JP2003223707A

JP2003223707A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置

Info

Publication number: JP2003223707A
Application number: JP2002016135A
Authority: JP
Inventors: Takashi Satoie; 隆志郷家; Tomoaki Okuyama; 智明奥山; Akira Kikuchi; 暁菊池
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2002-01-24
Filing date: 2002-01-24
Publication date: 2003-08-08
Also published as: US20030138666A1

Abstract

(57)【要約】【課題】この発明は、磁気記憶装置に用いられる磁気記
録媒体に関し、磁気記録媒体の耐食性の向上を図ること
により、再生ヘッドと磁気記録媒体の磁性層間の磁気ス
ペーシングの低減のための保護膜の薄膜化が可能な、高
密度記録に適した磁気記録媒体を提供する。【解決手段】基板１１と、この基板の上方に設けられた
記録層としての磁性層１５と、保護膜１６とを少なくと
も含む磁気記録媒体であって、磁性層１５は、ＣｏＣｒ
Ｐｔ系合金と、標準電極電位が陰性の元素及びＰｔ以外
の白金族元素からなる群から選択された少なくとも１つ
の添加元素を含むよう構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記憶装置に用
いられる磁気記録媒体に関する。特に磁気記録媒体の耐
食性を向上させることにより、保護膜の薄膜化を図っ
て、高密度記録に適した磁気記録媒体及びその磁気記録
媒体を備えた磁気記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、情報処理技術の高度化に伴い、磁
気記憶装置に対する記憶容量の増大化が求められてい
る。記憶容量を増大するためには、磁気記憶装置に搭載
する磁気記録媒体の枚数を増加する方法がある。しか
し、磁気記憶装置のスペース上、搭載できる磁気記録媒
体の枚数には限界があり、この方法では、記憶容量増大
化の要求を満足することは困難である。そこで、磁気記
録媒体の高記録密度化が必須となっている。ここで、磁
気記録媒体の高記録密度化の手段としては、磁気記録媒
体の線記録密度及びトラック密度を向上する手段があ
る。トラック密度の向上は、主として磁気ヘッドの読み
出しに用いられる再生ヘッドの出力向上等によって達成
される。

【０００３】一方、線記録密度向上のための磁気記録媒
体性能の指標として、Ｗ_５０（孤立再生波形半値幅）が
挙げられる。一般的に、このＷ_５０値が小さければ、小
さいほど高密度記録に適している磁気記録媒体であると
いうことが知られている。

【０００４】このＷ_５０値は、磁気ヘッドの読み出し用
の磁気抵抗素子を有する再生ヘッドののギャップ長ｇ、
再生ヘッドと磁気記録媒体の記録層間の磁気スペーシン
グｄ、磁気記録媒体の磁化遷移幅ａとしたとき、Ｗ_５０＝２（（ｇ/２）^２＋（ｄ＋ａ）^２）^１／２で求めることができる。

【０００５】上記の式より、Ｗ_５０値を小さくする為、
すなわち高記録密度化を達成する為には、再生ヘッドの
ギャップ長ｇを小さくすること、磁化遷移幅ａを小さく
すること、磁気スペーシングｄを小さくすることが必要
である。

【０００６】ここで、磁気スペーシングｄを小さくする
方法として、磁気記録媒体の記録層の上に形成される保
護膜、主としてカーボン系保護膜の膜厚を薄くする方法
がある。

【０００７】しかし、保護膜を薄膜化すると、保護膜の
記録層に対する被覆性が劣化する。被覆性の劣化とは、
具体的には、記録層が保護膜に被覆されていない部分
（被覆欠陥部）が局部的に生じることである。このよう
な場合、大気中の水分が保護膜表面に吸着あるいは結露
したとき、この水分が保護膜の被覆欠陥部を通じて記録
層に達して腐食が発生する。腐食のメカニズムの例とし
て、記録層に達した水分中に存在する金属イオン、水素
イオン又は酸素の還元（カソード反応）により記録層に
含まれるＣｏがＣｏイオンとして水分に溶け出すＣｏの
酸化（アノード反応）という反応が挙げられる。腐食が
発生すると、Ｃｏが溶け出してしまうためＣｏ量が減少
し、その部分の飽和磁化量及び残留磁化量が減少すると
いう問題が生じる。このような場合に、かかる磁気記録
媒体に対しては、十分に記録できない場合や再生出力が
局部的に劣化するなどの記録再生時の障害が発生し、磁
気記録媒体の信頼性が著しく劣化するという問題が生じ
る。

