JPH06150599A - 磁気ヘッドスライダ - Google Patents
磁気ヘッドスライダInfo
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- JPH06150599A JPH06150599A JP32743992A JP32743992A JPH06150599A JP H06150599 A JPH06150599 A JP H06150599A JP 32743992 A JP32743992 A JP 32743992A JP 32743992 A JP32743992 A JP 32743992A JP H06150599 A JPH06150599 A JP H06150599A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 69
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003266 NiCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッドスライダの浮上面に露出している
磁気抵抗効果素子を保護する膜を形成して磁気抵抗効果
素子の信頼性の向上を図ること。 【構成】 磁気抵抗効果素子２が露出している磁気ヘッ
ドスライダの浮上面３にシリコン５とダイヤモンド状カ
ーボン膜６または炭化シリコン膜９が順次積層されて保
護膜が形成されている。また、ダイヤモンド状カーボン
膜６の上面側には、窒化シリコン膜７または酸化シリコ
ン膜８が必要により性膜される。これにより、磁気抵抗
効果素子２と磁気ディスク板間の放電を抑制するととも
に、磁気抵抗効果素子２が大気から遮断される。
磁気抵抗効果素子を保護する膜を形成して磁気抵抗効果
素子の信頼性の向上を図ること。 【構成】 磁気抵抗効果素子２が露出している磁気ヘッ
ドスライダの浮上面３にシリコン５とダイヤモンド状カ
ーボン膜６または炭化シリコン膜９が順次積層されて保
護膜が形成されている。また、ダイヤモンド状カーボン
膜６の上面側には、窒化シリコン膜７または酸化シリコ
ン膜８が必要により性膜される。これにより、磁気抵抗
効果素子２と磁気ディスク板間の放電を抑制するととも
に、磁気抵抗効果素子２が大気から遮断される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に用
いられる磁気ヘッドスライダに係り、特に、磁気抵抗効
果素子の有効な保護を図ることのできる磁気ヘッドスラ
イダに関する。
いられる磁気ヘッドスライダに係り、特に、磁気抵抗効
果素子の有効な保護を図ることのできる磁気ヘッドスラ
イダに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ヘッドスライダに用いられる磁気抵
抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と称する）は、NiFe,
NiCo等の強磁性材料の抵抗値が印加磁界方向と電流のな
す角度によって変化することを利用した磁気センサの一
種であり、位置センサ、回転センサ等の用途に実用化さ
れている他、磁気ディスク装置の読み取り素子としての
有用性が高まっている。
抗効果素子（以下、単にＭＲ素子と称する）は、NiFe,
NiCo等の強磁性材料の抵抗値が印加磁界方向と電流のな
す角度によって変化することを利用した磁気センサの一
種であり、位置センサ、回転センサ等の用途に実用化さ
れている他、磁気ディスク装置の読み取り素子としての
有用性が高まっている。
【０００３】ＭＲ素子を用いて磁気ディスク板上に磁気
的に記録された情報を読み取る場合、ＭＲ素子にセンス
電流を流し、磁気ディスク板から発生する磁界によりＭ
Ｒ素子内の磁化が回転することによって生ずる抵抗変化
を電圧変化として取り出す。従って、ＭＲ素子の動作時
には、定常的に電流が流れている。
的に記録された情報を読み取る場合、ＭＲ素子にセンス
電流を流し、磁気ディスク板から発生する磁界によりＭ
Ｒ素子内の磁化が回転することによって生ずる抵抗変化
を電圧変化として取り出す。従って、ＭＲ素子の動作時
には、定常的に電流が流れている。
【０００４】また、磁気ディスク板上の情報を高い分解
能で読み取るためには、ＭＲ素子を磁気ディスク板にで
きる限り近接させることが有利であり、一般に、ＭＲ素
子は磁気ヘッドスライダの浮上面に露出する構成とされ
ている。
能で読み取るためには、ＭＲ素子を磁気ディスク板にで
きる限り近接させることが有利であり、一般に、ＭＲ素
子は磁気ヘッドスライダの浮上面に露出する構成とされ
ている。
【０００５】さらに、ＭＲ素子を高感度化するために
は、ＭＲ素子の厚さは薄い方が有利であり、磁界に対す
る抵抗変化の大きさを損わない範囲で薄層化が進められ
ており、その厚さは２００から５００オングストローム
程度と極めて薄い。
は、ＭＲ素子の厚さは薄い方が有利であり、磁界に対す
る抵抗変化の大きさを損わない範囲で薄層化が進められ
ており、その厚さは２００から５００オングストローム
程度と極めて薄い。
【０００６】このような形状のＭＲ素子を搭載した磁気
