JPS63160011A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ディスク装置用などの磁気記録媒体に係
り、特に高記録密度に好適で、耐衝撃性。

耐振動性、耐食性、耐摺動信頼性に優れた、高信頼性、
高性能媒体に関する。

〔従来の技術〕

従来、高記録密度用の磁気記録媒体として、特公昭５４
−３３５２３．特公昭５７−１６７３２に述べられてい
るように、金属磁性薄膜や金属酸化鉄薄膜を用いた媒体
が提案されている。本媒体の成膜法としては、一般にス
パッタリング法、蒸着法、イオンブレーティング法など
がある。最近、高記録密度化への要求が増々高まって来
ており、金属磁性薄膜、金属酸化物薄膜などを用いた連
続媒体の実用化が中小型ディスク装置を皮切りに始まっ
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

高密度化を達成するためには、このような高性能磁気デ
ィスク装置のヘッドと媒体間の距離（スペーシング）を
０．３μｍ以下と非常に小さくする必要があり、記録再
生時などにおいてヘッドと媒体とが接触し、再生時にエ
ラーを生じたりヘッドと媒体がクラッシュしてしまう確
立が高くなって来ている。このため、ディスク装置、特
に前記の高記録密度用の磁気ディスク媒体において高い
耐衝撃性、耐振動性が最近ますます要求されている。

潤滑性の非磁性被覆層膜を磁性膜上に設ければ、耐摺動
性は改善されるが耐衝撃性、耐振動性の点で充分とは言
えなかった。これは、非磁性被覆膜の被覆性、一様性、
密着性が一般には充分でないため、媒体が撹乱による衝
撃を受けると部分的に被壊し、エラーを生じたり、最悪
の場合にはクラッシュしてしまうためである。さらに、
前記金属系磁性薄膜は耐食性の点で、金属酸化物薄膜媒
体は耐摺動性の点で、従来型塗布媒体に比べて難点があ
った。これは、非磁性被覆膜は通常多孔質であり、耐食
性用の保護膜としてはほとんど機能しないこと、および
、カーボンなどの潤滑性非磁性被覆膜は金属酸化物薄膜
に対して密着性が著しく低く、潤滑性被覆膜が充分な効
果を発揮しないことによる。

金属系薄膜媒体については、従来、ザ　シンポジウム　
オン　メモリー　アンド　アトバーンスト　レコーディ
ング　チクノロシーズ（１９８６年５月、サンノゼ）の
シンポジウムのテキスト（Ｔｈｅ　Ｓ、Ｍ、Ａ、Ｒ，Ｔ
　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓＴｅｘ
ｔ、ｂｏｏｋ、　Ｓａｎ　１ｏｓｅ、　ＣＡ、　Ｍａｙ
、　１９８６）における論文ＰＳ−３の１３頁に示され
ているように、Ｃｏ合金磁性層とＣ非磁性被覆層との間
に膜厚０．５μ’　　（１２７人）のＣｒから成る耐食
性保護層（中間層）を設けることで耐食性の向上を図っ
ている。しかし、本発明者らの研究によれば１００Ａ程
度のＣｒ膜は多孔性、非一様で耐食性保護膜の点で充分
とは言い難く、耐摺動性、耐衝撃性の点でもＣｒ膜を設
けても顕著な効果は認められず、これらの特性向上が大
きな課題となっていた。また、Ｃｒとは別に、特開昭６
１−１９９２４１には保護・潤滑層と磁性層との間にＡ
ｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐ　ｔのうちから選ばれる１種または
２種以上の元素から成る貴金属中間層を設けることで耐
食性の向上が図られることが述べられている。ところが
、これらの貴金属中間層は軟かく、また、密着性がＣｒ
、Ｓｉなどに比べて劣るため、耐摺動性、耐衝撃性の点
で問題があると考えられた。またこれ等／貴金属は高価
であり、実用上は問題がある。これとは別に酸化鉄系媒
体においても同様の構造が検討されているが、耐摺動性
、耐衝撃性、耐振動性の点で充分とは言い難く特性向上
が望まれていた。

本発明の目的は、安価であり、耐衝撃性、耐振動性に優
れると共に金属系磁性薄膜媒体については耐食性も高く
、また、金属酸化物、もしくは窒化物系薄膜媒体などに
ついては耐摺動信頼性も高い、高信頼性、高性能磁気記
録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、非磁性被覆層を有する磁気記録媒体におい
て、磁性層と該非磁性層との間にＺｒ。

Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ及びＮｂからなる群から選ばれり達成
される。

ここで、磁性層がＣｏを主たる成分とする金属磁性薄膜
であるか、金属酸化物薄膜、金属窒化物簿膜であること
が望ましい。また、非磁性中間層の膜厚を２０Å以上、
５００Å以下、より望ましくは５０λ以上、２００Å以
下とし、さらに非磁性被覆層と非磁性中間層の総膜厚を
１００Å以上１０００Å以下とすれば、記録再生特性の
点で特に好ましい。なお、耐摺動の点で、非磁性被覆層
の膜厚は非磁性中間層の膜厚以上であることが望ましい
。さらに、磁性層をＣｏＮ１ＺｒｐＣ：ｏＮｉＨｆ、Ｃ
ｏＣｒＺｒ又はＣｏ　Ｃｒ　Ｈｆを主たる成分とする金
属磁性薄膜とするか、γ−Ｆｅ−２０３を主たる成分と
する金属酸化物磁性薄膜とすることが好ましい。さらに
非磁性中間層をＺｒ、Ｈｆのいずれか又はその両者、も
しくはＺｒ、Ｈｆを主たる成分とする合金で構成するこ
とが信頼性の上でより望ましい。ここでＺｒ。

Ｔｉ、Ｈｆを主たる成分とする合金として、Ｐｔ。

Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉ　ｒ、Ｒｕ、Ｏ５のいずれが１種以２　
　上もしくはこれらの合金を０．０１ａｔ％以上Ｌａｔ
％以下含む合金か、もしくは、少なくとも０．１ｖし％
以上１ｗｔ％以下のＭＯもしくは０．１ｗｔ％以合金と
して、Ｃｏに対しＮｉを３０ａｅ％以上４８ａｔ％以下
含み、Ｃｏ　Ｎ　ｉの合計に対しＺｒ　＋　Ｈｆを３ａ
ｔ％以上１２ａｔ％以下含むＣｏ基合金とすることが耐
食性、記録再生特性の点でさらに望ましい。磁気特性及
び密着性の点で１００Å以上５００Å以下のＣｒ、Ｍｏ
、Ｗ＋　Ｓ　ｉ、Ｔ　ｉ。

