JP2001134929A

JP2001134929A - 磁気記録媒体及び磁気記録装置

Info

Publication number: JP2001134929A
Application number: JP31483599A
Authority: JP
Inventors: Toshitsugu Miyata; 俊継宮田; Masahiro Oka; 正裕岡
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1999-11-05
Filing date: 1999-11-05
Publication date: 2001-05-18

Abstract

(57)【要約】【課題】諸磁気特性（ＰＷ₅₀、Ｓ／Ｎ等）に優れた、
高記録密度磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性基板上に少なくとも種子層及び磁
性層をこの順に設けてなる磁気記録媒体であって、種子
層がＡｌに対してＮｉ含有量の多いＮｉＡｌ合金からな
り、種子層膜厚が１〜５００ｎｍであることを特徴とす
る磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に存
し、詳しくは磁気ディスク装置、フロッピーディスク装
置、磁気テープ装置等の磁気記録装置に用いられる高記
録密度磁気記録媒体に適した磁気記録媒体、およびこれ
を用いた磁気記録装置に存する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置、フロッピーデ
ィスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範
囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これら
の装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密
度の著しい向上が図られている。これらの磁気記録媒体
については、今後更に高記録密度化を達成することが要
求されており、そのために、より優れた信号パルス半値
幅（以下、ＰＷ₅₀と略記する。）、信号対ノイズ比（以
下、Ｓ／Ｎと略記する。）が必要とされている。これら
の要求にこたえる媒体として、現在までにＡｌ合金、ガ
ラスなどの非磁性基板上に、Ｃｒを主成分とする合金を
成膜し、その上にＣｏ合金磁性層を成膜した媒体が各種
提案、実用化されている。なかでも、近年注目を集めて
いるのが、ガラス基板上にＮｉＡｌ合金等のＢ２結晶構
造を有する種子層を設けた磁気記録媒体である。この様
な種子層を設けることによって、その上に設ける磁性層
等の粒径が微細化でき、Ｓ／Ｎが向上するという特徴が
ある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしこのＮｉＡｌ合
金等の種子層に関しては、その最適組成、最適構造など
についてまだ十分な検討は行われておらず、ＰＷ₅₀やＳ
／Ｎについては十分に改良されていないのが現状であ
る。近年の磁気記録媒体の開発競争環境下においては、
ＰＷ₅₀における０．１ｎｓｅｃ、Ｓ／Ｎにおける０．１
ｄＢの改善はきわめて重要であり、このわずかな値の差
が、優れた磁気記録媒体の性能を左右する重要なものと
なっている。本発明は上記実状に鑑みてなされたもので
あって、磁気記録媒体におけるＰＷ₅₀、Ｓ／Ｎのさらな
る改善を目的としてなされたものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題に
ついて鋭意検討した結果、非磁性基板上に設ける種子層
としてＮｉＡｌ合金を用いた際に、Ａｌに対してＮｉ含
有量を多くし、且つ種子層膜厚を１〜５００ｎｍとする
ことによってＰＷ₅₀及びＳ／Ｎを更に改善できることを
みいだし本発明を完成させた。また種子層として、Ｃｕ
Ｋα特性Ｘ線（波長１．５４１８Å）に対するブラッグ
角２θの主要ピークを少なくとも４４．１１８度±１
度及び８１．１７６度±１度の範囲に有し、且つに
おけるピーク強度よりもにおけるピーク強度の方が大
きい、金属又は合金からなる種子層を設けることによっ
て、ＰＷ₅₀及びＳ／Ｎを更に改善できることをみいだ
し、本発明を完成させた。