ヘッドスライダにおいては、浮上面に露出したＭＲ素子
と磁気ディスク板の間での放電、接触等により、電気的
なノイズを発生する場合があった。すなわち、ＭＲ素子
の動作時にはセンス電流が流れており、ＭＲ素子と磁気
ディスク板の接触が生ずると、センス電流の一部が磁気
ディスク板に流れることとによりノイズを発生する。
ヘッドスライダにおいては、浮上面に露出したＭＲ素子
と磁気ディスク板の間での放電、接触等により、電気的
なノイズを発生する場合があった。すなわち、ＭＲ素子
の動作時にはセンス電流が流れており、ＭＲ素子と磁気
ディスク板の接触が生ずると、センス電流の一部が磁気
ディスク板に流れることとによりノイズを発生する。
【０００７】また、ＭＲ素子を流れるセンス電流とＭＲ
素子の抵抗により発生する電圧によって、ＭＲ素子と磁
気ディスク板が接触していない場合においても、放電現
象によりセンス電流の一部が磁気ディスク板に流れてノ
イズを発生する。このような接触、放電は、単にノイズ
を発生させるだけでなく、ＭＲ素子に損傷を与え、ＭＲ
素子の性能低下を引き起こしていた。
素子の抵抗により発生する電圧によって、ＭＲ素子と磁
気ディスク板が接触していない場合においても、放電現
象によりセンス電流の一部が磁気ディスク板に流れてノ
イズを発生する。このような接触、放電は、単にノイズ
を発生させるだけでなく、ＭＲ素子に損傷を与え、ＭＲ
素子の性能低下を引き起こしていた。
【０００８】また、ＭＲ素子の厚さは極めて薄いため、
上述のような損傷の他、僅かな腐食によってもその性能
が大きく劣化するという不都合がある。
上述のような損傷の他、僅かな腐食によってもその性能
が大きく劣化するという不都合がある。
【０００９】このような問題を解消するためには、ＭＲ
素子に保護膜を形成することが有効であり、この保護膜
を形成した磁気ヘッドスライダが提案されるに至ってい
る（例えば、特開平１−１２８２１６号公報、特開平２
−１０３７１４号公報、特開平３−１２０６１０号公
報）。これらは、磁気ディスク板と相対するスライダの
浮上面に炭素等からなる保護膜を形成したものである。
素子に保護膜を形成することが有効であり、この保護膜
を形成した磁気ヘッドスライダが提案されるに至ってい
る（例えば、特開平１−１２８２１６号公報、特開平２
−１０３７１４号公報、特開平３−１２０６１０号公
報）。これらは、磁気ディスク板と相対するスライダの
浮上面に炭素等からなる保護膜を形成したものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな保護膜は、次の相反する性質を満たすものでなけれ
ばならない。即ち、第１に、ＭＲ素子の分解能を損わな
いようにＭＲ素子と磁気ディスク板の間隔を狭く保つた
め、保護膜は極めて薄くする必要性がある。現在実用化
されている磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドス
ライダの浮上量は、１０００から２０００オングストロ
ームの範囲にあり、保護膜の厚さは、この浮上量に対し
て十分薄くしなければならない。また、第２に、磁気ヘ
ッドスライダは、磁気ディスク装置が停止している間
は、磁気ディスク板と接触し、動作時には浮上する、い
わゆるコンタクト・スタート・ストップ方式が用いられ
ているため、保護膜は磁気ディスク板との摺動に対して
十分な強度を有していなければならない。第３に、ＭＲ
素子を流れるセンス電流が磁気ディスク板に流入するこ
とを防ぐため、保護膜は十分な絶縁性を有する必要があ
る。第４に、極めて薄いＭＲ素子を大気から遮断するた
めに、保護膜は緻密で、ピンホール等の欠陥がないもの
でなければならない。
うな保護膜は、次の相反する性質を満たすものでなけれ
ばならない。即ち、第１に、ＭＲ素子の分解能を損わな
いようにＭＲ素子と磁気ディスク板の間隔を狭く保つた
め、保護膜は極めて薄くする必要性がある。現在実用化
されている磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドス
ライダの浮上量は、１０００から２０００オングストロ
ームの範囲にあり、保護膜の厚さは、この浮上量に対し
て十分薄くしなければならない。また、第２に、磁気ヘ
ッドスライダは、磁気ディスク装置が停止している間
は、磁気ディスク板と接触し、動作時には浮上する、い
わゆるコンタクト・スタート・ストップ方式が用いられ
ているため、保護膜は磁気ディスク板との摺動に対して
十分な強度を有していなければならない。第３に、ＭＲ
素子を流れるセンス電流が磁気ディスク板に流入するこ
とを防ぐため、保護膜は十分な絶縁性を有する必要があ
る。第４に、極めて薄いＭＲ素子を大気から遮断するた
めに、保護膜は緻密で、ピンホール等の欠陥がないもの
でなければならない。
【００１１】この点、前述の各公報に示された保護膜
は、以上の一部の特性を満たすのみであり、四つの特性
を同時に満たしたものとは云えなかった。
は、以上の一部の特性を満たすのみであり、四つの特性
を同時に満たしたものとは云えなかった。
【００１２】
【発明の目的】本発明の目的は、浮上面に露出したＭＲ
素子の保護膜として要求される全ての特性を満たすこと
