KR100342989B1 - 길이방향기록용적층형박막디스크 - Google Patents
길이방향기록용적층형박막디스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100342989B1 KR100342989B1 KR1019980023617A KR19980023617A KR100342989B1 KR 100342989 B1 KR100342989 B1 KR 100342989B1 KR 1019980023617 A KR1019980023617 A KR 1019980023617A KR 19980023617 A KR19980023617 A KR 19980023617A KR 100342989 B1 KR100342989 B1 KR 100342989B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- ferromagnetic
- disk
- thin film
- magnetic
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 41
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 claims description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 101100457021 Caenorhabditis elegans mag-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100067996 Mus musculus Gbp1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- MGIUUAHJVPPFEV-ABXDCCGRSA-N magainin ii Chemical compound C([C@H](NC(=O)[C@H](CCCCN)NC(=O)CNC(=O)[C@@H](NC(=O)CN)[C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CC=1NC=NC=1)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CCSC)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CO)C(O)=O)C1=CC=CC=C1 MGIUUAHJVPPFEV-ABXDCCGRSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical group [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
- G11B5/716—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer characterised by two or more magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7379—Seed layer, e.g. at least one non-magnetic layer is specifically adapted as a seed or seeding layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B2220/00—Record carriers by type
- G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
- G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
- G11B2220/2508—Magnetic discs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
디스크 드라이브에 사용되며 적층된 자성층을 갖는 박막 디스크는 단일 스위칭 동작을 나타내어 완만한 히스테리시스 곡선을 만든다. 이는 Cr 또는 Cr 합금 하부층을 증착하기 전에 시드층(seed layer)을 증착함으로써 얻어진다. 시드층 재료는 하부층의 바람직한 배향(preferred orientation: PO)을 [112]로 촉진시키고 이에 따라 둘 이상의 자성층에 [] PO를 촉진되도록 선택된다. [] PO는 자성층의 보자력(Hc) 편차를 최소로 유지하는 데 도움을 준다. 시드층은 하부층에 [112] PO를 주는 NiAl또는 FeAl따위의 B2 형 구조를 갖는 재료 또는 임의의 다른 재료로 이루어질 수 있다. 하부층은 Cr 또는 Cr 합금이고 자성층은 CoPtCrTa, CoPtCrB 또는 CoPtCr인 것이 바람직하다. 자성층 사이의 스페이서층은 하부층과 동일한 재료로 만들어질 수 있지만, 예를 들어 Ru와 같은 육방정계의 재료 등 상이한 재료로 만들어질 수도 있다. 자성층의 기판 온도 의존성이 감소하였기 때문에 본 발명의 디스크는 표준적인 대량 스퍼터링 시스템으로 만들어질 수 있다.
Description
본 발명은 박막 자기 디스크를 갖는 디스크 드라이브와 같은 데이터 기억 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 다중 자성층을 갖는 박막 자기 디스크에 관한 것이다.
종래 드라이브 어셈블리의 자기 기록 디스크는 통상 기판, Cr 또는 Cr 합금 박막으로 이루어진 하부층, 하부층 위에 증착되어 있으며 코발트를 기본으로 한 자성 합금층, 및 자성 합금층 위의 보호 외피층으로 이루어진다. NiP로 코팅된 AlMg, 유리, 유리 세라믹, 유리질 탄소 등과 같은 다양한 디스크용 기판이 사용되어왔다. 자성층의 미세 구조 파라미터, 즉 결정학적으로 바람직한 배향(preferred orientation: PO), 결정립(grain) 크기 및 결정립 사이의 자기 교환디커플링(magnetic exchange decoupling)은 디스크의 기록 특성을 제어하는데 중요한 역할을 한다. Cr 하부층은 주로 코발트를 기본으로 한 자성 합금층의 PO 및 결정립 크기와 같은 미세 구조 파라미터를 제어하는 데 사용된다. 디스크 상의 층을 이루는 여러 가지 재료의 PO는 반드시 그러한 재료 내에서 발견될 수 있는 유일한 배향은 아니며, 단지 가장 잘 나타나는 배향일 뿐이다. 상승된 온도에서 NiP가 코팅된 AlMg 기판 위에 Cr 하부층이 증착될 때, 바람직한 배향은 통상 [100]이다. 이러한 PO 배향은 hcp 코발트 합금의 [] PO의 에피택셜 성장(epitaxial growth)을 촉진시켜 디스크의 면내(in-plane) 자기 성능(magnetic performance)을 개선한다. [] PO는, 육방 구조(hexagonal structure)의 박막으로서 () 평면이 박막의 표면에 거의 평행한 박막을 말하는 것이다. 마찬가지로, [] PO는, 육방 구조의 박막으로서 () 평면이 그 박막의 표면에 평행한 박막을 말한다. 유리 및 가장 비금속적인 속성을 갖는 기판 위에 Cr 또는 Cr 합금 하부층을 핵형성(nucleation)하여 성장시키는 것은 NiP로 코팅된 AlMg 기판 위에 Cr 또는 Cr 합금 하부층을 핵형성하여 성장시키는 것과 상이하기 때문에, 유리 기판 위에 만들어진 매체는 통상 동일한 증착 조건에서 NiP로 코팅된 AlMg 기판 위에 만들어진 매체에 비해 노이즈(noise)가 더 크다. 이러한 이유로 기판 위에 [시드층(seed layer)이라고 하는] 초기층을 사용할 필요가 있다. 시드층은 자성층에 영향을 미치는 하부층의 핵형성 및 성장을 제어하기 위해 교대로 형성되는 기판과 하부층 사이에 형성된다. 유리 및 비금속 기판 위의 시드층으로 사용되는 몇 가지 재료로 Al, Cr, CrNi, Ti,Ni3P, MgO, Ta, C, W, Zr, AlN, NiAl이 제안된 바 있다[예를 들어, Lee 등이 발표한 1996년 4월 15일자 J. Appl. Phys. p.4902ff의 "Seed Layer induced(002) crystallographic texture in NiAlunderlayers" 참조]. 단일 자성층 디스크에 대하여, Laughlin 등은 NiAl시드층의 사용을 설명하고 있는데, 이 시드층 위에는 2.5 nm 두께의 Cr 하부층 및 CoCrPt 자성층이 형성된다. Cr 하부층을 갖는 NiAl시드층은 자성층 내에서 [] 텍스쳐를 유도하는 것으로 알려져 있다[1996년 9월 IEEE Trans. Magnetic. 32(5), 3632의 "The Control and Characterization of the Crystallographic Texture of Longitudinal Thin Film Recording Media" 참조].
