JPH0528557A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0528557A JPH0528557A JP18657891A JP18657891A JPH0528557A JP H0528557 A JPH0528557 A JP H0528557A JP 18657891 A JP18657891 A JP 18657891A JP 18657891 A JP18657891 A JP 18657891A JP H0528557 A JPH0528557 A JP H0528557A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- magneto
- film
- recording medium
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐食性に優れた光磁気記録媒体を提供する。
【構成】 基体１上に、Ｔａの酸化物膜（ＴａＯｘ）か
らなる第一の誘電体層２と、ＳｉＮ膜からなる第二の誘
電体層３と、ＴｂＦｅＣｏＴｉ合金膜からなる記録層４
と、ＳｉＮ膜からなる第三の誘電体層５と、ＡｌＮｉ合
金膜からなる金属反射層６とが順に成膜されている。
らなる第一の誘電体層２と、ＳｉＮ膜からなる第二の誘
電体層３と、ＴｂＦｅＣｏＴｉ合金膜からなる記録層４
と、ＳｉＮ膜からなる第三の誘電体層５と、ＡｌＮｉ合
金膜からなる金属反射層６とが順に成膜されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスクに用い
られる記録媒体に関するものであり、更に詳しくは、記
録媒体の耐候性の改良に関するものである。
られる記録媒体に関するものであり、更に詳しくは、記
録媒体の耐候性の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、大容量ファイルメモリの
一つとして注目されている。中でも光磁気ディスクは、
記録情報の書換えが可能であると言う利点をもっている
ことから、コードデータファイルメモリを始め、画像フ
ァイルメモリ等広範囲な応用が各所で盛んに研究されて
いる。
一つとして注目されている。中でも光磁気ディスクは、
記録情報の書換えが可能であると言う利点をもっている
ことから、コードデータファイルメモリを始め、画像フ
ァイルメモリ等広範囲な応用が各所で盛んに研究されて
いる。
【０００３】記録媒体としては、当初、ポリカーボネイ
ト等の樹脂基板上に、ＳｉＮからなる第一の誘電体保護
層と、希土類金属と鉄族遷移金属との組合せによって作
成されるＴｂＦｅＣｏのような非晶質磁性合金膜からな
る記録層と、ＳｉＮからなる第二の誘電体保護層との順
に成膜された３層構成、及びポリカーボネイト基板への
付着向上のために、第一層としてＴａの酸化物（ＴａＯ
ｘ）が、予め成膜された４層構成が提案された。
ト等の樹脂基板上に、ＳｉＮからなる第一の誘電体保護
層と、希土類金属と鉄族遷移金属との組合せによって作
成されるＴｂＦｅＣｏのような非晶質磁性合金膜からな
る記録層と、ＳｉＮからなる第二の誘電体保護層との順
に成膜された３層構成、及びポリカーボネイト基板への
付着向上のために、第一層としてＴａの酸化物（ＴａＯ
ｘ）が、予め成膜された４層構成が提案された。
【０００４】近年、記録・再生効率を向上させるため
に、さらに金属反射層を形成した５層構成も提案されて
いる。
に、さらに金属反射層を形成した５層構成も提案されて
いる。
【０００５】これらを用いた光磁気ディスクは、パソコ
ンのコードデータファイルメモリ分野を始めとして、既
に、実用レベルにあり、用途拡大が期待されている。用
途の拡大に伴い、更に高い記録再生性能と過酷な環境下
においても安定に動作する高い信頼性が要求されてい
る。
ンのコードデータファイルメモリ分野を始めとして、既
に、実用レベルにあり、用途拡大が期待されている。用
途の拡大に伴い、更に高い記録再生性能と過酷な環境下
においても安定に動作する高い信頼性が要求されてい
る。
【０００６】従来、金属反射層として、Ａｌや、添加金
属として、微量（数ｗｔ．％）のＴａやＴｉ、もしく
は、Ｃｒを含有するＡｌ合金を用いるものが提案されて
いる。
属として、微量（数ｗｔ．％）のＴａやＴｉ、もしく
は、Ｃｒを含有するＡｌ合金を用いるものが提案されて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、金属反射層と
して、Ａｌや従来の添加金属を含有するＡｌ合金を使用
したディスクは、８０℃９０％ＲＨの高温高湿環境下に
て長時間の耐候性試験を行った場合、試験時間５００時
間位迄は、全く異常を生じないが、１０００時間を越え
た辺りから、局所的に記録層の腐食を生じるものがあ
る。
して、Ａｌや従来の添加金属を含有するＡｌ合金を使用
したディスクは、８０℃９０％ＲＨの高温高湿環境下に
て長時間の耐候性試験を行った場合、試験時間５００時