Ｇｅ、Ｃのいずれか１種もしくはこれらの１つを主たる
成分とする非磁性合金層を磁性層と基板との間に設ける
ことが特に好ましい。

〔作用〕

以上の効果は以下の機能による。８９ｍｍφ。

１．９＋ｎｍｔの、アルマイト処理をしたＡＱ合金基板
上に、Ｃｏを３％含むＦｅターゲットを用い、４％の０
２を含むＡｒガス中（２０ｍＴｏｒｒ）５Ｗ／ｃＩ１１
２で反応性スパッタリング法により０．１６μｍのＦｅ
３Ｏ４を形成した。空気中。

２８０℃で４時間熱処理しγ−Ｆｅ２Ｏ３膜とした後１
表面をスパンタエツチし、ＺｒをＡｒガス圧１０　ｍ　
Ｔｏ　ｒ　ｒ、　３　Ｗ／ｃｍ　２で１０．２０，５０
゜１００．１５０，２００，５００，６００゜７００人
形成し、最後に３．５０人のｃ股を形成して磁気ディス
クとし、密着力、耐衝撃性、耐摺動性を評価した。比較
のため、Ｚｒを介さないで直接磁性膜上にＣ膜を形成し
た磁気ディスクの密着力、耐衝撃性、耐摺動性も評価し
た。まず、ポリイミドフィルムをエポキシ系接着剤でデ
ィスクに接着し、ポリイミドフィルムを引張っることで
密着力を評価した（ビール試験）。Ｚｒ膜を設けない場
合、密着力は約Ｌｏｇ／ａｍと小さかったが、第２図に
示すように膜２０Å以上のｚｒを設けることにより密着
力は急激に増大した。ここで、密着強度の点では、実用
上Ｚｒ膜厚を５０Å以上とすることがより好ましい。こ
の効果はＺｒが非常に活性で反応性に富む元素であるた
めであり、実際、磁気ディスクをオージェ分光法で分析
すると、ＣとＺｒ及びＺｒと磁性膜との界面で各層が若
干反応しており、このために密着力が向上していると考
えられる。同様の効果が、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ。

Ｎｂを中間層とすることで認められた。

以上の磁気ディスクをディスク装置に実装し、５〜３０
０Ｇの衝撃力を加えて、その耐衝撃性を評価した。Ｚｒ
中間層を設けない場合には、動作時には２０〜３０ＧＩ
Ｉｒｔ力を与えると、再生時にエラーを生じたり媒体が
クラッシュしてしまったが、膜厚２０Å以上のＺｒ中間
層を設けることで、耐衝撃力が１００Ｇ以上に向上した
。ただし、Ｚｒ膜厚を５００人よりも厚くすると、Ｚｒ
膜は比較的もろいためＺｒ膜自身にクラックが入ること
があり、Ｚｒ膜厚としては５００Å以下、さらに好まし
くは２００λ以下とすることが望ましい。

中間層として比較のために、Ｓ　ｉ、Ａｕ、ＡｇｅＰｔ
、Ｐｄを、膜厚５０，１００，２００゜４００人設けた
場合についても検討したが、耐衝撃力は３０〜４０Ｇ程
度であり、わずがの効果しか認めら′れなかった。

さらに、上記磁気ディスクを３６０Ｏｒｐｍでサファイ
アの球面摺動子によりその耐摺動性を評価したところ、
２０Å以上のＺｒｇを設けた場合に５０に回以上の耐摺
動性を示した。なおＺｒ中間層を設けなかった場合には
、２〜３に回でクラッシュした。以上の効果は、Ｃと磁
性膜の密着性を向上する効果の著しいＨｆｔ　Ｔａ、Ｔ
ｉｔ　Ｎｂを中間層に使用した場合にも認められたが、
Ｚｒ。

Ｈｆを中間層とした場合に最も良好な結果が得られた。

以上の効果は、磁性膜をＣｏ酸化物、Ｃｏ窒化物、Ｆｅ
窒化物薄膜や金属系連続膜としても認められた。すなわ
ち、ＮｉＰを１５μｍメッキし。

鏡面研磨した、外径１３０ｍｍφのＡＩ２合金基板上に
、基板温度１７０℃、アルゴン圧１５ｍＴｏｒｒ。

投入電力ＩＷ／ａｍ２で膜厚４０００λのＣｒ、膜厚６
００人のＧｏ（１，ｇ　□Ｎ　ｉ□、３６　Ｚｒ膜、０
６磁性膜、もしくはＣｏ（１，６５Ｎ　＋（１，３０Ｚ
　ｒｏ、ｏ　６磁性膜、もしくは Ｃｏ□、６　ｓＮ　ｉｏ、ａ　ｅ　Ｚｒｏ、ｏ　ｓ磁性
膜を形成した後、非磁性中間層として膜厚、０，１０，
２０゜５０．１００，１５０，２００，５００，６００
゜７００人のＺｒ膜をそれぞれ介して膜厚４５０人のＣ
膜を非磁性被覆膜として形成して磁気ディスクとし、密
着力、耐衝撃力、耐摺動性、耐食性を評価した。密着力
については、Ｚｒ中間層の有無にかかわらず、いずれも
ビール試験時に樹脂内部で破断し、２１０ｇ／ｃｒａ以
上の密着力があった。

これは、Ｃ膜と金属性磁性膜の反応性が、Ｃ膜と酸化物
磁性膜の反応性に比べて高いためで、ビール試験法では
差が認められなかったわけである。

しかし、ダイヤモンド刃による引っかきテストによれば
、定性的では、あるがＺｒ中間層を設けた方が密着性が
良いという結果が得られた。そこで実際、耐衝撃性を評
価してみると、γ−Ｆｅ２０３媒体に於いて認められた
のと同様に、Ｚｒの膜厚を２０λ以上とした場合に耐衝
撃性が１５０Ｇ以上に向上した。Ｚｒ膜厚としては５０
０Å以下、より好ましくは２００Å以下が望ましいこと
は前と同様である。サファイアの球面摺動子による耐摺
動性評価に対しても、Ｚｒを２０Å以上設けたディスク
は５０に回以上の良好な特性を示した。

メタル系媒体の場合には、酸化鉄系媒体に比べて腐食し
易いという欠点があるが、Ｚｒ中間層を設けた場合には
耐食性に関しても著しい改善の効果が認められた。すな
わち、上記 ｃｏｏ、６５Ｎ　１６．Ｂ　ｏＺｒｏ、ｏ　ｓ？ｉｌ性
膜がら成る磁気ディスクを４０℃で、１ｍｏ１２％のＮ
　ａ　ＣΩ水溶液を用い、塩水噴霧による耐食性評価試
験を３０時間行なった結果、第３図に示すように、Ｚｒ
中間層を設けない場合にはＣ膜の微細孔を通じて孔食が
起こり、媒体の磁化が６％減少してしまうが、Ｚｒ膜厚
を２０Å以上とした場合に顕著に耐食性が向上した。再
現性を考えると、Ｚｒ膜厚は５０人以上とすることが望
ましい。オージェ分光分析及びアノード分極曲線による
解析の結果、耐食性に関す本効果は、Ｚｒが均一で緻密
な不働能被膜を形成しているためであることが明らかに
なった６以上の効果は Ｃｏｎ、５ＢＮｊ□、１１］ｚｒＯ，Ｏ（３゜Ｃｏｏ、
ｃｏＮｉｏ、、５Ｚｒｏ、ｏｓ磁性膜に対しても認めら
れた。比較のために作製した膜厚５０゜１００．２００
人のＣｒ、Ｓｉを中間層を設けた場合には耐食性向上に
関する本効果は極めて小さかった。

