JPH02273319A - 磁気ディスク用保護膜の製造装置 - Google Patents
磁気ディスク用保護膜の製造装置Info
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- JPH02273319A JPH02273319A JP9174389A JP9174389A JPH02273319A JP H02273319 A JPH02273319 A JP H02273319A JP 9174389 A JP9174389 A JP 9174389A JP 9174389 A JP9174389 A JP 9174389A JP H02273319 A JPH02273319 A JP H02273319A
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 24
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 32
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- -1 diphenylethylene, triphenylethylene, diphenylacetylene Chemical group 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- ONUFSRWQCKNVSL-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5-pentafluoro-6-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)benzene Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F ONUFSRWQCKNVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001120493 Arene Species 0.000 description 1
- FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N Benz[a]pyrene Chemical compound C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N chloro(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(Cl)C1=CC=CC=C1 MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 235000012976 tarts Nutrition 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- JAIHDOVRCZNXDU-UHFFFAOYSA-N violanthrene Chemical compound C12=C3C4=CC=C2C2=CC=CC=C2CC1=CC=C3C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C3=CC=C4C1=C32 JAIHDOVRCZNXDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気ディスク基板上に設けた強磁性金属薄膜上
に形成する保護膜の製造装置に関する。
に形成する保護膜の製造装置に関する。
(従来の技術)
従来、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気ディスク
は、金属ディスク基板上に強磁性金属材料を真空蒸着あ
るいはスパッタリングすること等により製造されている
。この強磁性金属薄膜は、高密度記録に優れた特性を有
するが、ヘッドの接触によって摩耗や損傷を受けやすく
、また空気中で酸化され特性変化を起こし易いという欠
点を有していた。
は、金属ディスク基板上に強磁性金属材料を真空蒸着あ
るいはスパッタリングすること等により製造されている
。この強磁性金属薄膜は、高密度記録に優れた特性を有
するが、ヘッドの接触によって摩耗や損傷を受けやすく
、また空気中で酸化され特性変化を起こし易いという欠
点を有していた。
そこで従来強磁性金属薄膜上に種々の保護膜を設けるこ
とにより、耐久性、耐食性を改善することが実施されて
いる。特に最近、プラズマ重合法を利用して樹脂の保護
膜を形成することが行われている。
とにより、耐久性、耐食性を改善することが実施されて