【０００５】すなわち本発明の要旨は、非磁性基板上に
少なくとも種子層及び磁性層をこの順に設けてなる磁気
記録媒体であって、種子層がＡｌに比べてＮｉ含有量の
多いＮｉＡｌ合金からなり、かつ種子層の厚みが１〜５
００ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体に存す
る。また本発明の他の要旨は、非磁性基板上に少なくと
も種子層、及び磁性層をこの順に設けてなる磁気記録媒
体であって、種子層がＣｕＫα特性Ｘ線（波長１．５４
１８Å）に対するブラッグ角２θの主要ピークを４
４．１１８度±１度及び８１．１７６度±１度の範囲
に有し、におけるピーク強度の方がのそれに対して
大きいことを特徴とする磁気記録媒体に存する。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上にＡｌに比べて
Ｎｉ含有量の多いＮｉＡｌ合金からなる種子層を１〜５
００ｎｍの膜厚で設けることを特徴とする。本発明にお
ける非磁性基板としては通常、必要に応じて無電解メッ
キ等により形成されたＮｉーＰ層を設けたアルミニウム
合金基板又はガラス基板が用いられるが、その他にＳｉ
基板を含む樹脂基板、ポリカーボネート基板等の樹脂基
板、セラミックス基板、炭素基板等の各種非磁性基板を
用いることができる。例えば磁気ディスクにおいては、
ディスクの円周方向に磁気異方性を施す目的で磁気ディ
スクの円周方向に機械テキスチャを施しやすいことか
ら、Ｎｉ−Ｐ層を設けた基板が特に好ましい。また近年
の磁気ディスクの高速回転化に際して問題となるディス
クのぶれ（フラッタリング）抑制からは、より剛性の高
い、すなわちヤング率の大きな結晶化ガラス、強化ガラ
ス等のガラス基板が好ましい。本発明においては、この
様なガラス基板を用いるのが好ましい。

【０００７】非磁性基板の表面は、いずれの基板を用い
る場合においても表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下、更に
は０．５ｎｍ以下であることが好ましい。これは近年の
磁気記録の急激な高密度化により、１ビットあたりの磁
気モーメントが著しく減少しており、そのため磁気モー
メントからの僅かな漏れ磁束を検出するために、通常フ
ライングヘッドとして用いる記録再生用ヘッドのさらな
る低浮上化が余儀なくされるので、基板表面はＲａの小
さい、平滑性に優れた基板であることが重要となる。つ
まり低浮上した該ヘッドと基板表面との衝突確率が小さ
くなり、より有利となるからである。

【０００８】本発明の磁気記録媒体の製造においては、
まず非磁性基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であ
り、その後種子層、磁性層等の各層を設ける。必要に応
じて非磁性基板表面にＮｉ−Ｐ等の非磁性金属被覆層を
設けて、次いで種子層、磁性層等を設けてもよい。非磁
性金属被覆層を形成する手法としては、電解めっき法、
無電解めっき法、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶ
Ｄ法など薄膜形成に用いられる従来の方法を利用するこ
とができる。導電性の材料からなる基板の場合であれば
電解めっきを使用することが可能である。非磁性金属被
覆層の膜厚は任意であるが、通常は５０ｎｍ以上あれば
よい。ただし磁気記録媒体の生産性などを考慮すると５
０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。さら
に好ましくは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。

【０００９】また非磁性金属被覆層を成膜する領域は基
板表面全域が望ましいが、一部だけ、例えばテキスチャ
リングを施す領域のみでも実施可能である。さらには、
磁気ディスク等において磁気異方性を高めるために、基
板表面又は非磁性金属被覆層が形成された基板表面に同
心状テキスチャリングを施してもよい。ここで同心状テ
キスチャリングとは、例えば遊離砥粒とテキスチャーテ
ープを使用した機械式テキスチャリングやレーザー光線
などを利用したテキスチャリング加工、又はこれらを併
用することによって、円周方向に研磨することによって
基板円周方向に微小溝を多数形成した状態を指称する。

【００１０】機械的テキスチャリングを施すための遊離
砥粒の種類としてはダイアモンド砥粒、中でも表面がグ
ラファイト化処理されているものが最も好ましい。機械
的テキスチャリングに用いられる砥粒としては他にアル
ミナ砥粒が広く用いられているが、特にテキスチャリン
グ溝に沿って磁化容易軸を配向させるという観点から考
えるとダイアモンド砥粒が極めて良い性能を発揮する。
本発明においては、非磁性基板上又は非磁性金属被覆層
上にＡｌに比べてＮｉ含有量が多く、かつその膜厚が１
〜５００ｎｍのＮｉＡｌ種子層も設ける。このようなＮ
ｉＡｌ種子層を設けることによって、その上に設けるＣ
ｏ合金磁性層の結晶配向を制御することができる。