박막 디스크 매체의 신호 대 잡음비(signal to noise: SNR)의 개선은 고밀도 기록 기술에서는 중요한 목표 중의 하나로 남아 있다. 매체의 노이즈를 감소시키기 위해 낮은 노이즈를 갖는 합금을 선택하고, 적절한 하부층을 설계하며, 증착 파라미터를 정밀하게 제어하고, 자성층을 적층시키는 등의 여러 가지 방법이 제안된 바 있다. 적층형 디스크는 스페이서층에 의해 분리되는 2개 이상의 자성층을 갖는다. 예를 들어, 본 발명과 함께 본 출원인에게 공동 양도된 Ahlert 등의 미국 특허 제 5,051,288호는 AlMg/NiP 기판과 Cr, CrV 및 Mo 층에 의해 분리되며 CoPtX 또는 CoNiX 합금으로 이루어진 6개의 층을 갖는 적층형 디스크를 개시하고 있다.
박막 디스크의 자성층을 적층하면 매체의 노이즈를 감소시키는 것으로 알려져 있으나, 적층된 매체는 적층된 자성층의 보자력(coercivity: Hc)이 상당히 다를 수 있다는 사실로 인해 통상 2중 모드 스위칭 동작(bi modal switching behavior)을 나타낸다. 최적의 성능을 갖는 적층된 매체는 단지 한 가지 형태의 스위칭 동작을 나타내야 하며, 이것은 적층된 자성층들이 거의 동일한 Hc 값을 가져야한다는 것을 의미한다. 박막 디스크 기술에 사용되는 대부분의 자성 합금의 경우, Hc는 증착 온도의 함수이다(즉, 기판의 온도가 올라가면 Hc도 커진다). 자기 디스크를 대량으로 생산하는 데 사용되는 스퍼터링 시스템은 기판을 예열하는 능력을 제공하지만, 스퍼터링 프로세스가 소정 시간 이상 진행되면 기판의 온도가 감소한다. 따라서, 적층된 자성층이 예열된 기판 상에서 스퍼터링될 때, 제2층은 더 낮은 온도에서 증착되어 통상적으로 더 낮은 Hc를 갖게 된다. 제2층에서 Hc가 감소됨으로써 적어도 편이(deviation)[또는 킹크(kink)]에 도움을 주어 잔류 자화가 거의 제로(0)인 상태에서 히스테리시스 곡선이 완만한 경사를 갖도록 해준다. 도 3a 및 도 3b는 단일 자성층 (Cr/CoPtCrTa) 및 2개의 층으로 적층된 자성 박막(Cr/CoPtCrTa/Cr/CoPtCrTa) 각각의 통상적인 히스테리시스 곡선을 보여주고 있다. 적층 박막의 히스테리시스에서는 킹크가 명확히 나타난다. 이러한 킹크가 존재한다는 것은 박막이 2개의 스위칭 특성을 가져 고기록 밀도에서 디스크의 기록 성능을 열화(劣化)시킨다는 것을 암시한다.
따라서, 이러한 킹크를 제거하거나 가능한 한 줄이기 위해서는 적층 매체가 2중 모드 스위칭 동작을 갖지 않도록 설계하는 것이 바람직하다.
본 발명은 적층된 자성층을 가지며, 디스크 드라이브에 사용하기 위한 박막 디스크 설계에 대해 기술한다. 디스크는 노이즈가 감소되고, 단일 스위칭 동작을나타내어 디스크를 사용하는 디스크 드라이브에서의 기록 성능을 개선한다. 성능이 개선된 디스크는 PO가 []를 가지며 Hc 변동이 최소인 2개 이상의 적층 자성층을 증착함으로써 형성된다. 하나의 실시예에 있어서 [] PO 자성층은 NiAl또는 FeAl과 같은 B2 구조의 시드층과 [112] PO를 갖는 적절한 하부층을 증착함으로써 만들어진다. 본 발명을 구현하는 디스크들은 이중 모드 스위칭 표시가 최소인 완만한 히스테리시스 곡선을 갖는다. 시드층은 바람직하게는 NiAl이고 하부층은 바람직하게는 Cr 또는 Cr 합금이며, 자성층은 바람직하게는 CoPtCr, CoPtCrTa 또는 CoPtCrB이다. 자성층들 간의 스페이서층은 하부층과 동일한 재료로 만들어지나, 예를 들어 Ru와 같은 육방 결정 재료로 사용되는 상이한 재료로 만들어질 수도 있다. 본 발명의 디스크는 [] PO를 갖는 자성층의 Hc가 기판 온도에 대한 의존도가 감소된다는 사실로 인해 표준적인 대량 스퍼터링 시스템에서 양호한 제조 특성을 갖는다.