いる。特に最近、プラズマ重合法を利用して樹脂の保護
膜を形成することが行われている。
しかし、このプラズマ重合法による重合膜を保護膜とし
て形成するには、モノマーとして常温常圧で気体状ある
いは液体状の物質が使用されかつ得られた保護膜の性能
は軟質のものが多く、CS S (Contact 5
tart/5top)テストなどの結果によれば、耐久
性や耐摩耗性に劣っていた。
て形成するには、モノマーとして常温常圧で気体状ある
いは液体状の物質が使用されかつ得られた保護膜の性能
は軟質のものが多く、CS S (Contact 5
tart/5top)テストなどの結果によれば、耐久
性や耐摩耗性に劣っていた。
(発明が解決しようとする課題)
本発明者はモノマーとして常温常圧で固体状の有機化合
物を用いてプラズマ重合を行えば耐久性、耐摩耗性に優
れた保護膜が得られることを見出し特許出願を行った(
特開昭62−243123号公報)。しかしながら、こ
の方法に用いる装置においては固体モノマーを保護膜作
製毎に計量し蒸発用加熱ボートに入れなければならなか
った。そのため一定品質の保護膜を被着するのは容易で
はなかった。
物を用いてプラズマ重合を行えば耐久性、耐摩耗性に優
れた保護膜が得られることを見出し特許出願を行った(
特開昭62−243123号公報)。しかしながら、こ
の方法に用いる装置においては固体モノマーを保護膜作
製毎に計量し蒸発用加熱ボートに入れなければならなか
った。そのため一定品質の保護膜を被着するのは容易で
はなかった。
本発明は、かかる問題点を解決する磁気ディスク用保護
膜の製造装置を提供する目的でなされたものである。
膜の製造装置を提供する目的でなされたものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、(1)真空容器内において常温常圧下で固体
状態の有機化合物を、蒸発用加熱ボートから気化させ、
プラズマ重合させて得られる重合膜を磁気ディスクの表
面に保護膜として被着する装置において、前記加熱ボー
トに対し固体状有機化合物を定量供給する供給手段を具
備させてなることを特徴とする磁気ディスク用保護膜の
製造装置、 (2)有機化合物を蒸発用加熱ボートに定量的に供給す
る手段が、有機化合物送り出し用らせん状の溝を有する
スクリューと固体状態の有機化合物を貯蔵する部分を有
する円筒状容器からなることを特徴とする(1)記載の
磁気ディスク用保護膜の製造装置、及び (3)固体状態の有機化合物がベンゼン環を2つ以上含
むことを特徴とする(1)記載の磁気ディスク用保護膜
の製造装置、 を提供するものである。
状態の有機化合物を、蒸発用加熱ボートから気化させ、
プラズマ重合させて得られる重合膜を磁気ディスクの表
面に保護膜として被着する装置において、前記加熱ボー
トに対し固体状有機化合物を定量供給する供給手段を具
備させてなることを特徴とする磁気ディスク用保護膜の
製造装置、 (2)有機化合物を蒸発用加熱ボートに定量的に供給す
る手段が、有機化合物送り出し用らせん状の溝を有する
スクリューと固体状態の有機化合物を貯蔵する部分を有
する円筒状容器からなることを特徴とする(1)記載の
磁気ディスク用保護膜の製造装置、及び (3)固体状態の有機化合物がベンゼン環を2つ以上含
むことを特徴とする(1)記載の磁気ディスク用保護膜
の製造装置、 を提供するものである。
本発明装置で処理する磁気ディスクは、特に制限はない
が例えば基体となるアルミニウム基板上にN1−Pなど
の化学メツキ層を密着せしめ、研磨仕上げなどの後処理
を施したのち、その表面に物理的または化学的手法によ
り強磁性金属薄膜を形成したものが挙げられる。
が例えば基体となるアルミニウム基板上にN1−Pなど
の化学メツキ層を密着せしめ、研磨仕上げなどの後処理
を施したのち、その表面に物理的または化学的手法によ
り強磁性金属薄膜を形成したものが挙げられる。
本発明において使用する有機化合物としては、常温常圧
で固相を呈するものであり、具体的には、ナフタレン、
アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、
ペリレン、フェナントレン、クリセン、トリフェニレン
、ピレン、ベンゾピレン、ビオラントレン、コロネン、
オバレン等の芳香族炭化水素もしくはその誘導体、ある
いはジフェニール、ジフェニルメタン、ジベンジル、ト
リフェニルメタン、ジフェニルエチレン、トリフェニル
エチレン、ジフェニルアセチレン、ターフェニル等の脂
肪族−芳香族炭化水素(アレーン)あるいはその誘導体
、トリフェニルクロロシラン等のシラン化合物、パーフ
ルオロジフェニル等の含フッ素系化合物である。これら
の中でも特に、昇華性の著しいまたは溶融時に高い蒸気
