JPH05197941A - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents

金属薄膜型磁気記録媒体

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JPH05197941A JP4006791A JP679192A JPH05197941A JP H05197941 A JPH05197941 A JP H05197941A JP 4006791 A JP4006791 A JP 4006791A JP 679192 A JP679192 A JP 679192A JP H05197941 A JPH05197941 A JP H05197941A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガラス基板を備えることにより良好な平坦性
を有し、かつ高保磁力を兼備する金属薄膜型磁気記録媒
体を提供する。 【構成】 非磁性の媒体基板4 の上にＣｒ下地層5 、磁
気記録層6 および保護層7 が同順序で積層成膜されてい
る。前記媒体基板4 はガラス基板1 の上に熱伝導性に優
れた蓄熱用非磁性層2 およびＮｉＰ層3 が同順序で成膜
されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置に使用
される磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金を非磁性の媒体基板上にＣｒ下地
層を介して成膜した金属薄膜型磁気記録媒体が用いられ
ている。従来、前記媒体基板として、Ａｌ合金基板上に
剛性確保のために10〜20μm の非晶質ＮｉＰ層がメッキ
により形成されたものが使用されている。その表面に
は、媒体表面と磁気ヘッドとの接触抵抗を軽減し、耐久
性を向上させるためにテキスチャーと呼ばれる円周方向
の凹凸がラッピングテープや遊離砥粒により機械的に形
成される。このテキスチャーは、耐久性の向上のみなら
ず、Ｃｏ合金結晶軸を円周方向にそろえる作用をも有
し、保磁力の向上にも寄与する。
【０００３】ところが、前記Ａｌ合金基板は軟材質で塑
性変形し易いため、基板としての平坦性に劣り、磁気ヘ
ッドのグライドハイトを低くすることが困難である。こ
のため、硬度が高く、平坦度の優れたガラス基板も用い
られている。ガラス基板を用いることにより、ヘッド浮
上量を0.05μm 以下にすることができ、記録密度を向上
させることができる。
【０００４】しかし、ガラス基板に直接Ｃｒ下地層、Ｃ
ｏ合金層および保護層を積層成膜した場合、従来のＮｉ
Ｐ層・Ａｌ合金基板にこれらの各層を成膜した場合に比
べて、保磁力が 300〜 600 Ｏe 程度低くなる。これ
は、ガラス基板を用いた場合、ＮｉＰ層による下地Ｃｒ
層の結晶配向性の向上作用が期待できないからであると
考えられる。
【０００５】そこで、最近、ガラス基板にＮｉＰ層をス
パッタリングやメッキにより形成し、これにテキスチャ
ーを施したものが媒体基板として用いられるようになっ
た。この場合、ガラス基板の平坦性がアルミ合金基板よ
りも優れるため、アルミ合金基板を用いるよりも、磁気
ヘッドのグライドハイトを低くすることができ、記録密
度は向上する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＮｉＰ
層を形成したガラス基板を媒体基板として用いても、Ｃ
ｏ合金層の保磁力は期待される程の向上が見られない。
ＮｉＰ層・アルミ合金基板にＣｒ下地層やＣｏ合金層等
を成膜する場合、結晶配向性を向上させるために、Ｎｉ
Ｐ層の表面を赤外線ヒータ（ＩＲヒータ) 等により250
〜 300℃に加熱するが、ＮｉＰ層・ガラス基板を用いる
と、ガラスはアルミ合金に比べて熱伝導率が小さいた
め、ＮｉＰ層のみの温度が急上昇し、結晶化する。こう
なると、アモルファスＮｉＰ層の持つ結晶配向性能が劣
化し、Ｃｒ下地層ひいてはＣｏ合金層の結晶がランダム
配向となり、保磁力が低下するようになるからである。
尚、ＮｉＰ層の結晶化を防止して加熱するには、加熱温
度を下げなければよいが、それに伴ない保磁力も低下す
ることになり、保磁力を向上させることはできない。
【０００７】本発明はかかる問題に鑑みなされたもの
で、ガラス基板を備えることにより良好な平坦性を有
し、かつ高保磁力を兼備する金属薄膜型磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】非磁性の媒体基板の上に
Ｃｒ下地層、磁気記録層および保護層が同順序で積層成
膜された磁気記録媒体において、前記媒体基板はガラス
基板の上に熱伝導性に優れた蓄熱用非磁性層およびＮｉ
Ｐ層が同順序で積層成膜されている。この際、前記蓄熱
用非磁性層は、Ｃｒ, Ｔｉ又はＣｒＴｉ合金で形成する
のがよい。
【０００９】
【作用】ガラス基板の上に熱伝導性に優れた蓄熱用非磁
性層が成膜され、その上にＮｉＰ層が成膜されているの
で、ＮｉＰ層の表面を加熱すると、ＮｉＰ層のみならず
蓄熱用非磁性層も加熱されるため、ＮｉＰ層の温度の急
上昇を防止することができ、ＮｉＰ層の結晶化防止ひい
てはＣｏ合金層の保磁力の低下を防止することができ
る。また、ＮｉＰ層のみに比べて蓄熱用非磁性層を有す
るため、保有熱量が大きくなり、Ｃｒ下地層やＣｏ合金
層の成膜時においても温度低下が生じにくく、保磁力の
向上に資することができる。
【００１０】
【実施例】図１は実施例に係る磁気記録媒体の部分断面
図を示しており、ガラス基板1 の上に蓄熱用非磁性層2
、ＮｉＰ層3 、Ｃｒ下地層5 、磁気記録層6 および非
磁性の保護層7 がこの順序で形成されており、ガラス基
板1 、蓄熱用非磁性層2 およびＮｉＰ層3 とによって媒
体基板4 を構成している。
【００１１】前記ガラス基板1 は表面が平滑に研磨加工
されており、その上に成膜された蓄熱用非磁性層2 は、
熱伝導性および蓄熱性に優れた金属材質、例えばＣｒ,
Ｔｉ又はＣｒＴｉ合金によって形成されている。該蓄熱
用非磁性層2 の厚さは、 300〜1500Å程度がよい。 300
Å未満では、保有熱量が少なく、媒体基板4 の上に積層
するＣｒ下地層5 や磁気記録層6 の成膜中、ＮｉＰ層3
の温度を 250℃程度以上に維持することが困難となる。
一方、1500Åを越えると層表面に大きな凹凸が形成され
るようになる。前記ＮｉＰ層3 の上には、通常、テキス
チャーが施される。テキスチャーは、 100Å程度の凹凸
であるため、これによって蓄熱用非磁性層2 が露出しな
いように、ＮｉＰ層3 の厚さは 250Å程度以上がよい。
上限は特に限定されないが、ＮｉＰ層3 をスパッタリン
グによらず、メッキによって形成する場合は比較的厚く
なる。この場合でも1000Å程度以下でよい。
【００１２】前記Ｃｒ下地層5 は、その上に形成される
磁気記録層6 の一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金（結
晶構造ｈｃｐ）のＣ軸（磁気異方性を示す結晶軸）を面
内配向させるために形成されるもので、通常 500〜2000
Å程度の厚さに形成される。前記磁気記録層6 は、既述
の通り、ＣｏＮｉＣｒ, ＣｏＣｒＴａ, ＣｏＣｒＰｔ等
の一軸結晶磁気異方性を示すＣｏ合金で形成される。
尚、磁気記録層はＣｏ合金を単層に形成したものに限ら
ず、Ｃｏ合金層とＣｒ層とを交互に複層形成したもの
（最上層はＣｏ合金層) でもよい。磁気記録層6 の層厚
（Ｃｏ合金単層ならその層厚、複層ならＣｏ合金層の合
計厚) は通常 600〜 800Åとされる。再生出力の確保と
ノイズ低減のためには、磁気記録媒体としてＢｒδが 4
00〜 500Ｇ・μ程度のものが要求されているからであ
る。
【００１３】前記磁気記録層6 の上にはカーボン等から
なる非磁性の保護層7 が 200〜400Å程度形成されてお
り、更にその上にフッ素化ポリエーテル等の潤滑剤を10
〜50Å程度塗布してもよい。尚、前記保護層7 や潤滑剤
塗布層は必要に応じて形成すればよい。前記媒体基板4
は、通常、ガラス基板1 の上に蓄熱用非磁性層2 および
ＮｉＰ層3 をスパッタリングにより成膜することによっ
て得られるが、既述の通り、ＮｉＰ層3 はメッキによっ
て形成してもよい。媒体基板4 の上にＣｒ下地層5 、磁
気記録層6 を成膜するに際して、ＮｉＰ層3 の表面を赤
外線ヒータ等によって加熱する。加熱温度はＮｉＰが結
晶化しないように 250〜 300℃程度とするのがよい。
尚、抵抗ヒータ等により媒体基板全体を加熱してもよい
が、加熱に長時間かかり、工業的生産には適さない。基
板を加熱後、前記Ｃｒ下地層5 、磁気記録層6 、カーボ
ン系保護層7 を形成する手段としては、スパッタリング
が一般的に行われるが、他の物理気相蒸着法を利用する
こともできる。
【００１４】次に具体的実施例を掲げる。 (1) 結晶化ガラス製のガラス基板にＤＣマグネトロンス
パッタ装置を用いて、Ｃｒ又はＴｉを用いて蓄熱用非磁
性層2 を成膜し、その上にＮｉＰ層3 を形成して、媒体
基板4 を製作した。尚、この成膜に際しては、ガラス基
板の表面を赤外線ヒータにより63Ａ、12.5秒の条件で加
熱した。 (2) 媒体基板4 のＮｉＰ層の表面に、円周方向にテキス
チャリングを施した後、表面を洗浄した。 (3) 上記媒体基板4 を用いて、(1) と同様のスパッタ装
置により、表１に示す条件で赤外線ヒータにより基板表
面を加熱した後、Ｃｒ下地層5 を1200Å、磁気記録層
（Ｃｏ合金単層)6を 650Å、カーボン保護層7 を 250Å
積層成膜した。Ｃｏ合金の組成はat％でＣｏ86Ｃｒ12Ｔ
ａ2 である。また、Ｃｒ下地層5 およびＣｏ合金層6 を
成膜するに際し、基板側に負のバイアス電圧（−300
Ｖ) を印加した。尚、同表中、試料NO.１〜５は本発明
実施例、NO.６及び７は従来例、NO.８及び９は比較例で
ある。
【００１５】
【表１】
【００１６】(4) 得られた資料を用いて保磁力を測定し
た。その結果を同表に併せて示す。同表より、実施例の
NO.１〜５は従来例のNO.６および７に比べて著しく保磁
力が向上していることが分かる。尚、従来例のNO.６の
ＮｉＰ層は結晶化していた。NO.７は結晶化を回避する
ためヒータ電流を９Ａ下げたものであるが、結晶化は生
じなかったものの、加熱温度が低いため保磁力も著しく
低い値に止まった。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の磁気記録媒
体は、その媒体基板がガラス基板の上に熱伝導性に優れ
た蓄熱用非磁性層およびＮｉＰ層を同順序で積層成膜し
たものであるので、蓄熱用非磁性層により、基板加熱時
におけるＮｉＰ層の温度の急上昇を抑えると共に基板の
温度低下を防止することができ、これによって結晶配向
性の良好なＣｒ下地層や磁気記録層の成膜が可能とな
り、ガラス基板の有する平坦性を備え、かつ高保磁力を
有する磁気記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の要部断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ 蓄熱用非磁性層 ３ ＮｉＰ層 ４ 媒体基板 ５ Ｃｒ下地層 ６ 磁気記録層 ７ 保護層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 非磁性の媒体基板の上にＣｒ下地層、磁
    気記録層および保護層が同順序で積層成膜された磁気記
    録媒体において、 前記媒体基板はガラス基板の上に熱伝導性に優れた蓄熱
    用非磁性層およびＮｉＰ層が同順序で積層成膜されてい
    ることを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 蓄熱用非磁性層はＣｒ、Ｔｉ又はＣｒＴ
    ｉ合金で形成されている請求項１に記載した金属薄膜型
    磁気記録媒体。
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