JPS61289530A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS61289530A JPS61289530A JP60129820A JP12982085A JPS61289530A JP S61289530 A JPS61289530 A JP S61289530A JP 60129820 A JP60129820 A JP 60129820A JP 12982085 A JP12982085 A JP 12982085A JP S61289530 A JPS61289530 A JP S61289530A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
- G11B5/7262—Inorganic protective coating
- G11B5/7264—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
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- Y10T428/31678—Of metal
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]
Landscapes
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スパッタ、蒸着やめっき等で磁性層を形成す
る薄膜高記録密度の磁気記録媒体Kかかわり、%Kff
i気ヘッドとの摺動に耐える保護層を設けること罠より
長寿命化した磁気記録媒体に関するものである。
る薄膜高記録密度の磁気記録媒体Kかかわり、%Kff
i気ヘッドとの摺動に耐える保護層を設けること罠より
長寿命化した磁気記録媒体に関するものである。
磁気ディスクや磁気テープなどの磁気記録媒体において
は、磁気ヘッドと媒体間の摺動による媒体の摩耗を低減
することが重要な課題である。特に、スパッタ、蒸着や
めっきにより直接磁性層を形成する*g磁気記録媒体に
おいては、従来の磁性粉をバインダ中に分散させ、塗布
乾燥により磁性層を形成するものと違い、潤滑剤をバイ
ンダ中に混ぜ込む方法をとれないため、前記課題の解決
がさらに困難となる。
は、磁気ヘッドと媒体間の摺動による媒体の摩耗を低減
することが重要な課題である。特に、スパッタ、蒸着や
めっきにより直接磁性層を形成する*g磁気記録媒体に
おいては、従来の磁性粉をバインダ中に分散させ、塗布
乾燥により磁性層を形成するものと違い、潤滑剤をバイ
ンダ中に混ぜ込む方法をとれないため、前記課題の解決
がさらに困難となる。
薄換磁気記碌媒体の耐摺動性向上のためには、磁性層表
面に潤滑性保護層を設けるのがよく、今でに各種の潤滑
性保護層の形成方法が提案されている。例えば、液状潤
滑油を塗布する方法、有機高分子をスパッタし薄膜化す
る方法(特開昭57−116771号公報)、フッ素系
有機化合物や有機シリコン化合物をプラズマ中で重合、
堆積させる方法(特開昭51−127702号公報)、
高級脂肪酸を真空蒸着する方法(特開昭54−1150
5号公報)、カーボンをスパッタして薄膜化する方法(
日子ら、第8回日本応用磁気学会学術講演概要集、22
2頁、1984年11月)などがある。本願発明者らは
、これらの方法を試みたが、確かに保護層のない場合に
比べ寿命は長くなるが、実用レベルには至らなかった。
面に潤滑性保護層を設けるのがよく、今でに各種の潤滑
性保護層の形成方法が提案されている。例えば、液状潤
滑油を塗布する方法、有機高分子をスパッタし薄膜化す
る方法(特開昭57−116771号公報)、フッ素系
有機化合物や有機シリコン化合物をプラズマ中で重合、
堆積させる方法(特開昭51−127702号公報)、
高級脂肪酸を真空蒸着する方法(特開昭54−1150
5号公報)、カーボンをスパッタして薄膜化する方法(
日子ら、第8回日本応用磁気学会学術講演概要集、22
2頁、1984年11月)などがある。本願発明者らは
、これらの方法を試みたが、確かに保護層のない場合に
比べ寿命は長くなるが、実用レベルには至らなかった。
ただし、カーボンのスパッタ膜ハ摩耗係数が低く、摩耗
しにくい性質を有することを見いだした。
しにくい性質を有することを見いだした。
シカシ、カーボンスパッタ膜は磁性層との付着力が弱く
、摺動により容易に剥離してしまうため、そのままでは
十分な効果がなかった。
、摺動により容易に剥離してしまうため、そのままでは