圧を示す固体化合物が望ましい。
で固相を呈するものであり、具体的には、ナフタレン、
アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、
ペリレン、フェナントレン、クリセン、トリフェニレン
、ピレン、ベンゾピレン、ビオラントレン、コロネン、
オバレン等の芳香族炭化水素もしくはその誘導体、ある
いはジフェニール、ジフェニルメタン、ジベンジル、ト
リフェニルメタン、ジフェニルエチレン、トリフェニル
エチレン、ジフェニルアセチレン、ターフェニル等の脂
肪族−芳香族炭化水素(アレーン)あるいはその誘導体
、トリフェニルクロロシラン等のシラン化合物、パーフ
ルオロジフェニル等の含フッ素系化合物である。これら
の中でも特に、昇華性の著しいまたは溶融時に高い蒸気
圧を示す固体化合物が望ましい。
これらの有機化合物の気化を促進するための加熱体とし
ては例えばMo、W等の蒸着用金属ボートを使用する。
ては例えばMo、W等の蒸着用金属ボートを使用する。
また、本発明装置におけるキャリアーガスとしてはアル
ゴン、ヘリウム等の不活性ガス又は水素、窒素、酸素で
あり、必要に応じてメタン、エタン、プロパン、エチレ
ン、プロピレン、CF4、C,F4等の炭化水素系ガス
を混合してもよい。
ゴン、ヘリウム等の不活性ガス又は水素、窒素、酸素で
あり、必要に応じてメタン、エタン、プロパン、エチレ
ン、プロピレン、CF4、C,F4等の炭化水素系ガス
を混合してもよい。
これらのガスを真空容器内に導入し、0.005〜3T
orr、望ましくは、0. Ol〜1 、 5Tor
rの範囲に保持する。
orr、望ましくは、0. Ol〜1 、 5Tor
rの範囲に保持する。
高周波によりプラズマ重合を行う場合、高周波出力と電
極面積の大きさから、エネルギー密度を、0.2〜4W
/cm’、好ましくは、0.5〜3 W / c rr
rlの範囲に入るようにし、できる限り高エネルギー密
度下で行うことにより硬質の保護膜を得ることができる
。なお高周波電源は通常13.56MHzの発振周波数
であるが、特にこの周波数に限定されることなく、直流
からマイクロ波までのいかなる周波数であってもよい。
極面積の大きさから、エネルギー密度を、0.2〜4W
/cm’、好ましくは、0.5〜3 W / c rr
rlの範囲に入るようにし、できる限り高エネルギー密
度下で行うことにより硬質の保護膜を得ることができる
。なお高周波電源は通常13.56MHzの発振周波数
であるが、特にこの周波数に限定されることなく、直流
からマイクロ波までのいかなる周波数であってもよい。
またここで用いられるプラズマ発生装置は上記に限定さ
れず誘導コイル型、導波管型、コンデンサ型等のいずれ
であってもよい。
れず誘導コイル型、導波管型、コンデンサ型等のいずれ
であってもよい。
また磁気ディスク本体の温度は膜の成長や下地との密着
力に大きな影響を及ぼすものであり、高温度の方が硬質
で下地との密着力の大きい膜が得られる。従って、強磁
性金属薄膜の表面温度は50〜350℃、好ましくは1
50〜300℃に保持することがよい。
力に大きな影響を及ぼすものであり、高温度の方が硬質
で下地との密着力の大きい膜が得られる。従って、強磁
性金属薄膜の表面温度は50〜350℃、好ましくは1
50〜300℃に保持することがよい。
反応時間は、モノマーの種類、気化速度および電極配置
等によって影響を及ぼすものであるが、通常5秒〜10
分、好ましくは10秒〜3分にて所望の膜厚のものを得
ることができる。
等によって影響を及ぼすものであるが、通常5秒〜10
分、好ましくは10秒〜3分にて所望の膜厚のものを得
ることができる。
本発明による保護膜の厚さは、通常、10〜1000オ
ングストロームであり、好ましくは、80〜600オン
グストロームに分布することが望ましい。この膜厚が薄
すぎると耐久性、耐摩耗性が劣り、逆に膜厚が厚すぎる
とスペーシングロスが大きくなり、記録の読み出し特性
に悪影響をもたらすものであると共に場合によっては強
固な膜が得られないことも考えられる。
ングストロームであり、好ましくは、80〜600オン
グストロームに分布することが望ましい。この膜厚が薄
すぎると耐久性、耐摩耗性が劣り、逆に膜厚が厚すぎる
とスペーシングロスが大きくなり、記録の読み出し特性
に悪影響をもたらすものであると共に場合によっては強
固な膜が得られないことも考えられる。
(作用)
本発明の製造装置において、固体状有機化合物を定量供
給すると蒸発用加熱ボートから該有機化合物が気化し、
磁気ディスク上にこれを重合させて連続的にかつ安定条
件下で保護膜を形成することができる。
給すると蒸発用加熱ボートから該有機化合物が気化し、
磁気ディスク上にこれを重合させて連続的にかつ安定条
件下で保護膜を形成することができる。
(実施例)
以下に本発明の実施例を図面に従って説明する。
第1図は本発明装置の一実施例を示す模式図である。
図中1は基体表面に強磁性金属薄膜を形成した磁気ディ
スク本体、2A・2Bは対向する電極、3はペルジャー
、4はテーブル、5はペルジャー3内を真空にする真空
ポンプ、6は絶対真空計、7は電極2A・2Bに接続さ
れた高周波電源、8はキャリアーガス源、9は固体状有
機化合物、10は固体状有機化合物9を気化させるため
の抵抗加熱体、11は抵抗加熱体10に接続された電源
、12はペルジャー3内にキャリアーガスを導入するた
めのノズル、13は固体状有機化合物9を抵抗加熱体1
0に定量的に供給する装置である。
スク本体、2A・2Bは対向する電極、3はペルジャー
、4はテーブル、5はペルジャー3内を真空にする真空
ポンプ、6は絶対真空計、7は電極2A・2Bに接続さ
れた高周波電源、8はキャリアーガス源、9は固体状有
機化合物、10は固体状有機化合物9を気化させるため
の抵抗加熱体、11は抵抗加熱体10に接続された電源
、12はペルジャー3内にキャリアーガスを導入するた
めのノズル、13は固体状有機化合物9を抵抗加熱体1
0に定量的に供給する装置である。
以上の構成の装置において、装置13により固体状有機
化合物9を抵抗加熱体10のボート上に供給し、この抵
抗加熱体10に電源11によって電圧を印加し、有機化
合物9を気化させプラズマ重合を行い強磁性金属膜上に
保護膜を形成する。
化合物9を抵抗加熱体10のボート上に供給し、この抵
抗加熱体10に電源11によって電圧を印加し、有機化
合物9を気化させプラズマ重合を行い強磁性金属膜上に
保護膜を形成する。
有機化合物を加熱体に定量的に供給する装置の好ましい
実施態様としては第2図に示す装置が挙げられる。この
装置は外面に有機化合物を投入収容する漏斗状投入口1
4aを有する円筒14と、外周部にらせん状溝を形成し
た円柱状胴部15aを円筒に回動可能に嵌入するととも
に、この胴部の一端からは頭部15bを円筒外に露出さ
せた操作棒15とからなる。この装置13は加熱体lO
の上方に配置する。有機化合物を投入口14aへ入れ、
操作棒15を一定回転させることにより加熱体のボート
中に有機化合物を定量供給することができる。なお、操
作棒15は手動あるいは自動で回転可能とする。
実施態様としては第2図に示す装置が挙げられる。この
装置は外面に有機化合物を投入収容する漏斗状投入口1
4aを有する円筒14と、外周部にらせん状溝を形成し
た円柱状胴部15aを円筒に回動可能に嵌入するととも
に、この胴部の一端からは頭部15bを円筒外に露出さ
せた操作棒15とからなる。この装置13は加熱体lO
の上方に配置する。有機化合物を投入口14aへ入れ、
操作棒15を一定回転させることにより加熱体のボート
中に有機化合物を定量供給することができる。なお、操
作棒15は手動あるいは自動で回転可能とする。
以下に本発明装置による磁気ディスクの保護膜製造例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第1図に示した如く対極型プラズマ重合装置を使用し、
常温常圧で固体状の有機化合物として、ジベンジルの存
在下にて、直径5インヂの磁気ディスク本体の表面にプ
ラズマ重合法により保護膜を形成せしめた。
常温常圧で固体状の有機化合物として、ジベンジルの存
在下にて、直径5インヂの磁気ディスク本体の表面にプ
ラズマ重合法により保護膜を形成せしめた。
すなわち、直径130mmのステンレス製電極を使用し
、この電極間の距離を25mmに保持し、高周波電源の
周波数を13.56MHz 、供給エネルギー密度を2
.5W/crdとし、モノマーとして融点52℃のジベ
ンジルを円筒内より操作棒を一定角速度で回転させるこ
とにより12mgタングステンボート上に供給、5■の
電圧を印加して気化せしめた。
、この電極間の距離を25mmに保持し、高周波電源の
周波数を13.56MHz 、供給エネルギー密度を2
.5W/crdとし、モノマーとして融点52℃のジベ
ンジルを円筒内より操作棒を一定角速度で回転させるこ
とにより12mgタングステンボート上に供給、5■の
電圧を印加して気化せしめた。
また、キャリアーガスとしては、純アルゴンガスを使用
し、ペルジャー内の圧力を0 、 I Torrにし
、高周波プラズマを30秒光発生せて磁気ディスフ上に
約300オングストロームの保護膜を形成せしめた。本
例では操作棒を一定角速度で回転させるだけで一定量の
ジベンジルをタングステンボート上に供給できた。この
ようにして連続的に保護膜を形成できた。
し、ペルジャー内の圧力を0 、 I Torrにし
、高周波プラズマを30秒光発生せて磁気ディスフ上に
約300オングストロームの保護膜を形成せしめた。本
例では操作棒を一定角速度で回転させるだけで一定量の
ジベンジルをタングステンボート上に供給できた。この
ようにして連続的に保護膜を形成できた。
(発明の効果)
以上説明したように本発明装置によれば、固体状有機化
合物を自動的に容易に抵抗加熱体に一定量供給して、一
定状態での保護膜が形成され、製品品質の安定と製造コ
ストの低減に顕著な効果を奏する。もちろん耐久性に優
れた磁気記録媒体を製造することができる。
合物を自動的に容易に抵抗加熱体に一定量供給して、一
定状態での保護膜が形成され、製品品質の安定と製造コ
ストの低減に顕著な効果を奏する。もちろん耐久性に優
れた磁気記録媒体を製造することができる。
第1図は本発明磁気ディスク用保護膜の製造装置の1例
を示す模式図、第2図(A)、(B)は、固体状有機化
合物を抵抗加熱体に定量的に供給する装置の1例を示す
断面図及び分解斜視図である。 符号の説明 1 ・・・磁気ディスク本体 2A・2B・・・対向する電極 ・・・ペルジャー ・・・ベースプレート ・・・真空ポンプ ・・・絶対真空計 ・・・高周波電源 ・・・キャリアーガス源 ・・・固体状有機化合物 ・・・抵抗加熱体 ・・・電源 ・・・キャリアーガス導入ノズル ・・・固体状有機化合物供給装置 ・・・円筒 ・・操作棒 ・・・固体状有機化合物投入収容口 ・・・胴体 ・・・頭部
を示す模式図、第2図(A)、(B)は、固体状有機化
合物を抵抗加熱体に定量的に供給する装置の1例を示す
断面図及び分解斜視図である。 符号の説明 1 ・・・磁気ディスク本体 2A・2B・・・対向する電極 ・・・ペルジャー ・・・ベースプレート ・・・真空ポンプ ・・・絶対真空計 ・・・高周波電源 ・・・キャリアーガス源 ・・・固体状有機化合物 ・・・抵抗加熱体 ・・・電源 ・・・キャリアーガス導入ノズル ・・・固体状有機化合物供給装置 ・・・円筒 ・・操作棒 ・・・固体状有機化合物投入収容口 ・・・胴体 ・・・頭部
Claims (3)
- (1)真空容器内において常温常圧下で固体状態の有機
化合物を、蒸発用加熱ボートから気化させ、プラズマ重
合させて得られる重合膜を磁気ディスクの表面に保護膜
として被着する装置において、前記加熱ボートに対し固
体状有機化合物を定量供給する供給手段を具備させてな
ることを特徴とする磁気ディスク用保護膜の製造装置。 - (2)有機化合物を蒸発用加熱ボートに定量的に供給す
る手段が、有機化合物送り出し用らせん状の溝を有する
スクリューと固体状態の有機化合物を貯蔵する部分を有
する円筒状容器からなることを特徴とする請求項1記載
の磁気ディスク用保護膜の製造装置。 - (3)固体状態の有機化合物がベンゼン環を2つ以上含
むことを特徴とする請求項1記載の磁気ディスク用保護
膜の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9174389A JPH02273319A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 磁気ディスク用保護膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9174389A JPH02273319A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 磁気ディスク用保護膜の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02273319A true JPH02273319A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14035011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9174389A Pending JPH02273319A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 磁気ディスク用保護膜の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02273319A (ja) |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP9174389A patent/JPH02273319A/ja active Pending
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