JPH09138930A - 磁気記録媒体および磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板との接着性がすぐれ、高い磁気特性を有す
る磁気記録媒体およびこれを用いた大容量、高信頼性の
磁気記録装置を提供する。 【解決手段】基板１１上に形成される下地層１２、１３
を二層構造とし、基板に近い側に配置された第一の下地
層１２、１２’の比熱を、その上に積層して形成された
第二の下地層１３、１３’の比熱より大きくする。 【効果】基板１１と下地層１２の密着性が改善されて剥
離の恐れがなく、かつ磁気特性が向上して、高密度記録
が可能で高い信頼性を有する磁気記録媒体および大容量
磁気記録装置が実現された。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体および
磁気記録装置に関し、詳しくは、リジッド型磁気ディス
ク装置およびカード型磁気記録装置などに特に好適な、
磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、近年における情報量の増
加にともなって、磁気記録装置には一層の大容量化が要
求されている一方、小型化の要求も強い。小型化された
磁気記録装置は、可搬型コンピュータ等に搭載されるこ
とも多く、落下等の機械的衝撃によって磁気記録装置が
損傷しないように、高い耐衝撃性を備えている必要があ
る。これに対応するために、磁気記録媒体の基板とし
て、ＮｉＰをメッキしたＡｌ合金基板に代えて、より降
伏強度の高い強化ガラスや結晶化ガラス基板が使用され
つつある。

【０００３】高密度記録に必要な磁気特性を得るために
は、基板をある程度加熱して、配向制御層および磁性層
を形成する必要がある。しかし、このような加熱を行な
うと、赤外線吸収率が低いガラスは十分加熱され難い、
加熱中の基板表面からガスが発生して配向制御層の結晶
性が損なわれる、および基板表面に存在するアルカリ土
類金属の影響によって記録媒体が腐食されるなどいくつ
かの障害が発生する。このような障害を抑制するため、
基板の表面上に下地層を設ける手法が、例えば特開平３
−９５７２５号および特開平６−２４３４５２号に提案
されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の下
地層は、基板との密着性が不良である、および得られる
磁気特性が低いという問題があった。すなわち、本発明
者の検討によると、上記密着性の不良は、加熱によって
アルカリ土類金属が基板内部から基板表面に拡散し、基
板と下地層との間に反応生成物が形成されて体積膨張が
生じ、下地層の剥離を起こすために生ずることが明らか
になった。また、上記磁気特性の低下の原因は、下地層
の表面温度が十分に高くないため、下地層上に配向制御
層および磁性層を積層して形成すると、各層の結晶性や
結晶配向性に乱れが多くなり、そのため、記録媒体の保
磁力が小さく、しかも結晶粒が大きいので、ノイズが大
きくなり易いためであることが明らかになった。

【０００５】本発明の目的は、上記従来技術の有する問
題を解決し、基板と下地層の密着性がすぐれ、かつ十分
高い磁気特性を有し、高密度記録が可能な磁気記録媒体
およびこのような磁気記録媒体を用いた、信頼性の高い
大容量磁気記録装置を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１の手段は、基板上に順次積層して形成された少な
くとも二層の下地層、少なくとも一層の磁性層、保護被
覆層および潤滑層を少なくとも具備し、上記下地層のう
ち、上記基板に近い側に配置された第一の下地層の比熱
が、上記基板から遠い側に配置された第二の下地層の比
熱より大きいことを特徴とする磁気記録媒体であり、こ
れにより極めて好ましい結果が得られ、上記本発明の目
的は達成される。

【０００７】すなわち、上記基板に近い側に配置された
第一の下地層の比熱を、上記基板から遠い側に配置され
た第二の下地層の比熱より大きくすることにより、基板
内部および基板表面の温度を過度に上昇させることなし
に、配向制御層および磁性層の温度を十分高くできる。
これにより、第１の下地層と基板の密着性が向上して、
第一の下地層の剥がれが防止されるとともに、配向制御
層や磁性層における結晶性や結晶配向性の乱れの発生が
防止されて、保磁力が大きく、高密度記録が可能な磁気
記録媒体が実現される。