十分な効果がなかった。
〔発明の目的〕 。
本発明の目的は、磁気ヘッドとの摺動による摩耗の少な
い保護層を設けて、寿命を飛−的に向上させた磁気記録
媒体を提供することにある。
い保護層を設けて、寿命を飛−的に向上させた磁気記録
媒体を提供することにある。
本発明は、カーボン層の付着力向上のためカーボン膜と
磁性層との間に中間層を設け、この中間層の働きでカー
ボン膜の剥離を防ぐことによって耐摺動性に優れた磁気
記録媒体を実現しようとするものである。
磁性層との間に中間層を設け、この中間層の働きでカー
ボン膜の剥離を防ぐことによって耐摺動性に優れた磁気
記録媒体を実現しようとするものである。
本願発明者らは、上記中間層としては有機物を用いるこ
とが効果があることを見いだした。
とが効果があることを見いだした。
これは、有機物層とカーボンスパッタ層との親和性が強
いためであり、おそらくスパッタのエネルギーにより有
機物表面の結合が一部切れ、スパッタ粒子であるカーボ
ンとの反応で新たに有機物層とカーボン層間に結合が生
ずるため付着力が向上するものと推定される。
いためであり、おそらくスパッタのエネルギーにより有
機物表面の結合が一部切れ、スパッタ粒子であるカーボ
ンとの反応で新たに有機物層とカーボン層間に結合が生
ずるため付着力が向上するものと推定される。
本発明におけるカーボン層の形成方法は、形成初期に有
機物表面の結合を切るに足るエネルギーを有する電子、
イオン、中性粒子が処理表面に入射する条件で形成する
のがよ(、例えば■スパッタ、 高尚mスパッタ、マグ
ネトロン型スパッタ、イオンビームスパッタなどにおい
ては炭素質物質をターゲットとしてスパッタすることに
より形成できる。このほか、文献〔毛利ら、表面科学、
第5巻第2号、75頁(1982年)〕に記載され℃い
るイオン化蒸着法や、炭化水素ガスをプラズマ中で分解
して、硬質カーボン層を堆積させるプラズマCVD法、
あるいは被処理基体にイオンビームを照射しつつ蒸着す
るイオンビーム併用蒸着も用いることができる。
機物表面の結合を切るに足るエネルギーを有する電子、
イオン、中性粒子が処理表面に入射する条件で形成する
のがよ(、例えば■スパッタ、 高尚mスパッタ、マグ
ネトロン型スパッタ、イオンビームスパッタなどにおい
ては炭素質物質をターゲットとしてスパッタすることに
より形成できる。このほか、文献〔毛利ら、表面科学、
第5巻第2号、75頁(1982年)〕に記載され℃い
るイオン化蒸着法や、炭化水素ガスをプラズマ中で分解
して、硬質カーボン層を堆積させるプラズマCVD法、
あるいは被処理基体にイオンビームを照射しつつ蒸着す
るイオンビーム併用蒸着も用いることができる。
本発明における有機物層に用いる有機物は、0.5μm
以下、好ましくは0.1〜0.001μmの厚さに薄膜
化できることが必要である。また、有機物層と被処理基
体との間の付着力が小さいと、この面から剥離が生じる
ため、JIS規格に6849に示される接着強度試験に
おいて10KP7”−以上好ましく t! 50KP/
erII以上の接着力を有するのがよい。
以下、好ましくは0.1〜0.001μmの厚さに薄膜
化できることが必要である。また、有機物層と被処理基
体との間の付着力が小さいと、この面から剥離が生じる
ため、JIS規格に6849に示される接着強度試験に
おいて10KP7”−以上好ましく t! 50KP/
erII以上の接着力を有するのがよい。
上記有機物層の形成方法および材料には、以下のものが
ある。
ある。
1)塗布法
有機高分子を溶剤に浴かし、回転塗布法または被処理基
体を該溶液に浸した後引き上げる引き上げ法、またはス
プレーにより該溶液を吹きつげ、乾燥させる吹きつけ法
などで塗布膜をつくり、溶剤を揮発させる方法である。
体を該溶液に浸した後引き上げる引き上げ法、またはス
プレーにより該溶液を吹きつげ、乾燥させる吹きつけ法
などで塗布膜をつくり、溶剤を揮発させる方法である。
該方法で使用できる有機高分子材料は、沸点が50〜2
50℃の範囲の溶剤に体積比0.1%以上の濃度で可溶
なものがよく、例えばポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、
アクリル樹、すd、メタクリル樹脂、ポリアミド、熱可
塑性ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリベンゾイミダゾールなどの熱町
1性高分子、フェノール樹脂、フラン樹脂、尿素樹脂、
メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂
など熱硬化性樹脂の硬化前の低分子量物質などが好適に
用いられる。また、上記有機高分子溶液は、濃度0.1
〜50vo1%、好ましくは0.1〜1Qvol!%と
し、前記した各種塗布方法で塗布した後、溶剤の沸点以
上の温度で加熱し乾燥させるのがよい。
50℃の範囲の溶剤に体積比0.1%以上の濃度で可溶
なものがよく、例えばポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、
アクリル樹、すd、メタクリル樹脂、ポリアミド、熱可
塑性ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリベンゾイミダゾールなどの熱町
1性高分子、フェノール樹脂、フラン樹脂、尿素樹脂、
メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂
など熱硬化性樹脂の硬化前の低分子量物質などが好適に
用いられる。また、上記有機高分子溶液は、濃度0.1
〜50vo1%、好ましくは0.1〜1Qvol!%と
し、前記した各種塗布方法で塗布した後、溶剤の沸点以
上の温度で加熱し乾燥させるのがよい。
11)スパッタ法
有機高分子化合物をターゲットとしてスパッタし、被処
理基体上に有機物薄膜を形成する。
理基体上に有機物薄膜を形成する。
スパッタ装置は!全排気可能な容器内にカソード電極を
有するもので、有機高分子の板または任意の材質の板の
表面に有機高分子をコーティングしたものを該カソード
面を覆うように設置し、Ay 、Ha 、Ng 、Kr
、X−を生成分とするガスを0.001〜0.1To
rrの圧力範囲に保つように容器内に導入した後、該カ
ソード電極に高°電圧を印加し放′シを発生させて生ず
るイオンのエネルギーを利用して有機高分子をスパッタ
し、該カソードと対向する被処理基体表面に皮膜を形成
するものである。印加する高電圧は、負の直流電圧また
は周波数が1’01Glz〜100MHzの高周波電圧
のいずれでもよいが、高周波電圧を用いた方が再男性よ
く皮膜を形成できる。ターゲットとして用いる有機高分
子は、スパッタ時の高温に耐えるため、融点または熱分
解開始温度が100℃以上のものを選ぶ必要がある。有
機高分子の種類とじ℃は、例えばフェノール樹脂、7ラ
ン樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、エポキシ樹力旨等の熱硬化性樹脂、および芳香族
ポリアミド、ポリフェニレン、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリエステルイミド、ポリベンゾイミダゾール
、ポリフェニレンオキシド、シリコーン樹脂などを用い
ることができる。
有するもので、有機高分子の板または任意の材質の板の
表面に有機高分子をコーティングしたものを該カソード
面を覆うように設置し、Ay 、Ha 、Ng 、Kr
、X−を生成分とするガスを0.001〜0.1To
rrの圧力範囲に保つように容器内に導入した後、該カ
ソード電極に高°電圧を印加し放′シを発生させて生ず
るイオンのエネルギーを利用して有機高分子をスパッタ
し、該カソードと対向する被処理基体表面に皮膜を形成
するものである。印加する高電圧は、負の直流電圧また
は周波数が1’01Glz〜100MHzの高周波電圧
のいずれでもよいが、高周波電圧を用いた方が再男性よ
く皮膜を形成できる。ターゲットとして用いる有機高分
子は、スパッタ時の高温に耐えるため、融点または熱分
解開始温度が100℃以上のものを選ぶ必要がある。有
機高分子の種類とじ℃は、例えばフェノール樹脂、7ラ
ン樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、エポキシ樹力旨等の熱硬化性樹脂、および芳香族
ポリアミド、ポリフェニレン、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリエステルイミド、ポリベンゾイミダゾール
、ポリフェニレンオキシド、シリコーン樹脂などを用い
ることができる。
111)プラズマ重合法
有機化合物蒸気をプラズマ中で活性化し、被処理基体表
面に有機物薄膜を形成するものである。使用する有機化
合物は、蒸発気化するものであればプラズマ重合可能で
あるが、蒸気圧の極端に低いものは重合速度が小さくな
るため、室温で飽和蒸気圧0.05Torr以上のもの
が好ましい。有機化合物の種類としては、例えばメタン
