JPS63183617A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は保護膜を設けたハード磁気ディスクに関するも
のであり、特に固体潤滑性に優れたダイヤモンド状カー
ボンを保護膜成分として活用することにより耐磨耗性に
優れた磁気ディスクをえんとするものである。

〔従来の技術〕

従来記録層として強磁性金属の薄膜を使用し九磁気ディ
スクは、磁性金属を真空蒸着或は磁性微粒子を分散させ
た樹脂溶液をスピンコードなどによってアルミニウム等
の基板上に薄膜として被着しているものである。

これらの材料は高密度記録を達成するために優れた性能
を有する本のである。然しなから回転する磁気ディスク
と頻繁に接触を繰り返す磁気ヘッドによって磁性膜Ｍは
損傷をうけ易くこのとき同時にへ、ドクラ、シュなどの
現象が見られるという問題があった。

従ってｆラズマ重合膜が専ら保護膜として使用されてい
るものであるが、このプラズマ重合膜による保護膜は繰
り返し磁気ヘッドが接触することによシ皮膜の剥離現象
或は停止後、再使用時にへ、ドの吸着現象が見られるも
のであった。このため磁気記録層がけづられて信号の記
録、読み出しに支障を生ずるものであった。かかる現状
に鑑み長期使用するも表面の変化が見られず表面摩擦係
数の小さな薄膜材料の出現が要望されているものであっ
た。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は磁気特性を阻害することなく磁性膜との接着性
及び表面潤滑性に優れた保護膜を開発したものである。

〔問題点を解決するためのφ段〕

本発明はアルミニウム板等の基板上に：Ｎ１−ｐなどの
化学メッキ層を付着せしめ研摩仕上げを施した後、強磁
性金属薄膜を形成する。次いでその上に、Ｉ［ｌＫダイ
ヤモンド状カーボンの均−換とプラズマ重合により得ら
れた有機高分子物質の薄膜を積層させたことによる複合
保護膜を形成せしめたものである一 本発明においてダイヤモンド状の均一膜とは、ダイヤモ
ンドに近いが、非晶質炭素マトリックス中にダイヤそン
ド微結晶が分散している通常１−カーボンと呼ばれる析
出膜や水素含有非晶質炭素の析出膜からなるものである
。この皮膜は平滑面を形成し、しかもその性質は比弾性
率が高く且つ硬質である。

なお五−カーボン析出膜の電気抵抗値は１０’Ω副以上
ピッカス硬さ２０００〜５０００　ｋｇ／ｗｍ２を有す
る。又非晶質炭素の析出膜は電気抵抗値ｌＯ２Ω−訓、
密度１，５〜１．８１／ａｎ３ｍスープ硬さ１２５０〜
〜１６５０ゆ／１１１１２．水素含有率）Ｌ／Ｃとして
０．５以下である。

又ｌ−カーーン析出膜をうるには通常ＣＨ４ＬＣ６Ｈ６
などの炭化水素化合物の反応気体を用いて反応容器内圧
を１０Ｔｏｒｒ附近にて、磁気ディスク表面温度を室温
附近く保持してイオン蒸着法によシ析出するか或は炭素
のイオンビーム法によりディスク表面温度を室温附近に
保持し、反応容器内圧を１０”’　Ｔｏ＋ｒｒ附近く設
定して析出する。

一方弁晶質炭素の析出膜は容量結合型電極を用いた高周
波プラズマ装置によシＣＸＨｙｆｆｉ炭化水素を反応気
流として用い、反応容器内圧ｔｌＯＴｏｒｒ附近のガス
圧にて保持しディスク表面温度を室温。

附近に保持して析出せしめる。

次いでこれらのダイヤモンド析出膜の上にプラズマ重合
による有機高分子物質膜を設けて複合膜を形成する。

このプラズマ重合のための七ツマ−としては常温常圧に
て固相を有する昇華性有機化合物を使用するものであり
、例えばナフタレン、アントラセン、テトラセン　、５
ンタセン、ヘキサセン、ヘリレン、フェナントレン、ク
リセン、トリフェニレン、ピレン、ベンゾピレン、ビオ
ラントレン、コロネン、オパレノ等の芳香族炭化水素或
はその誘導体又はジフェニール、ジフェニルメタン−ジ
ベンジル、トリフェニルメタン、ジフェニルエチレン、
ジフェニルアセチレン、ターフェニル等の脂肪族−芳香
族炭化水素（アレーン）或はその誘導体である。これら
の内特に昇華性の著しく且つ溶融時に高い蒸気圧を示す
固体化合物が望ましい。

又本発明においてプラズマ重合膜をうるには反応容器中
にアルがン窒素、ヘリウムの如き不活性気体を導入し、
その内圧を０．０５〜１．５　Ｔｏｒｒに保持し、プラ
ズマ発生装置（通常１３．５６　ＭＨｚの発振周波数を
有する高周波を用いるこりによ）前記不活性ガスのプラ
ズマを発生させながら上記昇華性有機化合物を気化させ
て薄膜状のプラズマ重合体をうる・ この場合ダイヤモンド状カーメンによる析出膜は前記の
如く磁性記録膜上に均一に被着しておシ、非晶質炭素マ
トリ、ジス中【ダイヤモンド微結晶が点在している。

而してプラズマ重合による有機高分子物質膜は上記のダ
イヤモンド状カーボンの析出膜を補強するものである。

なお、ダイヤモンド状カーボンの析出膜の厚さは通常５
０〜２００Ｘであシ、プラズマ重合による有機高分子物
質膜の厚さは通常５０〜４００Ｘであシ、これら両者に
よる複合保護膜の厚さは通常１００〜５００又である。

〔実施例〕

実施例（１） 第１図に示す如く直径５インチのアルミニウム基板上Ｋ
Ｃｏ−Ｎｉ系合金をスパッタ法によシ厚さ０．１μｍの
磁性薄膜層を被着して磁気ディスク１を形成する０次い
で反応室６内に該ディスク１を設置し、イオン加速の念
めのグリッド２に加速電圧ｌ　ｋＶを、イオン化のため
の加熱フィラメント３１Ｃフイラメント電流２０Ａを夫
々供給し、ガス供給孔４からＣＨ４ｔ−５〜１０　ｍＪ
／９の流量にて上記反応室内に導入して反応せしめた。

斯くして上記ディスク面に厚さ約１２０Ｘの被膜層をえ
た。この被膜層を広角Ｘ線回折及びラマンスペクトルに
より測定したところｌ−カーボンであることが確認され
念。

なお５Ｆｉ真空引きのためのノやイブ孔、７はフィラメ
ント用電源、８は加速用電源である。

次いでプラズマ重合膜を得るため第２図に示す如くｌ−
カーデン被膜付磁気ディスク１ノを径１３０−の円板状
対向電極１５．１６を装着せるベルジャ１４内に設置し
た。

而してベルジャ１４内を真空にし１０　　ｓｅ＋Ｈｇに
保持して純粋アルゴンを５　ｃｃ、今の割合で流し０．
３■Ｈｇになるように保持した。然る後高周波電源１８
及びマルチング？ツクス１１を有する高周波発撮器（出
力４００Ｗ＃発振周波数１３．５６　Ｍ）Ｉｚ　）によ
シプラズマを発生せしめ、次いで反応ガス導入孔１２に
よシジペンジルの昇華ガスを５　Ｑ　ｃｃ／９の割合で
上記ペルシャ１４内に供給し、３０秒処理を行りて厚さ
４０．　ＯＸの複合保Ｗ１膜を形成して一本発明記録媒
体をえた。

なお１３は真窒引きのためのノ９イブ孔である。

斯くして得た本発明記録媒体についてＣ８Ｓテストによ
る性能も試験した結果２．５Ｘ１０’回の繰り返しテス
トを行うも出力電圧は９６％に保持されていることが認
められた。又磁気ヘッドの接触による引き掻き傷及びヘ
ッド吸着現象は何等認められなかった。なおこのテスト
は２８℃％　６０％冊の雰囲気中にて行った。

実施例（２） 実施例（１）と同様のアルミニウム基板上に磁性薄膜を
被着した上に非晶質炭素膜とプラズマによる重合膜との
複合保護膜を形成して本発明記録媒体をえた。

この非晶質炭素膜は高周波容量結合型電極板に挾持して
Ｃ２Ｈ６ガスを１０２１１７／分の流量にてベルジャ内
に導入し、１０　　ＴｏｒｒＫ保持して厚さ１３０Ｘ程
度のものをえた。

斯くして得た本発明記録媒体についてＣ８Ｓテスト罠よ
り試験を行りｆｔ結果２．５Ｘ１０’回の繰シ返しテス
トを行うも出力電圧の減少にはとんと認められなかった
。

〔効　果〕

本発明記録媒体によれば複合保護膜は磁気ディスクの記
録層を阻害することなく耐久性に優れている等工業上極
めて有用のものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明においてｌ−力−？ンの薄膜をえるため
の械略説明図、第２図は本発明において複合保護膜を得
るためのプラズマ重合装置の概略説明図である。 １・・・磁気ディスク、２・・・グリッド、３・・・フ
ィラメント％４・・・ガス供給孔、５−ノ臂イブ孔、６
・・・反応室、７・・・フィラメント用電源・８・・・
加速用電源。 １１−・・磁気ディスク、１２−・・反応ガス導入孔、
１３・・・ノぐイブ孔、１４−・・ベルジャ、１５−上
部電極、１ｇ−・・下部電極、１　Ｆ−・・マツチング
ボックス、１８・・・高周波電源。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に強磁性記録膜を形成せしめた後、その上に順次
   ダイヤモンド状カーボンの均一膜とプラズマ重合により
   得られた有機高分子物質膜とを積層させた複合保護膜を
   形成せしめたことを特徴とする磁気記録媒体