도 1은 본 발명의 실시에 이용할 수 있는 회전형 액츄에이터(actuator)를 갖는 종래 기술의 디스크 드라이브의 평면도.
도 2는 본 발명에 따른 박막 자기 디스크의 층 구조를 예시한 도면.
도 3a는 단일 자성층을 갖는 종래 박막 자기 디스크의 히스테리시스 곡선을 예시한 도면이고, 도 3b는 2개의 적층된 자성층을 갖는 종래 박막 자기 디스크의 히스테리시스 곡선을 예시한 도면.
도 4a는 NiAl시드층과 단일 자성층을 갖는 박막 자기 디스크의 히스테리시스 곡선을 예시한 도면이고, 도 4b는 NiAl시드층과 2개의 적층된 자성층을 갖는 박막 자기 디스크의 히스테리시스 곡선을 예시한 도면.
도 5는 본 발명에 따른 디스크 제조 방법 중의 하나에 대한 흐름도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
11 : 기판
12 : 시드층
13 : 하부층
14, 16 : 강자성층
15 : 스페이서층
17 : 외피층
111 : 디스크
112 : 스핀들
113 : 랜딩 영역[또는 접촉 시작/정지(CSS) 영역]
115 : 액츄에이터 어셈블리
116 : 음성 코일 모터(VCM)
117 : 샤프트
120 : 슬라이더
도 1은 본 발명을 실시하는데 유용한 회전형 액츄에이터를 갖는 종래 기술의 디스크 드라이브를 예시한 평면도이다. 시스템은 스핀들(112) 상에 장착된 하나 이상의 자기 기록 디스크(111)를 포함하며, 스핀들(112)은 허브에 내장된 전기 모터(도시되지 않음)에 의해 회전된다. 액츄에이터 어셈블리(115)는 하나 이상의 판독/기록 헤드를 포함하는 슬라이더(120)를 지지한다. 어셈블리(115)는 수직 방향으로 적층되어 배열되는 복수의 액츄에이터 및 슬라이더를 포함할 수 있으며, 디스크가회전하지 않거나 접촉을 피하기 위해 언로드되는 경우 액츄에이터가 디스크 표면과 접촉하는 슬라이더를 지지한다. 음성 코일 모터(VCM)(116)는 액츄에이터 어셈블리(115)가 샤프트(117) 둘레로 회전하도록 해줌으로써 액츄에이터 어셈블리(115)를 디스크에 대해 상대적으로 이동시킨다. 헤드는 통상적으로 디스크가 충분히 빠른 속도로 회전할 때 디스크의 표면 상에서 비행하기에 적합하도록 해주는 공기 베어링 슬라이더 내에 포함되어 있다. 동작시, 슬라이더가 디스크 상에서 비행할 경우 VCM은 슬라이더를 디스크를 가로질러 정확한 경로로 움직여서, 이하에서 상세히 설명할 박막으로 코팅된 데이터 영역(114) 내에 형성되어 있는 원형 트랙으로부터 자기 정보(magnetic information)를 판독하고 원형 트랙에 자기 정보를 기록하도록 헤드를 위치시킨다. 헤드와 VCM 간에 양방향으로 전달되는 전기 신호는 유연 케이블(118)에 의해 드라이브 전자 장치(119)로 전송된다. 동작 중이 아니거나 디스크의 회전이 시작되거나 멈추는 기간 동안, 슬라이더는 랜딩 영역 또는 접촉 시작/정지(CSS) 영역(113) 내에서 디스크 표면과 물리적으로 접촉한 상태로 위치될 수 있는데, CSS영역(113)은 자성 코팅층이 이 영역까지 연장되어 있지만 데이터 저장용으로는 사용되지 않는다. 또한, 언로드 램프(unload ramp)를 사용하여 동작하지 않는 기간 동안 슬라이더를 디스크에서 분리시키는 것은 잘 알려져 있다. 디스크 드라이브가 공기 베어링 슬라이더와 함께 기술되어 있지만, 본 발명의 디스크는 근사 접촉을 갖는 기록 슬라이더 또는 접촉형 기록 슬라이더를 갖는 기타 다른 기억 장치에 용이하게 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 박막 자기 디스크의 단면 층 구조의 실시예를 예시하고 있다. 박막층은 적어도 하나의 디스크 평면 그리고 바람직하게는 양 디스크 평면 상에 증착되어 데이터 기록 영역을 이룬다. 명암 표시는 단지 층들을 구별하기 위해 사용되는 것으로 색이나 특정 조성을 나타내는 것은 아니다. 기판(11)은 AlMg/NiP, 유리 또는 기타 다른 적절한 재료로 만들어질 수 있다. 하나의 실시예에서 시드층(12)은 기판 상에 직접 증착되며 바람직하게는 NiAl인 B2 구조를 갖는 재료이다. 하부층(13)은 시드층 상에 증착되며, 크롬 또는 CrV 또는 CrTi와 같은 크롬 합금과 같은 비강자성 재료이다. 본 발명에 따른 디스크에 대한 시드층 및 하부층의 요구조건은 이들 층들이 자성층 내에서 [] PO를 증가시켜야 한다는 것이다. 제1 강자 성층(Mag1)(14)은 통상 백금 및 크롬을 포함하는 코발트 합금으로 예를 들어 CoPtCrTa 또는 CoPtCrB와 같이 탄탈룸이나 붕소와 같은 추가 원소를 포함할 수 있다. 자성층은 통상적으로 백금이 4 내지 14 원자%, 크롬이 18 내지 23 원자%, 탄탈룸이 1 내지 5 원자%이고 나머지는 코발트(Co)로 구성된다. 스페이서층 (15)은 선택 사양으로 하부층과 동일한 물질로 이루어질 수 있는 비강자성 재료로 만들어진다. 제2 강자성층(16)(Mag2)은 바람직하게는 Mag1과 동일한 재료로 이루어진다. 비자성 스페이서에 의해 분리되는 적어도 2개의 자성층이 요구되지만, 추가적인 스페이서/자성층 쌍이 추가될 수도 있다. 선택 사양인 상부층은 보호 외피층 (17)로 탄소, 수소화 탄소 또는 임의의 다른 보호 재료이다. 또한, 자성층과 외피층 사이에 추가층들을 사용하면 외피층의 부착성과 경도를 개선하는 것으로 본 발명 기술 분야에서 알려져 있다. 여러 층들은 바람직하게는 본 발명 기술 분야에서 잘 알려진 표적, 온도 및 압력과 같은 표준 기술을 사용하여 스퍼터링 증착된다.본 발명은 적층된 자성층들에 관한 것이지만, 증착 기술 및 파라미터들은 동일한 재료를 사용하는 단일 자성층 디스크에 사용되는 증착 기술 및 파라미터들과 동일하다.