【０００８】磁気記録媒体の記録層に用いられる磁性材
料は、ＣｏＣｒＰｔにＴａやＢなどのＣｒ偏析を促進さ
せる元素を数ａｔ％添加した合金である。ＣｒやＰｔの
含有量を増加させることにより記録層の耐食性が向上す
ることが知られている。

【０００９】また、特開平１１−１５４３２１号公報に
記録層の耐食性を向上させた磁気記録媒体が開示されて
いる。当該磁気記録媒体は、非磁性基板上に、Ｃｒなど
の非磁性金属を介して、Ｐｔ及びＩｒからなる群から選
ばれた少なくとも１種の第１の添加元素と、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇｅ及び
Ｓｉからなる群から選ばれた少なくとも１種の第２の添
加元素と、酸素と、残部がＣｏからなるＣｏ基合金磁性
層を形成してなる磁気記録媒体である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、記録層のＣｒ
の含有量を増加させると記録層の飽和磁化量が減少し、
再生出力が低下してしまうという問題が生じる。また、
記録層のＰｔの含有量を増加させると記録層を構成して
いる磁性粒子径の分布が広くなり、また磁性粒子間の交
換相互作用が増大するため、再生信号における媒体ノイ
ズが増加し、Ｓ／Ｎ比が低下してしまうという問題が生
じる。

【００１１】また、前記公報に開示されている磁気記録
媒体は、記録層内に酸素を含むため、磁気記録媒体の保
磁力が低下してしまうという問題が生じる。また、記録
層の成膜時の熱の影響により記録層の飽和磁化量の安定
性が低下するという問題が生じる。さらに、再生信号に
おける媒体ノイズが増加し、Ｓ／Ｎ比が低下してしまう
という問題が生じる。

【００１２】したがって、本発明の目的は、磁気記録媒
体の耐食性を向上させることにより、保護膜の薄膜化を
図って磁気スペーシングを低減し、高密度記録に適した
磁気記録媒体を提供することである。また、かかる磁気
記録媒体を備えた大記憶容量の磁気記憶装置を提供する
ことである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的は請求項１に
記載の如く、基板と、該基板の上方に設けられた記録層
と、保護膜とを少なくとも含む磁気記録媒体であって、
前記記録層は、少なくとも１つの磁性層を含み、前記磁
性層は、ＣｏＣｒＰｔ系合金と、標準電極電位が陰性の
元素及びＰｔ以外の白金族元素からなる群から選択され
た少なくとも１つの添加元素を含む磁気記録媒体より達
成される。なお、前記記録層は、１つの磁性層からなる
単層構造であってもよく、複数の磁性層を含む多層構造
であってもよい。また、ＣｏＣｒＰｔ系合金とは、Ｃｏ
ＣｒＰｔ及びＣｏＣｒＰｔにＢ又はＴａなどを添加した
ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどである。

【００１４】本発明によれば、磁気記録媒体の耐食性の
向上させることにより、保護膜の薄膜化を図って磁気ス
ペーシングを低減し、高密度記録に適した磁気記録媒体
を実現することができる。

【００１５】また、請求項２に記載される如く、請求項
１に記載の磁気記録媒体において、前記磁性層は、前記
添加元素を０．０１から３０ａｔ％含むことが好まし
い。前記添加元素の元素量が３０ａｔ％を超えると、前
記磁性層が磁性の性質を失うからである。

【００１６】さらに、請求項３に記載の如く、請求項１
又は２に記載の磁気記録媒体において、前記記録層は、
複数の磁性膜を含み、該磁性層間に非磁性結合層を備え
ることが好ましい。記録層に書き込まれた記録ビットの
熱的安定性が向上するからである。

【００１７】請求項４に記載される如く、前記保護膜の
膜厚は０．５ｎｍから１０ｎｍであることが好ましい。
磁気的スペーシングを低減して、磁気記録媒体の記録再
生分解能が向上するからである。

