAl50/CrTi10/CoCr/CoPtCrB | 5.8 | 5.2 |
| AlTi50/RuAl50/CrTi10/CoCr/CoPtCrB | 8.7 | 6.8 |
已知玻璃基片的差的热传导性会引起记录的数据位被热擦除。使用相对厚的CrTa预置籽晶层可潜在地具有改善与玻璃盘介质相关的热擦除方面的好处。
溅射NiP氧化物预置籽晶层和NiAl籽晶层的使用由Chen，Yen，Ristau，Ranjan[4]公布。其结果表示使用NiAl籽晶层引起的<112>Cr织构。与NiP氧化物相比，CrTa预置籽晶层增强RuAl<100>和Cr<200>织构，从而增强Co合金<1120>织构。CrTa预置籽晶层制造过程简化也是优越于NiP的一个优点。
RuAl倾向于在溅射薄膜中形成B2(氯化铯)结构。少量的其它材料可被增加到RuAl而不破坏关键B2结构。B2结构是有序立方结构，其可被描述为两个互相交叉的简单立方晶格，这里，对于RuAl，Al原子占据一个晶格，Ru原子占据另一个。RuAl具有接近于Cr的晶格常数，尽管Cr具有bcc结构。RuAl趋向于形成比Cr小的晶粒大小，这是由于Ru与Al原子之间强烈的键合，其降低了沉积期间原子的移动性。
本发明的优选实施例的RuAl层的作用是最终控制磁性晶粒的取向、晶粒大小和晶粒大小分布。在RuAl层中得到的晶粒大小和取向经正确选择的包括磁性层的随后的层的外延生长而延伸到磁性层。传统的薄膜磁盘仅具有3个层，例如底层、磁性层和盖层，这一领域的趋势正朝着使用附加层发展。这些附加层所使用的术语没有标准化，但是在描述意义上讲，可以是预置籽晶层、籽晶层、一个或多个底层、非磁性或磁性开始层、大量具有或不具有分开它们的间隔层的磁性层。另外，叫作“基片”的实际是多层材料。在添加的层中，只要将其沉积在B2结构中并且在磁性层之前，则RuAl层在实现这里描述的有益效果方面是有效的。从而，优选实施例中的RuAl层用作第一非非晶层(non-amorphous layer)来影响随后沉积的磁性材料的晶体学取向和晶粒大小。
在本发明的优选实施例中，CrTa或AlTi预置籽晶层从靶被溅射沉积在基片(其上可能已经有薄膜)上，靶的构成为a)CrTa并且优选是CrTa50或b)AlTi并且优选是AlTi50。RuAl籽晶层通过标准溅射技术被沉积在预置籽晶层上。接着是Cr合金底层、Co合金开始层和CoPtCrB磁性层。开始层的使用在共同转让的序列号为08/976,565的未决美国申请中进行了描述。简单讲，选择开始层材料部分为的是其晶格与底层相匹配。处于底层和磁性层的晶格参数之间的晶格参数可加强所需取向上的外延。优选的开始层是具有密堆六方(hcp)结构的材料，其可以是磁性或非磁性的。可用于开始层的材料包括宽范围的钴合金，如CoCr，CoPtCr和CoPtCrTa。特定的例子中，CoPtCrTa的磁性开始层包括4到14at％的Pt，10到23at％的Cr和1到5at％的Ta，剩余为Co。可被用于开始层的其它通用的hcp磁性材料包括CoNiCr，CoCrTa等。非磁性材料如CoCr(Cr＞30at％)也可被用作开始层。
尽管发明人优选使用开始层，在结构中并不一定严格包括该开始层来获得CrTa或AlTi预置籽晶层的优点。从而CrTa/RuAl/CrX/CoX结构是本发明的实际的实施。
图2表示根据本发明的薄膜磁盘的实施例的层结构的剖面图。薄膜层被沉积在盘的至少一个并且优选是两个平面表面上以形成数据记录区。基片10可以由玻璃或任何其它适当的材料构成。CrTa预置籽晶层11被沉积在基片上。RuAl籽晶层12被直接沉积在CrTa上。籽晶层可是“双”层，例如一层RuAl，一层NiAl。通过降低需要的作为该族较昂贵的元素的Ru量，这个双层结构可导致节省成本。在双层结构中，RuAl确立晶粒大小和取向，随后沉积的NiAl跟随建立的模式。底层13被沉积在籽晶层上并且由非铁磁材料，如铬合金构成，如CrV或CrTi。开始层14在上面已经进行了描述。磁性层是通常包含铂和铬并且可包含附加的元素如钽或硼的钴合金，例如CoPtCrTa或CoPtCrB。尽管使用CrTa预置籽晶层和RuAl籽晶层不需要特定选择磁性层材料，通常磁性层可包括4到16at％的Pt，14到23at％的Cr和2到10at％的B，其余为Co。可选择的顶层通常是碳基的并且可包含氢和/或氮的保护盖层16，但是可使用任何其它的保护材料。已有技术还已知在磁性层与盖层之间使用附加层以增强盖层的粘结性或提高硬度等。优选地使用标准技术溅射沉积各个层，对于熟悉本领域的人员而言靶、温度和压力是已知的。
除上述之外，层的相对厚度并不认为是实施本发明的关键，而是给出下面的范围作为指导。RuAl籽晶层优选在3到20nm厚。底层的通常的厚度值是8到15nm。CrTi底层优选地被沉积到3到15nm的厚度。开始层为1到4nm。磁性层是5到30nm厚，典型地是15到20nm。盖层的使用、成分和厚度在实施本发明中并非关键，而一般的薄膜盘可使用小于15nm厚的盖层。
尽管给出上面列出的成分时没有考虑杂质百分比含量，本领域人员公知如果并非总是出现在薄膜中某些杂质也是正常的。溅射靶通常被规定为99.9％或更大的纯度，但是结果产生的薄膜可具有更低的纯度，这是由于溅射室内的污染或其它因素导致的。例如，室内的空气污染会导致有可测量出的量的氧和/或氢进入了膜中。还公知通常在Cr靶和结果得到的Cr层中会发现少量的氧。溅射系统中还可能有少量的工作气体，如氩气进入到溅射膜中。在描述的盘样品中没有特定测量污染水平，因此假设它在本领域技术人员所期望的用于溅射的薄膜盘的正常范围内。
根据本发明制造的薄膜盘可被用于使用磁致电阻或感应磁头在常规盘驱动器中存储数据并被用于接触记录中或与飞移磁头一起使用。以标准模式把读出/写入磁头定位在旋转盘上方以记录或读出磁信息。
