JPS63106924A - 磁気デイスク用保護膜の製造方法 - Google Patents
磁気デイスク用保護膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS63106924A JPS63106924A JP25197286A JP25197286A JPS63106924A JP S63106924 A JPS63106924 A JP S63106924A JP 25197286 A JP25197286 A JP 25197286A JP 25197286 A JP25197286 A JP 25197286A JP S63106924 A JPS63106924 A JP S63106924A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- fine particles
- magnetic disk
- film
- plasma
- Prior art date
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- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は保護膜を設けたハード磁気ディスクの製造方法
に関するものであシ、特に固体潤滑性に優れ几超微粒子
を保護膜成分として活用することによ）耐磨耗性に優れ
た磁気ディスクを製造せんとするものである。
に関するものであシ、特に固体潤滑性に優れ几超微粒子
を保護膜成分として活用することによ）耐磨耗性に優れ
た磁気ディスクを製造せんとするものである。
従来記録層として強磁性金属の薄膜を使用した磁気ディ
スクは、磁性金属を真空蒸着或は磁性微粒子を分散させ
た樹脂溶液をスピンコードなトニよりてアルミニウム等
の基板上に薄膜として被着しているものである。
スクは、磁性金属を真空蒸着或は磁性微粒子を分散させ
た樹脂溶液をスピンコードなトニよりてアルミニウム等
の基板上に薄膜として被着しているものである。
これらの材料は高密度記録を達成するために優れた特性
を有するものである。然しなから回転する磁気ディスク
と頻繁に接触を繰り返す磁気ヘッドによって凪性皮膜は
損傷をうけ易く磁気特性が徐々に低下するという問題が
あった。
を有するものである。然しなから回転する磁気ディスク
と頻繁に接触を繰り返す磁気ヘッドによって凪性皮膜は
損傷をうけ易く磁気特性が徐々に低下するという問題が
あった。
従ってプラズマ重合膜が専ら保護膜として使用されてい
るものであるが、このプラズマ重合膜に着現象が見られ
る。この几め磁気記録層がけづられて信号の記録、読み
出しに支障を生ずるものでありた。かかる現状に鑑み長
期使用しても表面の変化が見られず弐面摩搦係数の小さ
い薄膜材料の出現が要望されているものであった。
るものであるが、このプラズマ重合膜に着現象が見られ
る。この几め磁気記録層がけづられて信号の記録、読み
出しに支障を生ずるものでありた。かかる現状に鑑み長
期使用しても表面の変化が見られず弐面摩搦係数の小さ
い薄膜材料の出現が要望されているものであった。
本発明は磁気特性を阻害することなく、磁性膜との接着
性及び表ｒｋＪ＠滑性に優れた保護膜の製造方法を開発
したものである。
性及び表ｒｋＪ＠滑性に優れた保護膜の製造方法を開発
したものである。
本発明方法はアルミニウム板などの基板上にＮ１−Ｐな
どの化学メッキ層を付着せしめ研摩仕上として被着せし
めたことを特徴とするものである。
どの化学メッキ層を付着せしめ研摩仕上として被着せし
めたことを特徴とするものである。
本発明方法において自己潤滑性微粒子とは平均粒径が０
．１ μｍ以下、望ましくは０．０２〜０．０８μｍの
二硫化モリブデン微粒子、グラファイト微粒子、ポリテ
トラフロロエチレン微粒子等からな９．これらの微粒子
をア七トン、アルコールなどの低沸点揮発性の有機液体
によＦ） ２ ｗｔ％以内に均一に分散せしめてエマル
ノヨン状態とし、上記基板上にスプレー法、スピンコー
ドなどによシ均一に塗布する。次に、エマルジ、ン媒体
を形成している低沸点揮発性有機液体を除去するため、
減圧下又は、加熱下あるいは、加熱減圧下において、乾
燥した自己潤滑性微粒子の均一相を形成せしめる。次に
、この微粒子を固定するために、プラズマ重合の薄膜を
用いる。又プラズマ重合のためのモノマーとしては昇華
性有機化合物であ夛、常温常圧で固相を呈するものであ
る。具体的には、ナフタレン、アントラセン、テトラセ
ン、インタセン、ヘキブセン、ペリレン、７エナントレ
ン、クリセン、トリフェニレン、ピレン、ベンゾピレン
、ビオラントレン、コロネン、オパレン等の芳香族炭化
水素、或は、その誘導体、或は、ジフェニール、ジフェ
ニルメタン、ジベンジル、トリフェニルメタン、ジフェ
ニルエチレン、ジフェニルアセチレン、ターフェニル等
の脂肪族−芳香族炭化水素（アレーン）或はその誘導体
である。これらの中でも特に、昇華性の著しいまたは溶
融時に高い蒸気圧を示す固体化合物が望ましい。
．１ μｍ以下、望ましくは０．０２〜０．０８μｍの