【０００８】上記目的を達成するための第２の手段は、
上記第２の下地層と上記磁性層の間には配向制御層が介
在していることを特徴とする磁気記録媒体であり、この
ようにすることによって極めて好ましい結果が得られ、
上記目的は達成される。

【０００９】上記目的を達成するための第３の手段は、
上記第一の下地層の、摂氏０度から摂氏１００度におけ
る平均比熱が、０．４Ｊ／ｇ／Ｋ以上、０．９２Ｊ／ｇ
／Ｋ以下であり、上記第二の下地層の、摂氏０度から摂
氏１００度における平均比熱が、０．１３Ｊ／ｇ／Ｋ以
上、０．３５／ｇ／Ｋ以下であることを特徴とする磁気
記録媒体であり、これにより極めて好ましい結果が得ら
れ、上記目的は達成される。

【００１０】上記目的を達成するための第４の手段は、
上記第一の下地層および上記第２の下地層の膜厚は、そ
れぞれ１ｎｍ以上１００ｎｍ以下および１ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体であ
り、これにより極めて好ましい結果が得られ、上記目的
は達成される。

【００１１】上記目的を達成するための第５の手段は、
上記第一の下地層は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｍ
ｎおよびＣからなる群から選択された材料からなる膜で
あり、上記第二の下地層は、Ｚｒ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｎｂ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、ＲｅおよびＷからなる
群から選択された材料からなる膜であることを特徴とす
る磁気記録媒体であり、これにより極めて好ましい結果
が得られ、上記目的は達成される。

【００１２】上記目的を達成するための第６の手段は、
上記配向制御層は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｒ
−Ｖ、Ｃｒ−Ｓｉ、Ｃｒ−Ｗ、ＣおよびＮｉ−Ｐからな
る群から選択された材料からなる膜であることを特徴と
する磁気記録媒体であり、これにより極めて好ましい結
果が得られ、上記目的は達成される。

【００１３】上記目的を達成するための第７の手段は、
上記基板は厚さが０．１ｍｍ以上、２ｍｍ以下であるガ
ラスからなることを特徴とする磁気記録媒体であり、こ
れにより極めて好ましい結果が得られ、上記目的は達成
される。

【００１４】上記目的を達成するための第８の手段は、
上記磁気記録媒体を少なくとも一つ有し、金属磁性合金
を少なくとも磁気コアの一部として含む磁気ヘッドを少
なくとも有する磁気記録装置であり、これにより極めて
好ましい結果が得られ、上記目的は達成される。

【００１５】上記目的を達成するための第９の手段は、
上記磁気記録媒体を少なくとも一つ有し、磁気抵抗効果
素子を少なくとも再生部に含む磁気ヘッドとを少なくと
も有する磁気記録装置であり、これにより極めて好まし
い結果が得られ、上記目的は達成される。

【００１６】上記目的を達成するための第１０の手段
は、上記磁気ヘッドのスライダ材は、ジルコニア、アル
ミナチタンカーバイドおよびフェライトからなる群から
選択された材料を主たる成分とすることを特徴とする磁
気記録装置であり、これにより極めて好ましい結果が得
られ、上記目的は達成される。

【００１７】上記目的を達成するための第１１の手段
は、上記磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面に、Ｃ、Ｓ
ｉ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃からなる群から選
択された材料からなる被覆層を有していることを特徴と
する磁気記録装置であり、これにより極めて好ましい結
果が得られ、上記目的は達成される。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明は、基板に近い側の第一の
下地層の比熱を、基板から遠い側の第二の下地層の比熱
より大きくすることによって、第一の下地層の剥がれを
防止するとともに、高密度記録を可能とし、高い信頼性
を有する磁気記録媒体およびこれを用いた大容量磁気記
録装置を実現するものであって、本発明の効果は下記作
用によって得られる。

【００１９】磁気記録材の磁気特性を向上するには、配
向制御層および／または磁性層を形成する際の基板温度
を高くすることが有効である。これは、基板温度が高い
と、それにともなって配向制御層および／または磁性層
の温度が上昇し、その結果、配向制御層および／または
磁性層の結晶性や結晶配向性が向上して、大きな保磁力
が得られ、しかも磁性結晶粒が均一かつ微細化して、ノ
イズが低下するためである。