图1是已有技术的带有旋转致动器的其中使用了根据本发明的薄膜盘的盘驱动器的顶视图。系统包括一个或多个安装在由枢轴电动马达(未示出)旋转的主轴112上的磁记录盘111。致动器组件115支持包含一个或多个读出/写入磁头的滑动器120。组件可由大量致动器和设置在垂直栈中的滑动器构成，致动器支持在不旋转盘时或在卸下盘以避免接触时与盘表面滑动接触的滑动器。音圈马达(VCM)116通过使组件围绕轴117枢轴旋转而相对于盘移动致动器组件115。磁头通常被包含在空气支承滑动器中，该滑动器适合于在以足够的速度旋转时在盘表面上方飞行。在操作中，当滑动器在盘上方飞行时，VCM以弓形路径把滑动器移动过盘，允许磁头被定位来从形成在数据区114中的圆形磁道读出和写入磁性信息，该数据区114涂覆有上述薄膜。来自磁头或进入磁头的电信号与VCM由柔性电缆118传载到驱动电设备119。当不操作时或在盘的旋转开始或停止时的期间，使用装载/卸下坡道(未示出)把滑动器从盘移开或将滑动器停放在着陆区或接触开始/停止(CSS)区113与盘表面物理接触，在该区域中即使是磁性涂层延伸过这个区域也不用于数据存储。如果滑动器在非操作期间从盘上卸下，则不需要具有CSS区域并且盘的更多部分可用于数据存储。尽管盘驱动器以空气支承滑动器进行了描述，本发明的盘可容易地被用于其它具有近接触或接触记录滑动器的存储设备中。
尽管本发明的优选实施例已经具体进行了阐明，对于本领域的技术人员而言，显然在不脱离本发明的精神和范围的情况下本发明的另外的
实施例也是可实现的。
Claims (22)
1.一种薄膜磁盘，包括：
一个非金属的基片；
一个具有非晶或毫微晶体结构的预置籽晶层，直接沉积在所述基片上，所述预置籽晶层主要由AlTi构成；
一个非磁性RuAl籽晶层，具有B2结构且沉积在所述预置籽晶层上；
至少一个非磁性底层，沉积在该RuAl籽晶层上；以及
至少一个磁性层，沉积在该底层上。
2.根据权利要求1的盘，其中RuAl层有<200>择优取向。
3.根据权利要求1的盘，其中预置籽晶层显示出没有明显的X射线衍射峰。
4.根据权利要求1的盘，其中所述至少一个底层主要由CrTi构成并包含大约10at％的钛。
5.根据权利要求1的盘，还包括主要由沉积在底层和磁性层之间的钴合金构成的1到4nm厚的薄膜开始层，其中：
预置籽晶层具有大于10nm的厚度；
籽晶层厚度在3到20nm之间；以及
底层厚度在3到15nm之间。
6.根据权利要求1的盘，其中预置籽晶层包含大约50at％的Ti。
7.根据权利要求1的盘，其中预置籽晶层具有大于或等于10nm厚度。
8.根据权利要求7的盘，其中预置籽晶层具有小于或等于60nm厚度。
9.根据权利要求1的盘，还包括主要由底层与磁性层之间的钴合金构成的薄膜开始层。
10.根据权利要求9的盘，其中开始层包括CoCr。
11.根据权利要求10的盘，其中磁性层包括CoPtCrB。
12.根据权利要求1的盘，其中RuAl籽晶层厚度在3到20nm之间。
13.根据权利要求12的盘，其中所述至少一个底层厚度在3到15nm之间。
14.一种盘驱动器，包括：
用于旋转主轴的电动机；
安装在主轴上的薄膜磁盘，包括非金属的基片；直接沉积在所述基片上的非晶或毫微晶体的预置籽晶层，所述预置籽晶层主要由AlTi构成；具有B2结构的RuAl籽晶层，沉积在所述预置籽晶层上；至少一个非磁性底层，沉积在该RuAl籽晶层上；和至少一个磁性层，沉积在该底层上；以及
致动器组件，其包括用于当盘旋转时写入磁性信息到盘上的磁头。
15.根据权利要求14的盘驱动器，其中RuAl籽晶层有<200>择优取向。
16.根据权利要求15的盘驱动器，其中底层主要由CrTi构成且包含大约10at％的钛。
17.根据权利要求16的盘驱动器，还包括薄膜开始层，该薄膜开始层主要由CoCr构成，置于底层和磁性层之间。
18.根据权利要求16的盘驱动器，其中薄膜磁盘还包括沉积在底层和磁性层之间的主要由CoCr构成的1到4nm厚的薄膜开始层，其中：
AlTi预置籽晶层具有大于10nm的厚度；
RuAl籽晶层厚度在2到20nm之间；以及
CrTi底层厚度在3到15nm之间。
19.一种制造薄膜磁盘的方法，包括步骤：
在盘的非金属衬底表面上沉积具有非晶或毫微晶体结构的薄膜预置籽晶层，所述预置籽晶层主要由AlTi构成；
在预置籽晶层之上沉积具有B2结构的晶体RuAl籽晶层；
在RuAl籽晶层之上沉积至少一个非磁性底层；以及
在底层之上沉积至少一个磁性层。
20.根据权利要求19的方法，其中通过从包含铬和钛的靶溅射来沉积至少一个所述非磁性底层。
21.根据权利要求19的方法，还包括在底层之后且在磁性层之前沉积主要由CoCr构成的1到4nm厚的薄膜开始层的步骤。
22.根据权利要求21的方法，其中：
预置籽晶层被沉积到大于10nm的厚度；
RuAl籽晶层被沉积到3～20nm的厚度；以及
所述至少一个底层被沉积到3～15nm的厚度。
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| US7282738B2 (en) * | 2003-07-18 | 2007-10-16 | Corning Incorporated | Fabrication of crystalline materials over substrates |
| US7071022B2 (en) * | 2003-07-18 | 2006-07-04 | Corning Incorporated | Silicon crystallization using self-assembled monolayers |