【００１８】本発明の請求項５に記載の如く、請求項１
から４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を備えた磁
気記憶装置とすることができる。

【００１９】この装置によると、磁気記録媒体の耐食性
の向上させることにより、磁気スペーシングの低減のた
めの保護膜の薄膜化を図って、高密度記録に適した磁気
記録媒体を搭載することにより、大記憶容量の磁気記憶
装置を実現することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の第
１実施例及び第２実施例を説明する。第１実施例は、記
録層が１つの磁性層を有する磁気記録媒体に関するもの
である。また、第２実施例は、記録層が２つの磁性層と
この磁性層間に１つの非磁性結合層を有する磁気記録媒
体に関するものである。

【００２１】（第１実施例）図１は本発明の第１実施例
に係る磁気記録媒体１０の積層構成を示した図である。
この磁気記録媒体１０は、非磁性の基板１１の表面にＮ
ｉＰ膜をコートし、テクスチャ処理を施したものを用い
ることができる。この磁気記録媒体１０は、基板１１上
に、下からＣｒ下地層１２、ＣｒＭｏ下地層１３、Ｃｏ
ＣｒＴａ中間層１４、ＣｏＣｒＰｔＢＰ磁性層１５、及
びＤＬＣ（水素化カーボン）保護膜１６を順次積層した
構造を有する。

【００２２】次に、図１に示した本発明の第１実施例に
係る磁気記録媒体１０の好ましい製造例を説明する。

【００２３】この磁気記録媒体１０の基板１１として
は、非磁性のＡｌ基板又はガラス基板などを用いること
ができる。かかる基板に限定されるわけではなく、プラ
スチック基板等を用いることができる。本実施例ではＡ
ｌ基板を用いた。

【００２４】基板１１の表面に無電解めっきによりＮｉ
Ｐ膜をコートし、同心円状にメカニカルテクスチャ処理
又はレーザテクスチャ処理を施したものを用いることが
できる。しかしテクスチャは施さなくてもよい。本実施
例ではメカニカルテクスチャ処理を施した。

【００２５】磁気記録媒体１０の各層１１〜１６は、ス
パッタリング装置を用いた薄膜形成技術を用いて形成す
ることができる。より具体的には、本実施例ではＤＣマ
グネトロンスパッタリング法を用いて成膜を行った。各
層の成膜前にスパッタ室内を４×１０^−５Ｐａ以下の真
空度まで排気後、Ａｒガスを導入しスパッタ室内を０．
６７Ｐａに保持して成膜を行う。

【００２６】Ｃｒ下地層１２の成膜前に、基板１１に付
着している不純物のクリーニングとＣｒ下地層１２の結
晶配向性制御の為に、基板１１の温度を２００℃以上に
加熱する。また、基板温度が２７０℃を超えると非晶質
であるＮｉＰが結晶化して帯磁するので、これを抑制す
るため基板温度は２００℃から２７０℃の範囲にするこ
とが好ましい。なお、本実施例では基板温度を２２０℃
とした。

【００２７】次いで、この基板１１上に、Ｃｒ下地層１
２を成膜する。Ｃｒ下地層の膜厚は２ｎｍから７ｎｍの
範囲のから選択することが好ましい。Ｃｒ下地層１２が
２ｎｍより薄いとＣｒ下地層１２の結晶性が十分でな
く、その結果磁性層１５のｃ軸の磁化容易軸であるｃ軸
の面内方向への結晶配向性が劣化し、また、Ｃｒ下地層
１２が７ｎｍより厚いとＣｒ下地層１２の結晶粒子が増
大し、その結果磁性層１５の磁性粒子の体積が増大し、
再生時の媒体ノイズが増加するからである。本実施例で
はＣｒ下地層１２は５ｎｍとした。