間位迄は、全く異常を生じないが、１０００時間を越え
た辺りから、局所的に記録層の腐食を生じるものがあ
る。
【０００８】本発明の目的は、耐食性に優れた光磁気記
録媒体を提供することにある。
録媒体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る光磁気記録媒体においては、基体上
に、Ｔａの酸化物膜（ＴａＯｘ）からなる第一の誘電体
層と、ＳｉＮ膜からなる第二の誘電体層と、希土類金属
と鉄族遷移金属との組合せによって作成される非晶質磁
性合金膜からなる記録層と、ＳｉＮ膜からなる第三の誘
電体層と、ＡｌＮｉ合金膜からなる金属反射層とが順に
積層成膜されたものである。
め、本発明に係る光磁気記録媒体においては、基体上
に、Ｔａの酸化物膜（ＴａＯｘ）からなる第一の誘電体
層と、ＳｉＮ膜からなる第二の誘電体層と、希土類金属
と鉄族遷移金属との組合せによって作成される非晶質磁
性合金膜からなる記録層と、ＳｉＮ膜からなる第三の誘
電体層と、ＡｌＮｉ合金膜からなる金属反射層とが順に
積層成膜されたものである。
【００１０】
【作用】本発明では、金属反射層としてＡｌＮｉ合金膜
を成膜することにより、耐食性を向上させたものであ
る。
を成膜することにより、耐食性を向上させたものであ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明に係る光磁気記録媒体を示す断面構
成図である。
る。図１は、本発明に係る光磁気記録媒体を示す断面構
成図である。
【００１２】図１において、厚さ１．２ｍｍ，直径１３
０ｍｍのポリカーボネイト基板１上に、Ｔａの酸化物膜
（ＴａＯｘ）からなる厚さ３００オングストロームの第
一の誘電体層２と、ＳｉＮ膜からなる厚さ６００オング
ストロームの第二の誘電体層３と、ＴｂＦｅＣｏＴｉ合
金膜（希土類金属と鉄族遷移金属との組合せによって作
成される非晶質磁性合金膜）からなる厚さ２００オング
ストロームの記録層４と、ＳｉＮ膜からなる厚さ２５０
オングストロームの第三の誘電体層５と、ＡｌＮｉ合金
膜からなる厚さ３００オングストロームの金属反射層６
とが順に積層形成されている。
０ｍｍのポリカーボネイト基板１上に、Ｔａの酸化物膜
（ＴａＯｘ）からなる厚さ３００オングストロームの第
一の誘電体層２と、ＳｉＮ膜からなる厚さ６００オング
ストロームの第二の誘電体層３と、ＴｂＦｅＣｏＴｉ合
金膜（希土類金属と鉄族遷移金属との組合せによって作
成される非晶質磁性合金膜）からなる厚さ２００オング
ストロームの記録層４と、ＳｉＮ膜からなる厚さ２５０
オングストロームの第三の誘電体層５と、ＡｌＮｉ合金
膜からなる厚さ３００オングストロームの金属反射層６
とが順に積層形成されている。
【００１３】上記上層は、インライン式スパッタ装置を
用いて、次のようにして、基板上に連続に作製される。
用いて、次のようにして、基板上に連続に作製される。
【００１４】Ｔａの酸化物膜（ＴａＯｘ）からなる厚さ
３００オングストロームの第一の誘電体層２は、Ｔａタ
ーゲットを用い、ＡｒとＯ2の混合ガス（３０％Ｏ2）を
スパッタガスとしたＲＦ反応性スパッタによりパワー密
度９．６ｗ／ｃｍ2，スパッタガス圧０．２Ｐａで作製
される。
３００オングストロームの第一の誘電体層２は、Ｔａタ
ーゲットを用い、ＡｒとＯ2の混合ガス（３０％Ｏ2）を
スパッタガスとしたＲＦ反応性スパッタによりパワー密
度９．６ｗ／ｃｍ2，スパッタガス圧０．２Ｐａで作製
される。
【００１５】ＳｉＮ膜からなる第二及び第三の誘電体層
３及び５は、Ｓｉターゲットを用い、ＡｒとＮ2の混合
ガス（５０％Ｎ2）をスパッタガスとしたＲＦ反応性ス
パッタにより、パワー密度８ｗ／ｃｍ2，スパッタガス
圧２．５×１０-1Ｐａで作製される。
３及び５は、Ｓｉターゲットを用い、ＡｒとＮ2の混合
ガス（５０％Ｎ2）をスパッタガスとしたＲＦ反応性ス
パッタにより、パワー密度８ｗ／ｃｍ2，スパッタガス
圧２．５×１０-1Ｐａで作製される。
【００１６】また、ＴｂＦｅＣｏＴｉ合金膜からなる厚
さ２００オングストロームの記録層４は、Ｔｂターゲッ
トとＦｅＣｏＴｉ合金ターゲット（Ｆｅ84Ｃｏ12Ｔ
ｉ4：ａｔ％）を用いた２元ＤＣマグネトロンスパッタ
法により、基板を回転しながら、Ａｒガス圧０．０８Ｐ
ａ，Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏＴｉ合金ターゲットの
パワー密度がそれぞれ１．５ｗ／ｃｍ2及び３．０ｗ／
ｃｍ2の下で作製される。
さ２００オングストロームの記録層４は、Ｔｂターゲッ
トとＦｅＣｏＴｉ合金ターゲット（Ｆｅ84Ｃｏ12Ｔ
ｉ4：ａｔ％）を用いた２元ＤＣマグネトロンスパッタ
法により、基板を回転しながら、Ａｒガス圧０．０８Ｐ
ａ，Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏＴｉ合金ターゲットの
パワー密度がそれぞれ１．５ｗ／ｃｍ2及び３．０ｗ／
ｃｍ2の下で作製される。
【００１７】