| US6863993B1 (en) | 2003-09-30 | 2005-03-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Thin film media with a dual seed layer of RuAI/NiAIB |
| JP4222965B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2009-02-12 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録装置 |
| JP2005353236A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記憶装置 |
| US7300713B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-11-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic thin film media with an underlayer of CrMoZr, CrMoNb or CrMoMn |
| US7651794B2 (en) * | 2005-04-28 | 2010-01-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Adhesion layer for thin film magnetic recording medium |
| KR100733781B1 (ko) * | 2005-04-30 | 2007-07-02 | 고려대학교 산학협력단 | ＴｉｘＡｌ１－ｘ（０＜Ｘ＜１）을 하지층 또는 상지층으로사용한 다층 구조를 지닌 소자 |
| US20070099032A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | Heraeus, Inc., A Corporation Of The State Of Arizona | Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target |
| US20070190364A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-16 | Heraeus, Inc. | Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets |
| US8084855B2 (en) * | 2006-08-23 | 2011-12-27 | Rockwell Collins, Inc. | Integrated circuit tampering protection and reverse engineering prevention coatings and methods |
| US7670694B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-03-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Media for recording devices |
| US7892664B2 (en) * | 2007-11-28 | 2011-02-22 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media having a chemically ordered magnetic layer |
| US8941950B2 (en) | 2012-05-23 | 2015-01-27 | WD Media, LLC | Underlayers for heat assisted magnetic recording (HAMR) media |
| US9177585B1 (en) | 2013-10-23 | 2015-11-03 | WD Media, LLC | Magnetic media capable of improving magnetic properties and thermal management for heat-assisted magnetic recording |
| JP7283273B2 (ja) * | 2019-07-01 | 2023-05-30 | 株式会社レゾナック | 磁気記録媒体およびその製造方法ならびに磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5605733A (en) * | 1992-01-22 | 1997-02-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, method for its production, and system for its use |
| JP2834392B2 (ja) * | 1993-06-23 | 1998-12-09 | ストアメディア インコーポレーテッド | 金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法 |
| US6156404A (en) * | 1996-10-18 | 2000-12-05 | Komag, Inc. | Method of making high performance, low noise isotropic magnetic media including a chromium underlayer |