【００２８】このＣｒ下地層１２の上に、Ｃｒより大き
な格子定数をもつＣｒ系合金下地層１３を形成する。こ
れにより、磁性層１５との結晶格子の面間隔の整合性が
良好となり、磁性層１５の磁化容易軸であるｃ軸の面内
方向への結晶配向性が良好となる。Ｃｒ系合金下地層１
３はＷ，Ｖ及びＭｏからなる群から少なくとも１つを選
択した元素を含んでおり、その結晶構造がｈｃｐ構造
（最密六方構造）であるものにより形成されていること
が好ましい。なお本実施例では、ＣｒＭｏを用い、２ｎ
ｍ成膜した。

【００２９】このＣｒ系合金下地層１３の上に、中間層
１４を成膜する。中間層１４には、ｈｃｐ構造を有する
Ｃｏ基合金を用い、このＣｏ基合金は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｒｅ及びＲｕからなる群から少なくとも１つ
選択した元素を含むことが好ましい。これにより、磁性
層１５のｃ軸の面内方向への結晶配向性をさらに向上さ
せることができる。ここで、中間層１４の膜厚は０．３
ｎｍから５ｎｍの範囲から選択することが好ましい。中
間層１４の膜厚が０．３ｎｍより薄いと中間層１４の結
晶性が十分でなく磁性層１５のｃ軸の面内方向への結晶
配向性が向上されず、また、中間層１４の膜厚が５ｎｍ
より厚いと記録再生分解能の低下を招くからである。本
実施例では、ＣｏＣｒＴａを用い、１ｎｍ成膜した。

【００３０】この中間層１４の上に、記録層として磁性
層１５を成膜する。この磁性層１５には、ＣｏＣｒＰｔ
系合金、たとえばＣｏＣｒＰｔのみならず、ＣｏＣｒＰ
ｔにＴａ及びＢなどを添加したＣｏＣｒＰｔＴａ又はＣ
ｏＣｒＰｔＢなどに、標準電極電位が陰性の元素及びＰ
ｔ以外の白金族元素からなる群から選択された少なくと
も１つの添加元素を含む磁性材料を用いる。ここで、標
準電極電位が陰性の元素とは、例えばＰ、Ｌｉ、Ｒｂ、
Ｋ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｍ
ｇ、Ｔｈ、Ｂｅ、Ｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｆｅ、
Ｃｄ、Ｔｌ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ及びＳである。また、Ｐ
ｔ以外の白金族元素とは、例えばＲｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉ
ｒ及びＰｄである。より好ましい添加元素は、化学反応
性に乏しいＰｔ以外の白金族元素、例えばＲｕ、Ｏｓ、
Ｒｈ、Ｉｒ及びＰｄである。

【００３１】上記添加元素の添加量は、磁性層の磁性材
料全体を１００ａｔ％としたときに、０．０１から３０
ａｔ％であることが望ましい。この添加量が３０ａｔ％
を超えると磁性層のＣｏの含有量が７０ａｔ％より低下
することとなり、磁性層が磁性の性質を失うからであ
る。また、添加元素の添加量は１ａｔ％から３０ａｔ％
であることが好ましい。添加元素の添加量が１ａｔ％未
満では、十分な耐食性を得ることができず、３０ａｔ％
を超えると、磁性層が磁性の性質を失うからである。

【００３２】本実施例では、ＣｏＣｒＰｔＢにＰを５ａ
ｔ％添加したＣｏＣｒＰｔＢＰ_５を用いて、磁性層１５
を成膜した。ｔＢｒ（磁性層膜厚と残留磁化の積）が
６．０ｎＴｍになるように成膜した。

【００３３】次いで、磁性層１５の上に保護膜１６を成
膜する。保護膜１６はカーボンを主成分とし、水素、窒
素などを添加した膜である。ここで保護膜１６の膜厚は
０．５ｎｍから１０ｎｍである。本実施例においては、
ＤＬＣ（水素化カーボン）保護膜を０．５ｎｍから１０
ｎｍの範囲から適宜選択した膜厚で成膜した。

【００３４】保護膜１６の上に潤滑膜１７を形成する。
潤滑膜１７には、有機物潤滑剤からなる。潤滑膜１７の
膜厚は１．０ｎｍとした。

【００３５】また、磁性層１５をＣｏＣｒＰｔＢにＩｒ
を５ａｔ％添加したＣｏＣｒＰｔＢＩｒ_５を用いて、他
は上記の磁気記録媒体と同一の条件で磁気記録媒体を作
製した。