【００２０】しかし、比熱の小さな材料を下地層として
用いると、加熱によって基板内部の温度および基板の表
面の温度の両者がいずれも過度に上昇して、基板中のア
ルカリ土類金属が基板内部から基板表面に拡散され、基
板の表面と下地層の間に、反応生成物が形成されて体積
膨張が生じ、膜剥がれが起こり易くなる。

【００２１】本発明では、比熱が大きな材料からなる第
一の下地層が、基板の表面に接して形成されているの
で、基板表面および基板内部における過度の温度上昇が
抑制される。そのため、基板中のアルカリ土類金属の拡
散およびそれにともなう上記反応生成物の形成は効果的
に抑制されて、膜剥がれの発生は防止される。

【００２２】一方、比熱の小さな材料からなる膜が、第
二の下地層として上記第１の下地層の上に設けられてい
るので、配向制御層および／または磁性層の温度は、上
記加熱によって効果的に上昇し、そのため、高い磁気特
性を得ることができる。

【００２３】すなわち、本発明においては、下地層が比
熱の大きい第１の下地層と、比熱が第１の下地層より小
さい第２の下地層からなる二層膜から構成されているの
で、基板自体の温度上昇は抑制されるにもかかわらず、
配向制御層および／または磁性層は十分高い温度にな
り、そのため、基板と下地層の密着性の改善と高い磁気
特性が同時に実現される。

【００２４】基板側に近い上記第一の下地層の、０度℃
から１００℃における平均比熱が、０．４Ｊ／ｇ／Ｋ以
上であると、上記基板自体の温度上昇は効果的に抑制さ
れ、基板と下地層の十分な密着性が得られるので、極め
て好ましい。第一の下地層の比熱は大きいほど好ましい
が、比熱の上限は、第１の下地層として使用することが
できる材料によって制限され、その値はＡｌの比熱であ
る０．９２Ｊ／ｇ／Ｋである。

【００２５】また、上記第二の下地層の０℃から１００
℃における平均比熱を、０．３５Ｊ／ｇ／Ｋ以下にすれ
ば、上記配向制御層および／または磁性層の温度は十分
高くなり、高い磁気特性が得られるので極めて好まし
い。しかし、上記第一の下地層の場合と同様に、第二の
下地層の比熱の下限は、使用することができる材料によ
って制限され、その値はＡｕの比熱である０．１３Ｊ／
ｇ／Ｋであ。

【００２６】なお、本明細書において、平均比熱とは、
日本工業規格Ｚ９２１１に示されている定義に準拠し
た。各下地層の比熱は、別に用意した単層膜を、カロリ
メータやＤＳＣ等を用いて容易に測定できる。また、出
版されたデータ（例えば、日本金属学会編金属データブ
ック等）を参照しても実用上差し支えない。

【００２７】本発明の磁気記録媒体と、磁気コアまたは
再生部の一部に金属磁性合金または磁気抵抗効果素子を
少なくとも含み、実質的にジルコニアもしくはアルミナ
チタンカーバイドもしくはフェライトをスライダ材の主
たる成分とする磁気ヘッドを組み合わせることによっ
て、記録容量が従来に比べて１．５倍以上大きく、信頼
性の高い大容量の磁気記録装置が得られた。このような
効果が得られるのは、ジルコニア、アルミナチタンカー
バイドおよびフェライトの熱伝導率が、０．００５ｃａ
ｌ／ｓｅｃ／ｃｍ／ｄｅｇ以上であるため、熱歪や潤滑
剤の熱揮発の発生が少なく、耐摺動特性が向上するため
である。

【００２８】さらに、磁気ヘッドの磁気記録媒体の対向
面にＣ、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂またはＡｌ₂Ｏ₃などか
らなる被覆層を設けると、磁気ヘッドと磁気記録媒体が
接触したときの摩擦係数が、この被覆層によって低減さ
れ、磁気記録装置の信頼性は著しく向上するので、さら
に好ましい。