、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、アセチレ
ン、ベンゼン、スチレン、トルエンなど一般式Cr&H
yn (nは7以下の整数)で表わされる炭化水素類、
モノクロロエタン、モノクロロエチレン、1.2−ジク
ロロエチレン、クロロベンゼン、ヨウ化エチレン、臭化
エチレンなどのハロゲン化炭化水素類、メチルエチルケ
トン、ジエチルケトン、メチルビニルケトン、メチルイ
ソプロペニルケトンなどのケトン類、メチルアクリレー
ト、メチルメタクリレート、ビニルアクリレート、ビニ
ルメタクリレート、等のエステル類、7’)ジクロロエ
チレン、パー70ロシクロフタン、パーフロロベンゼン
等のフッ化炭化水素類、テトラメチルシラン、ヘキサメ
チルジシラザン、テトラビニルシラン、テトラメチルジ
シロキサン等の含ケイ素有機化合物などがあるが、上記
に限られるものではない。
面に有機物薄膜を形成するものである。使用する有機化
合物は、蒸発気化するものであればプラズマ重合可能で
あるが、蒸気圧の極端に低いものは重合速度が小さくな
るため、室温で飽和蒸気圧0.05Torr以上のもの
が好ましい。有機化合物の種類としては、例えばメタン
、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、アセチレ
ン、ベンゼン、スチレン、トルエンなど一般式Cr&H
yn (nは7以下の整数)で表わされる炭化水素類、
モノクロロエタン、モノクロロエチレン、1.2−ジク
ロロエチレン、クロロベンゼン、ヨウ化エチレン、臭化
エチレンなどのハロゲン化炭化水素類、メチルエチルケ
トン、ジエチルケトン、メチルビニルケトン、メチルイ
ソプロペニルケトンなどのケトン類、メチルアクリレー
ト、メチルメタクリレート、ビニルアクリレート、ビニ
ルメタクリレート、等のエステル類、7’)ジクロロエ
チレン、パー70ロシクロフタン、パーフロロベンゼン
等のフッ化炭化水素類、テトラメチルシラン、ヘキサメ
チルジシラザン、テトラビニルシラン、テトラメチルジ
シロキサン等の含ケイ素有機化合物などがあるが、上記
に限られるものではない。
プラズマ重合に用いる装置は、真空排気可能な容器と排
気装置、有機化合物蒸気の導入装置、およびプラズマ発
生機構を有するもので、プラズマ発生方式は、容器内に
電極を設げ℃、直流、交流または高周波の電圧を印加す
る内部電極方式、容器外の電極またはコイルから電界ま
たは磁界を発生させる外部電極または外部誘導方式、マ
イクロ波を用いるマイクロ波方式のいずれでもよいが、
直流、交流の内部電極方式では、電極に有機物が付着し
てプラズマが不安定圧なりやすいため、これ以外の方式
が好ましい。
気装置、有機化合物蒸気の導入装置、およびプラズマ発
生機構を有するもので、プラズマ発生方式は、容器内に
電極を設げ℃、直流、交流または高周波の電圧を印加す
る内部電極方式、容器外の電極またはコイルから電界ま
たは磁界を発生させる外部電極または外部誘導方式、マ
イクロ波を用いるマイクロ波方式のいずれでもよいが、
直流、交流の内部電極方式では、電極に有機物が付着し
てプラズマが不安定圧なりやすいため、これ以外の方式
が好ましい。
反応ガスとしては、有機化合物蒸気を単独にまたは希ガ
スや八−N! −Otなどと混合して用いることができ
る。反応容器内圧力は0.01〜10Torrの範囲と
するのがよく、上記反応ガスを一定流量で反応容器内に
導入し、排気速度を調節して所望のガス圧とするのがよ
い。ガス圧調節後前記の方法でプラズマを発生すること
により該容器内に設置された被処理基体表面に有機物層
が形成される。
スや八−N! −Otなどと混合して用いることができ
る。反応容器内圧力は0.01〜10Torrの範囲と
するのがよく、上記反応ガスを一定流量で反応容器内に
導入し、排気速度を調節して所望のガス圧とするのがよ
い。ガス圧調節後前記の方法でプラズマを発生すること
により該容器内に設置された被処理基体表面に有機物層
が形成される。
IV) 蒸着法
真空容器内で有機化合物を加熱し、蒸発させて、対向す
る位置におかれた被処理基体表面に該有機物蒸発分子を
付着させ、有機物層を形成する手法である。有機化合物
としては、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、
リノール酸、リルン酸などの高級脂肪酸、およびそれら
のリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩などを用いる
ことができる。加熱の方法は、抵抗加熱、電子線加熱の
いずれでもよい。
る位置におかれた被処理基体表面に該有機物蒸発分子を
付着させ、有機物層を形成する手法である。有機化合物
としては、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、
リノール酸、リルン酸などの高級脂肪酸、およびそれら
のリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩などを用いる
ことができる。加熱の方法は、抵抗加熱、電子線加熱の
いずれでもよい。
本発明における磁性層は、スパッタや蒸着、めっき法な
どにより強龜性物質を薄膜化したものであり、例えばr
−Fg、 O,、Co、 Co −Ni合金、C0−
Cr合金、酸化クロム、Fa−Co −Cr合金、co
−p合金、Co −Ni −P合金その他の材料を
用いることができる。また、磁性層を設ける基材として
は、磁気テープやフロッピー伍気ディスクの場合はポリ
エステルフィルムやポリイミドフィルム、磁気ディスク
の場合は、表面をアルマイト処理等で硬化させるかまた
はN1−P等の硬質めっき層を設けたアルミニウム基板
が用いられる。
どにより強龜性物質を薄膜化したものであり、例えばr
−Fg、 O,、Co、 Co −Ni合金、C0−
Cr合金、酸化クロム、Fa−Co −Cr合金、co
−p合金、Co −Ni −P合金その他の材料を
用いることができる。また、磁性層を設ける基材として
は、磁気テープやフロッピー伍気ディスクの場合はポリ
エステルフィルムやポリイミドフィルム、磁気ディスク
の場合は、表面をアルマイト処理等で硬化させるかまた
はN1−P等の硬質めっき層を設けたアルミニウム基板
が用いられる。
以下、本発明の実施例をその比較例とともに説明する。
実施例1
アルミニウム製ディスク用基板の表面をアルマイト化し
、両面に#累を含むアルゴン芥囲気中でF−のスパッタ
リングを行りた後、500℃で該基板を熱酸化し、r−
F〜0.磁性層を形成した。r −Fg、 0.層の膜
厚は0.2μ痛とした。この基板の両面に、第1表に示
す有機高分子化合物を、やはり第1表に示した条件でス
パッタリングを行い、厚さ0.02μmの有機物層を形
成した。
、両面に#累を含むアルゴン芥囲気中でF−のスパッタ
リングを行りた後、500℃で該基板を熱酸化し、r−
F〜0.磁性層を形成した。r −Fg、 0.層の膜
厚は0.2μ痛とした。この基板の両面に、第1表に示
す有機高分子化合物を、やはり第1表に示した条件でス
パッタリングを行い、厚さ0.02μmの有機物層を形
成した。
スパッタは、平行電極型高周波スパッタ装置を用い、電
源周波数は15 、56Mkhとした。その後、該基板
両面に、グラ7アイトカーボンをターゲットとして、平
行電極型高周波スパッタ装置によりスパッタリングを行
い、厚さ0.02μmのカーボン層を形成した。
源周波数は15 、56Mkhとした。その後、該基板
両面に、グラ7アイトカーボンをターゲットとして、平
行電極型高周波スパッタ装置によりスパッタリングを行
い、厚さ0.02μmのカーボン層を形成した。
このようにして製作した磁気ディスクの表面に実際の磁
気ヘッドを接触させ、ディスクを500Orpmで回転
させてヘッドを浮上させ、ついで回転を止めて再びヘッ
ドを接触させるというサイクルを繰り返し行い、寿命試
験(コンタクト、スタート/ストップ試験、以下C8/
S試験と記す)を行った。ディスク面に傷が入るまでの
回数(C8/S回数)を寿命の指標とした。結果は第1
図に示したように、磁性層のみで保護層のない場合や有
機物層がない場合に比べ寿命が長くなった。
気ヘッドを接触させ、ディスクを500Orpmで回転
させてヘッドを浮上させ、ついで回転を止めて再びヘッ
ドを接触させるというサイクルを繰り返し行い、寿命試
験(コンタクト、スタート/ストップ試験、以下C8/
S試験と記す)を行った。ディスク面に傷が入るまでの
回数(C8/S回数)を寿命の指標とした。結果は第1
図に示したように、磁性層のみで保護層のない場合や有
機物層がない場合に比べ寿命が長くなった。
比較例1
実施例1と同様K11a性層を設けたディスク基板に、
保獲層を設けることな(C8/S試験を行い、寿命を調
べた。結果は、第1表に示したよ5に、非常に少ない回
数で磁性層に傷が入り、短寿命であった。
保獲層を設けることな(C8/S試験を行い、寿命を調
べた。結果は、第1表に示したよ5に、非常に少ない回
数で磁性層に傷が入り、短寿命であった。