【００３６】（第２実施例）図２は本発明の第２実施例
に係る磁気記録媒体２０の積層構成を示した図である。
本実施例は、記録層として２つの磁性層２５，２７とこ
の磁性層間に１つの非磁性結合層２６を設けたものであ
る。

【００３７】この磁気記録媒体２０は、上記磁気記録媒
体１０の基板１１と同様に形成される基板２１上に、下
からＣｒ及びＣｒＭｏによる２層の下地層２２、２３、
ＣｏＣｒＴａ中間層２４、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層２５、
Ｒｕ非磁性結合層２６及びＣｏＣｒＰｔＢＰ磁性層２
７、ＤＬＣ保護膜２８及び潤滑膜２９が順次積層した構
造を有する。ここで、記録層は、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層
２５、Ｒｕ非磁性結合層２６及びＣｏＣｒＰｔＢＰ磁性
層２７からなる。Ｒｕ非磁性結合層２６の膜厚を適切な
範囲に選定すると、磁性層２５と磁性層２７が反強磁性
的に結合され、磁性粒子径を増加させることなく実効的
な磁性粒子体積を増加させることが可能となり、その結
果、磁気記録媒体に書き込まれた記録ビットの熱的安定
性が向上する。かかる発明は、例えば特開２００１−５
６９２５号公報に開示されているものである。

【００３８】次に、図２に示した本発明の第２実施例に
係る磁気記録媒体２０の好ましい製造例を説明する。

【００３９】磁気記録媒体２０を構成するもののうち、
基板２１、Ｃｒ及びＣｒＭｏによる２層の下地層２２、
２３、ＣｏＣｒＴａ中間層２４及、ＤＬＣ保護膜２８及
び潤滑膜２９は第１実施例の磁気記録媒体１０と同様に
製造できる。

【００４０】また、ＣｏＣｒＴａ中間層２４の上に、磁
性層２５を成膜する。磁性層２５にはＣｏＣｒＰｔを用
いる。勿論、第１実施例の磁性層と同じ磁性材料を用い
てもよい。本実施例ではＣｏＣｒＰｔＢ磁性層を５ｎｍ
成膜した。

【００４１】この磁性層２５の上に、非磁性結合層２６
を成膜する。非磁性結合層２６はＲｕ、Ｃｒ、Ｒｕ合
金、Ｃｒ合金等からなる。具体的には非磁性結合層２６
は０．４ｎｍから１．０ｎｍの範囲から選択することが
好ましい。このような範囲に選定することにより磁性層
２５及び磁性層２７が反強磁性的に結合し、両磁性層の
磁化方向が互いに反平行になるからである。本実施例で
は、Ｒｕを０．８ｎｍ成膜した。

【００４２】この非磁性結合層２６の上に磁性層２７を
成膜する。この磁性層２７は前述した第１実施例の磁性
層１５と同様のものである。本実施例では、ＣｏＣｒＰ
ｔＢにＰを５ａｔ％添加したＣｏＣｒＰｔＢＰ_５を用い
て、ｔＢｒが６．０ｎＴｍになるように成膜した。ま
た、磁性層２７にＣｏＣｒＰｔＢにＩｒを５ａｔ％添加
したＣｏＣｒＰｔＢＩｒ_５を用いて、磁気記録媒体を本
実施例と同様に作製した。

【００４３】図３は、本発明によらない比較例の磁気記
録媒体３０の積層構成を示した図である。この磁気記録
媒体３０は、第１実施例に係る磁気記録媒体１０の基板
１１と同様に形成される基板３１上に、下からＣｒ及び
ＣｒＭｏによる２層の下地層３２、３３、ＣｏＣｒＴａ
中間層３４、ＣｏＣｒＰｔＢ磁性層３５及びＤＬＣ保護
膜３６が順次積層された構造を有する。この比較例の磁
気記録媒体３０は、磁性層３５の磁性材料がＣｏＣｒＰ
ｔＢである点を除き、第１実施例の磁気記録媒体１０と
同一である。

【００４４】次に、前記磁気記録媒体に対して次に示す
ような耐食性試験を行って評価した。その試験方法は、
３％の硝酸溶液０．５ｍｌを磁気記録媒体の表面の４箇
所に滴下して、１時間放置し、滴下した磁気記録媒体表
面の硝酸溶液中に溶出したＣｏイオン質量をＩＣＰ−Ｍ
Ｓ（Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy：
ＩＣＰ質量分析法）で測定し、摘出した硝酸溶液中のＣ
ｏイオン質量（Ｃｏ溶出量）により合否を判定するもの
である。上述したように、腐食は磁気記録媒体の保護膜
表面に吸着等した水分に含まれる水素イオン等の還元と
磁性層に含まれるＣｏの酸化により、Ｃｏが水分中に溶
出する現象であるので、この試験法により磁気記録媒体
の耐食性を的確に判定することができるものである。

【００４５】測定結果の判定基準として、Ｃｏ溶出量が
２．５μｇ/ｍ^２以下を合格、２．５μｇ／ｍ^２を超え
る場合を不合格とした。

【００４６】図４は本発明の第１実施例に係る磁気記録
媒体及び比較例に係る磁気記録媒体について、Ｃｏ溶出
量とＤＬＣ保護膜の膜厚との関係を示した図である。図
４によれば、比較例に係るＣｏＣｒＰｔＢ磁性層の磁気
記録媒体は、ＤＬＣ保護膜の膜厚が３ｎｍ以下は不合格
であるのに対して、第１実施例に係るＣｏＣｒＰｔＢＩ
ｎ磁性層の磁気記録媒体及び第１実施例に係るＣｏＣｒ
ＰｔＢＰ磁性層の磁気記録媒体は、ＤＬＣ保護膜の膜厚
が０．５ｎｍ以上は合格である。

【００４７】図５は本発明の第１及び第２実施例に係る
磁気記録媒体及び比較例に係る磁気記録媒体のＣｏ溶出
量とＤＬＣ保護膜の膜厚の関係を示した図である。図５
によれば、第１及び第２実施例に係るＣｏＣｒＰｔＢＩ
ｒ磁性層の及びＣｏＣｒＰｔＢＰ磁性層の磁気記録媒体
は、ＤＬＣ保護膜の膜厚が０．５ｎｍ以上で合格であ
る。

【００４８】したがって、第１及び第２実施例の磁気記
録媒体は記録層の耐食性が向上しているので、保護膜を
薄膜化することができる。この結果、磁気スペーシング
の低減が可能となり、高密度記録可能な磁気記録媒体を
得ることができる。

【００４９】次に、本発明になる磁気記憶装置の一実施
例を図６及び図７と共に説明する。図６は、磁気記憶装
置１２０の一実施例の要部を示す断面図であり、図７
は、磁気記憶装置の一実施例の要部を示す平面図であ
る。

【００５０】図６及び図７に示すように、磁気記憶装置
１２０は大略ハウジング１２３からなる。ハウジング１
２３内には、モータ１２４、ハブ１２５、複数の磁気記
録媒体１２６、複数の記録再生ヘッド１２７、複数のサ
スペンション１２８、複数のアーム１２９及びアクチュ
エータユニット１２１が設けられている。磁気記録媒体
１２６は、モータ１２４より回転されるハブ１２５に取
り付けられている。記録再生ヘッド１２７は、ＭＲ（磁
気抵抗効果型）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果型）素
子、又はＴＭＲ（トンネル磁気効果型）素子の再生ヘッ
ドと薄膜ヘッドの記録ヘッドとの複合型ヘッドからな
る。各記録再生ヘッド１２７は対応するアーム１２９の
先端にサスペンション１２８を介して取り付けられてい
る。アーム１２９はアクチュエータユニット１２１によ
り駆動される。この磁気記憶装置の基本構成自体は周知
であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。

【００５１】磁気記憶装置１２０の本実施例は、磁気記
録媒体１２６に特徴がある。各磁気記録媒体は図１及び
図２とともに説明した、上記記録媒体の第１実施例及び
第２実施例の構造を有する。勿論磁気記録媒体１２６の
枚数は３枚に限定されず、１枚でも、２枚又は４枚以上
であっても良い。

【００５２】磁気記憶装置１２０の基本構成は、図６及
び図７に示すものに限定されるものではない。本発明で
用いる磁気記録媒体１２６は、磁気ディスクに限定され
ない。

【００５３】以上、本発明の好ましい実施例について詳
述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるも
のではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨
の範囲内において、種々の変形・変更が可能であること
は、言うまでもない。

【００５４】なお、以上の説明に関して更に以下の付記
を開示する。（付記１）基板と、該基板の上方に設けられた記録層
と、保護膜とを少なくとも含む磁気記録媒体であって、
前記記録層は、少なくとも１つの磁性層を含み、前記磁
性層は、ＣｏＣｒＰｔ系合金と、標準電極電位が陰性の
元素及びＰｔ以外の白金族元素からなる群から選択され
た少なくとも１つの添加元素を含むことを特徴とする磁
気記録媒体。（付記２）付記１に記載の磁気記録媒体において、前記
磁性層は、前記添加元素を０．０１から３０ａｔ％含む
ことを特徴とする磁気記録媒体。（付記３）付記１又は２に記載の磁気記録媒体におい
て、前記記録層は、複数の磁性層を含み、該磁性層間に
非磁性結合層を備えたことを特徴とする磁気記録媒体。（付記４）付記１から３のいずれか１項に記載の磁気記
録媒体において、前記保護膜の膜厚は０．５ｎｍから１
０ｎｍであること特徴とする磁気記録媒体。（付記５）付記１から４のいずれか１項に記載の磁気記
録媒体において、前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔ系合金
と、Ｐ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｂａ、Ｓｒ、
Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＬａからなる群から
選択された少なくとも１つの添加元素を含むことを特徴
とする磁気記録媒体。（付記６）付記１から５のいずれか１項に記載の磁気記
録媒体を備えたことを特徴とする磁気記憶装置。

【００５５】

【発明の効果】以上詳述したところから明らかなよう
に、本発明によれば、磁気記録媒体の耐食性を向上させ
ることにより、保護膜の薄膜化を図って磁気スペーシン
グを低減し、信頼性の高い高密度記録を行える磁気記録
媒体を実現できる。また、かかる磁気記録媒体を備える
ことにより、大記憶容量の磁気記憶装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の積層
構成を示した図である。

【図２】本発明の第２実施例に係る磁気記録媒体の積層
構成を示した図である。

【図３】本発明によらない比較例に係る磁気記録媒体の
積層構成を示した図である。

【図４】本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体及び比
較例に係る磁気記録媒体についてＣｏ溶出量とＤＬＣ保
護膜の膜厚との関係を示した図である。

【図５】本発明の第１、第２実施例及び比較例に係る磁
気記録媒体のＣｏ溶出量とＤＬＣ保護膜の膜厚の関係を
示した図である。

【図６】磁気記憶装置の一実施例の要部を示す断面図で
ある。

【図７】図６に示す磁気記憶装置の要部を示す平面図で
ある。

【符号の説明】

１０磁気記録媒体１１基板１５磁性層１６保護膜２６非磁性結合層１２０磁気記憶装置

フロントページの続き (72)発明者菊池暁山形県東根市大字東根元東根字大森5400番２（番地なし）株式会社山形富士通内Ｆターム(参考） 5D006 AA02 AA05 BB02 BB06 BB08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板の上方に設けられた記録
層と、保護膜とを少なくとも含む磁気記録媒体であっ
て、前記記録層は、少なくとも１つの磁性層を含み、前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔ系合金と、標準電極電位が
陰性の元素及びＰｔ以外の白金族元素からなる群から選
択された少なくとも１つの添加元素を含むことを特徴と
する磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１に記載の磁気記録媒体におい
て、前記磁性層は、前記添加元素を０．０１から３０ａｔ％
含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２に記載の磁気記録媒体に
おいて、前記記録層は、複数の磁性層を含み、該磁性層間に非磁
性結合層を備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】請求項１から３のいずれか１項に記載の
磁気記録媒体において、前記保護膜の膜厚は０．５ｎｍから１０ｎｍであること
特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】請求項１から４のいずれか１項に記載の
磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記憶装置。