【００２９】なお、上記基板としては、結晶化ガラスや
強化ガラスなどからなるガラス基板が好適であり、好ま
しい厚さの範囲は０．１ｍｍ〜２ｍｍである。上記配向
制御層、磁性層、保護被覆層そよび潤滑層の厚さは、い
ずれも通常用いられる値から適宜選択すればよい。

【００３０】上記第一の下地層１２、１２’と第二の下
地層１３、１３’としては、例えば、第一の下地層とし
てＣｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、ＭｎおよびＣから選択
された材料を用いることができ、上記第二の下地層とし
ては、Ｚｒ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｍ
ｏ、Ｐｔ、ＲｅおよびＷから選択された材料を用いるこ
とができる。

【００３１】また、上記第１の下地層の比熱が第２の下
地層の比熱より大きいという条件が満足されるならば、
上記第１および第２の下地層を、合金、金属間化合物、
酸化物、窒化物、炭化物、硼化物およびこれらの混合物
等で構成しても良い。

【００３２】上記配向制御層１４、１４’、２３、２
３’としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｒ−
Ｖ、Ｃｒ−Ｓｉ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃ、Ｎｉ−Ｐを用いること
ができ、上記磁性層１５、１５’、２４、２４’として
は、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔ
ａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａを用いることができる。、また、上
記保護被覆層１６、１６’、２５、２５’としては、
Ｃ、炭化物、窒化物、酸化物、硼化物およびこれらの混
合物等を用いることができ、いずれの組合せでも同様の
効果が得られた。また、上記配向制御層、磁性層および
保護被覆層を、それぞれ２層以上で構成しても支障はな
い。また、配向制御層を介せずに、磁性層を下地層上に
直接形成してもよい。

【００３３】

【実施例】

〈実施例１〉図１は本発明の実施例１の磁気記録媒体の
断面図である。中心線平均面粗さ１ｎｍ、直径４８ｍ
ｍ、厚さ０．６３５ｍｍのガラス基板１１上に、周知の
ＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、基板温度２５℃、
アルゴンガス圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ²
という条件で、膜厚５０ｎｍのＣｒ膜からなる第一の下
地層１２、１２’および膜厚１０ｎｍのＺｒ膜からなる
第二の下地層１３、１３’を積層して形成した。Ｃｒ、
Ｚｒの摂氏０度から摂氏１００度における平均比熱はそ
れぞれ、約０．４６Ｊ／ｇ／Ｋ、約０．２９Ｊ／ｇ／Ｋ
である。

【００３４】基板温度を２５０℃に上げ、アルゴンガス
圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ²という条件
で、膜厚３０ｎｍのＣｒ₀．₈₀Ｔｉ₀．₂₀膜からなる配向
制御層１４、１４’および膜厚３０ｎｍのＣｏ₀．₇₂Ｃ
ｒ₀．₂₀Ｐｔ₀．₀₈膜からなる磁性層１５、１５’を積層
して形成した。次に、周知のＤＣマグネトロンスパッタ
法を用い、基板温度１４０℃、アルゴンガス圧１０ｍＴ
ｏｒｒ、投入電力１Ｗ／ｃｍ²という条件で、膜厚１０
ｎｍのカーボン膜からなる保護被覆層１６、１６’を形
成し、さらに末端にＯＨを含む吸着性極性基を有するパ
ーフルオロアルキルポリエーテル膜からなる厚さ４ｎｍ
の潤滑層１７、１７’をその上に形成して、図１に示す
断面構造を有する磁気記録媒体を形成した。