【００１８】ＡｌＮｉ合金膜からなる金属反射層６は、
Ｎｉを３ｗｔ％を含有するＡｌＮｉ合金ターゲットを用
い、ＡｒガスをスパッタガスとしたＲＦスパッタによ
り、Ａｒガス圧０．１２Ｐａ，パワー密度４ｗ／ｃｍ2
で作製される。
Ｎｉを３ｗｔ％を含有するＡｌＮｉ合金ターゲットを用
い、ＡｒガスをスパッタガスとしたＲＦスパッタによ
り、Ａｒガス圧０．１２Ｐａ，パワー密度４ｗ／ｃｍ2
で作製される。
【００１９】さらに、金属反射層６の保護膜として、厚
さ２〜１０μｍの紫外線硬化樹脂膜が形成される。
さ２〜１０μｍの紫外線硬化樹脂膜が形成される。
【００２０】最後に、上記媒体各２枚ずつを、それぞれ
ホットメルト法により密着貼り合わせたディスク１２個
を、８０℃９０％ＲＨの温湿度条件で、環境試験を行っ
たところ、１２００時間経過後も、記録層４には腐食が
認められなかった。また、エラーレイト及び記録再生特
性の劣化も見られなかった。
ホットメルト法により密着貼り合わせたディスク１２個
を、８０℃９０％ＲＨの温湿度条件で、環境試験を行っ
たところ、１２００時間経過後も、記録層４には腐食が
認められなかった。また、エラーレイト及び記録再生特
性の劣化も見られなかった。
【００２１】尚、ＡｌＮｉ合金組成としては、上述の組
成に限定されるものではなく、Ｎｉ含有量２〜７ｗｔ％
の範囲で、記録再生特性を損なうことなく、同様の耐食
性向上が見られた。また、媒体の各々の層厚も、上述の
ものに限定されるものではなく、所望の記録再生特性に
応じて適宜選定され、これらに対しても同様の効果があ
ることは言うまでもない。
成に限定されるものではなく、Ｎｉ含有量２〜７ｗｔ％
の範囲で、記録再生特性を損なうことなく、同様の耐食
性向上が見られた。また、媒体の各々の層厚も、上述の
ものに限定されるものではなく、所望の記録再生特性に
応じて適宜選定され、これらに対しても同様の効果があ
ることは言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、従来
より耐食性に優れた信頼性の高い光磁気記録媒体を提供
できる。
より耐食性に優れた信頼性の高い光磁気記録媒体を提供
できる。
【図１】本発明の一実施例に係る光磁気記録媒体を示す
断面構成図である。
断面構成図である。
１ 基板 ２ Ｔａの酸化物膜（ＴａＯｘ）からなる誘電体層 ３，５ ＳｉＮ膜からなる誘電体層 ４ ＴｂＦｅＣｏＴｉ合金膜からなる記録層 ６ ＡｌＮｉ膜からなる金属反射層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基体上に、Ｔａの酸化物膜（ＴａＯｘ）
からなる第一の誘電体層と、ＳｉＮ膜からなる第二の誘
電体層と、希土類金属と鉄族遷移金属との組合せによっ
て作成される非晶質磁性合金膜からなる記録層と、Ｓｉ
Ｎ膜からなる第三の誘電体層と、ＡｌＮｉ合金膜からな
る金属反射層とが順に積層成膜されたことを特徴とする
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657891A JPH0528557A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657891A JPH0528557A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528557A true JPH0528557A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16190994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18657891A Pending JPH0528557A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528557A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07320323A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| US10032849B2 (en) | 2016-06-01 | 2018-07-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18657891A patent/JPH0528557A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07320323A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| US10032849B2 (en) | 2016-06-01 | 2018-07-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof |
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