| US5693426A (en) | 1994-09-29 | 1997-12-02 | Carnegie Mellon University | Magnetic recording medium with B2 structured underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
| US5736262A (en) * | 1994-12-05 | 1998-04-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Magnetic recording medium |
| US5523173A (en) * | 1994-12-27 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium with a CoPtCrB alloy thin film with a 1120 crystallographic orientation deposited on an underlayer with 100 orientation |
| US5922442A (en) * | 1996-04-26 | 1999-07-13 | Hmt Technology Corporation | Magnetic recording medium having a CoCr alloy interlayer of a low saturation magnetization |
| JP3371062B2 (ja) * | 1996-11-05 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置 |
| US5789056A (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-04 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic disk with chromium-titanium seed layer |
| US6010795A (en) * | 1997-02-26 | 2000-01-04 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording medium comprising a nickel aluminum or iron aluminum underlayer and chromium containing intermediate layer each having (200) dominant crystalographic orientation |
| US5995472A (en) * | 1997-05-06 | 1999-11-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser beam forming temperature distribution of two peaks on a magneto-optical recording medium |
| JP2989169B2 (ja) * | 1997-08-08 | 1999-12-13 | 日立金属株式会社 | Ｎｉ−Ａｌ系金属間化合物ターゲットおよびその製造方法ならびに磁気記録媒体 |
| JPH11219511A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-08-10 | Mitsubishi Chemical Corp | 磁気記録媒体および磁気記録装置 |
| US6143388A (en) * | 1997-11-24 | 2000-11-07 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with onset layer |
| US6150015A (en) * | 1997-12-04 | 2000-11-21 | Komag, Incorporated | Ultra-thin nucleation layer for magnetic thin film media and the method for manufacturing the same |
| JPH11213371A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-08-06 | Mitsubishi Chemical Corp | 磁気記録媒体 |
| US6383667B1 (en) * | 1998-10-09 | 2002-05-07 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US6183832B1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | CoCrPtB alloys with increased boron content and method of producing same |
| US6403241B1 (en) * | 1999-04-14 | 2002-06-11 | Seagate Technology, Inc. | CoCrPtB medium with a 1010 crystallographic orientation |
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