【００３５】得られた磁気記録媒体の、面内円周方向の
保磁力、膜剥がれの有無および上記磁気記録媒体を用い
て作製した磁気記録装置の記録再生特性を、それぞれ測
定した。なお、上記保磁力は振動試料型磁力計によって
測定し、上記膜剥がれの有無は、上記磁気記録媒体の表
面にダイヤモンド針で傷を付けた後、粘着テープによる
密着性試験を行なって調べ、上記記録再生特性は、本実
施例において得られた上記磁気記録媒体を１、２、４ま
たは８枚用い、磁気コアの一部にＮｉＦｅ合金を少なく
とも含み、スライダ材としてジルコニアを主たる成分と
する非磁性材料を用いた薄膜磁気ヘッドを組み合わせて
作製された、図３に示す磁気記録装置を用いて、１２０
ｋＦＣＩの信号を記録再生したときの装置Ｓ／Ｎを測定
して求めた。図３において、符号３０１、３０２、３０
３、３０４は、本実施例で得られた磁気記録媒体、３０
５、３０６、３０７、３０８、３０９、３１０、３１
１、３１２は磁気ヘッド、３１３は可動式ヘッドアー
ム、３１４はボイスコイルモータ、３１５は制御回路、
３１６は位置決め検出回路、３１７はヘッド選択スイッ
チ、３１８は記録再生回路、３１９はコントローラを、
それぞれ示す。

【００３６】その結果、表１に示したように、面内円周
方向の保磁力は２３００Ｏｅ、膜剥がれは認められず、
上記磁気記録装置の記録再生特性は３５ｄＢであり、い
ずれも極めて良好であった。

【００３７】

【表１】

【００３８】〈実施例２〉図１に示したように、中心線
平均面粗さ１ｎｍの直径４８ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ
のガラス基板１１上に、周知のＤＣマグネトロンスパッ
タ法を用い、基板温度２５℃、アルゴンガス圧５ｍＴｏ
ｒｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ²という条件で、膜厚５０
ｎｍのＳｉ膜からなる第一の下地層１２、１２’および
膜厚１０ｎｍのＴａ膜からなる第二の下地層１３、１
３’を積層して形成した。ＳｉおよびＴａの摂氏０度か
ら摂氏１００度における平均比熱は、それぞれ約０．７
３Ｊ／ｇ／Ｋおよび約０．１４Ｊ／ｇ／Ｋである。

【００３９】次に、基板温度を２５０℃に上げ、アルゴ
ンガス圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ²という
で、膜厚３０ｎｍのＣｒ₀．₈₀Ｔｉ₀．₂₀膜からなる配向
制御層１４、１４’、膜厚３０ｎｍのＣｏ₀．₇₂Ｃｒ₀．
₂₀Ｐｔ₀．₀₈膜からなる磁性層１５、１５’を形成した
後、周知のＤＣマグネトロンスパッタ法を用い、基板温
度１４０℃、アルゴンガス圧１０ｍＴｏｒｒ、投入電力
１Ｗ／ｃｍ²という条件で、膜厚１０ｎｍのカーボン膜
からなる保護被覆層１６、１６’を形成し、さらに末端
にＯＨを含む吸着性極性基を有するパーフルオロアルキ
ルポリエーテル膜からなる膜厚４ｎｍの潤滑層１７、１
７’を形成して、図１に示す断面構造を有する磁気記録
媒体を形成した。

【００４０】得られた磁気記録媒体の、面内円周方向の
保磁力、膜剥がれの有無および上記記録再生特性を、上
記実施例１と同じ方法を用いてそれぞれ測定した。その
結果、表１に示したように、面内円周方向の保磁力は２
５００Ｏｅ、膜剥がれは認められず、上記磁気記録装置
の記録再生特性は３８ｄＢであり、いずれも極めて良好
であった。

【００４１】〈実施例３〉図１に示したように、中心線
平均面粗さ１ｎｍの直径４８ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ
のガラス基板１１上に、周知のＤＣマグネトロンスパッ
タ法を用い、基板温度２５℃、アルゴンガス圧５ｍＴｏ
ｒｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ²という条件で、膜厚５０
ｎｍのＣｒ膜からなる第一の下地層１２、１２’および
膜厚１０ｎｍのＧｅ膜からなる第二の下地層１３、１
３’を積層して形成した。ＣｒおよびＧｅの摂氏０度か
ら摂氏１００度における平均比熱はそれぞれ、約０．４
６Ｊ／ｇ／Ｋ、約０．３１Ｊ／ｇ／Ｋである。