二硫化モリブデン微粒子、グラファイト微粒子、ポリテ
トラフロロエチレン微粒子等からな９．これらの微粒子
をア七トン、アルコールなどの低沸点揮発性の有機液体
によＦ） ２ ｗｔ％以内に均一に分散せしめてエマル
ノヨン状態とし、上記基板上にスプレー法、スピンコー
ドなどによシ均一に塗布する。次に、エマルジ、ン媒体
を形成している低沸点揮発性有機液体を除去するため、
減圧下又は、加熱下あるいは、加熱減圧下において、乾
燥した自己潤滑性微粒子の均一相を形成せしめる。次に
、この微粒子を固定するために、プラズマ重合の薄膜を
用いる。又プラズマ重合のためのモノマーとしては昇華
性有機化合物であ夛、常温常圧で固相を呈するものであ
る。具体的には、ナフタレン、アントラセン、テトラセ
ン、インタセン、ヘキブセン、ペリレン、７エナントレ
ン、クリセン、トリフェニレン、ピレン、ベンゾピレン
、ビオラントレン、コロネン、オパレン等の芳香族炭化
水素、或は、その誘導体、或は、ジフェニール、ジフェ
ニルメタン、ジベンジル、トリフェニルメタン、ジフェ
ニルエチレン、ジフェニルアセチレン、ターフェニル等
の脂肪族−芳香族炭化水素（アレーン）或はその誘導体
である。これらの中でも特に、昇華性の著しいまたは溶
融時に高い蒸気圧を示す固体化合物が望ましい。
又、本発明方法において保護膜をうるには反応容器中に
アルゴン、窒素、ヘリウムの如き不活性気体を導入し、
その内圧を０．０５〜１．５ ｔｏｒｒに保持して、前
記不活性ガスのプラズマを発生させながら上記昇華性有
機化合物を気化させて、グツズを呈しており（図１）該
微粒子間にモノマーが容易に没入することができる。浸
入したモノマーがプラズマ重合相を形成することによっ
て微粒子が強固に薄膜中に固定される。（図２）その膜
厚は０．０１〜０．１μｍ望ましくは０．０４〜０．０
６μｍである。
アルゴン、窒素、ヘリウムの如き不活性気体を導入し、
その内圧を０．０５〜１．５ ｔｏｒｒに保持して、前
記不活性ガスのプラズマを発生させながら上記昇華性有
機化合物を気化させて、グツズを呈しており（図１）該
微粒子間にモノマーが容易に没入することができる。浸
入したモノマーがプラズマ重合相を形成することによっ
て微粒子が強固に薄膜中に固定される。（図２）その膜
厚は０．０１〜０．１μｍ望ましくは０．０４〜０．０
６μｍである。
なおプラズマ発生装置は通常１３．５６ ＭＨｚの発振
周波数をもつ高周波発振器である。
周波数をもつ高周波発振器である。
直径５インチのアルミニウム基板上にＣｏ−Ｎｉ 系合
金をスノ？ツタ法によシ厚さ０．１μｍの母性薄膜層を
形成し、次いで平均粒径０．０２μｍの二硫化モリブデ
ン６０％とグラファイト４０チの混合物１ ｗｔ％をメ
チルエチルケトン中に均一に分散せしめてエマルジ、ン
とし、これを上記薄膜層上にスプレー法によシ均一に塗
布し、１３０℃の温風中にて５分間乾燥して磁気ディス
ク表面に、乾燥した厚さ約２５０Ｘの均一粒子相を形成
した。この磁気ディスクを１３０１１径の円板状対向電
極を装着せるベルジャ内に設置した。
金をスノ？ツタ法によシ厚さ０．１μｍの母性薄膜層を
形成し、次いで平均粒径０．０２μｍの二硫化モリブデ
ン６０％とグラファイト４０チの混合物１ ｗｔ％をメ
チルエチルケトン中に均一に分散せしめてエマルジ、ン
とし、これを上記薄膜層上にスプレー法によシ均一に塗
布し、１３０℃の温風中にて５分間乾燥して磁気ディス
ク表面に、乾燥した厚さ約２５０Ｘの均一粒子相を形成
した。この磁気ディスクを１３０１１径の円板状対向電
極を装着せるベルジャ内に設置した。
而してベルシャ内を真空にし１０ ＨＨｇに保持して
純粋アルゴンを５ ｃｃ ７分の割合で流し０．３ｉｔ
ｍＨｇになるよう保持した。然る後４００Ｗの出力テ１
３．５６ ＭＨｚの高周波発振器によりプラズマを発生
せしめ、次いでジベンジルの昇華ガスｔ６０ＣＣ７分の
割合で上記ベルジャ内に供給し、３０秒処理して厚さ４
５０Ｘの微粒子分散プラズマ重合膜による保護膜を得た
。
純粋アルゴンを５ ｃｃ ７分の割合で流し０．３ｉｔ
ｍＨｇになるよう保持した。然る後４００Ｗの出力テ１
３．５６ ＭＨｚの高周波発振器によりプラズマを発生
せしめ、次いでジベンジルの昇華ガスｔ６０ＣＣ７分の
割合で上記ベルジャ内に供給し、３０秒処理して厚さ４
５０Ｘの微粒子分散プラズマ重合膜による保護膜を得た
。
斯くして得た本発明方法による保護膜についてＣ８Ｓテ
ストによる性能を試験した結果、２Ｘ１０’回の繰り返
しテストを行うも出力電圧は９５％に保持されることｆ
ｔｍめた。又磁気ヘッドの接触による引き掻き傷及び、
ヘッド吸着現象は何等見られなかった。なおこのテスト
は２８℃、６０チＲｆ（の雰囲気中にて行った。
ストによる性能を試験した結果、２Ｘ１０’回の繰り返
しテストを行うも出力電圧は９５％に保持されることｆ
ｔｍめた。又磁気ヘッドの接触による引き掻き傷及び、
ヘッド吸着現象は何等見られなかった。なおこのテスト
は２８℃、６０チＲｆ（の雰囲気中にて行った。
本発明方法によシえた保護膜は磁気ディスクの記録層を
阻害することなく耐久性に優れている等工業上極めて有
用である。
阻害することなく耐久性に優れている等工業上極めて有