以上のように、金属系媒体の場合にも磁性体と非磁性被
覆層（Ｃ膜）との間にＺｒから成る非磁性中間層を設け
、その膜厚を２０人以上、５００Å以下、より望ましく
は５０人以上２００Å以下とすることで、媒体の耐衝撃
性、耐摺動性、耐食性を著しく改善できることが明らか
になった。

次に該媒体の記録再生特性について説明する。

１１ｖし％Ｐ−Ｎｉをメッキし、その表面を円周方く 向に中心線平均オＩＬｌ！　Ｒａで４０人の傷がつくよ
うに研磨してＮ　ｉ　Ｐの膜厚を１０μｍとしたＡ２合
金基板に、アルゴン圧１５ｍＴｏｒｒ、投入電力ＩＷ／
ｃＩＩ＋２のＤＣマグネトロンスパッタリング法でＯｒ
を５０００人形成した後、膜厚２００゜４００．６００
，８００人の ＣｏＯ０［１ＯＮ　ｔｏ、３５　Ｚｒ□、０５磁性膜、
膜厚７０人のＺｒｖ、膜厚４３０人のＣ膜を連続して形
成して磁気ディスクとした。次いで相対速度２０ｍ／ｓ
で、実効ギャップ長０．５μｍ、トラック幅３０μｍ１
巻線数１４のＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトヘッドで、該
ディスクの記録再生特性を評価した。第５図に９　Ｍ　
Ｈｚにおける再生出力と、磁性面とヘッドとの間隔（ス
ペーシング）との関係を示す。これから、スペーシング
が大きい程再生出力が低下してしまうことがわかる。特
に高出力を得て、充分なＳ／Ｎ比を達成するためには、
スペーシングは０．３μｍ程度以下とすることが望まし
いことが分かる。ここで、保護膜表面からのヘッドの浮
上量は浮上安定性などを考えると０．２μｍ程度が望ま
しいから、実用上充分な信頼性と記録再生特性を得るた
めには、Ｃなどの非磁性被覆層とＺ　ｒなどの非磁性中
間層の総膜厚を１０００人（０，１μｍ）以下とするこ
とが望ましい。媒体の平滑性、ヘッドジンバル系の安定
性を改良することで、ヘッドの浮上量を０．２μｍ以下
とすることも可能であり、この方がより好ましいことは
言うまでもない。この場合にも、非磁性被覆膜と非磁性
中間層の総膜厚を１０００Å以下とすれば良く、より望
ましくは６００Å以下とする事が好ましい。これに対し
、耐摺動を高めるためには、非磁性被覆層は厚い方が望
ましく、さらにスペーシング損失を極力小さくすると共
に耐摺動性を上げるためには、非磁性被覆層の膜厚を非
磁性中間層の膜厚以上とすることが望ましい。

耐摺動性を高めるためには、非磁性被覆層の膜厚を５０
Å以上とすることが望ましく、前記非磁性中間層が２０
人〜５０人必要であることを考えると、両層の総膜厚を
１００Å以上とすることが望ましい。

１０％Ｃｒ　−Ｔ　ｉ、などこれらの１つを主たる成分
とする合金を中間層とすることでも認められた。

さらにここで、磁性膜についても、Ｃｏ　Ｎ　ｉ　Ｚ　
ｒだけではなく、Ｃｏ　Ｎ　ｂ　、　Ｃｏ　Ｔ　ａ　、
　Ｃｏ　Ｍ　ｏ　。

Ｃｏ　Ｒｅ　、　Ｃｏ　Ｔ　ｉ　、　Ｃｏ　Ｖ　、　Ｃ
ｏ　Ｐ　ｄ　、　Ｃｏ　Ｗ　。

Ｃｏ　Ｎ　ｔ　、　Ｃｏ　Ｃｒ　、　Ｃｏ　Ｐ　ｔ　、
　Ｃｏ　Ｎ　ｉ　Ｃｒ　。

ＣｏＮｉＺｒＲｕ、ＣｏＣｒＺｒ、ＣｏＣｒＴｉｔＣｏ
　Ｎ　ｉ　Ｔ　ｉ　、　Ｃｏ　Ｆ　ｅ　、　Ｃｏ　Ｆ　
ｅ　Ｚ　ｒ　。

Ｃｏ　Ｆ　ｅ　Ｃｒ合金などのＣｏ系金属磁性薄膜にお
いて顕著に認められた。これは、上記中間層とＧｏ系磁
性層との結晶整合性が比較的良好で、磁性膜上に比較的
均一かつ緻密に上記中間層薄膜が成長し、磁性膜を保護
する機能が高いためである。

磁性層をＣｏ　Ｎ　ｉ　Ｚ　ｒ　、　Ｃｏ　Ｎ　ｉ　Ｈ
ｆ　。

ＣｏＣｒＺｒ、ＣｏＣｒＨｆを主たる成分とする金属磁
性膜で構成することで、耐食性はさらに向上する。ここ
で、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのいずれかｌ一種もしくはこれら
の合金を３ａｔ％以上１２ａｔ％以下含有せしめること
で第６図に示すように高いＳ／Ｎが得られ、特に好まし
い。（成膜条件等は第５図の場合と同じである。）これ
はこの添加量領域で保磁力が特に高いためである。Ｃｏ
に対するＮｉ組成としては１０ａｔ％以上６０ａｊ％以
下、より望ましくは３０ａｔ、％以上４８ａｔ、％以下
の時に高出力が得られるので好ましい。同様にＣｏに対
するＣｒ組成としては３ａｔ％以上２０ａｔ％以下が望
ましい。このとき、中間層をＺｒ、Ｈｆのいずれか、も
しくはＺｒ、Ｈｆを主たる成分とする合金で箭成するこ
とで、耐食性、耐ｍ動性に関する上記効果が顕著となる
。これは磁性膜と中間層の密着性がこの組み合わせで極
めて高くなるためである。

ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｉＨｆ、ＣｏＣｒＺｒ。

Ｃｏ　Ｃｒ　Ｈｆなどを斜め蒸着法、斜方スパッタリン
グ法などで直接Ｎ　ｉ　ＰメッキＡｆｉ基板などに形成
することにより、面内保磁力を４０００ｅ以上に高くす
ることができるが、通常のスパッタリング法などでは保
磁力は３０００ｅ以下で面内磁気記録媒体としては好ま
しくない。このように通常のＲＦ、ＤＣスパッタリング
法や、イオンビームスパッタリング法でセラミックス、
ＡＱ合金。

Ｔｉ合金、ガラス、有機フィルムなどの基板上に形成す
る場合には、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１種もしくはこ
れらの１つを主たる成分とする非磁性合金下地層を磁性
層と基板との間に設けることで面内保磁力を大きくする
ことが出来る。Ａｒガス圧５ｍＴｏｒｒ、投入電力５　
Ｗ　／　Ｃｍ　２のＲＦマグネトロンスパッタリング法
で、１３０１φ、厚さ１．９ｍｍｔのガラス基板上に、
Ｃｒ、膜厚７００人のＣｏ□、ｇ５Ｎｉ、）、３Ｚｒｏ
、０５．膜厚５０人のＨｆ、膜厚３００λのＢを連続し
て形成して磁気ディスクとし、その保磁力とＣｒ下地膜
との関係を評価した。第７図にその結果を示すが、Ｃｒ
下地膜厚が１００λ以上であれば４０００ｅ以上の良好
な保磁力が得られることが分った。Ｃｒ下地膜厚が５０
０Å以上であればより望ましい。また、Ｃｒ下地膜を５
０００λよりも厚くしても効果が上らず、しかも逆に表
面が粗くなり浮上性が低下するので好ましくない。

一方、ＣｏＣｒＺｒ、ＣｏＣｒＨｆなどをポリイミドフ
ィルムなどに直接、通常の蒸着法、スパッタリング法で
形成すると垂直磁化膜となり、垂直磁気記録媒体とする
こともできる。しかし、Ｎ　ｉ　ＰをメッキしたＡＱ合
金基板、Ｔｉ合金基板。

セラミックス基板などに対しては、垂直配向性が悪く、
この様な場合に、Ｔｉ、Ｓｔ、Ｇｅ、Ｃの１種もしくは
これらを主たる成分とする物質を磁性膜の下地層として
設けることにより、垂直配向性を高め、高密度記録に適
した垂直磁気記録用媒体を提供することができる。中間
層の膜厚としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗを中間層とした場合
と同様に１００λ以上５０００Ａ以下が望ましい。これ
は、下地層の膜厚を１００Å以上に厚くしないと望ま以
上述べた様に、下地膜を設けることで記録再生特性の向
上が認められるので実用上好ましい。

さらに耐摺動信頼性の点では、Ｃｒ　ｔ　Ｍ　ＯＦ　Ｗ
　＋Ｔｉ、Ｓｔなどは磁性膜と基板との密着性を増強さ
せる作用もあるので信頼性向上の点でより望ま設けるこ
とで耐衝撃性、耐食性など信頼性がさらに向上すること
は言うまでもない。

ここで、Ｚｒ、Ｔｉ、ＨｆにＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ。

Ｉ　ｒ、Ｒｕ、○Ｓのいずれか１種もしくはこれらの合
金を０．０１ｓｔ％以上１ａｊ％以下含有せしめた合金
を非磁性中間層として用いると、酸に対する耐食性がＺ
ｒ、Ｔｉ、Ｈｆ金属単体を保護膜とした場合に比べて約
１０倍向上する。これは。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉにこれら貴金属元素を微量添加せしめ
ることにより、合金表面での酸素および水素イオンの還
元反応が数倍増大し、表面不働能膜の安定性、密着性が
増大し、より強固な保護作用を持つことによる。本効果
は添加量が０．０１ｓｔ。

％以下の場合には効果が小さく、１ａｔ、％以下の場合
には表面が酸化され易くなりすぎ、かえって作用が劣化
してしまうので望ましくない。微量のＭｏ、Ｎｉ、Ｓ　
ｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｗ、Ｓｎを添加しても、効果は
若干劣るが、耐食性向上に対して同様の効果があり、特
に０．１ｗｔ、％以上１ｔｚｔ、％以下のＭｏ、Ｎｉの
いずれか１種もしくは両方を添加することにより特に塵
埃に対する耐食性が著しく向上するので望ましい。

以上、Ｃ膜を非磁性被覆膜とした場合について作用を説
明したが、Ｂ、Ｂ４Ｃ，５ｉＯｚ、Ｒｈ。

ＡＱ２０３などを非磁性被覆層とした場合にも同様の効
果が認められた。これは、Ｚｒ、Ｈｆ。

Ｔ　ａ　、　Ｔ　ｉ　、　Ｎ　ｂが化学的に非常に活性
な元素であることによるもので、上記の基本的な作用は
同じであることによる。

〔実施例〕

実施例１゜ 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。１１
はＮ　ｉ　Ｐ、Ｎ　ｉＷＰなどをメッキしたＡＱ−Ｍｇ
合金、アルマイト処理した一Ａ　Ｑ−Ｍ　ｇ合金、ガラ
ス、セラミックスなどから成る載板、１２．１２’はＣ
ｒ、Ｒｕ、Ｏｓ’　Ｍｏ、Ｗ。

Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ１などから成る下地層、１３．１
３’はＣｏ　Ｎ　ｉ　、　Ｃｏ　Ｎ　ｉ　Ｏ、Ｃｏ　Ｃ
ｒ　。

ＣｏＲｅ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＰｔ。

ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＰ、ＣｏＮ１Ｐ、ＣｏＮ１Ｎ。

Ｃｏ　Ｃｒ　Ｚ　ｒ　、　Ｃｏ　Ｗ　、　Ｃｏ　Ｎ　ｉ
　Ｔ　ｉ　、　Ｃｏ　Ｆ　ｅ。

ＣｏＴｉ、ＣｏＣｒＴｉ、ＣｏＮｉＺｒ７゜ドープγＦ
ｅ２Ｏ３，Ｇｏ３Ｎなどから成る磁性層、１．４．１４
’はＺｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ。

およびこれらの１つを主たる成分とする合金から成る非
磁性中間層、１５．１５’はＣ，ＴｉＮ。

Ｓ　ｉＣ，ＷＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，Ｂ、Ｂ４Ｃ。

ＳＩＯ２１Ｒｈ　、　Ｍ　Ｏ３２などから成る非磁性被
覆層である。非磁性被覆層の上にさらに有機系潤滑剤層
があっても良い。以下、さらに詳細に本実施例について
説明する。