【００４２】次に、基板温度を２５０℃に上げ、アルゴ
ンガス圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ²という
条件で、膜厚３０ｎｍのＣｒ₀．₈₀Ｔｉ₀．₂₀膜からなる
配向制御層１４、１４’、膜厚３０ｎｍのＣｏ₀．₇₂Ｃ
ｒ₀．₂₀Ｐｔ₀．₀₈膜からなる磁性層１５、１５’を積層
して形成した後、周知のＤＣマグネトロンスパッタ法を
用い、基板温度１４０℃、アルゴンガス圧１０ｍＴｏｒ
ｒ、投入電力１Ｗ／ｃｍ²という条件で、膜厚１０ｎｍ
のカーボン膜からなる保護被覆層１６、１６’を形成
し、さらに末端にＯＨを含む吸着性極性基を有するパー
フルオロアルキルポリエーテル膜からなる膜厚４ｎｍの
潤滑層１７、１７’を形成して、図１に示す断面構造を
有する磁気記録媒体を形成した。

【００４３】得られた磁気記録媒体の、面内円周方向の
保磁力、膜剥がれの有無および上記記録再生特性を、上
記実施例１と同じ方法を用いてそれぞれ測定した。その
結果、表１に示したように、面内円周方向の保磁力は２
２００Ｏｅ、膜剥がれはなく、上記磁気記録装置の記録
再生特性は３４ｄＢであり、いずれも良好であった。

【００４４】〈比較例１〉図１に示したように、中心線
平均面粗さ１ｎｍの直径４８ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ
のガラス基板１１上に、周知のＤＣマグネトロンスパッ
タ法を用いて、基板温度２５℃、アルゴンガス圧５ｍＴ
ｏｒｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ²という条件で、膜厚５
０ｎｍの第一のＴａ下地層１２、１２’、膜厚１０ｎｍ
のＳｉ膜からなる第二の下地層１３、１３’を積層して
形成した。Ｔａ、Ｓｉの摂氏０度から摂氏１００度にお
ける平均比熱はそれぞれ、約０．１４Ｊ／ｇ／Ｋ、約
０．７３Ｊ／ｇ／Ｋであり、上記実施例１〜３とは異な
って、第１の下地層１２、１２’の比熱は、第二の下地
層１３、１３’の比熱より小さい。

【００４５】次に、基板温度を２５０℃に上げ、アルゴ
ンガス圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ²という
条件で、膜厚３０ｎｍのＣｒ₀．₈₀Ｔｉ₀．₂₀膜からなる
配向制御層１４、１４’および膜厚３０ｎｍのＣｏ₀．
₇₂Ｃｒ₀．₂₀Ｐｔ₀．₀₈膜からなる磁性層１５、１５’を
積層して形成した後、周知のＤＣマグネトロンスパッタ
法を用い、基板温度１４０℃、アルゴンガス圧１０ｍＴ
ｏｒｒ、投入電力１Ｗ／ｃｍ²という条件で、膜厚１０
ｎｍのカーボンからなる保護被覆層１６、１６’を形成
し、さらに末端にＯＨを含む吸着性極性基を有するパー
フルオロアルキルポリエーテル膜からなる膜厚４ｎｍ潤
滑層１７、１７’を形成して、図１に示す断面構造を有
する磁気記録媒体を形成した。

【００４６】得られた磁気記録媒体は、下地層は二層の
積層膜からなり、断面構造は上記実施例１〜３と同じで
あるが、上記のように、第１の下地層１２、１２’の比
熱が、第二の下地層１３、１３’の比熱より小さい。そ
のため、得られた磁気記録媒体の、面内円周方向の保磁
力、膜剥がれの有無およびを上記記録再生特性を、上記
実施例１と同じ方法を用いてそれぞれ測定すると、表１
に示したように、面内円周方向の保磁力は１４００Ｏ
ｅ、膜剥がれの発生が認められ、上記磁気記録装置の記
録再生特性は２１ｄＢであって、いずれも上記実施例１
〜３より劣る結果が得られた。