用である。
第１図は本発明方法において自己潤滑性微粒子の薄層を
設けた断面図、第２図は本発明方法によシ保護膜を設け
た１例を示す断面図である。 １・・・強磁性膜、２・・・基板、３・・・自己潤滑性
微粒子の薄膜、４・・・プラズマ重合相で固定された微
粒子（保護膜）の薄膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦’ｊ：’、’１
１ 図 １゛５２図
設けた断面図、第２図は本発明方法によシ保護膜を設け
た１例を示す断面図である。 １・・・強磁性膜、２・・・基板、３・・・自己潤滑性
微粒子の薄膜、４・・・プラズマ重合相で固定された微
粒子（保護膜）の薄膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦’ｊ：’、’１
１ 図 １゛５２図
Claims (2)
- （１）強磁性記録膜上に予め、自己潤滑性微粒子の均一
層を形成し、しかるのち、プラズマ重合で得られる有機
高分子物質からなる相により、該微粒子層を固定化する
ことにより形成された保護膜を被着せしめたことを特徴
とする磁気ディスク用保護膜の製造方法。 - （２）自己潤滑性微粒子として二硫化モリブデン微粒子
、グラファイト微粒子、ポリテトラクロロエチレン微粒
子の何れか一つまたは、これらの混合物を用いることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ディスク用
保護膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25197286A JPS63106924A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 磁気デイスク用保護膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25197286A JPS63106924A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 磁気デイスク用保護膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63106924A true JPS63106924A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17230733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25197286A Pending JPS63106924A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 磁気デイスク用保護膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63106924A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056538A (ja) * | 1990-06-15 | 1993-01-14 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の潤滑剤塗布方法及び塗布装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735971A (en) * | 1980-08-09 | 1982-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of slipery thin film |
| JPS5778632A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-17 | Sekisui Chem Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25197286A patent/JPS63106924A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735971A (en) * | 1980-08-09 | 1982-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of slipery thin film |
| JPS5778632A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-17 | Sekisui Chem Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056538A (ja) * | 1990-06-15 | 1993-01-14 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の潤滑剤塗布方法及び塗布装置 |
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