比較例2
実施例1と同様に磁性層を設げたディスク基板に、有機
物層を設けずにカーボンスパッタ層を形成し、C8/S
試験を行った。結果は、第1表に示したように、カーボ
ン層の剥離が起こり短寿命であった。
物層を設けずにカーボンスパッタ層を形成し、C8/S
試験を行った。結果は、第1表に示したように、カーボ
ン層の剥離が起こり短寿命であった。
以下余白
実施例2
実施例1と同様の方法で磁性層を形成した磁気ディスク
基板の両面に、第2表に示す有機高分子化合物を浴剤に
溶かして回転塗布し、厚さ0.05μm の有機物層を
形成した。該基板両面に実施例1と同様にカーボンのス
パッタリングを行い、厚さ0.02μ扉のカーボン層を
形成した。
基板の両面に、第2表に示す有機高分子化合物を浴剤に
溶かして回転塗布し、厚さ0.05μm の有機物層を
形成した。該基板両面に実施例1と同様にカーボンのス
パッタリングを行い、厚さ0.02μ扉のカーボン層を
形成した。
このようKして製作した磁気ディスクをCs/S試験機
Kかけた。結果を第2表に示したが、実施例1の場合と
同様に好結果が得られた。
Kかけた。結果を第2表に示したが、実施例1の場合と
同様に好結果が得られた。
以下余白
実施例5
実施例1と同様の方法で磁性層を形成した磁気ディスク
基板を、平行電極を有する真空槽内の一方の電極上に設
置し、槽内な第5表に示す各有機化合物の蒸気で満たし
た後、他方の電極との間に15 、56MH2の高周波
電圧を印加し、プラズマを発生させて前記有機化合物を
重合させ、厚さ0.02μm の有機物層を両面く形成
した。該基板両面に、実施例1と同様な方法でカーボン
のスパッタリングを行い、厚さ0.05μmツカ−ボン
層を形成した。このようにして製作した磁気ディスクを
(、’S/ S試験機Kかげた。結果を第5表に示した
が、前記実施例1,2の場合と同様に好結果が得られた
。
基板を、平行電極を有する真空槽内の一方の電極上に設
置し、槽内な第5表に示す各有機化合物の蒸気で満たし
た後、他方の電極との間に15 、56MH2の高周波
電圧を印加し、プラズマを発生させて前記有機化合物を
重合させ、厚さ0.02μm の有機物層を両面く形成
した。該基板両面に、実施例1と同様な方法でカーボン
のスパッタリングを行い、厚さ0.05μmツカ−ボン
層を形成した。このようにして製作した磁気ディスクを
(、’S/ S試験機Kかげた。結果を第5表に示した
が、前記実施例1,2の場合と同様に好結果が得られた
。
以下余白
実施例4
厚さ10μmのポリエステルフィルムの表面KCo −
Ni合金を斜め蒸着法により0.1μ隅 の厚さに蒸着
し、母性層を形成した。ついで、磁性層表面に、実施例
1と同様な方法で、第4表に示す有機高分子をターゲッ
トとしてスパッタリングを行い、厚さ0.01μ隅の有
機物層を形成した。次に、ターゲットをグラファイトに
変え、同様にスパッタリングを行って、厚さ0.02μ
mのカーボン層を形成した。
Ni合金を斜め蒸着法により0.1μ隅 の厚さに蒸着
し、母性層を形成した。ついで、磁性層表面に、実施例
1と同様な方法で、第4表に示す有機高分子をターゲッ
トとしてスパッタリングを行い、厚さ0.01μ隅の有
機物層を形成した。次に、ターゲットをグラファイトに
変え、同様にスパッタリングを行って、厚さ0.02μ
mのカーボン層を形成した。
このようKf1作した蒸着テープをピン摺動試験機にか
けた。そして、実際のビデオテープレコーダに用いられ
ているガイドピンに、磁性体側の面とピンとが接するよ
うにして、巻き角90°で巻き付け、速度1m /7m
1n 、荷重20Fで摺動させ、100回摺動させた後
のテープ表面の傷の入り方および保護膜の剥離の程度を
調べた。
けた。そして、実際のビデオテープレコーダに用いられ
ているガイドピンに、磁性体側の面とピンとが接するよ
うにして、巻き角90°で巻き付け、速度1m /7m
1n 、荷重20Fで摺動させ、100回摺動させた後
のテープ表面の傷の入り方および保護膜の剥離の程度を
調べた。
結果は、第4表に示すように、保護膜の剥離は見られず
、磁性層に達する傷も゛なかった。
、磁性層に達する傷も゛なかった。
比較例5
実施例4と同様にして磁性層を形成した蒸着テープをそ
のままビン摺動試験機Kかけた。結果は、8g4表に示
すように、磁性層表面に無数の傷が発生した。
のままビン摺動試験機Kかけた。結果は、8g4表に示
すように、磁性層表面に無数の傷が発生した。
比較例4
実施例4と同様にして磁性層を形成した蒸着テープの母