【００４７】〈比較例２〉図２は本発明の比較例２を示
す断面図である。図２に示したように、中心線平均面粗
さ１ｎｍの直径４８ｍｍφ、厚さ０．６３５ｍｍのガラ
ス基板２１上に、周知のＤＣマグネトロンスパッタ法を
用い、基板温度２５℃、アルゴンガス圧５ｍＴｏｒｒ、
投入電力１０Ｗ／ｃｍ²という条件で、膜厚５０ｎｍの
Ｇｅ膜からなる下地層２２、２２’を形成した。Ｇｅの
摂氏０度から摂氏１００度における平均比熱は約０．３
１Ｊ／ｇ／Ｋである。

【００４８】次に、基板温度を２５０℃に上げ、アルゴ
ンガス圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力１０Ｗ／ｃｍ²という
条件で、膜厚３０ｎｍのＣｒ₀．₈₀Ｔｉ₀．₂₀膜からなる
配向制御層２３、２３’および膜厚３０ｎｍのＣｏ₀．
₇₂Ｃｒ₀．₂₀Ｐｔ₀．₀₈膜からなる磁性層２４、２４’を
形成した後、周知のＤＣマグネトロンスパッタ法を用
い、基板温度１４０℃、アルゴンガス圧１０ｍＴｏｒ
ｒ、投入電力１Ｗ／ｃｍ²という条件で、膜厚１０ｎｍ
のカーボン膜からなる保護被覆層２５、２５’を形成
し、さらに末端にＯＨを含む吸着性極性基を有するパー
フルオロアルキルポリエーテル膜からなる膜厚４ｎｍの
潤滑層２６、２６’を形成して、図２に示す断面構造を
有する磁気記録媒体を形成した。

【００４９】得られた磁気記録媒体は、本発明と異な
り、下地層２２、２２’が二層の積層膜ではなく、単層
膜からなっている。そのため、本比較例で得られた磁気
記録媒体の、面内円周方向の保磁力、膜剥がれの有無お
よびを上記記録再生特性を、上記実施例１と同じ方法を
用いてそれぞれ測定すると、表１に示したように、面内
円周方向の保磁力は２０００Ｏｅ、膜剥がれの発生が認
められ、上記磁気記録装置の記録再生特性は３０ｄＢで
あって、いずれも上記実施例１〜３より劣る結果が得ら
れた。

【００５０】表１から明らかなように、実施例１〜３の
磁気記録媒体は、比較例１、２の磁気記録媒体に比べ、
いずれも保磁力が高く、記録再生特性は格段に優れ、さ
らに耐衝撃性も優れており、本発明の磁気記録媒体が、
従来の磁気記録媒体よりはるかにすぐれていることが確
認された。

【００５１】〈実施例４〉上記施例１〜３および比較例
１、２において、磁気記録媒体の特性の測定に使用した
上記磁気記録装置の薄膜磁気ヘッドを、磁気抵抗効果素
子を再生部に具備し、スライダ材をアルミナチタンカー
バイドを主たる成分として用いた非磁性材料とした記録
再生分離型磁気ヘッドに代え、上記実施例１と同じ方法
で記録再生特性を評価したところ、装置Ｓ／Ｎが１．５
倍以上向上した。

【００５２】上記実施例１〜３において得られた磁気記
録媒体を、磁気抵抗効果素子を再生部に含む記録再生分
離型磁気ヘッドと組合せると、磁気記録媒体のＳ／Ｎが
大きいため、磁気ヘッドの浮上量を大きくすることがで
き、信頼性の高い磁気記録装置が実現できた。エラーが
生じるまでの平均装置寿命は、従来の記録媒体を用いた
装置に比べ、２〜１０倍以上になり、信頼性が著しく向
上した。磁気抵抗効果素子の表面にＣ、Ｓｉ、Ｓｉ
Ｏ₂、ＺｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等の層を設けると、装置の信頼
性がさらに向上し、極めて好ましい。

【００５３】

【発明の効果】上記のように、本発明によれば、下地層
を二層膜から構成し、基板に近い側の第一の下地層の比
熱を、この第一の下地層の上に積層して形成された第二
の下地層の比熱より大きくすることにより、高い磁気特
性が得られるとともに、下地層と基板との間の接着性が
向上して基板と下地層の剥離が防止される。その結果、
高密度記録が可能な磁気記録媒体および信頼性の高い大
容量磁気記録装置を形成することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１〜３の磁気記録媒体の断面
図、