のできる保護膜を設け、絶縁性、耐久性等を確保するこ
とのできる磁気ヘッドスライダを提供することにある。
素子の保護膜として要求される全ての特性を満たすこと
のできる保護膜を設け、絶縁性、耐久性等を確保するこ
とのできる磁気ヘッドスライダを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、スライダの一
方の面に、磁気記録媒体に対する浮上面が形成されると
ともに、この浮上面の端部に磁気抵抗効果素子が設けら
れた磁気ヘッドスライダにおいて、前記浮上面上にシリ
コン及びダイヤモンド状カーボン膜を順次積層する、と
いう手法を採っている。これによって前述の目的を達成
しようとするものである。
方の面に、磁気記録媒体に対する浮上面が形成されると
ともに、この浮上面の端部に磁気抵抗効果素子が設けら
れた磁気ヘッドスライダにおいて、前記浮上面上にシリ
コン及びダイヤモンド状カーボン膜を順次積層する、と
いう手法を採っている。これによって前述の目的を達成
しようとするものである。
【００１４】また、本発明においては、前記ダイヤモン
ド状カーボン膜の上面に窒化シリコン膜あるいは酸化シ
リコン膜が更に積層される。
ド状カーボン膜の上面に窒化シリコン膜あるいは酸化シ
リコン膜が更に積層される。
【００１５】さらに、本発明においては、スライダの一
方の面に、磁気記録媒体に対する浮上面が形成されると
ともに、この浮上面の端部に磁気抵抗効果素子が露出す
るよう設けられた磁気ヘッドスライダにおいて、前記浮
上面上にシリコン及び炭化シリコン膜を順次積層する、
という手法をも採っている。これによっても、前述の目
的を達成しようとするものである。
方の面に、磁気記録媒体に対する浮上面が形成されると
ともに、この浮上面の端部に磁気抵抗効果素子が露出す
るよう設けられた磁気ヘッドスライダにおいて、前記浮
上面上にシリコン及び炭化シリコン膜を順次積層する、
という手法をも採っている。これによっても、前述の目
的を達成しようとするものである。
【００１６】
【作用】本発明においては、シリコンにダイヤモンド状
カーボン膜あるいは炭化シリコン膜を性膜し、また、必
要に応じてダイヤモンド状カーボン膜の更に上面側に窒
化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜を性膜する構成で
あるため、ＭＲ素子の分解能を維持しつつ、所定の耐久
性ならびに耐腐食性等を確保でき、磁気ディスク装置に
おける信頼性の向上を期待することが可能となる。
カーボン膜あるいは炭化シリコン膜を性膜し、また、必
要に応じてダイヤモンド状カーボン膜の更に上面側に窒
化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜を性膜する構成で
あるため、ＭＲ素子の分解能を維持しつつ、所定の耐久
性ならびに耐腐食性等を確保でき、磁気ディスク装置に
おける信頼性の向上を期待することが可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１８】図１には、第一の実施例に係る磁気ヘッド
スライダの斜視図が示されている。この図において、Ａ
ｌ2Ｏ3-Ｔｉｃ等のセラミック材料からなるスライダ本
体１の一方の面には、段部１Ａを介して若干隆起してレ
ール状に延びる一対の浮上面３が形成されている。これ
ら浮上面３は、図示しない磁気ディスク板に相対するも
ので、その一端である前端一定領域には所定の傾斜角度
を有するチャンファ４が形成され、このチャンファ４の
傾斜角度によって、磁気ディスク板が回転した時に、ス
ライダ１に浮上力を与えるようになっている。また、浮
上面３の他端である後端の側面には、磁気抵抗効果素子
であるＭＲ素子２が浮上面３に露出するように配置され
ている。
スライダの斜視図が示されている。この図において、Ａ
ｌ2Ｏ3-Ｔｉｃ等のセラミック材料からなるスライダ本
体１の一方の面には、段部１Ａを介して若干隆起してレ
ール状に延びる一対の浮上面３が形成されている。これ
ら浮上面３は、図示しない磁気ディスク板に相対するも
ので、その一端である前端一定領域には所定の傾斜角度
を有するチャンファ４が形成され、このチャンファ４の
傾斜角度によって、磁気ディスク板が回転した時に、ス
ライダ１に浮上力を与えるようになっている。また、浮
上面３の他端である後端の側面には、磁気抵抗効果素子
であるＭＲ素子２が浮上面３に露出するように配置され
ている。
【００１９】浮上面３には、シリコン５及びダイヤモン
ド状カーボン膜６が順次積層されている。このシリコン
５は、ダイヤモンド状カーボン膜６の密着層であり、そ
の肉厚は、３０〜１００オングストロームであり、その
成膜には、高周波スパッタリング法または真空蒸着法が
用いられている。
ド状カーボン膜６が順次積層されている。このシリコン
５は、ダイヤモンド状カーボン膜６の密着層であり、そ
の肉厚は、３０〜１００オングストロームであり、その
成膜には、高周波スパッタリング法または真空蒸着法が
用いられている。
【００２０】ダイヤモンド状カーボン６は、緻密で良好
な絶縁性を示し、高度も高くされている。但し、カーボ