도 5는 본 발명에 따른 디스크 제조 방법 중의 하나에 대한 방법들의 흐름도를 예시하고 있다. 시드층으로부터 외피층까지의 모든 층들은 인-라인(in line) 스퍼터링 시스템 또는 단일 디스크 시스템 중 어느 하나에서 연속된 공정으로 스퍼터링될 수 있다. 현재 상용화되어 있는 인-라인 스퍼터링 시스템은 적층된 디스크 구조를 제조하기 위한 추가 표적 및/또는 다중-통과 능력(multiple-pass capability)을 구비한 장비가 갖추어질 수도 있다. 추가 표적을 갖는 인-라인 시스템의 설계는 작업이 간단하다. 또한, 적층된 디스크 구조를 제조할 수 있는 능력을 갖춘 6개 이상의 표적 용량을 갖는 단일 디스크 시스템이 상업적으로 이용 가능하다. AlMg/NiP, 유리 또는 기타 다른 적절한 재료로 만들어질 수 있는 기판에서 시작하여 층들이 도 5에 나타난 바와 같이 순차적으로 스퍼터링 방식으로 증착된다. 시드층이 먼저 증착되고(단계(51)), 그 다음에 하부층, 제1 자성층, 스페이서층, 제2 자성층이 차례로 증착되며(단계(52),(53),(54), 및(55)), 선택 사양으로 추가 스페이서/자성층 쌍이 증착되며(단계(56)) 또한 선택 사양인 최종 단계로 보호 외피층이 증착된다(단계(57)).
층들 간의 상대적인 두께는 본 발명을 실시하는데 중요한 사항은 아니지만, 다음의 범위가 하나의 가이드로서 주어진다. 시드층은 바람직하게는 10 내지 50 nm 두께이다. 시드층은 하부층 내에서 [112] PO를 촉진하고 이어서 자성층들 내에서[] PO를 촉진하는 역할을 한다. 하부층은 통상 시드층보다 두껍지만, 하부층의 두께는 그 변화 폭이 커서(예를 들어 10 내지 80 nm), 디스크의 자기 특성이 작은 범위의 변화만을 갖도록 한다. 하부층의 통상적인 두께는 50 nm이다. 강자성층 Mag1, Mag2 등의 두께는 5 내지 50 nm이며, 통상은 15 nm이다. 자성층의 두께는 반드시 동일한 값을 가져야 하는 것은 아니다. 스페이서층은 통상 하부층과 비교해 상대적으로 더 얇으며 1 내지 20 nm 두께를 갖는다. 외피층의 용도, 조성 및 두께는 본 발명을 실시하는데 중요한 사항은 아니지만, 통상 얇은 박막 디스크는 15 nm 이하의 두께를 갖는 외피층을 사용한다.
도 4a는 단일 자성층(NiAl/Cr/CoPtCrTa)에 대한 히스테리시스 곡선을 도시하고 있으며, 도 4b는 본 발명에 따른 2개 층이 적층된 자성 박막 (NiAl/Cr/CoPtCrTa/Cr/CoPtCrTa)에 대한 히스테리시스 곡선을 도시하고 있다. 2중 모드 스위칭이 히스테리시스 곡선의 이상(anomaly)을 발생시키는 도 3b에 도시된 종래의 적층된 디스크의 경우와는 달리, 본 발명(도 4b 참조)을 구현하는 적층된 디스크는 2중 모드 스위칭 효과 또는 히스테리시스 곡선에 이상이 없음을 보여주고 있다. 이러한 결과는 Cr층 증착 전에 NiAl시드층을 증착시키는 것이 낮은 증착 온도로 인해 제2 층의 보자력 손실을 최소화시킨다는 사실에서 기인하는 것으로 믿어진다. 이것을 입증하기 위해, 단일 자성층(NiAl/Cr/CoPtCrTa)을 갖는 디스크들이 적층된 구조의 제1 및 제2 자성층의 증착 온도의 차이값()과 동일하거나 이를 초과하는 약 100 ℃만큼 차이를 갖는 2가지 서로 다른 온도에서 증착되었다. Cr 하부층 두께의 넓은 범위에 걸쳐 시험 디스크의 Hc는 약 100 Oe 내의 간격을 유지하는데, 이 값은 Hc가 증착 온도에 강한 영향을 미치지 않는다는 것을 나타낸다. 종래의 적층된 디스크들에서는 적층에 의해 개선되는 SNR과, 적층에 의해 열화되는 보자력의 편평도(squareness: S*) 및 분해능 간의 절충(tradeoff)과 관련된다. 본 발명의 적층 디스크는 자성층들의 Hc가 서로 좀 더 가까이 일치되는 값을 갖도록 함과 동시에 더 높은 S*를 유지하도록 함으로써 상기 절충의 필요성을 최소화한다. 온도에 대한 민감도가 감소되었다는 것은 디스크들이 좀 더 제조 가능성이 높아졌다, 즉 스퍼터링 시스템에서의 변동으로 인해 규격을 벗어날 가능성이 적어졌다는 것을 의미한다.