性層上に、有機物層を設けることな(カーボンスパッタ
層を設け、ビン摺動試験機Kかけた。結果は、第4表に
示すよ5K、保護膜が剥離し、磁性層にも傷が発生した
。
性層上に、有機物層を設けることな(カーボンスパッタ
層を設け、ビン摺動試験機Kかけた。結果は、第4表に
示すよ5K、保護膜が剥離し、磁性層にも傷が発生した
。
以下余白
実施例5
実施例1と同じようKr−F〜0.磁性層を設けたアル
ミニウム製ディスク用基板を抵抗加熱式真空蒸着装置の
基板ホルダに設置し、蒸着原料容器にステアリン酸を入
れて、蒸着槽を1×10 Torr以下に排気した。
ミニウム製ディスク用基板を抵抗加熱式真空蒸着装置の
基板ホルダに設置し、蒸着原料容器にステアリン酸を入
れて、蒸着槽を1×10 Torr以下に排気した。
ついで、該容器を加熱してステアリン酸蒸気を発生させ
、r−F〜0゜磁性層表面に厚さo、oosμ扉 の蒸
着膜を形成した。その後、該ディスク用基板を平行電極
散スパッタ装置のターゲット電極に対向させて設置し、
実施例1と同じ条件でカーボンのスパッタリングを行っ
た。カーボン層の膜厚は0.02μmとした。このよう
圧して製作した磁気ディスクを、実施例1と同様に(、
’S/S試験機にかげたところ、Cs/S回数は20に
回に達し、ステアリン敏蒸7It膜を設けない場合に比
べ寿命が40倍となった。
、r−F〜0゜磁性層表面に厚さo、oosμ扉 の蒸
着膜を形成した。その後、該ディスク用基板を平行電極
散スパッタ装置のターゲット電極に対向させて設置し、
実施例1と同じ条件でカーボンのスパッタリングを行っ
た。カーボン層の膜厚は0.02μmとした。このよう
圧して製作した磁気ディスクを、実施例1と同様に(、
’S/S試験機にかげたところ、Cs/S回数は20に
回に達し、ステアリン敏蒸7It膜を設けない場合に比
べ寿命が40倍となった。
以上述べてきたように、本発明によれば、磁気記録媒体
とヘッドの摺動時にカーボン保護層の剥離脱落を防ぐこ
とができ、カーボン本来の?14/l性能を発揮させる
ことができるため、磁気記録媒体の寿命が飛躍的に向上
するという効果が得られる。
とヘッドの摺動時にカーボン保護層の剥離脱落を防ぐこ
とができ、カーボン本来の?14/l性能を発揮させる
ことができるため、磁気記録媒体の寿命が飛躍的に向上
するという効果が得られる。
、2)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、支持基体上に、強磁性を有する物質からなる磁性層
と、有機物からなる層と、炭素からなる層とを、この順
序で設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 2、有機物からなる層が、有機高分子素材を高エネルギ
ーのイオンによりスパッタして設けたものであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の磁気記録媒体
。 3、有機物からなる層が、有機高分子を溶剤に溶かした
液を磁性層上に塗布した後、溶剤を気化させ乾燥させて
設けたものであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載の磁気記録媒体。 4、有機物からなる層が、揮発性有機化合物の蒸気をプ
ラズマ中で反応させて有機高分子を得ることにより設け
たものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項に
記載の磁気記録媒体。 5、有機物からなる層が、高級脂肪酸またはそのアルカ
リ塩を真空中で蒸着することにより設けたものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の磁気記録
媒体。 6、有機物からなる層の厚みが0.001〜0.1μm
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
5項のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。 7、炭素からなる層が炭素からなるターゲット材料をス
パッタするか、炭化水素を含むガスをプラズマ中で分解
して堆積させるか、炭素を真空槽内で蒸発させ、蒸発粒
子をイオン化して電場により加速し、被処理基体表面へ
入射させるイオン化蒸着法によるか、イオンビームやレ
ーザ、電子線等のエネルギービームを被処理基体表面へ
照射しつつ炭素を蒸着するかのいずれかの方法により形
成されたものであることを特徴とする特許請求の範囲第