ン膜がグラファイト状であると、ピンホールが多く、絶
縁性が悪くなり、高度も低いものとなる。従って、ダイ
ヤモンド状カーボン膜６を成膜するためには、水素ガス
を混入してプラズマＣＶＤあるいは高周波スパッタ法が
用いられる。また、プラズマの生成に電子のサイクロト
ロン運動を利用した、いわゆるＥＣＲ装置での成膜も行
われる。ダイヤモンド状カーボン膜６の肉厚は、５０〜
２００オングストロームであり、ＭＲ素子２の分解能を
損わない限り厚い方が、絶縁性、硬度、緻密性とも向上
させることができる。成膜条件を最適化することによ
り、厚さ１００オングストロームでも数十Ｖの耐圧を有
し、ピンホールなしのダイヤモンド状カーボン６の成膜
が可能である。
な絶縁性を示し、高度も高くされている。但し、カーボ
ン膜がグラファイト状であると、ピンホールが多く、絶
縁性が悪くなり、高度も低いものとなる。従って、ダイ
ヤモンド状カーボン膜６を成膜するためには、水素ガス
を混入してプラズマＣＶＤあるいは高周波スパッタ法が
用いられる。また、プラズマの生成に電子のサイクロト
ロン運動を利用した、いわゆるＥＣＲ装置での成膜も行
われる。ダイヤモンド状カーボン膜６の肉厚は、５０〜
２００オングストロームであり、ＭＲ素子２の分解能を
損わない限り厚い方が、絶縁性、硬度、緻密性とも向上
させることができる。成膜条件を最適化することによ
り、厚さ１００オングストロームでも数十Ｖの耐圧を有
し、ピンホールなしのダイヤモンド状カーボン６の成膜
が可能である。
【００２１】この実施例における磁気ヘッドスライダ
で、カーボン保護膜が形成された磁気ディスク板を用い
て、コンタクト・スタート・ストップ試験を行ったとこ
ろ、五万回を経過しても、ダイヤモンド状カーボン膜６
に何等の損傷が認められないインターフェース条件を得
ることができた。
で、カーボン保護膜が形成された磁気ディスク板を用い
て、コンタクト・スタート・ストップ試験を行ったとこ
ろ、五万回を経過しても、ダイヤモンド状カーボン膜６
に何等の損傷が認められないインターフェース条件を得
ることができた。
【００２２】次に、本発明の第二の実施例を図２を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００２３】図２において、この実施例が特徴とするの
は、ダイヤモンド状カーボン膜６の更に上面側に窒化シ
リコン膜７が成膜されたところにある。この第二実施例
のシリコン５及びダイヤモンド状カーボン膜６の膜厚及
び成膜方法は第一の実施例と同一である。窒化シリコン
膜７の性膜は、窒素ガスを混入させた高周波スパッタリ
ング法あるいはプラズマＣＶＤ法により行われ、その膜
厚は５０〜１００オングストロームが適切である。
は、ダイヤモンド状カーボン膜６の更に上面側に窒化シ
リコン膜７が成膜されたところにある。この第二実施例
のシリコン５及びダイヤモンド状カーボン膜６の膜厚及
び成膜方法は第一の実施例と同一である。窒化シリコン
膜７の性膜は、窒素ガスを混入させた高周波スパッタリ
ング法あるいはプラズマＣＶＤ法により行われ、その膜
厚は５０〜１００オングストロームが適切である。
【００２４】このように窒化シリコン膜７を成膜したの
は、コンタクト・スタート・ストップ時の耐久性に関し
て、磁気ディスク板間とのインターフェース条件の最適
化にある。即ち、磁気ディスク板にダイヤモンド状カー
ボン膜が形成されている場合には、第一の実施例による
構成では、コンタクト・スタート・ストップ時にアグレ
ッシブな摩耗が進行し、磁気ディスク板及び磁気ヘッド
スライダの双方に損傷が生ずる場合があった。窒化シリ
コン膜７を上述のように成膜すると、アグレッシブな摩
耗が抑制され、コンタクト・スタート・ストップ時の耐
久性をより安定的に向上させることが実現される。
は、コンタクト・スタート・ストップ時の耐久性に関し
て、磁気ディスク板間とのインターフェース条件の最適
化にある。即ち、磁気ディスク板にダイヤモンド状カー
ボン膜が形成されている場合には、第一の実施例による
構成では、コンタクト・スタート・ストップ時にアグレ
ッシブな摩耗が進行し、磁気ディスク板及び磁気ヘッド
スライダの双方に損傷が生ずる場合があった。窒化シリ
コン膜７を上述のように成膜すると、アグレッシブな摩
耗が抑制され、コンタクト・スタート・ストップ時の耐
久性をより安定的に向上させることが実現される。
【００２５】図３には、本発明の第三の実施例が示され
ている。この実施例は、第一実施例におけるダイヤモン
ド状カーボン膜６の上面側に酸化シリコン膜８を性膜し
たところに特徴を有する。この酸化シリコン膜８の機能
は、第二の実施例で用いた窒化シリコン膜７と同様、磁
気ディスク板のダイヤモンド状カーボン膜と磁気スライ
ダヘッド上のカーボン膜間でのアグレッシブな摩耗を抑
制するためである。
ている。この実施例は、第一実施例におけるダイヤモン
ド状カーボン膜６の上面側に酸化シリコン膜８を性膜し
たところに特徴を有する。この酸化シリコン膜８の機能
は、第二の実施例で用いた窒化シリコン膜７と同様、磁
気ディスク板のダイヤモンド状カーボン膜と磁気スライ
ダヘッド上のカーボン膜間でのアグレッシブな摩耗を抑
制するためである。
【００２６】酸化シリコン膜８の性膜には、高周波スパ