시드층에 대한 바람직한 재료인 NiAl은 B2(염화세슘) 구조인 반면에 Cr은 bcc 구조이다. B2 구조는 Al원자가 한 격자를 차지하고 Ni 원자가 다른 격자를 차지하는 2개의 상호 침투형 단순 입방체 격자(two interpenetrating simple cubic lattices)로 기술될 수 있는 규칙적인 입방체 구조이다. NiAl의 격자상수는 Cr의 격자 상수와 거의 동일한 값을 갖지만, NiAl은 증착되는 동안 원자의 이동도(mobility)를 감소시키는 Ni 원자와 Al원자 간의 결합(bonding)으로 인해 입자 크기를 더 작게 형성하려는 경향이 있다. 자기 기록에 사용되는 코발트 합금은 통상 대부분의 구조가 육방 밀집(hexagonal closed packed: hcp) 결정 구조이다. 충분히 고온인 표준 스퍼터링 조건하에서 통상적인 두께 범위 내의 [100] PO를 갖는 입방체 Cr 하부층이 증착될 수 있다. 이러한 Cr의 [100] PO는 Co 합금 자성층 내에서 [] PO를 촉진시키는데, 이 [] PO가 흔히 길이 방향 기록에 대한 바람직한 PO로 기술된다. [] PO의 결과 2중 결정 구조가 되어 주어진 Cr 입자 상에서 2개의 수직한 c-축 배향을 갖는 다수의 [] 입자들이 형성된다(예를 들어, Nolan 및 Sinclair가 발표한 1993년 J. Appl. Phys. v73, p.5566의 "Effects of Microstructural Features on Media Noise in Longitudinal Recording Media" 참조). 상기 배향을 가지면서 Hc를 높은 값으로 유지하기 위해서는 2중 결정 간의 충분한 분리[분정(分晶: segregation)]가 이루어지도록 높은 기판 온도가 필요하다. 따라서, [] PO를 갖는 박막의 Hc는 온도에 매우 민감하다. 또한, 적층된 [] PO 박막 내에서 일정한 입자 크기 및 일정한 자기적 성질(magnetic properties)을 유지하면서 층과 층 간의 에피택시를 유지하는 것은 훨씬 더 어려운 일이다. 최초 Cr 하부층 입자 구조는 Cr 스페이서층 내에서는 반복 재현되지 않는데 그 이유는 스페이서층 Cr이 자성층의 더 작은 입자[2중 결정 덩어리(cluster)] 상에서 성장되어야 하기 때문이다. 따라서, [] PO는 적층된 자기 매체에 적합하지 않다. NiAl과 같은 시드층을 적층함으로써 Cr(또는 Cr 합금) 하부층 내에서 [112] PO가 얻어질 수 있다. [112] PO를 갖는 하부층은 에피택셜 방식으로 성장하여 서로 인접한 자성층 내에서 [] PO가 형성되도록 유도한다. 그 후 해당 구조 전체를 통해 일정한 입자 크기를 유지하면서 스페이서층을 적절히 선택함으로써 연속된 자성층 각각에서 []의 PO가 유지될 수 있다.
상술한 재료로 된 구조에서 기인하는 자성층 내의 [] PO는 본 발명의 적층 디스크 구조에서 관찰되는 결과에 바람직한 영향을 미치며 특히 기판 온도에대한 Hc의 의존도를 감소시키는 바람직한 영향을 미치는 것으로 믿어진다. 스페이서층을 적절히 선택하여 증착시킴으로써 제2 자성층 내에서 [] PO가 유지된다. 스페이서층 재료는 [112] PO와 Cr과 유사한 격자 상수를 갖는 입방체가 될 수 있다. Cr 및 Cr 합금은 하부층과 동일한 이유로 스페이서층용으로 선택하기에 양호한 재료이다. 또한 hcp 구조를 갖는 스페이서층을 사용하여 스페이서층을 통해 [] PO가 연속적으로 형성되도록 하는 것도 가능하다. 예를 들어, 루테늄(Ru)의 에피택셜 일치와, 적층된 디스크에 대한 스페이서층의 선택 범위를 모두 육방 구조를 갖는 오스뮴(Os)과 레늄(Re)을 포함하는 것으로 확장하는 것은 알려져 있다. 또한, Cr〉35 원자%인 비강자성 CoCr 합금을 포함하여, 육방 구조를 유지하는 육방 재료로 된 합금이 사용될 수 있는 것으로 예측된다.