外径１３０ｍｍφ、内径４０ｍｍφ、厚さ１．９ｍｍの
ＡＱ合金基体の上に１２μｍの非磁性１２υＬ％Ｐ−Ｎ
ｉメッキ層を形成した非磁性基板１１上にＲＦマグネト
ロンスパッタリング法により基板温度１５０°Ｃ，Ａｒ
圧１０ｍＴｏｒｒ、ＲＦ投入電力４Ｗ／ａｍ２で膜厚３
５００人のＣｒから成る非磁性下地層１２．１２’、及
び膜厚６５０人のＧｏ□、６６Ｎｉｏ、４ｚｒｏ、ｏ　
６磁性膜１３．１３’を形成した後、膜厚２０，５０，
１００，１５０゜２００．５００人のＺｒから成る非磁
性中間層１４．１４’　を介して膜厚５００人のＣから
成る非磁性被覆層１５．１５’　を形成して磁気ディス
クとした。

本磁気ディスクを、相対速度１３．５ｍ／ｓ、浮上量０
．２２μｍとし、実効ギャップ長０．５μｍのＭ　ｎ　
−Ｚ　ｎフェライトヘッドで記録再生する磁気ディスク
装置にセットして耐衝撃性を評価した結果、いずれも１
５０Ｇ以上の衝撃力に対しても再生時にエラーを生じた
リフラッシュしたすせず良好な耐衝撃性を示した。Ｚｒ
膜厚が５０Å以上２００Å以下の場合には２００Ｇ以上
と特に良好な耐衝撃性を示した。なお、比較のためＺｒ
膜を設けない磁気ディスクも試作し、その耐衝撃性も評
価したが、１００Ｇの加速度を与えた時にエラーを生じ
たり、クラッシュしたりした。なお。

いずれのディスクも３万回以上のＣ８Ｓ寿命を示した。

また、記録再生特性については、Ｚｒ膜厚が小さい程良
好であったが、装置仕様に応じて使いわければ問題は無
いレベルであった。

さらに本磁気ディスクを４０°Ｃ２９０％ＲＨ。

クラス１０００の恒温恒温炉にセットし、その耐食性を
評価したところ、Ｚｒ膜を設けないディスクは１００時
間後にミッシングエラーが前当たり２０ケ増したのに対
し、Ｚｒを設けたディスクはエラーの増加は認められな
かった。特にＺｒ膜厚を５０λ以上としたディスクは２
００時間経過後にでもエラーの増加は認められず、特に
良好な耐食性を示した。

以上の効果は、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉｔ　Ｎｂ＋　　ｌａｊ
％　Ｚｒ−Ｈｆ、ｌａｔ、％Ｈｆ−Ｚｒ、　　０．１ａ
ｔ％　Ｐし−Ｚｒ、０．１ａｔ％　Ｐｄ−Ｚｒ、　　０
．１ａｔ％Ｒｈ−Ｚｒ、０．１ａｊ％　Ｉ　　ｒ−Ｚｒ
、　　Ｏ，Ｌａｔ、％Ｒｕ　　−Ｚｒ、０．１ａｔ、％
○　５−Ｚｒ、　　０．１ａｔ、％Ｒｕ　　−Ｔｉ、０
．１ａｔ％　Ｐｄ−Ｔｉ、　　０．１ａｔ％　Ｐｔ−Ｈ
ｆ、０．８ｗし％Ｎｉ−０．３ｖｔ、％Ｍｏ−Ｔｉ。

Ｑ、５ｗｔ％Ｍｏ−０，５ｗｔ、％Ｃｕ−Ｚｒ、ジルカ
ロ属元素を添加したＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ合金を中間層とし
た場合に効果が大きかった。比較のためＣｒを中間層と
して用い、膜厚を５０，１００゜２００．３００人とし
た場合についても耐食性を検討したが、いずれも１００
〜１１０時間後にミッシングエラーが面出たり２０ケ増
大し、はとんどＣｒの効果は認められなかった。

実施例２゜ 第１図に示す構造の別の実施例を次に述べる。

外径１３０闘φ、内径４０ＩＩＩＩＩｌφ、厚さ１．９
ｎｖのＡＱ合金基体の上に１５μｍの非磁性１１ｗｔ％
Ｐ−Ｎｉメッキ層を形成した非磁性基板１１上に、ＤＣ
マグネトロンスパッタリング法により基板温度１８０℃
、Ａｒ圧１５ｍＴｏｒｒ、ＲＦ投入電力２Ｗ／Ｃｍ”で
膜厚２５００人のＣｒおよび３０ａｔ％Ｔｉ−Ｃｒ合金
から成る非磁性下地ＦｆＪ１２゜１２′、及び膜厚ＳＯ
Ｏ人の Ｃｏ□ｇ）　６Ｎ　ｉ□、３シ、０５ＩＣｏｒ３．ａ　
ｓＮ　ｉｏ、３Ｈｆｏ、ｏ　５ｙワ ＣｏＯ，ｇＮｉ□、３）ｒｏＰｄＯ，００２゜Ｃｏｏ、
０Ｎｉｏ、３メｌｌＲｕ０．００２＋Ｇｏ、）０ｇ　□
Ｃｒ□、１１ｓｚｒＯ，ｏ　６゜Ｃｏｏ、Ｅｌ　□Ｃｒ
ｏ４６ＨｆＯ，０５゜Ｇｏ（１，６６Ｎ＋□、３メ１Ｉ
Ｒｈｏ、ｏ０２１Ｃｏｏ、ｓ　ｓＮ　ｉｏ、３７１　ｏ
　Ｉ　ｒｏ、ｏ　Ｏ２１Ｃｏ（１１ｇ　６　Ｐ　ｔ□、
１４Ｙ０，０１゜Ｃｏｏ、Ｅｌ　５Ｎｉ□、３３５ｚｒ
０．Ｏ１５゜Ｃｏ０９７Ｎｉ（１，３，Ｃｏ□、Ｂ　２
Ｃｒ（１，１０ｐＣｏ、）、、ＰｔＯ，３，Ｃｏ□、、
Ｎｉ、）、２゜Ｇｏ（１，６Ｎｉｏ、４＋ Ｃｏ□、（１６Ｎ　ｉ（１，１３ｏＯ，。２ｔＣ。

Ｇｏｏ、０５Ｃｒ０４６．に１Ｏ０ＩＯＰｉｏ、２＋Ｃ
ｏｏ、５ｏＮｔｏ、４ｓＺｒｏ、ｏｓ＊１３′を形成し
た後、膜厚１００人のＺｒ（９９％）、Ｈｆ（９８％）
から成る非磁性中間層１４゜１４′を介して膜厚４００
人のＣから成る非磁性被覆層１５，１．５’　を形成し
た後、固体潤滑剤パイダックス■を４０人形成して磁気
ディスクとした。ここで、いずれの磁性膜も優位的に結
晶質であった。

本磁気ディスクを相対速度１３．５ｍ／ｓ、浮上量０．
２４　μｍとし、ＡＱ２０３−ＴｉＣをスライダ材とし
、実効ギャップ長０．４μｍの薄膜ヘッドで記録再生す
る磁気ディスク装置にセットし、耐衝撃性を評価した結
果、いずれも２００Ｇ以上のｗｌ撃力に対してもクラッ
シュせず、良好な耐衝撃性を示した。Ｃ８Ｓテストに対
しては、いずれも１０万回以上の寿命を示した。固体潤
滑剤の替りにもしくは固体潤滑剤と共に、フオンブリン
■などの液体潤滑剤を設けても１０万回以上のＣ８Ｓ寿
命を示したが、潤滑剤を設けない場合は４万回程度のＣ
８Ｓ寿命であった。また、いずれの磁気ディスクもＤ５
ｏで２０ｋＰＣＩ以上の高密度での記録再生が可能であ
った。

さらに本磁気ディスクを６０℃、９０％ＲＨ。

クラス１０００の恒温恒温炉にセットし、その耐食性を
評価したところ、いずれも１００時間経過試験２００時
間経過後にもエラーの増加は認められず、特に良好な耐
食性を示した。

以上の効果は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂを非磁性中間層とした
場合にも認められたが、Ｚｒ、Ｈｆを中間層とした場合
に最も効果は大きかった。

実施例３゜ 第１図に示す構造で２さらに別の実施例について説明す
る。

外径８０ｍｍφ、厚さ１　、９　ｍｍφのＡ２合金基体
の上に１０μｍの非磁性１２νｔ％Ｐ−Ｎ　ｉメッキ層
を形成し表面にヘッドを走行方向に中心線面粗さＲａで
７０λの微小傷をつけた非磁性基板１１上に、ＤＣマグ
ネトロンスパッタリング法により基板温度１２０℃、Ａ
ｒ圧２０ｍＴｏｒｒ、投入電力３Ｗ／ｃｍ２で膜厚２０
００人のＣｒ、Ｍｏ、Ｗから成る非磁性下地層１２．１
２’、及び膜厚４００人のＧｏｏ、５　（ＩＮｉ□、３
　ｇＺｒ□、ＯＧ。

ＣｏＯ，Ｂ□Ｎｉ□、３ｓＺｒｏ、ｏｓ＋Ｃｏｏ、６６
Ｎｉｏ、３Ｚｒ□、０６ｙＣｏ（、，０（ＩＣｒＯ，１
５Ｚｒｏ。０５ｔＣｏ（１，７６Ｃｒ０４７ｚｒ０．０
５゜次、７５Ｆ８０．２０Ｚｒ０．０５＊ Ｃ００，Ｇ５Ｆｅ０．３０Ｚｒ０．０５＋Ｃｏｏ、ｏＯ
Ｐｔ□、１５ＺｒＯ，０６゜Ｃｏｏ、５　ｃＮ　ｉｏ、
３ｅＨｆｏ、ｏ　８１Ｃｏ（、、ｇ　０Ｎｔｏ、３５Ｈ
ｆｏ、ｏ　５ｒｃｏ０．６５Ｎｔｏ、３Ｚｒ０．０５＋
Ｃ００，０２Ｍ００．０４ＺｒＯ，０４＋ＣｏＯ，！＋
２ＷＯ０ｃ３４ＺｒＯ，０４ｇＣｏＯ，！］　ｚＴａｏ
、ｏａＺｒｏ、ｏ４＋Ｃｏ□、５８Ｎ　ｊｏ、３８　ｚ
ｒｏ、ｏ　５５　Ｐ　ｄｏ、ｏ　Ｏ５＋Ｃ００，８ＯＮ
＋０．３５ＰｉＯ，０Ｏ５Ｚｒ０．０４５＋鍔、Ｇ　□
ＮｉＯ，３５Ｔｉ□、０５゜Ｃｏｏ、９２Ｖ□、０４Ｚ
ｒ□、０４゜Ｃｏｏ、！Ｉ　　２Ｎｂ□、（１４ｚｒ０
．０　４゜Ｃ００，９２Ｔ　ａｏ、０４Ｚｒ０．０４＊
Ｃｏ□、５　　ＧＮ　　ｉ□、１　０　ｚｒｏ、ｏ　　
４Ｍｏ□、０４゜Ｃｏｏ、Ｇ　ｏＮ　　ｊｏ、３１　Ｚ
ｒｏ、ｏ　　、、Ｃｒ（、、ｏ　　Ｓ＋Ｃｏｏ、０２５
Ｎｉ□、３０Ｃｒ□、０７５゜Ｃ００，４３２Ｔｉ□、
０４：Ｚｒ□、０４゜Ｃａ１（４，０５ＲｕＯ，１０ｚ
ｒ０．０５゜Ｃｏ０１Ｂ５０ｓｏ、ｔ　　ｏｚｒｏ、ｏ
　　５ｇＣｏ０００５　Ｓｍ０１１　　Ｚｒ□、０　６
゜Ｃｏ□、７　　ＯＮ　　＋□、２　　（、ＣｒＯ，１
０゜Ｃｏ□、Ｂ　　５Ｎ　ｉ□、３　Ｚｒｏ、（，４５
０ｓ□、（，０６゜Ｃｏ□１ｇ　　（、Ｎ　　ｉ□、３
　５　Ｚｒ□、０　４　５ＲｕＯ０（，０５゜Ｇｏｏ、
９２Ｒ）’０．０４２ｒ０．０４＋Ｃｏ０，９２Ｉ　　
ｒｏ、ｏ　　４　Ｚ　ｒｏ、ｏ　　４管Ｃ００，ｆ１２
Ｐｄ０．０ａＺｒ０．０４＋Ｃ００，０ＱＡＱ０．１０
Ｚｒ０．０４＋Ｇｏ□、（１５Ｃｕ□、１　（、Ｚｒ（
、，０６を形成した後、膜厚８０人のｌａｔ％Ｈｆ−Ｚ
ｒ、０．１ａｔ、％Ｐｄ−Ｚｒ、０．１ａｔ％　Ｐｔ−
Ｚｒ、　　０．５ｔｙｊ％Ｎｉ−０，３ｗｔ％Ｍｏ−Ｚ
　ｒ　１４．　１４’　　を介して膜厚３２０人のＢ４
Ｃ，Ｃ，Ｒｈから成る非磁性被覆層１５．１５’　を形
成した後、固体潤滑剤パイダソクス＠と液体潤滑剤フオ
ンブリン■とを合計で６０人形成して磁気ディスクとし
た。ここで、いずれの磁性膜も優位的に結晶質であった
。また、優位的に非晶質の場合には保磁力が低く、良好
な記録再生特性は得られなかった。

本磁気ディスクを相対速度９ｍ／ｓ、浮上量０．２２μ
ｍとして、実効ギャップ長０．４μｍの薄膜磁気ヘッド
で記録再生する磁気ディスク装置にセットし、耐衝撃性
を評価したところ、いずれも１０００以上の高い耐衝撃
性を示した。８０°Ｃ２９０％ＲＨ，クラス１００ｏの
恒温恒湿槽内における耐食性テストに対して、非磁性中
間層を設けない場合に比べて１桁以上優れた耐食性を示
し、１００時間経過後もミッシングエラーの増加は認め
られず、特に良好な耐食性を示した。

ここで、磁性層だけをＲＦスパッタリング法で形成した
場合や、ＲＦマグネトロンスパッタリング法で５ｉＯｚ
−ＡＱ　２０３などから成る非磁性被覆層を形成した場
合についても検討したが、同様の結果が得られた。また
、潤滑剤としては固体潤滑剤だけ、もしくは液体潤滑剤
だけでも良いが、両者を併用した方がより良好な耐摺動
性が得られた。ここで、分子式ｃｎＨ２ｎ＋ｚで表わさ
れるような非磁性潤滑剤に比べ、ＣｎＨ２ｎ＋　１０８
゜Ｃｎ　Ｈ２ｎ＋　１Ｃ○○Ｈ９ ＣｎＨ２ｎ−１ＣｏＯＨ１などの極性潤滑剤の方が粘着
が小さく好ましい。ここでｎ＝１．２．３・・・の正の
整数である。

実施例４゜ 第１図の構造で、さらに別の実施例を以下に説之 明する。外径２，４４ｍｍφ、厚さ２ｍｍｔのＡ１２合
金合金上に１５μｍの非磁性Ｎ１−Ｗ−Ｐメッキ層イ 差形成した非磁性基板、アルマイト処理したＡＱ合金基
板１１上に、ＲＦスパッタリング法で基板温度１５０℃
、および、ＲＦ投入電力６Ｗ／ｃｍ２で０．２ｐｍのＴ
ｉ下地層１２．１２’　を形成した後、４％の０２をＡ
ｒガスを用い、ガス圧を１５ｍＴｏｒｒとしてＦ’８０
．９１１１ｃｏ０．０４をスバツタし！厚０．１６μｍ
の （Ｆｅｏ、９６ｃｏ。、。４）３０４を形成した後。

空気中３００℃で３時間熱処理し ｙ−（Ｆｅ（４，ｇ　０Ｃｏ０，０４）２０３磁性層１
３゜１３′とした。次イテ、膜厚５０，１００゜１５０
人のＺｒから成る非磁性中間層１４，１４’、膜厚３５
０λ、４００人、４５ｏλのＣがら成る非磁性被覆層１
５．１５’　をＡｒ圧１０ｍＴｏｒｒ。

５Ｗ／ａｍ２でＤＣマグネトロンスパッタ法で形成して
磁気ディスクとした。

本磁気ディスクを相対速度３０ｍ／ｓ、浮上量０．１６
μｍで、実効ギャップ長０．５μｍの薄膜ヘッドで記録
再生する磁気ディスク装置にセットし、耐ｍｓ性を評価
した結果、いずれも１０００以上の衝撃力に対してもク
ラッシュせず良好な耐衝撃性を示した。さらにこれらの
磁気ディスクに対してＣ８Ｓテストを行ったが、Ｃ膜の
膜厚と共にそれぞれ３，６．１０に回以上の寿命を示し
た。

Ｚｒ膜を設けない磁気ディスクはＣ３ｓテストに対して
瞬時にクラッシュし、耐衝撃性を評価できるレベルでは
なかった。

各ディスクの記録密度特性は、ＺｒとＣの総膜厚が小さ
い程良好であったが、総膜厚が６００λの場合も実用上
問題はなかった。なお、耐食性についてはいずれのディ
スクも全く問題は無かった。

非磁性中間層としてＨｆ＋　Ｔｉｔ　Ｔａ、Ｎｂを用い
た場合も同様の効果が認められたが、Ｚｒを中間層とし
た時の効果が最も高く、Ｔｉを中間層とした時の効果が
最も低かった。

以上の実施例において、基板１１に金属系基板を用いた
が、ポリイミドなどの有機基板、ガラス基板、Ａｌ１２
０３．Ａｌ１２０３−ＴｉＣなどのセラミックス基板で
も同様の効果が得られた。また。

非磁性被覆膜としてＣを用いた場合を示したが、Ｂ　＝
　Ｂ　４Ｃ、ＳｘＯ２、Ｒｈを用いた場合にも同等の効
果が得られた。

Ｎ　ｉ　ＰなどをメッキしたＡＱ金合金Ｔｉ合金真ちゅ
う、アルマイト処理したＡＱ金合金ガラス、セラミック
ス、有機材料などから成る基板、４２゜４２′はＧｏ系
合金、Ｆｅ系合金、Ｎｔ系合金。

ＳｍＧｏなどの希土類合金、酸化鉄、窒化鉄、窒化コバ
ルト、酸化コバルトなどの高保磁力磁性膜。

４３．４３’はＺｒ、Ｈｆ＋　Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂおよび
これらの１つを主たる成分とする合金から成る非磁性中
間層、４４．４４’はＣ，８４Ｃ。

Ｓ　ｉ　Ｏ２１Ｃｒ　、　Ｒｈ　、　Ａ　０２０　ａな
どから成る非磁性被覆層である。

外径８９ｍＴＢφ、厚さ１．８ｔｍのＡｆ１合金基体の
上に１０μｍの非磁性１１．５ｗｔ％Ｐ−Ｎｉメッキ層
を形成した非磁性基板４１上に、ＲＦスパッタリング法
で基板温度２００℃、Ａｒ圧２０ｍＴ　ｏ　ｒ　ｒ　＋
投入電力３Ｗ／Ｃｍで膜厚７００人のＣｏｏ、７　ｓ　
Ｐ　ｔ□、２Ｔａ□、０　／５ｒＣ０，７Ｐｉｌ）、２
ＳＺｒ０．０６？Ｃｏ□、７５Ｒｅ（１，２Ｎｂ□、（
１５磁性層４２，４２’を形成し、膜厚８ｏ人のＨｆが
ら成る非磁性中間層４３．４３’　、膜厚４００λｆ７
）Ｃ，Ｂ２Ｏがら成る非磁性波ｒＩＩ層を形成して磁気
ディスクとした。

本ディスクを、相対速度９　ｍ　／　ｓ　、浮上量０．
２５　ｔｔｍとして、ギャップ長０．５μｍのＭｎ−Ｚ
ｎフェライトヘッドで記録再生する磁気ディスク装置に
セットし、耐衝撃性を評価した結果、いずれも１０００
以上の高い耐＃撃性を示した。

２８℃、９０％ＲＨ，クラス１０００の恒温恒湿槽内に
おける耐食性テストに対しても、Ｚ　ｒ　ｔｊ：、設け
ない場合に比べて１０倍以上優れた耐食性を示し、２５
０時間経過後にもミッシングエラーの増加は認められな
かった。

以上の効果は、基板上に蒸着法や、イオンビームスパッ
タ法でＣｏＮｉ、ＣｏＣｒなどを片面だけ形成した媒体
に対しても認められた。

実施例６゜ 第１図に示す構造でさらに別の実施例を示す。

１３０ｍｍφｔ１．９ｍｍｔのガラス基板１１に、コン
ベンショナルＲＦスパッタリング法で膜厚１０００人の
１０ａｔ％Ｃｒ　−Ｔ　ｉから成る下地層１２．１２’
、膜厚２０００人の ＣＱ　０１７ｇＣｒ□、２１．ＣｏＯ，ｆｌＯＣｒ０．
２０＋Ｃｏ□、７　　ＢＣｒＯ，２２，Ｃｏ０　　　８
　ＴｉＯ，１２゜・／ ？ ＣｏＯＢＴａＯ，１２１Ｃｏ（１，１１０Ｖ０．２０゜
・／ Ｃｏ□、ｇ［］Ｍｏ（１，２０１Ｃｏ０，７５ＲｕＱ、
２５１ＣｏＯ，Ｂ　　Ｏｗｏ、２　０゜ Ｃｏｏ、７　　ａｃｒｏ、ｘ　　ＢＺｒＯ１０４＋Ｃｏ
（１，７ＢＣｒＯ，１８ＴＩ０．０４＋Ｃｏ、）、７　
ｇＣｒ　Ｏ，１１Ｖ□、１１から成る磁性層１３．１３
’、膜厚７０人の０　、５　ｗｔ、％Ｍ　ｏ　−０、５
ｗｔ、％Ｃｕ−Ｚｒから成る非磁性中間層１４゜１４′
、及び膜厚３３０人のＣから成る非磁性被覆層１５．１
５’　を、基板温度１５０℃、ＲＦ投入電力２　Ｗ　／
　ｃｎ＋　２で形成して垂直磁気記録用の磁気記録媒体
とした。

これらの磁気ディスクを相対速度１４　ｒｎ　／　ｓ　
＋浮上ｆｔ　０　、２０μｍとし、実効ギャップ長０．
３μｍのコンポジットヘッド（ギャップ部近傍をＩＴ程
度の高飽和磁束密度を有するＣｏ系アモルファス軟磁性
合金とし、その他をＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトもしく
はＺｒＯ２など非磁性体としたヘッド）で記録再生する
磁気ディスク装置にセットし、耐衝撃性を評価した結果
、いずれも１０００以上の衝撃力に対してもクラッシュ
せず、良好な耐衝撃性を示した。また、いずれも２５　
ｋ　ＰＣＩ以上の高い記録密度で記録再生ができた。下
地層１２゜１２′を膜厚２００人のＧｅ、Ｓｉ、Ｃとし
ても効果は同じであった。

〔発明の効果〕

本発明によれば、潤滑保護性のある非磁性被覆膜と磁性
膜との密着性を高め、しかも磁性膜表面を均一に保護す
ることができるので、磁気記録媒体の耐衝撃性、耐摺動
性、耐食性を著しく向上できる効果があり、信頼性の極
めて高い高性能磁気記録媒体を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は密着力と
Ｚｒ中間層膜厚との関係を示す図、第３図は耐食性とＺ
ｒ中間層膜厚との関係を示す図、第４図は本発明による
別の実施例の断面図、第５図は出力のスペーシング依存
性を示す図、第６図はＳ／ＮとＴｉ量との関係を示す図
、第７図は保磁力とＣｒ下地層膜厚との関係を示す図で
ある。 １３．１３’　、４２．４２’・・・磁性層、１４．１
４’　、４３．４３’・・・非磁性中間層、１５．１５
’　４４．４４’・・・非磁性被覆層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に磁性層を有し、該磁性層の上に非磁性被覆
   層を有する磁気記録媒体において、磁性層と非磁性被覆
   層との間にＺｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ及びＮｂからなる群
   から選ばれた少なくとも一種の元素又はこれを主成分と
   する合金からなる非磁性中間層を設けたことを特徴とす
   る磁気記録媒体。 ２、磁性層がＣｏを主たる成分とする金属磁性薄膜であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記
   録媒体。 ３、磁性層がＣｏＮｉを主たる成分とし、Ｚｒ又はＨｆ
   若しくはその両者を含む金属磁性薄膜であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ４、磁性層がＣｏＣｒを主たる成分とし、Ｚｒ又はＨｆ
   若しくはその両者を含む金属磁性薄膜であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ５、磁性層がＣｏＮｉを主たる成分とし、ＮｉはＣｏに
   対して３０〜４８ａｔ％であり、さらにＺｒ及びＨｆか
   らなる群から選ばれた少なくとも一種の元素又はこれを
   主成分とする合金をＣｏＮｉの総量に対し３〜１２ａｔ
   ％含む金属磁性薄膜であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ６、磁性層がＣｏＣｒを主たる成分とし、ＣｒはＣｏに
   対して３〜２０ａｔ％であり、さらにＺｒ及びＨｆから
   なる群から選ばれた少なくとも一種の元素又はこれを主
   成分とする合金を ＣｏＣｒの総量に対し３〜１２ａｔ％含む金属磁性薄膜
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
   気記録媒体。 ７、磁性層が金属酸化物からなる磁性薄膜であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ８、磁性層がγ−Ｆｅ＿２Ｏ＿３を主たる成分とする金
   属酸化物磁性薄膜からなることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ９、非磁性中間層の膜厚が２０〜５００Åであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項から第８項までのいず
   れかに記載の磁気記録媒体。 １０、非磁性中間層がＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ及
   びＯｓからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素又
   はこれを主成分とする合金を０．０１〜１ａｔ％含むこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒
   体。 １１、非磁性中間層が０．１〜１ｗｔ％のＭｏを含むこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒
   体。 １２、非磁性中間層が０．１〜１ｗｔ％のＮｉを含むこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒
   体。 １３、非磁性被覆層の膜厚が非磁性中間層の膜厚以上で
   、かつ両者の総膜厚が１００〜１０００Åであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 １４、磁性膜と基板との間に膜厚１００〜５０００Åの
   Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃ、Ｇｅ及びＳｉからなる群か
   ら選ばれた少なくとも一種の元素又はこれを主成分とす
   る非磁性合金からなる下地層を有することを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。