ッタ法あるいはプラズマＣＶＤ法が用いられ、その膜厚
は、５０〜１００オングストロームが適切である。
ッタ法あるいはプラズマＣＶＤ法が用いられ、その膜厚
は、５０〜１００オングストロームが適切である。
【００２７】図４には、本発明の第四の実施例が示され
ている。この実施例においては、スライダ１の浮上面３
にシリコン５及び炭化シリコン膜９が順次積層されてい
る点に特徴を有する。
ている。この実施例においては、スライダ１の浮上面３
にシリコン５及び炭化シリコン膜９が順次積層されてい
る点に特徴を有する。
【００２８】シリコン５は第一の実施例と同様に、スラ
イダ１と炭化シリコン膜９の密着層として用いられる。
この炭化シリコン膜９は、絶縁性がダイヤモンド状カー
ボンと比較して若干劣るものであるが、緻密で高い硬度
を有しており、上述したように、ＭＲ素子２を備えた磁
気ヘッドスライダの保護膜としての要件を備えているた
め、これを用いることができる。なお、炭化シリコン膜
９の性膜には、高周波スパッタリング法あるいはプラズ
マＣＶＤ法が用いられ、その膜厚は５０〜２００オング
ストロームが適切である。
イダ１と炭化シリコン膜９の密着層として用いられる。
この炭化シリコン膜９は、絶縁性がダイヤモンド状カー
ボンと比較して若干劣るものであるが、緻密で高い硬度
を有しており、上述したように、ＭＲ素子２を備えた磁
気ヘッドスライダの保護膜としての要件を備えているた
め、これを用いることができる。なお、炭化シリコン膜
９の性膜には、高周波スパッタリング法あるいはプラズ
マＣＶＤ法が用いられ、その膜厚は５０〜２００オング
ストロームが適切である。
【００２９】この第四の実施例によれば、コンタクト・
スタート・ストップ時に、磁気ディスク板上に形成され
たダイヤモンド状カーボン膜との間でアグレッシブな摩
耗が進行することがない他、磁気ヘッドスライダの浮上
面３に形成される保護膜の層数を二層に減らすことがで
き、製造工程の短縮化が図れるとともに、ＭＲ素子２の
分解能の向上にも寄与するという効果を更に付加でき
る。
スタート・ストップ時に、磁気ディスク板上に形成され
たダイヤモンド状カーボン膜との間でアグレッシブな摩
耗が進行することがない他、磁気ヘッドスライダの浮上
面３に形成される保護膜の層数を二層に減らすことがで
き、製造工程の短縮化が図れるとともに、ＭＲ素子２の
分解能の向上にも寄与するという効果を更に付加でき
る。
【００３０】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され、かつ、
作用するので、これによると、ＭＲ素子の分解能を維持
できるとともに、コンタクト・スタート・ストップ時の
耐久性を損うことがなく、ＭＲ素子が発生するノイズ及
びＭＲ素子の腐食を抑制することができ、磁気ディスク
装置の品質、信頼性を向上させ得るという、従来にない
優れた効果を奏する磁気ヘッドスライダを提供すること
ができる。
作用するので、これによると、ＭＲ素子の分解能を維持
できるとともに、コンタクト・スタート・ストップ時の
耐久性を損うことがなく、ＭＲ素子が発生するノイズ及
びＭＲ素子の腐食を抑制することができ、磁気ディスク
装置の品質、信頼性を向上させ得るという、従来にない
優れた効果を奏する磁気ヘッドスライダを提供すること
ができる。
【図１】本発明の第一の実施例を示す磁気ヘッドスライ
ダの斜視図である。
ダの斜視図である。
【図２】本発明の第二の実施例を示す磁気ヘッドスライ
ダの斜視図である。
ダの斜視図である。
【図３】本発明の第三の実施例を示す磁気ヘッドスライ
ダの斜視図である。
ダの斜視図である。
【図４】本発明の第四の実施例を示す磁気ヘッドスライ
ダの斜視図である。
ダの斜視図である。
１ スライダ ２ 磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子） ３ 浮上面 ５ シリコン ６ ダイヤモンド状カーボン膜 ７ 窒化シリコン膜 ８ 酸化シリコン膜 ９ 炭化シリコン膜
Claims (4)
- 【請求項１】 スライダの一方の面に、磁気記録媒体に
対する浮上面が形成されるとともに、この浮上面の端部
に磁気抵抗効果素子が設けられた磁気ヘッドスライダに
おいて、前記浮上面上にシリコン及びダイヤモンド状カ
ーボン膜を順次積層したことを特徴とする磁気ヘッドス
ライダ。 - 【請求項２】 前記ダイヤモンド状カーボン膜の上面に
窒化シリコン膜が更に積層されていることを特徴とする
前記請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項３】 前記ダイヤモンド状カーボン膜の上面に
酸化シリコン膜が更に積層されていることを特徴とする
前記請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項４】 スライダ本体の一方の面に、磁気記録媒
体に対する浮上面が形成されるとともに、この浮上面の
端部に磁気抵抗効果素子が露出するよう設けられた磁気
ヘッドスライダにおいて、前記浮上面上にシリコン及び
炭化シリコン膜を順次積層したことを特徴とする磁気ヘ
ッドスライダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32743992A JPH06150599A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 磁気ヘッドスライダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32743992A JPH06150599A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 磁気ヘッドスライダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150599A true JPH06150599A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18199187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32743992A Pending JPH06150599A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | 磁気ヘッドスライダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150599A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08297813A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Nec Corp | 磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
| US5864452A (en) * | 1994-08-03 | 1999-01-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head and method of forming carbon film |
| US5930077A (en) * | 1993-06-17 | 1999-07-27 | Nec Corporation | Magnetic head for recording and reproducing a signal and comprising a slider provided with a protective film including an intermediate layer and an amorphous hard carbon layer |
| KR100298962B1 (ko) * | 1996-07-26 | 2001-09-03 | 포만 제프리 엘 | 슬라이더와변환기조립체및데이타저장장치 |
| US6416935B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-07-09 | International Business Machines Corporation | Method for forming the air bearing surface of a slider |
| KR100370759B1 (ko) * | 1995-10-20 | 2003-03-26 | 삼성전자 주식회사 | 하드디스크드라이브의디스크장치 |
| WO2003052748A1 (en) * | 2001-12-17 | 2003-06-26 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Slider head having a sic underlayer |
| US7269889B2 (en) | 2001-09-11 | 2007-09-18 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
| CN100369115C (zh) * | 2004-05-27 | 2008-02-13 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 磁头 |
| JP2010146623A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Toshiba Storage Device Corp | 磁気ヘッド、磁気ヘッド製造方法、アクチュエータおよび磁気ディスク装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127214A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-23 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPH03248317A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH04274013A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-30 | Tdk Corp | 磁気ヘッド |