Laughlin 등은 FeAl하부층이 그 하부층에 증착되는 자성층의 자기적 특성과 관련하여 NiAl과 유사한 효과를 갖는다는 것을 제시한 바 있다(IEEE Trans. Magnetic. 32(5) Sept. 1996, 3632). 따라서, B2 구조를 갖는 FeAl이 또한 시드층으로 사용되는 NiAl과 동일한 방법으로 사용될 수 있다고 생각하는 것은 충분한 근거를 갖는다. Cr 또는 Cr 합금 하부층 내에서 [112] PO를 형성할 수 있는 NiCr과 같은 B2 재료가 아닌 다른 재료도 또한 사용될 수 있다.
상기 열거한 조성들은 오염에 대한 백분율에 대해서는 나타나 있지 않지만, 당업자라면 그러한 오염이 박막 내에 항상 존재하는 것은 아니지만 소정의 오염이 존재한다는 것이 정상적이라는 것을 알 수 있다. 스퍼터링 표적은 통상 99.9 % 순도 또는 그 이상의 순도를 갖는 것만으로 한정되지만, 최종 박막은 스퍼터링 체임버 내에서의 오염 또는 다른 요인에 의한 오염으로 인해 훨씬 더 낮은 순도를 가질 수도 있다. 예를 들어, 체임버가 공기에 의해 오염될 경우 무시할 수 없는 양의 산소 및/또는 수소가 박막 내로 혼입되는 결과를 초래할 수 있다. 일부 탄소 박막의 경우, 스퍼터링된 층에서 통상 5 원자 %의 수소 오염이 측정되었다. 또한 소정의 적은 양의 산소가 Cr 표적과 최종 Cr층에서 발견되는 것은 흔한 일인 것으로 알려져 있다. 또한, 스퍼터링 시스템에서 작은 양의 동작용 가스(예를 들어, 아르곤)가 스퍼터링된 박막 내로 혼입되는 것이 가능하다. 오염 레벨은 상기 기술된 디스크 샘플에서 구체적으로 측정되지는 않으며 따라서 당업자에 의해 예측되는 스퍼터링된 박막 디스크에 대한 통상적인 범위 내인 것으로 추정된다.
본 발명에 따라 만들어진 박막은 자기 저항 헤드 또는 유도 헤드 중 어느 하나를 사용하는 일반적인 디스크 드라이브에서 데이터 저장용으로 사용될 수 있으며, 접촉 기록 또는 비행 가능한 헤드와 함께 사용될 수 있다. 판독/기록 헤드는 자기 정보를 기록 또는 판독하기 위해 표준 방식으로 회전하는 디스크 상에 위치된다.
본 발명의 바람직한 실시예가 상세히 예시되어 있지만, 본 발명의 범위와 정신을 벗어남이 없이 본 발명에 대한 대안적인 실시예가 본 발명 기술 분야의 당업자들에 의해 구현될 수 있다는 것이 명백하다.
Claims (18)
- 기판,상기 기판 위에 증착되어 있는 비강자성 시드층(nonferromagnetic seed layer),상기 시드층 위에 증착되어 있는 비강자성 하부층(underlayer),[]의 바람직한 배향(preferred orientation)을 갖는 제1 강자성층 (ferromagnetic layer),비강자성 스페이서층(spacer layer), 그리고[]의 바람직한 배향을 갖는 제2 강자성층을 포함하는 박막 자기 디스크.
- 제1항에 있어서,상기 하부층이 [112]의 바람직한 배향을 가지는 박막 자기 디스크.
- 제1항에 있어서,상기 스페이서층이 [112] 또는 []의 바람직한 배향을 가지는 박막 자기 디스크.
- 제1항에 있어서,상기 하부층은 [112]의 바람직한 배향을 가지며, 상기 스페이서층은 [112] 또는 []의 바람직한 배향을 가지는 박막 자기 디스크.
- 제1항에 있어서,상기 시드층이 B2 구조를 가지는 재료를 포함하는 박막 자기 디스크.
- 제1항에 있어서,상기 시드층이 NiAl을 포함하는 박막 자기 디스크.
- 제1항에 있어서,상기 시드층이 FeAl을 포함하는 박막 자기 디스크.
- 제1항에 있어서,상기 스페이서층이 코발트, 크롬, 루테늄, 오스뮴, 또는 레늄을 포함하고, 육방 구조를 가지는 박막 자기 디스크.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 제2 강자성층이 100 Oe보다 작은 값만큼 차이나는 보자력 (coercivity)을 가지는 박막 자기 디스크.
- 제1항에 있어서,상기 시드층은 NiAl을 포함하고, 상기 하부층은 크롬 또는 크롬 합금을 포함하며, 상기 제1 강자성층은 코발트 합금을 포함하고, 상기 스페이서층은 크롬, 루테늄, 오스뮴, 레늄 또는 이들의 합금을 포함하며, 상기 제2 강자성층은 코발트 합금을 포함하고, 상기 디스크는 외피층(overcoat layer)을 추가로 포함하는 박막 자기 디스크.
- 제10항에 있어서,상기 시드층의 두께는 2 내지 50 nm이고, 상기 하부층의 두께는 10 내지 80 nm이며, 상기 제1 강자성층의 두께는 5 내지 50 nm이고, 상기 스페이서층의 두께는 1 내지 20 nm인 박막 자기 디스크.
- 제10항에 있어서,상기 제1 및 제2 강자성층의 코발트 합금이 CoPtCrTa, CoPtCrB, 또는 CoPtCr인 박막 자기 디스크.