1項ないし第6項のいずれか1項に記載の磁気記録媒体
。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60129820A JPS61289530A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 磁気記録媒体 |
US06/910,141 US4713288A (en) | 1985-06-17 | 1986-06-04 | Magnetic recording medium |
EP86107953A EP0206115B1 (en) | 1985-06-17 | 1986-06-11 | Magnetic recording medium |
DE8686107953T DE3669604D1 (de) | 1985-06-17 | 1986-06-11 | Magnetischer aufzeichnungstraeger. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60129820A JPS61289530A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61289530A true JPS61289530A (ja) | 1986-12-19 |
Family
ID=15019029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60129820A Pending JPS61289530A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 磁気記録媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4713288A (ja) |
EP (1) | EP0206115B1 (ja) |
JP (1) | JPS61289530A (ja) |
DE (1) | DE3669604D1 (ja) |
Cited By (2)
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JPH01245417A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JP2005340652A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Nec Corp | 共重合高分子膜およびその作製方法 |
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FR2622337B1 (fr) * | 1987-10-27 | 1995-06-16 | Thomson Csf | Tete d'enregistrement/lecture video, procede de realisation et appareil mettant en oeuvre ce procede |
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1985
- 1985-06-17 JP JP60129820A patent/JPS61289530A/ja active Pending
-
1986
- 1986-06-04 US US06/910,141 patent/US4713288A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-06-11 EP EP86107953A patent/EP0206115B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-11 DE DE8686107953T patent/DE3669604D1/de not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0206115A2 (en) | 1986-12-30 |
US4713288A (en) | 1987-12-15 |
DE3669604D1 (de) | 1990-04-19 |
EP0206115B1 (en) | 1990-03-14 |
EP0206115A3 (en) | 1987-05-27 |
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