【図２】本発明の比較例２の磁気記録媒体の断面図、

【図３】本発明の実施例４の磁気記録装置の構成図。

【符号の説明】

１１、２１…基板、１２、１２’…第一の下地層、１
３、１３’…第二の下地層、２２、２２’…下地層、１
４、１４’、２３、２３’…配向制御層、１５、１
５’、２４、２４’…磁性層、１６、１６’、２５、２
５’…保護被覆層、１７、１７’、２６、２６’…潤滑
層、３０１、３０２、３０３、３０４…磁気記録媒体、
３０５、３０６、３０７、３０８、３０９、３１０、３
１１、３１２…磁気ヘッド、３１３…可動式ヘッドアー
ム、３１４…ボイスコイルモータ、３１５…制御回路、
３１６…位置決め検出回路、３１７…ヘッド選択スイッ
チ、３１８…記録再生回路、３１９…コントローラ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 晃 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 深谷 信二 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に順次積層して形成された少なくと
   も二層の下地層、少なくとも一層の磁性層、保護被覆層
   および潤滑層を少なくとも具備し、上記下地層のうち、
   上記基板に近い側に配置された第一の下地層の比熱が、
   上記基板から遠い側に配置された第二の下地層の比熱よ
   り大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】上記第２の下地層と上記磁性層の間には配
   向制御層が介在していることを特徴とする請求項１に記
   載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】上記第一の下地層の、摂氏０度から摂氏１
   ００度における平均比熱が、０．４Ｊ／ｇ／Ｋ以上、
   ０．９２Ｊ／ｇ／Ｋ以下であり、上記第二の下地層の、
   摂氏０度から摂氏１００度における平均比熱が、０．１
   ３Ｊ／ｇ／Ｋ以上、０．３５／ｇ／Ｋ以下であることを
   特徴とする請求項１若しくは２に記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】上記第一の下地層および上記第２の下地層
   の膜厚は、それぞれ１ｎｍ以上１００ｎｍ以下および１
   ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項
   １から３のいずれか一に記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】上記第一の下地層は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、
   Ｖ、Ａｌ、ＭｎおよびＣからなる群から選択された材料
   からなる膜であり、上記第二の下地層は、Ｚｒ、Ｔａ、
   Ｇｅ、Ｎｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｒｅおよ
   びＷからなる群から選択された材料からなる膜であるこ
   とを特徴とする請求項１から４のいずれか一に記載の磁
   気記録媒体。
6. 【請求項６】上記配向制御層は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ
   −Ｔｉ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｓｉ、Ｃｒ−Ｗ、ＣおよびＮ
   ｉ−Ｐからなる群から選択された材料からなる膜である
   ことを特徴とする請求項２から５のいずれか一に記載の
   磁気記録媒体。
7. 【請求項７】上記基板は厚さが０．１ｍｍ以上、２ｍｍ
   以下であるガラスからなることを特徴とする請求項１か
   ら６のいずれか一に記載の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】請求項１から７のいずれか一に記載の磁気
   記録媒体を少なくとも一つ有し、金属磁性合金を少なく
   とも磁気コアの一部として含む磁気ヘッドを少なくとも
   有する磁気記録装置。
9. 【請求項９】請求項１から７のいずれか一に記載の磁気
   記録媒体を少なくとも一つ有し、磁気抵抗効果素子を少
   なくとも再生部に含む磁気ヘッドとを少なくとも有する
   磁気記録装置。
10. 【請求項１０】上記磁気ヘッドのスライダ材は、ジルコ
    ニア、アルミナチタンカーバイドおよびフェライトから
    なる群から選択された材料を主たる成分とすることを特
    徴とする請求項８若しくは９に記載の磁気記録装置。
11. 【請求項１１】上記磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面
    に、Ｃ、Ｓｉ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃からな
    る群から選択された材料からなる被覆層を有しているこ
    とを特徴とする請求項８から１０のいずれか一に記載の
    磁気記録装置。