- 스핀들을 회전시키는 모터,상기 스핀들에 결합되어 있는 자기 박막 디스크, 그리고상기 디스크가 회전할 때 디스크 상에 자기 정보(magnetic information)를기록하기 위한 헤드를 포함하는 액츄에이터 어셈블리(actuator assembly)를 포함하며,상기 자기 박막 디스크는,기판 위에 증착되어 있는 비강자성 시드층(nonferromagnetic seed layer),상기 시드층 상에 증착되는 비강자성 하부층(underlayer),[]의 바람직한 배향(preferred orientation)을 갖는 제1 강자성층 (ferromagnetic layer),비강자성 스페이서층(spacer layer), 그리고[]의 바람직한 배향을 갖는 제2 강자성층를 포함하는디스크 드라이브.
- 기판 위에 시드층(seed layer)을 스퍼터링하는 단계,상기 시드층 위에 하부층(underlayer)을 스퍼터링하는 단계,상기 하부층 위에 []의 바람직한 배향(preferred orientation)을 갖는 제1 강자성층(ferromagnetic layer)을 스퍼터링하는 단계,상기 제1 강자성층 상에 스페이서층(spacer layer)을 스퍼터링하는 단계, 그리고[]의 바람직한 배향을 갖는 제2 강자성층을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 박막 디스크 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 시드층의 재료가 NiAl, FeAl, 또는 NiCr인 박막 디스크 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 시드층의 재료는 NiAl이고, 하부층의 재료는 Cr 또는 Cr 합금이며, 제 1 및 제2 강자성층의 재료는 코발트 합금인 박막 디스크 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 하부층이 [112]의 바람직한 배향을 가지는 박막 디스크 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 스페이서층이 [112] 또는 []의 바람직한 배향을 가지는 박막 디스크 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/892,724 US6077586A (en) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | Laminated thin film disk for longitudinal recording |
| US8/892,724 | 1997-07-15 | ||
| US08/892,724 | 1997-07-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990013440A KR19990013440A (ko) | 1999-02-25 |
| KR100342989B1 true KR100342989B1 (ko) | 2002-11-11 |
Family
ID=25400407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980023617A KR100342989B1 (ko) | 1997-07-15 | 1998-06-23 | 길이방향기록용적층형박막디스크 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6077586A (ko) |
| EP (1) | EP0892393A1 (ko) |
| JP (1) | JP3224779B2 (ko) |
| KR (1) | KR100342989B1 (ko) |
| MY (1) | MY121355A (ko) |
| SG (1) | SG71130A1 (ko) |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221508B1 (en) * | 1997-12-09 | 2001-04-24 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media |
| US6261681B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-07-17 | Asahi Komag Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JP4082785B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2008-04-30 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6461750B1 (en) | 1998-09-30 | 2002-10-08 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording medium with dual magnetic layers and high in-plane coercivity |
| US6623873B1 (en) | 1998-11-20 | 2003-09-23 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic disk apparatus using the same |
| US6632890B1 (en) | 1999-03-19 | 2003-10-14 | Dow Global Technologies Inc. | Hydrogenated block copolymer compositions |
| US6537686B1 (en) * | 1999-05-19 | 2003-03-25 | Seagate Technology Llc | Magneto-resistance recording media comprising a silicon nitride corrosion barrier layer and a C-overcoat |
| US6689495B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| EP1302932B1 (en) * | 1999-06-08 | 2004-10-13 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium |
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| AU5008800A (en) | 1999-06-11 | 2001-01-02 | Dow Chemical Company, The | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| JP2003502455A (ja) | 1999-06-11 | 2003-01-21 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | 水素化ブロックコポリマー及びそれから製造された光メディアディスク |
| EP1218420B1 (en) | 1999-08-16 | 2005-01-26 | Dow Global Technologies Inc. | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| US6743503B1 (en) | 1999-10-05 | 2004-06-01 | Seagate Technology Llc | Ultra-thin seed layer for multilayer superlattice magnetic recording media |
| US6280813B1 (en) | 1999-10-08 | 2001-08-28 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording media with antiferromagnetically coupled ferromagnetic films as the recording layer |
| US6716543B2 (en) * | 2000-02-23 | 2004-04-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for producing same |
| JP2001291231A (ja) | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置 |
| US6740397B1 (en) | 2000-05-24 | 2004-05-25 | Seagate Technology Llc | Subseedlayers for magnetic recording media |
| US6429260B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-08-06 | The Dow Chemical Company | Olefinic polymer compositions |
| US6391430B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-05-21 | International Business Machines Corporation | Patterned magnetic recording media with discrete magnetic regions separated by regions of antiferromagnetically coupled films |
| US6759149B1 (en) | 2000-07-25 | 2004-07-06 | Seagate Technology Llc | Laminated medium with antiferromagnetic stabilization layers |
| US6645614B1 (en) | 2000-07-25 | 2003-11-11 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media having enhanced coupling between magnetic layers |
| US6537684B1 (en) | 2000-08-04 | 2003-03-25 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetically coupled magnetic recording media with boron-free first ferromagnetic film as nucleation layer |
| US6709773B1 (en) | 2000-09-05 | 2004-03-23 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic anisotrophy of soft-underlayer induced by seedlayer |
| US6596419B1 (en) | 2000-09-27 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Medium with a seed layer and a B2-structured underlayer |
| US6777112B1 (en) | 2000-10-10 | 2004-08-17 | Seagate Technology Llc | Stabilized recording media including coupled discontinuous and continuous magnetic layers |
| US6730420B1 (en) * | 2000-10-31 | 2004-05-04 | Komag, Inc. | Magnetic thin film recording media having extremely low noise and high thermal stability |
| JP2002150553A (ja) | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| EP1863017A3 (en) * | 2000-11-29 | 2008-01-23 | Fujitsu Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6593009B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-07-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands N.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
| US6852430B2 (en) | 2001-03-02 | 2005-02-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic thin film media with a pre-seed layer of CrTi |