| JPH04276367A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-10-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 保護被膜を有する磁気ヘッド・スライダ及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-12 JP JP32743992A patent/JPH06150599A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127214A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-23 | Seiko Epson Corp | 磁気ヘツド |
| JPH03248317A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH04276367A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-10-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 保護被膜を有する磁気ヘッド・スライダ及びその製造方法 |
| JPH04274013A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-30 | Tdk Corp | 磁気ヘッド |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5930077A (en) * | 1993-06-17 | 1999-07-27 | Nec Corporation | Magnetic head for recording and reproducing a signal and comprising a slider provided with a protective film including an intermediate layer and an amorphous hard carbon layer |
| US5864452A (en) * | 1994-08-03 | 1999-01-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head and method of forming carbon film |
| JPH08297813A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Nec Corp | 磁気ヘッドスライダ及びその製造方法 |
| KR100370759B1 (ko) * | 1995-10-20 | 2003-03-26 | 삼성전자 주식회사 | 하드디스크드라이브의디스크장치 |
| KR100298962B1 (ko) * | 1996-07-26 | 2001-09-03 | 포만 제프리 엘 | 슬라이더와변환기조립체및데이타저장장치 |
| US6416935B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-07-09 | International Business Machines Corporation | Method for forming the air bearing surface of a slider |
| US7269889B2 (en) | 2001-09-11 | 2007-09-18 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
| WO2003052748A1 (en) * | 2001-12-17 | 2003-06-26 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Slider head having a sic underlayer |
| US7203031B2 (en) | 2001-12-17 | 2007-04-10 | Neomax Co., Ltd. | Substrate for thin-film magnetic head and method of manufacturing the substrate |
| CN100369115C (zh) * | 2004-05-27 | 2008-02-13 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 磁头 |
| JP2010146623A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Toshiba Storage Device Corp | 磁気ヘッド、磁気ヘッド製造方法、アクチュエータおよび磁気ディスク装置 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960109 |