【００１１】本発明におけるＮｉＡｌ種子層はＡｌに比
べてＮｉ含有量が多く、その原子重量比は好ましくは５
１：４９〜８０：２０、特に好ましくは５１：４９〜７
０：３０である。膜厚は１〜５００ｎｍであり、中でも
１０〜３００ｎｍ、特に３０〜１００ｎｍが好ましい。
１ｎｍに満たないとＮｉＡｌの結晶粒子が十分に成長し
ていないことがあり、その上に形成するＣｒ下地層やＣ
ｏ合金磁性層の結晶粒子が好ましいものとならないこと
がある。また、５００ｎｍを超えるとＮｉＡｌ層の結晶
粒子が粗大化することがあり、その上に形成するＣｒ下
地層やＣｏ合金磁性層の結晶粒子も粗大化し、ＰＷ₅₀、
Ｓ／Ｎが劣化することがある。ＮｉＡｌ合金におけるＮ
ｉ含有量がＡｌ含有量より多いことによって、ＮｉＡｌ
合金のＸ線回折プロファイルにおけるＮｉＡｌ（１１
０）面に対応した回折ピークの強度が増加、すなわちＮ
ｉＡｌ（１１０）面優先配向が強化される。これはその
上に形成するＣｏ合金のエピタキシャル成長にとって極
めて重要であり、ＮｉＡｌ（１１０）面優先配向が強化
されるに伴い、予期せぬことにＣｏ（１００）面が強化
されると同時にＣｏ（００２）面が抑制され、Ｃ軸がよ
り強く面内に配向したＣｏ合金磁性層が形成されるので
ある。ＮｉＡｌ合金におけるＮｉとＡｌの原子重量比を
上述した範囲内とすることで、よりＮｉＡｌ（１１０）
面優先配向が強化されるので好ましい。

【００１２】また種子層として、金属または合金からな
り、ＣｕＫα特性Ｘ線（波長１．５４１８Å）に対する
ブラッグ角２θ（以下、Ｘ線回折プロファイル）の主要
ピークを少なくとも４４．１１８度±１度、及び８１．
１７６度±１度の範囲に有し、４４．１１８度±１度の
範囲におけるピークの方が大きい種子層を設けること
で、磁気記録媒体のＰＷ₅₀やＳ／Ｎを向上させることが
できるので好ましい。Ｘ線回折プロファイルにおける４
４．１１８度±１度の範囲における主要ピークに対応す
る結晶面を優先配向させることは、その上に形成するＣ
ｒ又はＣｒ合金からなる下地層やＣｏ合金磁性層のエピ
タキシャル成長にとって極めて重要であり、この面の配
向が強化されるに伴って、Ｃｏ（１００）面が強化さ
れ、同時にＣｏ（００２）面が抑制されることから、Ｃ
軸がより強く面内に配向したＣｏ合金磁性層が形成され
るからである。尚、本発明においてはＸ線源としてＣｕ
Ｋα，電圧、電流がそれぞれ５０ｋＶ、２００ｍＡのも
のを用いる。測定中の試料は回転させず、Ｘ線回折装置
におけるθ角および２θ角の走査方法はｃｏｎｔｉｎｕ
ｏｓｓｃａｎ（ｓａｍｐｌｉｎｇ幅：０．０５°、走査
速度：３°／ｍｉｎ、発散スリット：１°、散乱スリッ
ト：１°、受光スリット０．３ｍｍ）、ｓｔｅｐｓｃａ
ｎ（ｓｔｅｐ幅：０．０１°、走査速度：３ｓｅｃ／ｓ
ｔｅｐ、発散スリット：１°、散乱スリット：１°、受
光スリット０．３ｍｍ）のうちいずれかの方法で行うも
のとする。

【００１３】上述してきたＮｉＡｌ種子層についても、
この様なＸ線回折プロファイルとなることが好ましく、
このためには上述した通りのＮｉＡｌ原子重量比とし、
且つ膜厚を１〜５００ｎｍ、中でも１０〜３００、特に
３０〜１００ｎｍとするのが好ましい。

【００１４】本発明におけるＮｉＡｌ種子層は、Ｂ２構
造（立方体の４つの頂点にＡｌ原子が、またその中心に
はＮｉ原子を配置する結晶構造）を有し、かつ（１１
０）面に優先配向するので、その上にＣｒ又はＣｒ合金
からなる下地層を設けることが好ましい。これは、この
下地層がＢＣＣ構造（立方体の４つの頂点とその中心に
原子を配置する体心立方格子構造、（１１２）面優先配
向）を有するので、ＮｉＡｌ（１１０）面配向が強化さ
れて成長したＮｉＡｌ種子層上に形成されることで、下
地層のエピタキシャル成長が促進され、下地層の上に形
成されるＣｏ合金磁性層における（００２）配向の抑制
と（１００）配向の強化がより強く同時に行われ、Ｃ軸
がより強く面内に配向した、高記録密度媒体に適したＣ
ｏ合金磁性層が形成されるからである。

【００１５】またさらに、下地層との結晶格子定数のマ
ッチング、耐酸化性、合金組織の粒界偏析の促進等を改
善するために、ＮｉＡｌ種子層において２０原子％以下
の範囲でＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｂ等の元素を１種以上添加しても
よい。下地層としては、純Ｃｒの他、Ｃｒに第二、第三
元素を添加した合金などを使用し、Ｃｒ合金としてはＣ
ｒ−Ｘ系合金（ＸはＴｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｍｏ、Ｓｉ、
Ｎｂ、Ｚｒ、Ｂなどから選ばれる１種又は２種以上の元
素）が好ましい。これらの第二、第三元素の含有量は、
それぞれの元素によって最適な量が異なるが、一般には
１〜５０原子％、好ましくは５〜３０原子％、更に好ま
しくは５〜２０原子％である。下地層の膜厚は磁気記録
媒体の電磁特性等の要求に応じて適宜決めればよいが、
通常は１〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍであ
る。

【００１６】磁性層としては通常、Ｃｏ、ＣｏＣｒＴａ
系合金、ＣｏＣｒＢ系合金、ＣｏＮｉＣｒ系合金等が挙
げられる。さらには、磁気異方性を大きくするために、
これらにＰｔを添加したＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒＴａ
Ｐｔ系合金、ＣｏＣｒＢＰｔ系合金などのＣｏ磁性合金
材料も用いられる。これらのＣｏ磁性合金に更にＮｉ、
Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂなどの元素やＳｉＯ₂等の化
合物を加えても良く、この際には磁性層は、Ｃｏ磁性合
金が分散層、ＳｉＯ₂等が連続層となったグラニュラー
状態であってもよい。Ｃｏ合金磁性層の膜厚は磁気記録
媒体の特性に応じて適宜決定すればよいが、通常５〜５
０ｎｍ、中でも５〜５０ｎｍ、特に１０〜２５ｎｍが好
ましい。また、磁性層を連続で２層以上重ねてもよく、
磁性層を非磁性層を介して２層以上重ねてもよい。

【００１７】通常の場合、磁性層成膜後にカーボン等の
保護層を形成し、その後潤滑材を塗布するのが一般的で
ある。保護層としては、蒸着、スパッタ、プラズマＣＶ
Ｄ、湿式法などの方法により、炭素膜、水素化あるいは
窒素化カーボン膜、ＳｉＣ等の炭化物膜、ＴｉＮ等の窒
化物膜、ＳｉＯ₂等の酸化物膜等が、通常５〜３０ｎｍ
の厚さで形成される。潤滑剤としては、フッ素系潤滑
剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が、通常１
〜４ｎｍの厚さで形成される。

【００１８】なお本発明においては、その要旨を超えな
い範囲で、例えば上述の様に磁性層を２種以上の積層構
造としたもの、Ｃｒ又はＣｒ合金下地層を複数層の積層
構造としたもの、Ｃｒ又はＣｒ合金下地層と磁性層との
間にさらに非磁性ＣｏＣｒ等の中間層を設けて積層構造
としたもの等であってもよい。本発明において種子層、
下地層、磁性層等を形成する成膜装置の構成としては、
排気系ポンプにより到達真空度が１×１０^-6Ｔｏｒｒ以
下にまで排気可能な成膜装置であることが好ましい。成
膜装置の材質はステンレス、Ａｌなど従来公知の任意の
金属材料を用いればよい。さらに成膜雰囲気をより清浄
な条件とするために、成膜装置内壁あるいはガス配管内
壁に特殊な表面処理を施してもよい。排気系は例えば、
ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプ等の
メインポンプと、その後ろを排気するドライポンプ、ロ
ータリーポンプ、スクリュウポンプ等のバックポンプか
ら構成され、場合によってはそれらのポンプの負荷をさ
らに軽減するために、間にもう１つポンプを挿入するこ
とも可能である。成膜方法としては、スパッタリング
法、分子ビームエピタキシー法、イオンビームスパッタ
リング法、真空蒸着法など、従来公知の成膜方法を用い
ればよい。たとえばスパッタリングにおいては、スパッ
タリング装置のカソード構造としてターゲットと基板が
平行の配置となるプレーナー式、一対のターゲットが互
いに向かい合って基板を一対のターゲットの中心軸の垂
直二等分線上の位置に配置する対向ターゲット式いずれ
の方式を用いてもよい。スパッタリング装置のカソード
電源としては、ＤＣ電源、ＲＦ電源いずれを用いてもよ
い。基板からターゲットまでの距離は、目的の磁気記録
媒体を得るために適宜決定すればよい。さらに、成膜用
の真空槽の前に、予備的な真空槽を設置してもよく、真
空槽の配列は目的に応じて１個あるいは２個以上を連ね
た構造としてもよい。

【００１９】種子層、下地層、磁性層等の形成方法とし
ては、高周波又は直流スパッタ、高周波又は直流マグネ
トロンスパッタ、高周波と直流結合型スパッタ、ＥＣＲ
スパッタ、真空蒸着などの成膜方式のいずれでも良い。
また、成膜時の条件としても特に制限はなく、到達真空
度、基板加熱の方式と基板温度、スパッタリングガス
圧、バイアス電圧等は、成膜装置により適宜に決定され
る。例えば、スパッタリング成膜では、通常の場合、到
達真空度は１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下、基板温度は室温〜
４００℃、スパッタリングガス圧は１×１０^-3〜２０×
１０^-3Ｔｏｒｒ、バイアス電圧は０〜５００Ｖで成膜さ
れる。

【００２０】上述したような成膜方法にあたっては、成
膜装置の構成を考慮して最適な製造条件を決定すればよ
い。成膜に当たっては、磁性層のＣｒの偏析を促進する
ために、基板を１００〜３５０℃程度に加熱することが
好ましい。基板加熱は下地層成膜前に行っても良いし、
熱吸収率が低い透明な基板を使用する場合には、熱吸収
率を高くするためにＮｉＡｌ種子層を成膜した後に加熱
しても良い。またＮｉＡｌ種子層の上にＣｒ又はＣｒ合
金下地層を形成してから基板を加熱し、しかる後に第２
の同様の下地層を形成しても良い。さらには、ＮｉＡｌ
種子層を成膜した後、一旦大気中に取り出し、再び成膜
装置に挿入し、排気、基板加熱後、磁性層の成膜を行っ
てもよい。そして磁性層のＣｒの偏析をさらに促進する
ために、成膜後に再度加熱を行ってもよい。

【００２１】本発明の磁気記録装置は、少なくとも上述
してきた磁気記録媒体と、これを記録方向に駆動する駆
動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘ
ッドを磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、磁
気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生
を行うための記録再生信号処理手段を有する磁気記憶装
置である。上述の磁気ヘッドの再生部をＭＲヘッドで構
成することにより、高記録密度においても十分な信号強
度を得ることができ、１平方インチ当たり２ギガビット
以上の高記録密度を持った磁気記憶装置を実現すること
ができる。またこの磁気ヘッドを、浮上量が０．０１μ
ｍ以上０．０５μｍ未満と、従来より低い高さで浮上さ
せると、出力が向上して高い装置Ｓ／Ｎが得られ、大容
量で高信頼性の磁気記憶装置を提供することができる。
また、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせると
さらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度１０
ｋＴＰＩ以上、線記録密度２００ｋＦＣＩ以上、１平方
インチ当たり２Ｇビット以上の記録密度で記録・再生す
る場合にも十分なＳ／Ｎが得られる。

【００２２】さらに磁気ヘッドの再生部を、互いの磁化
方向が外部磁界によって相対的に変化することによって
大きな抵抗変化を生じる複数の導電性磁性層と、その導
電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層からなるＧ
ＭＲヘッド、あるいはスピン・バルブ効果を利用したＧ
ＭＲヘッドとすることにより、信号強度をさらに高める
ことができ、１平方インチ当たり３ギガビット以上、２
４０ｋＦＣＩ以上の線記録密度を持った信頼性の高い磁
気記憶装置の実現が可能となる。

【００２３】本発明によれば、非磁性基板上に種子層と
してＡｌに比べてＮｉ含有量が多くかつ、その厚みが１
〜５００ｎｍのＮｉＡｌ種子層を設け、好ましくはＣｒ
又はＣｒ合金からなる下地層を形成し、ついで磁性層を
形成することによって、より強く（１００）配向した磁
性層が得られる。これにより、磁気記録媒体のＰＷ₅₀、
Ｓ／Ｎを大幅に改善することができる。

【００２４】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。

【００２５】実施例１内径２０ｍｍ、外形６５ｍｍのガラスディスク基板を表
面研磨してＲａ（中心線平均粗さ）約０．４〜０．５ｎ
ｍに仕上げた。この非磁性基板を直流マグネトロンスパ
ッタ装置の前室に装着して排気し、真空圧が５×１０^-5
Ｔｏｒｒ以下に到達した後、真空圧が５×１０^-7Ｔｏｒ
ｒ以下の高真空成膜室に導入した。その後、基板温度を
２５０℃まで昇温し、Ａｒガスを５×１０^-3Ｔｏｒｒま
で導入した後、スパッタリングによって５２．８Ｎｉ−
４７．２Ａｌ合金のＮｉＡｌ種子層を６０ｎｍ形成し、
その上にＣｒ下地層を１０ｎｍ形成した。そして引き続
き、６６Ｃｏ−２０Ｃｒ−６Ｂ−８Ｐｔ（原子％）のＣ
ｏＣｒＢＰｔ（以下、Ｃｏと略して記する）合金磁性層
を１８〜２３ｎｍ成膜することにより、残留磁化（Ｂｒ
ｔ）と膜厚（ｔ）の積であるＢｒ＊ｔが５５〜７５Ｇ＊
μｍの磁気記録媒体を作成し、そのＰＷ₅₀、Ｓ／Ｎを測
定した。結果を表１に示す。尚、ＰＷ₅₀、Ｓ／Ｎの測定
はＧｕｚｉｋで行った。

【００２６】比較例１５２．８Ｎｉ−４７．２Ａｌ合金種子層６０ｎｍを設け
る代わりに、５０Ｎｉ−５０Ａｌ合金種子層を６０ｎｍ
形成した以外は、実施例１と同様に磁気記録媒体を作成
し、ＰＷ₅₀、Ｓ／Ｎを測定した。結果を表１に示す。

【００２７】比較例２５２．８Ｎｉ−４７．２Ａｌ合金種子層６０ｎｍを設け
る代わりに、４５．８Ｎｉ−５４．２Ａｌ合金種子層を
６０ｎｍを形成した以外は、実施例１と同様に磁気記録
媒体を作成し、ＰＷ₅₀、Ｓ／Ｎを測定した。結果を表１
に示す。

【００２８】

【表１】表１ＮｉＡｌ種子層ＰＷ₅₀(nsec) Ｓ／Ｎ(dB) 実施例１５２．８Ｎｉ−４７．２Ａｌ２０．６２７．８比較例１５０Ｎｉ−５０Ａｌ２１．２２７．５比較例２４５．８Ｎｉ−５４．２Ａｌ２１．５２７．３

【００２９】さらに、これら実施例及び比較例における
種子層のＸ線回折プロファイルを図１に纏めた。測定条
件は、測定中の試料は回転させず、ＣｕＫα特性Ｘ線
（波長１．５４１８Å）を用い、Ｘ線回折装置における
θ角および２θ角の走査方法はｃｏｎｔｉｎｕｏｓｓｃ
ａｎ（ｓａｍｐｌｉｎｇ幅：０．０５°、走査速度：
３．０００°／ｍｉｎ、発散スリット：１°、散乱スリ
ット：１°、受光スリット０．３０ｍｍ）にて行った。

【００３０】主要ピークの位置（２θ）は以下の通りで
ある。実施例１：４０．８４８、４３．７０１、８１．２５０比較例１４１．６９２、４３．７４６、８１．２０１比較例２４１．５８３、４３．６９９、６４．３４８、８１．１４８

【００３１】図１からも明らかなとおり、上述のＸ線に
対するブラッグ角２θの主要ピークについて、実施例１
においては（４４．１１８度±１度の範囲にあるＮｉ
Ａｌ（１１０）に相当する主要ピーク）の方が、（８
１．１７６度±１度の範囲にあるＮｉＡｌ（２１１）に
相当する主要ピーク）に比べて大きく、比較例において
はとの強度は同等程度（比較例１）か、又はの方
が大きい（比較例２）。そしてまたＰＷ₅₀及びＳ／Ｎを
比較しても、実施例１の方が比較例１及び２よりも優れ
ていることは明らかである。

【００３２】以上の実験結果から、非磁性基板上に少な
くとも種子層、下地層、及び磁性層をこの順に設けてな
る磁気記録媒体であって、種子層がＡｌに比べてＮｉ含
有量の多いＮｉＡｌ合金でありかつ、種子層の厚みが１
〜５００ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体の実
施例におけるＰＷ₅₀、Ｓ／Ｎが、他の比較例のそれと比
べて優れていることがわかる。

【００３３】

【発明の効果】上記記述した通り、本発明の磁気記録媒
体によれば、従来の構成の磁気記録媒体に比べ、著しく
優れたＰＷ₅₀、Ｓ／Ｎを示し、高密度記録に適した磁気
記録媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例及び比較例における種子層のＸ線回折プ
ロファイルである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に少なくとも種子層及び磁
性層をこの順に設けてなる磁気記録媒体であって、種子
層がＡｌに対してＮｉ含有量の多いＮｉＡｌ合金からな
り、種子層膜厚が１〜５００ｎｍであることを特徴とす
る磁気記録媒体。
【請求項２】ＮｉＡｌ合金におけるＮｉとＡｌの原子
重量比が５１：４９〜８０：２０であることを特徴とす
る請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】非磁性基板の表面粗さ（Ｒａ）が１〜１
００ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記
載の磁気記録媒体。
【請求項４】非磁性基板がガラス基板であることを特
徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気記録媒
体。
【請求項５】種子層と磁性層との間に、さらにＣｒ又
はＣｒ合金からなる下地層を有することを特徴とする請
求項１乃至４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項６】非磁性基板上に少なくとも種子層及び磁
性層をこの順に設けてなる磁気記録媒体であって、種子
層が金属又は合金からなる層であって、かつＣｕＫα特
性Ｘ線（波長１．５４１８Å）に対するブラッグ角２θ
の主要ピークを少なくとも以下のおよびの範囲に有
し、におけるピーク強度よりもにおけるピーク強度
の方が大きいことを特徴とする磁気記録媒体。：４４．１１８度±１度、：８１．１７６度±１度
【請求項７】磁気記録媒体と、少なくとも磁気記録媒
体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部から
なる磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して
相対運動させる手段と、磁気ヘッドへの記録信号入力と
磁気ヘッドからの再生信号出力を行うための記録再生信
号処理手段を有する磁気記憶装置において、磁気記録媒
体が請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気記録媒体で
あることを特徴とする磁気記録装置。