| JP2003162811A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体、および、その製造方法 |
| US20030134150A1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-07-17 | Sooyoul Hong | Antiferromagnetically coupled (AFC) media with flash CR interlayer between top magnetic layer and S2 magnetic layer |
| JP2003223707A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-08-08 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| US6899959B2 (en) | 2002-02-12 | 2005-05-31 | Komag, Inc. | Magnetic media with improved exchange coupling |
| US6858331B1 (en) | 2003-08-29 | 2005-02-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic thin film media with a bi-layer structure of CrTi/Nip |
| JP2006024261A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法ならびに磁気ディスク装置 |
| US7382590B2 (en) * | 2005-01-31 | 2008-06-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | MR sensor and thin film media having alloyed Ru antiparallel spacer layer for enhanced antiparallel exchange coupling |
| US7425377B2 (en) * | 2005-02-04 | 2008-09-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Incoherently-reversing magnetic laminate with exchange coupled ferromagnetic layers |
| US7514161B2 (en) * | 2005-02-15 | 2009-04-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Laminated antiferromagnetically coupled media with decoupled magnetic layer |
| US20070037015A1 (en) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Laminated magnetic media using Ta containing magnetic alloy as the upper magnetic layer |
| US7666529B2 (en) * | 2005-09-22 | 2010-02-23 | Seagate Technology Llc | Anti-ferromagnetically coupled soft underlayer |
| US8263239B2 (en) * | 2006-06-26 | 2012-09-11 | HGST Netherlands B.V. | Laminated magnetic thin films for magnetic recording with weak ferromagnetic coupling |
| US8685547B2 (en) | 2009-02-19 | 2014-04-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with enhanced writability and thermal stability |
| US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
| US8320232B1 (en) * | 2011-07-21 | 2012-11-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Patterned perpendicular magnetic recording medium with multiple magnetic layers and interlayers |
| JP6754108B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2020-09-09 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びその使用方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704839A1 (en) * | 1994-09-29 | 1996-04-03 | Carnegie-Mellon University | Magnetic recording medium with B2 structured underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2167448B (en) * | 1984-11-02 | 1988-10-19 | Hitachi Ltd | Perpendicular magnetic recording medium |
| US4749628A (en) * | 1986-04-29 | 1988-06-07 | International Business Machines Corporation | Multilayered vertical magnetic recording medium |
| US5051288A (en) * | 1989-03-16 | 1991-09-24 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic recording disk comprising alternating layers of a CoNi or CoPt alloy and a non-magnetic spacer layer |
| JPH0778327A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-20 | Hitachi Ltd | 多層磁性層磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記憶装置 |
-
1997
- 1997-07-15 US US08/892,724 patent/US6077586A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-17 MY MYPI98002714A patent/MY121355A/en unknown
- 1998-06-23 KR KR1019980023617A patent/KR100342989B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-06-25 JP JP17829298A patent/JP3224779B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-10 SG SG1998001749A patent/SG71130A1/en unknown
- 1998-07-13 EP EP98305551A patent/EP0892393A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704839A1 (en) * | 1994-09-29 | 1996-04-03 | Carnegie-Mellon University | Magnetic recording medium with B2 structured underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0892393A1 (en) | 1999-01-20 |
| JP3224779B2 (ja) | 2001-11-05 |
| JPH1173621A (ja) | 1999-03-16 |
| MY121355A (en) | 2006-01-28 |
| SG71130A1 (en) | 2000-03-21 |
| US6077586A (en) | 2000-06-20 |
| KR19990013440A (ko) | 1999-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100342989B1 (ko) | 길이방향기록용적층형박막디스크 | |
| US6143388A (en) | Thin film disk with onset layer | |
| US6607842B2 (en) | Containing an AITa or AITi pre-seed layer, a CoCr onset layer and a CoCrPtB magnetic layer | |
| JPH10188278A (ja) | クロム下層を有する高性能低ノイズ等方性磁気媒体の製造方法 | |
| WO2006046732A1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus | |
| US6572989B2 (en) | Thin film magnetic recording disk with a chromium-nickel pre-seed layer | |
| US20060078683A1 (en) | Multilayered structure film and method of making the same | |
| US20050196649A1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
| US6174582B1 (en) | Thin film magnetic disk having reactive element doped refractory metal seed layer | |
| US7976964B2 (en) | Disk drive with laminated magnetic thin films with sublayers for magnetic recording | |
| JP2008192249A (ja) | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 | |
| US6432562B1 (en) | Magnetic recording medium with a nialru seedlayer | |
| US6187408B1 (en) | Thin film magnetic disk with CoPtCrB layer | |
| US20060210834A1 (en) | Laminated magnetic thin films with sublayers for magnetic recording | |
| US6858331B1 (en) | Magnetic thin film media with a bi-layer structure of CrTi/Nip | |
| US7419730B2 (en) | Magnetic recording disk with antiferromagnetically coupled master layer including copper | |
| JP3359706B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US6846543B2 (en) | Thin film magnetic recording disk with ruthenium-aluminum layer | |
| KR100639620B1 (ko) | 자기 기록 매체 및 그 제조 방법과 자기 디스크 장치 | |
| US6413608B1 (en) | Seed layer and underlayer with high and low oxygen concentration portions for hand disk magnetic recording medium on a glass substrate | |
| US20050158883A1 (en) | Multilayered structure film and method of making the same | |
| JP4060859B2 (ja) | 多層構造膜およびその製造方法 | |
| JPH1041134A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2000123345A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 | |
| JP2004335001A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080603 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |