JPH04276367A - 保護被膜を有する磁気ヘッド・スライダ及びその製造方法 - Google Patents
保護被膜を有する磁気ヘッド・スライダ及びその製造方法Info
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- JPH04276367A JPH04276367A JP3315281A JP31528191A JPH04276367A JP H04276367 A JPH04276367 A JP H04276367A JP 3315281 A JP3315281 A JP 3315281A JP 31528191 A JP31528191 A JP 31528191A JP H04276367 A JPH04276367 A JP H04276367A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B5/60—Fluid-dynamic spacing of heads from record-carriers
- G11B5/6005—Specially adapted for spacing from a rotating disc using a fluid cushion
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドに関し、特
に薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドを製造する方法に
関する。
に薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドを製造する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】薄膜磁
気ヘッドは、多年にわたり使用されており、これらヘッ
ドは伝統的に、基板上に各々が複数のヘッドを有する一
連の列を成して形成されている。ヘッドが製作されると
、基板は切断されて１列のヘッドが並べて形成される。 なお列の形を成している間に、薄膜磁気ヘッドが所定の
スロート高さの寸法になるようにラップ仕上げされるが
、これはヘッドの性能にとって非常に重要である。 一旦所要のラップ仕上げされたスロート高さ寸法に達す
ると、これはヘッドの以降の処理に影響されてはならな
い。
気ヘッドは、多年にわたり使用されており、これらヘッ
ドは伝統的に、基板上に各々が複数のヘッドを有する一
連の列を成して形成されている。ヘッドが製作されると
、基板は切断されて１列のヘッドが並べて形成される。 なお列の形を成している間に、薄膜磁気ヘッドが所定の
スロート高さの寸法になるようにラップ仕上げされるが
、これはヘッドの性能にとって非常に重要である。 一旦所要のラップ仕上げされたスロート高さ寸法に達す
ると、これはヘッドの以降の処理に影響されてはならな
い。
【０００３】ヘッドの処理の以降の工程の一つは、ラッ
プ仕上げされた面にレールのパターンを作って空気支持
面（ＡＢＳ）を形成することである。ＡＢＳ上のレール
の所要パターンは、その形状が漸次一層複雑になってき
ているので、エッチングプロセスのような乾式処理技法
が一般に使用されている。エッチングプロセス中の薄膜
磁気ヘッドの保護には保護被膜が必要であり、この被膜
は、一般に厚く、エッチングプロセスの完了後除去され
る。
プ仕上げされた面にレールのパターンを作って空気支持
面（ＡＢＳ）を形成することである。ＡＢＳ上のレール
の所要パターンは、その形状が漸次一層複雑になってき
ているので、エッチングプロセスのような乾式処理技法
が一般に使用されている。エッチングプロセス中の薄膜
磁気ヘッドの保護には保護被膜が必要であり、この被膜
は、一般に厚く、エッチングプロセスの完了後除去され
る。
【０００４】次に磁気ヘッドの列を個別に磁気ヘッドス
ライダに分離する。動作中に、スライダはＡＢＳ及び取
り付けられた薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体との間に狭
い一様な間隔（普通は１０マイクロインチ）を維持する
ように、浮上する。磁気ディスク記録装置に正常動作で
は、ヘッドは磁気記録媒体と偶然接触することがある。
ライダに分離する。動作中に、スライダはＡＢＳ及び取
り付けられた薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体との間に狭
い一様な間隔（普通は１０マイクロインチ）を維持する
ように、浮上する。磁気ディスク記録装置に正常動作で
は、ヘッドは磁気記録媒体と偶然接触することがある。
【０００５】従来技術では、ＡＢＳを、ヘッドと磁気記
録媒体との間に接触により生ずる機械的摩耗から保護す
るのに各種保護層が磁気ヘッドスライダ上に堆積された
。
録媒体との間に接触により生ずる機械的摩耗から保護す
るのに各種保護層が磁気ヘッドスライダ上に堆積された
。
【０００６】例えば、米国特許Ｒｅ．３２、４６４は、
剛性磁気記録ディスクがそれを摩耗から保護する炭素の
保護層を備えている磁気記録装置を開示している。磁気
トランスジューサが炭素で、望ましくはグラファイトの
形で、被覆されて記録媒体との低摩擦耐摩耗接触面を形
成している。被膜の厚さは、２マイクロインチと１０マ
イクロインチとの間にある。
剛性磁気記録ディスクがそれを摩耗から保護する炭素の
保護層を備えている磁気記録装置を開示している。磁気
トランスジューサが炭素で、望ましくはグラファイトの
形で、被覆されて記録媒体との低摩擦耐摩耗接触面を形
成している。被膜の厚さは、２マイクロインチと１０マ
イクロインチとの間にある。
【０００７】ＩＢＭ ＴＤＢ、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ、１
９１２、ｐ．３１７３は、シリコンカーバイドまたはダ
イヤモンド様炭素の保護層を有する磁気ヘッドスライダ
について述べている。保護層の厚さは、５００から１０
００オングストロームの範囲にある。
９１２、ｐ．３１７３は、シリコンカーバイドまたはダ
イヤモンド様炭素の保護層を有する磁気ヘッドスライダ
について述べている。保護層の厚さは、５００から１０
００オングストロームの範囲にある。
【０００８】ＩＢＭ ＴＤＢ、Ｊｕｎｅ、１９７６、
ｐ．３５１は、約２００から５０００オングストローム
の層を成す窒化シリコンの保護層を有する磁気ヘッドに
ついて述べている。
ｐ．３５１は、約２００から５０００オングストローム
の層を成す窒化シリコンの保護層を有する磁気ヘッドに
ついて述べている。
【０００９】１９８３年９月６日に公開された特開昭５
８−１５０１２２磁気記録媒体に面するヘッドの表面上
に潤滑効果を有する物質の薄膜を備えた磁気ヘッドにつ
いて述べている。適切な物質のリストが示されており、
それには炭素が入っており、膜の厚さは、２００から８
００オングストロームの範囲の中にある。
８−１５０１２２磁気記録媒体に面するヘッドの表面上
に潤滑効果を有する物質の薄膜を備えた磁気ヘッドにつ
いて述べている。適切な物質のリストが示されており、
それには炭素が入っており、膜の厚さは、２００から８
００オングストロームの範囲の中にある。
【００１０】米国特許４、１３０、８４７は、少なくと
も磁気ヘッドの上面に保護被膜を有する磁気ヘッドスラ
イダについて述べている。被膜は、スライダ本体の凹部
に１０マイクロインチもの薄い厚さに作られている。
も磁気ヘッドの上面に保護被膜を有する磁気ヘッドスラ
イダについて述べている。被膜は、スライダ本体の凹部
に１０マイクロインチもの薄い厚さに作られている。
【００１１】１９８８年１１月２４日に公表されたドイ
ツ特許出願ＤＥ３、７１４、７８７は、磁気ディスク表
面が摩擦軽減炭素で被覆され、磁気ヘッドスライダの横
げたが炭素から成る摩擦軽減潤滑剤で被覆されている記
憶装置について述べている。炭素の厚さは、１０から１
０００オングストロームである。
ツ特許出願ＤＥ３、７１４、７８７は、磁気ディスク表
面が摩擦軽減炭素で被覆され、磁気ヘッドスライダの横
げたが炭素から成る摩擦軽減潤滑剤で被覆されている記
憶装置について述べている。炭素の厚さは、１０から１
０００オングストロームである。
【００１２】１９８８年８月２２日に公表された特許出
願ＰＣＴ／ＵＳ８８／００４３８は、磁気ヘッドが側方
レールの一つの中に作り付けられている磁気ヘッドスラ
イダについて開示している。スライダの上には摩耗層が
設けられているが、これは５０オングストロームの厚さ
のクロム層と２００オングストロームの厚さの炭素層と
から構成されている。摩耗層の二つの構成要素のどちら
かを省略することができる。
願ＰＣＴ／ＵＳ８８／００４３８は、磁気ヘッドが側方
レールの一つの中に作り付けられている磁気ヘッドスラ
イダについて開示している。スライダの上には摩耗層が
設けられているが、これは５０オングストロームの厚さ
のクロム層と２００オングストロームの厚さの炭素層と
から構成されている。摩耗層の二つの構成要素のどちら
かを省略することができる。
【００１３】薄膜磁気ヘッドを、磁気ディスク記憶装置
での磁気ヘッドスライダに正常動作中のみならず製作プ
ロセスにおいても、保護するのに有効な磁気ヘッドスラ
イダ用保護層について開示している参考文献は存在しな
い。
での磁気ヘッドスライダに正常動作中のみならず製作プ
ロセスにおいても、保護するのに有効な磁気ヘッドスラ
イダ用保護層について開示している参考文献は存在しな
い。
【００１４】それ故、磁気ヘッドを、磁気記録装置での
磁気ヘッドスライダの正常動作中のみならず製作プロセ
スにおいても保護する、磁気ヘッドスライダ上の薄い保
護被膜を提供するのが本発明の主な目的である。
磁気ヘッドスライダの正常動作中のみならず製作プロセ
スにおいても保護する、磁気ヘッドスライダ上の薄い保
護被膜を提供するのが本発明の主な目的である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、前端及
び後端と空気支持面上の少なくとも二つのレールとを備
えた磁気ヘッドスライダが提供される。レールはその表
面に薄い接着層と、薄いアモルファス水素添加炭素層と
、薄いマスキング層とからなる保護被膜を備えている。
び後端と空気支持面上の少なくとも二つのレールとを備
えた磁気ヘッドスライダが提供される。レールはその表
面に薄い接着層と、薄いアモルファス水素添加炭素層と
、薄いマスキング層とからなる保護被膜を備えている。
【００１６】特定の実施例では、接着層は厚さが約１０
から５０オングストロームのシリコンから成り、マスキ
ング層は、厚さが約５０オングストロームのシリコンか
ら成り、保護被膜の厚さは約２５０オングストローム以
下である。
から５０オングストロームのシリコンから成り、マスキ
ング層は、厚さが約５０オングストロームのシリコンか
ら成り、保護被膜の厚さは約２５０オングストローム以
下である。
【００１７】磁気ヘッドスライダを製造する方法は、空
気支持面を形成して磁気ヘッドを所定の寸法にしてから
、その空気支持面上に、薄い接着層と、薄いアモルファ
ス水素添加炭素層と、薄いマスキング層とから成る保護
被膜を堆積する工程と、空気支持面上に、レール以外の
空気支持面の領域で空気支持面から所定の深さまで物質
を除去することによりレールのパターンを形成する工程
と、磁気記録装置での磁気ヘッドスライダの正常動作中
に磁気ヘッドスライダを摩耗及び腐食の損傷から保護す
るようにレール上に保護被膜を保持する工程とから構成
される。
気支持面を形成して磁気ヘッドを所定の寸法にしてから
、その空気支持面上に、薄い接着層と、薄いアモルファ
ス水素添加炭素層と、薄いマスキング層とから成る保護
被膜を堆積する工程と、空気支持面上に、レール以外の
空気支持面の領域で空気支持面から所定の深さまで物質
を除去することによりレールのパターンを形成する工程
と、磁気記録装置での磁気ヘッドスライダの正常動作中
に磁気ヘッドスライダを摩耗及び腐食の損傷から保護す
るようにレール上に保護被膜を保持する工程とから構成
される。
【００１８】
【実施例】本発明は、磁気ヘッドスライダを備えている
磁気記録装置に関する。スライダは、薄膜磁気読み書き
ヘッドを支持しており、ヘッドは、磁性材料、導電性材
料、及び電気絶縁材料の層を堆積して、磁気記録媒体上
の磁性被膜と共に変換機能を行うのに必要な周知の磁極
片及び磁気間隙を形成することにより形成される。製作
中、複数の薄膜磁気ヘッドをウェーハ上に堆積し、次い
でこれを切断してトランスジューサが並行して設定され
ている状態のトランジューサの列を形成する。薄膜磁気
ヘッドは所定のスロート高さ寸法まで重ねるが、これは
ヘッドの性能にとって非常に重要である。レールのパタ
ーンをラップ仕上げ済みの表面上に形成して空気支持面
（ＡＢＳ）を形成し、列を個別の磁気ヘッドスライダに
分離する。
磁気記録装置に関する。スライダは、薄膜磁気読み書き
ヘッドを支持しており、ヘッドは、磁性材料、導電性材
料、及び電気絶縁材料の層を堆積して、磁気記録媒体上
の磁性被膜と共に変換機能を行うのに必要な周知の磁極
片及び磁気間隙を形成することにより形成される。製作
中、複数の薄膜磁気ヘッドをウェーハ上に堆積し、次い
でこれを切断してトランスジューサが並行して設定され
ている状態のトランジューサの列を形成する。薄膜磁気
ヘッドは所定のスロート高さ寸法まで重ねるが、これは
ヘッドの性能にとって非常に重要である。レールのパタ
ーンをラップ仕上げ済みの表面上に形成して空気支持面
（ＡＢＳ）を形成し、列を個別の磁気ヘッドスライダに
分離する。
【００１９】各スライダを懸吊装置に取り付け、これを
今度は、例えば磁気式の、回転ディスクに書き込むとき
磁気ヘッドにより形成されるトラック上に磁気ヘッドを
位置決めするアクセス装置に取り付ける。正常動作中、
スライダは、磁気記録媒体から、数マイクロインチの範
囲の、狭い間隔をおいて浮上する。
今度は、例えば磁気式の、回転ディスクに書き込むとき
磁気ヘッドにより形成されるトラック上に磁気ヘッドを
位置決めするアクセス装置に取り付ける。正常動作中、
スライダは、磁気記録媒体から、数マイクロインチの範
囲の、狭い間隔をおいて浮上する。
【００２０】ＡＢＳを形成する従来技術のプロセスは、
製造プロセスで敏感なヘッド構成要素に加わる腐食損傷
によりかなりな歩どまりの損失を生ずる可能性のあるこ
とがわかっている。これは、或る場合には、エッチング
動作中、微妙な構成要素の被覆が不充分なためであり、
また他の場合には、エッチングプロセス中ヘッドを保護
するのに使用したマスキング層を除去する期間中に或る
ヘッド構成要素が損傷するためであることがわかってい
る。
製造プロセスで敏感なヘッド構成要素に加わる腐食損傷
によりかなりな歩どまりの損失を生ずる可能性のあるこ
とがわかっている。これは、或る場合には、エッチング
動作中、微妙な構成要素の被覆が不充分なためであり、
また他の場合には、エッチングプロセス中ヘッドを保護
するのに使用したマスキング層を除去する期間中に或る
ヘッド構成要素が損傷するためであることがわかってい
る。
【００２１】ＡＢＳの形成後堆積した従来技術の保護層
は、現在の薄膜磁気ヘッドの動作中の寿命要件に合って
いないということもわかっている。動作中のヘッド／ス
ライダの寿命の劣化は、一部は、飛行中にヘッドと磁気
記録媒体との間が偶然に接触することにより生ずる機械
的摩耗によることがわかっている。機械的摩耗の他に、
薄膜磁気ヘッドは、大気の通常の構成成分により攻撃さ
れる多様な物質を含有している。ヘッドを大気に長くさ
らすと、酸化によりヘッド材料の腐食を生ずるためヘッ
ド性能の劣化を生ずる可能性がある。
は、現在の薄膜磁気ヘッドの動作中の寿命要件に合って
いないということもわかっている。動作中のヘッド／ス
ライダの寿命の劣化は、一部は、飛行中にヘッドと磁気
記録媒体との間が偶然に接触することにより生ずる機械
的摩耗によることがわかっている。機械的摩耗の他に、
薄膜磁気ヘッドは、大気の通常の構成成分により攻撃さ
れる多様な物質を含有している。ヘッドを大気に長くさ
らすと、酸化によりヘッド材料の腐食を生ずるためヘッ
ド性能の劣化を生ずる可能性がある。
【００２２】本発明によれば、薄い接着層と、薄いアモ
ルファス水素添加炭素層と、マスキング層とから成る保
護被膜は、薄膜磁気ヘッドを、ＡＢＳ上にレールのパタ
ーンを形成する処理においてばかりでなく、磁気ディス
クファイルでのヘッドの正常動作中にも、損傷から保護
するのに有効であることが思いがけなくも観察された。 これは、従来技術のプロセスでは、処理中に使用する保
護被膜はＡＢＳを形成するエッチングプロセス中に次第
に侵食されるため非常に厚く作られていたので、予期し
ないことであった。他方、動作中のスライダ上の保護層
の厚さは、その厚さが薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体と
の間の間隔に直接加わるため非常に薄い寸法に制限され
ている。特定の実施例では５０オングストローム程度の
薄いアモルファス水素添加炭素層でも製作歩どまりと動
作中のヘッドの寿命との双方がかなり改善されることが
わかった。
ルファス水素添加炭素層と、マスキング層とから成る保
護被膜は、薄膜磁気ヘッドを、ＡＢＳ上にレールのパタ
ーンを形成する処理においてばかりでなく、磁気ディス
クファイルでのヘッドの正常動作中にも、損傷から保護
するのに有効であることが思いがけなくも観察された。 これは、従来技術のプロセスでは、処理中に使用する保
護被膜はＡＢＳを形成するエッチングプロセス中に次第
に侵食されるため非常に厚く作られていたので、予期し
ないことであった。他方、動作中のスライダ上の保護層
の厚さは、その厚さが薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体と
の間の間隔に直接加わるため非常に薄い寸法に制限され
ている。特定の実施例では５０オングストローム程度の
薄いアモルファス水素添加炭素層でも製作歩どまりと動
作中のヘッドの寿命との双方がかなり改善されることが
わかった。
【００２３】図１を参照すると、複数の薄膜磁気ヘッド
２０を備えた部分列１１の図が示されている。列１１の
表面１９は、各薄膜磁気ヘッド２０が所定のスロート高
さを有するようになるまでラップ仕上げされている。レ
ールのパターンは、表面１９の上に作られて空気支持面
（ＡＢＳ）を形成しており、列は次に個別の磁気ヘッド
スライダ１０に切離される。
２０を備えた部分列１１の図が示されている。列１１の
表面１９は、各薄膜磁気ヘッド２０が所定のスロート高
さを有するようになるまでラップ仕上げされている。レ
ールのパターンは、表面１９の上に作られて空気支持面
（ＡＢＳ）を形成しており、列は次に個別の磁気ヘッド
スライダ１０に切離される。
【００２４】レールのパターンは図２に示すようにする
ことができる。図２では、１対の外側レール１２、１４
が中心レール１６と共に作られている。外側レールはス
ライダ１０の前端１５から後端１７に向かって途中まで
延びているが、中心レールは前端１５から後端１７まで
延びている。薄膜磁気ヘッド２０は、中心レール１６の
後端に設けられている。
ことができる。図２では、１対の外側レール１２、１４
が中心レール１６と共に作られている。外側レールはス
ライダ１０の前端１５から後端１７に向かって途中まで
延びているが、中心レールは前端１５から後端１７まで
延びている。薄膜磁気ヘッド２０は、中心レール１６の
後端に設けられている。
【００２５】レールのパターンは、図３に示すようにす
ることもでき、この実施例は図１の列１１に示す構成に
対応する。この場合には外側レール１２、１４はスライ
ダ１０の前端１５から後端１７まで延びている。薄膜磁
気ヘッド２０は、外側レール１２、１４の後端１７に設
けられている。
ることもでき、この実施例は図１の列１１に示す構成に
対応する。この場合には外側レール１２、１４はスライ
ダ１０の前端１５から後端１７まで延びている。薄膜磁
気ヘッド２０は、外側レール１２、１４の後端１７に設
けられている。
【００２６】個別スライダ１０に作られるレールパター
ンは、ＡＢＳ１９の上に薄膜磁気ヘッド２０のラップ仕
上げされた磁極片と同じレベルにあり、残りは、移動す
る磁気記録媒体と協同して、記録媒体から所定の高さの
ところまでスライダを浮上させる圧力プロフィルを生じ
るように選定された深さだけＡＢＳ１９よりへこんでい
る凹領域１８である。
ンは、ＡＢＳ１９の上に薄膜磁気ヘッド２０のラップ仕
上げされた磁極片と同じレベルにあり、残りは、移動す
る磁気記録媒体と協同して、記録媒体から所定の高さの
ところまでスライダを浮上させる圧力プロフィルを生じ
るように選定された深さだけＡＢＳ１９よりへこんでい
る凹領域１８である。
【００２７】本発明によれば、ヘッドが所定のスロート
高さになるようにラップ仕上げされてからレールパター
ンがＡＢＳ上に作られる前の或る時間に、保護被膜がＡ
ＢＳ上に作られる。この保護被膜は、薄膜磁気ヘッドを
三つの態様で保護する。先ず、保護被膜は、ヘッド／ス
ライダを処理してレールのパターンをＡＢＳ上に形成す
る工程中に薄膜磁気ヘッドを保護するのに有効である。 保護被膜は、磁気ディスクファイルでのヘッドの正常動
作中に、例えば、ヘッド及びＡＢＳを、ヘッド／スライ
ダと磁気記録媒体との間の偶然の接触により生ずる機械
的摩耗から保護するのにも有効である。機械的摩耗の他
に、保護被膜は、大気の通常構成成分により攻撃される
磁気ヘッドに含まれている多様な物質を、装置の正常動
作中に酸化及び腐食から保護するのにも有効である。
高さになるようにラップ仕上げされてからレールパター
ンがＡＢＳ上に作られる前の或る時間に、保護被膜がＡ
ＢＳ上に作られる。この保護被膜は、薄膜磁気ヘッドを
三つの態様で保護する。先ず、保護被膜は、ヘッド／ス
ライダを処理してレールのパターンをＡＢＳ上に形成す
る工程中に薄膜磁気ヘッドを保護するのに有効である。 保護被膜は、磁気ディスクファイルでのヘッドの正常動
作中に、例えば、ヘッド及びＡＢＳを、ヘッド／スライ
ダと磁気記録媒体との間の偶然の接触により生ずる機械
的摩耗から保護するのにも有効である。機械的摩耗の他
に、保護被膜は、大気の通常構成成分により攻撃される
磁気ヘッドに含まれている多様な物質を、装置の正常動
作中に酸化及び腐食から保護するのにも有効である。
【００２８】保護被膜２２（図５及び図６）は、少なく
とも三つの層から構成されており、第１の層は適切な接
着層２４であり、第２の層は薄いアモルファス水素添加
炭素層２６であり、第３の層は適切なマスキング層２８
である。特定の実施例では、接着層２４はシリコンであ
り、マスキング層２８はシリコンの化合物であり、保護
被膜の全体の厚さは約２５０オングストロームである。
とも三つの層から構成されており、第１の層は適切な接
着層２４であり、第２の層は薄いアモルファス水素添加
炭素層２６であり、第３の層は適切なマスキング層２８
である。特定の実施例では、接着層２４はシリコンであ
り、マスキング層２８はシリコンの化合物であり、保護
被膜の全体の厚さは約２５０オングストロームである。
【００２９】本発明による磁気ヘッドスライダを製造す
るプロセスを図４ＡＢ至４Ｄを参照して説明することに
する。このプロセスは、単独スライダ１０または望まし
くは、並行関係に並んだ複数のスライダから成る列１１
から出発する。薄膜磁気ヘッド２０は列１１の第１の表
面２１の上に製作され、第１の表面２１はＡＢＳ１９に
対して実質上９０°を成している。ＡＢＳ１９は、薄膜
磁気ヘッドが所定のスロート高さに達するまでラップ仕
上げされる。ラップ仕上げは、例えば、米国特許４、９
１２、８３３に記されているような適切な任意の手法に
よって行うことができる。又、薄膜磁気ヘッド２０が磁
気抵抗性（ＭＲ）読み取りトランジューサを有する場合
には、米国特許４、９１４、８６８に記されているよう
にラップ仕上げを行うことができる。その場合、ＡＢＳ
は、ＭＲ読み取りトランジューサが所定のＭＲ素子の高
さに達するまでラップ仕上げされる。
るプロセスを図４ＡＢ至４Ｄを参照して説明することに
する。このプロセスは、単独スライダ１０または望まし
くは、並行関係に並んだ複数のスライダから成る列１１
から出発する。薄膜磁気ヘッド２０は列１１の第１の表
面２１の上に製作され、第１の表面２１はＡＢＳ１９に
対して実質上９０°を成している。ＡＢＳ１９は、薄膜
磁気ヘッドが所定のスロート高さに達するまでラップ仕
上げされる。ラップ仕上げは、例えば、米国特許４、９
１２、８３３に記されているような適切な任意の手法に
よって行うことができる。又、薄膜磁気ヘッド２０が磁
気抵抗性（ＭＲ）読み取りトランジューサを有する場合
には、米国特許４、９１４、８６８に記されているよう
にラップ仕上げを行うことができる。その場合、ＡＢＳ
は、ＭＲ読み取りトランジューサが所定のＭＲ素子の高
さに達するまでラップ仕上げされる。
【００３０】薄膜磁気ヘッド２０のラップ仕上げ済の列
を図４Ａに示す。次に、接着層２４、アモルファス水素
添加炭素層２６、及びマスキング層２８から成る３構成
の保護被膜２２をＡＢＳ１９の上に堆積する（図４Ｂ）
。特定の実施例では、接着層２４は、アモルファスシリ
コンの堆積層から構成さている。典型的には、シリコン
は約１０〜５０オングストロームの厚さまで堆積される
が、可能な範囲は単層から約５００オングストロームま
でである。しかし、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の
間隔の増大を制限するという観点から、シリコンの更に
薄い層（５０オングストローム未満）が望ましい。
を図４Ａに示す。次に、接着層２４、アモルファス水素
添加炭素層２６、及びマスキング層２８から成る３構成
の保護被膜２２をＡＢＳ１９の上に堆積する（図４Ｂ）
。特定の実施例では、接着層２４は、アモルファスシリ
コンの堆積層から構成さている。典型的には、シリコン
は約１０〜５０オングストロームの厚さまで堆積される
が、可能な範囲は単層から約５００オングストロームま
でである。しかし、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間の
間隔の増大を制限するという観点から、シリコンの更に
薄い層（５０オングストローム未満）が望ましい。
【００３１】アモルファス水素添加炭素層２６は、約５
０〜１０００オングストロームの厚さに堆積される。５
０オングストローム程度の薄いアモルファス水素添加炭
素層２６でも耐摩耗性及び耐腐食性をかなり改善するこ
とがわかっている。しかし、更に厚い層は保護を増大す
るので望ましく、従って、厚さは磁気ヘッドと磁気記録
媒体との間の間隔の許容増加量に基づいて選定される。
０〜１０００オングストロームの厚さに堆積される。５
０オングストローム程度の薄いアモルファス水素添加炭
素層２６でも耐摩耗性及び耐腐食性をかなり改善するこ
とがわかっている。しかし、更に厚い層は保護を増大す
るので望ましく、従って、厚さは磁気ヘッドと磁気記録
媒体との間の間隔の許容増加量に基づいて選定される。
【００３２】保護被膜２２の各層は、例えばスパッタリ
ングのような適切な任意の技法によって堆積することが
できる。ＤＣマグネトロンスパッタリングかＲＦマグネ
トロンスパッタリングかのいずれかを使用することがで
きる。特定の実施例では、接着層２４は約１０から約５
０オングストロームの厚さのシリコンから構成されてい
る。
ングのような適切な任意の技法によって堆積することが
できる。ＤＣマグネトロンスパッタリングかＲＦマグネ
トロンスパッタリングかのいずれかを使用することがで
きる。特定の実施例では、接着層２４は約１０から約５
０オングストロームの厚さのシリコンから構成されてい
る。
【００３３】アモルファス水素添加炭素層２６の堆積パ
ラメータは、水素含有量、密度、硬度、及び光学的密度
が、スパッタリングパワー、アルゴンキャリヤ中の水素
の百分率、及び圧力の関数であるから、層の特性を決定
する。
ラメータは、水素含有量、密度、硬度、及び光学的密度
が、スパッタリングパワー、アルゴンキャリヤ中の水素
の百分率、及び圧力の関数であるから、層の特性を決定
する。
【００３４】図７は、アモルファス水素添加炭素層２６
の水素濃度をスパッタリングパワー、百分率水素、及び
圧力の関数として示してある。ＤＣマグネトロンスパッ
タリングを使用することにより、１５から１９パーセン
トに範囲内の水素濃度をその特定の実施例において達成
することができる。ＲＦマグネトロンスパッタリングに
ついて示した三つの例では約２８〜４０パーセントの範
囲内の水素濃度が得られる。化学蒸着（ＣＶＤ）による
特定の実施例では、水素濃度は約４３パーセントであり
、スパッタリング装置Ｓの別の特定の実施例では水素濃
度は約３８パーセントであったこと。
の水素濃度をスパッタリングパワー、百分率水素、及び
圧力の関数として示してある。ＤＣマグネトロンスパッ
タリングを使用することにより、１５から１９パーセン
トに範囲内の水素濃度をその特定の実施例において達成
することができる。ＲＦマグネトロンスパッタリングに
ついて示した三つの例では約２８〜４０パーセントの範
囲内の水素濃度が得られる。化学蒸着（ＣＶＤ）による
特定の実施例では、水素濃度は約４３パーセントであり
、スパッタリング装置Ｓの別の特定の実施例では水素濃
度は約３８パーセントであったこと。
【００３５】特定の実施例では、アモルファス水素添加
炭素層の堆積のためにＲＦマグネトロンスパッタリング
を選定した。というのは、２８から４０パーセントの範
囲内の水素濃度が密度、硬度、光学的密度、抵抗率、破
壊電圧に対する特性の最良の組み合わせを示すと共に試
行された他のすべての堆積技法の中で最良の腐食保護を
行ったからである。
炭素層の堆積のためにＲＦマグネトロンスパッタリング
を選定した。というのは、２８から４０パーセントの範
囲内の水素濃度が密度、硬度、光学的密度、抵抗率、破
壊電圧に対する特性の最良の組み合わせを示すと共に試
行された他のすべての堆積技法の中で最良の腐食保護を
行ったからである。
【００３６】次にパターン可能物質３０の厚い層を保護
被膜２２の上に堆積する。パターン可能物質３０は、好
適実施例ではフォトレジスト材料である。フォトレジス
ト材料を所定のレール構成の陰画パターンを成す適切な
マスク（図示せず）を通して露光し、現像し、露光域で
除去する。残りのフォトレジスト材料は所定のレールパ
ターンをＡＢＳ１９の上に形成するマスクとして役立つ
。
被膜２２の上に堆積する。パターン可能物質３０は、好
適実施例ではフォトレジスト材料である。フォトレジス
ト材料を所定のレール構成の陰画パターンを成す適切な
マスク（図示せず）を通して露光し、現像し、露光域で
除去する。残りのフォトレジスト材料は所定のレールパ
ターンをＡＢＳ１９の上に形成するマスクとして役立つ
。
【００３７】マスクされた列１１に、図４Ｃに矢印で示
したように、例えば、スパッタエッチング、反応性イオ
ンエッチング、イオンミリング、またはレーザエッチン
グのような適切な物質除去プロセスを施す。エッチング
プロセス中、保護被膜２２のマスクしない部分を構成す
る物質が最初に除去され、次に基板１３の下層領域が、
スライダ１０に対して、所要浮上特性を付与するよう選
定された深さまで除去される。フォトレジストマスク３
０の残りを次に、例えば、適切な溶媒により除去する。
したように、例えば、スパッタエッチング、反応性イオ
ンエッチング、イオンミリング、またはレーザエッチン
グのような適切な物質除去プロセスを施す。エッチング
プロセス中、保護被膜２２のマスクしない部分を構成す
る物質が最初に除去され、次に基板１３の下層領域が、
スライダ１０に対して、所要浮上特性を付与するよう選
定された深さまで除去される。フォトレジストマスク３
０の残りを次に、例えば、適切な溶媒により除去する。
【００３８】マスキング層２８を形成する物質は、パタ
ーン可能物質３０の層を除去するために選定された物質
と反応しないように選定される。特定の実施例では、マ
スキング層２８はシリコンで形成されている。シリコン
はフォトレジスト層３０の残りを除去するのに選定され
た溶媒と反応しない。次に、保護被膜２２に酸素プラズ
マエッチング処理を施すと、シリコンマスキング層２８
の少なくとも露光面が、酸素プラズマエッチング中に酸
素と反応してシリコンの化合物ＳｉＯｘを形成するよう
になる。この化合物は、分析によれば、厳密にＳｉＯ２
ではなく、幾つかの他のシリコン酸化物も含むので、Ｓ
ｉＯｘと呼称される。得られるＳｉＯｘ層は、強靱で且
つ大気の通常構成要素とは反応しないため優れた保護層
となる。ＳｉＯｘ層はまた、エッチストップとしても役
立つので保護被膜２２の下層が酸素プラズマエッチング
動作中に影響を受けることがない。
ーン可能物質３０の層を除去するために選定された物質
と反応しないように選定される。特定の実施例では、マ
スキング層２８はシリコンで形成されている。シリコン
はフォトレジスト層３０の残りを除去するのに選定され
た溶媒と反応しない。次に、保護被膜２２に酸素プラズ
マエッチング処理を施すと、シリコンマスキング層２８
の少なくとも露光面が、酸素プラズマエッチング中に酸
素と反応してシリコンの化合物ＳｉＯｘを形成するよう
になる。この化合物は、分析によれば、厳密にＳｉＯ２
ではなく、幾つかの他のシリコン酸化物も含むので、Ｓ
ｉＯｘと呼称される。得られるＳｉＯｘ層は、強靱で且
つ大気の通常構成要素とは反応しないため優れた保護層
となる。ＳｉＯｘ層はまた、エッチストップとしても役
立つので保護被膜２２の下層が酸素プラズマエッチング
動作中に影響を受けることがない。
【００３９】保護被膜２２の残りの部分は、スライダ１
０のレールを覆い、スライダレールの製作プロセス中ス
ライダを保護している。列１１のスライダ１０を次に分
離して図５及び図６に示すように個別のスライダを形成
する。保護被膜はまた薄膜磁気ヘッド２０及びＡＢＳを
、磁気記録装置でのスライダ１０の通常動作中に摩耗及
び腐食の損傷から保護する。
０のレールを覆い、スライダレールの製作プロセス中ス
ライダを保護している。列１１のスライダ１０を次に分
離して図５及び図６に示すように個別のスライダを形成
する。保護被膜はまた薄膜磁気ヘッド２０及びＡＢＳを
、磁気記録装置でのスライダ１０の通常動作中に摩耗及
び腐食の損傷から保護する。
【００４０】本発明の他の実施例では、保護被膜２２は
４層から構成されている。４層は、薄い接着層、薄いア
モルファス水素添加炭素層２６、薄いマスキング層２８
、及び厚いアモルファス水素添加炭素層３２から構成さ
れている。この実施例に対する製造プロセスは前と同じ
工程を含み、厚い炭素層３２がエッチング動作中薄膜磁
気ヘッドの損傷に対する追加の保護を行う。しかし、酸
素プラズマエッチング動作中は、厚い水素添加炭素層３
２は、酸素と反応してＣＯ及びＣＯ２を形成するので、
この層３２は除去される。スライダ１０の上に得られる
構造は、シリコンのエッチストップ層２８と酸素との間
の反応が実質上同じであるから、上に述べたものと実質
上同じである。
４層から構成されている。４層は、薄い接着層、薄いア
モルファス水素添加炭素層２６、薄いマスキング層２８
、及び厚いアモルファス水素添加炭素層３２から構成さ
れている。この実施例に対する製造プロセスは前と同じ
工程を含み、厚い炭素層３２がエッチング動作中薄膜磁
気ヘッドの損傷に対する追加の保護を行う。しかし、酸
素プラズマエッチング動作中は、厚い水素添加炭素層３
２は、酸素と反応してＣＯ及びＣＯ２を形成するので、
この層３２は除去される。スライダ１０の上に得られる
構造は、シリコンのエッチストップ層２８と酸素との間
の反応が実質上同じであるから、上に述べたものと実質
上同じである。
【００４１】磁気ヘッドを、製作中のみならず、例えば
、磁気ディスクファイルでの正常動作中にも損傷から保
護する、薄い接着層とアモルファス水素添加炭素層とマ
スキング層とから成る保護被膜を備えている磁気ヘッド
スライダについて開示した。この構造は、製作中に厚い
保護被膜を使用してから除去し、スライダの製作後薄い
保護被膜を堆積して使用中の保護被膜として役立てる従
来技術の手法とは対照的である。本発明は、製造歩どま
りを一層大きくすると共に磁気記録装置での動作時の寿
命を一層長くする。
、磁気ディスクファイルでの正常動作中にも損傷から保
護する、薄い接着層とアモルファス水素添加炭素層とマ
スキング層とから成る保護被膜を備えている磁気ヘッド
スライダについて開示した。この構造は、製作中に厚い
保護被膜を使用してから除去し、スライダの製作後薄い
保護被膜を堆積して使用中の保護被膜として役立てる従
来技術の手法とは対照的である。本発明は、製造歩どま
りを一層大きくすると共に磁気記録装置での動作時の寿
命を一層長くする。
【００４２】本発明についてその好適実施例を参照して
特に図示し且つ説明したが、当業者はこれに関して本発
明の精神及び範囲を逸脱することなく形態及び細部に他
の種々な変更を行うことができることを理解するであろ
う。
特に図示し且つ説明したが、当業者はこれに関して本発
明の精神及び範囲を逸脱することなく形態及び細部に他
の種々な変更を行うことができることを理解するであろ
う。
【００４３】
【発明の効果】保護被膜は、レールの製作プロセス中に
磁気ヘッドを保護すると共に磁気記録装置での使用中に
磁気ヘッドを摩耗及び腐食の損傷から保護する。
磁気ヘッドを保護すると共に磁気記録装置での使用中に
磁気ヘッドを摩耗及び腐食の損傷から保護する。
【図１】薄膜磁気ヘッドの部分列の平面図である。
【図２】磁気ヘッドスライダの特定の実施例の下面平面
図である。
図である。
【図３】磁気ヘッドスライダの別の実施例の下面平面図
である。
である。
【図４Ａ】本発明による磁気ヘッドスライダを作るプロ
セスの１工程における薄膜磁気ヘッドの部分列を示す図
である。
セスの１工程における薄膜磁気ヘッドの部分列を示す図
である。
【図４Ｂ】本発明による磁気ヘッドスライダを作るプロ
セスの１工程における薄膜磁気ヘッドの部分列を示す図
である。
セスの１工程における薄膜磁気ヘッドの部分列を示す図
である。
【図４Ｃ】本発明による磁気ヘッドスライダを作るプロ
セスの１工程における薄膜磁気ヘッドの部分列を示す図
である。
セスの１工程における薄膜磁気ヘッドの部分列を示す図
である。
【図４Ｄ】本発明による磁気ヘッドスライダを作るプロ
セスの１工程における薄膜磁気ヘッドの部分列を示す図
である。
セスの１工程における薄膜磁気ヘッドの部分列を示す図
である。
【図５】本発明による磁気ヘッドスライダの特定の実施
例の後端の平面図である。
例の後端の平面図である。
【図６】本発明による磁気ヘッドスライダの別の実施例
の後端の平面図である。
の後端の平面図である。
【図７】アモルファス水素添加炭素層内の水素濃度をス
パッタリングパワーの関数として示す図である。
パッタリングパワーの関数として示す図である。
１０・・・磁気ヘッドスライダ １２及び１４・
・・外側レール ２０・・・磁気ヘッド ２２・
・・保護被膜２４・・・接着層
２６・・・アモルファス水素添加炭素層 ２８・・・マスキング層
・・外側レール ２０・・・磁気ヘッド ２２・
・・保護被膜２４・・・接着層
２６・・・アモルファス水素添加炭素層 ２８・・・マスキング層
Claims (19)
- 【請求項１】前端及び後端と空気支持面とを有するスラ
イダ構造体と、前記空気支持面上にあって、薄い接着層
と薄いアモルファス水素添加炭素層と、マスキング層と
から成る少なくとも三つの層を備えている保護被膜を有
するパターン領域とを有することを特徴とする磁気ヘッ
ド支持用磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項２】前記パターン領域は、少なくとも一つのレ
ールを備えていることを特徴とする請求項１に記載の磁
気ヘッドスライダ。 - 【請求項３】前記接着層は、シリコンから成ることを特
徴とする請求項２に記載の磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項４】前記接着層の厚さは、約１０〜５０オング
ストロームであることを特徴とする請求項３に記載の磁
気ヘッドスライダ。 - 【請求項５】前記マスキング層は、シリコンの化合物で
あることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドスラ
イダ。 - 【請求項６】前記シリコンの化合物は、ＳｉＯｘである
ことを特徴とする請求項５に記載の磁気ヘッドスライダ
。 - 【請求項７】前記保護被膜の厚さは、約２５０オングス
トローム以下であることを特徴とする請求項１に記載の
磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項８】磁気ヘッドが所定寸法になるように形成さ
れた空気支持面を備えている、磁気ヘッド支持用の、磁
気ヘッドスライダを製造する方法であって、前記スライ
ダの前記空気支持面上に、薄い接着層と、薄いアモルフ
ァス添加炭素層と、薄いマスキング層とから成る保護被
膜を堆積する工程と、前記空気支持面上に少なくとも一
つのレールのパターンを、前記レール以外の前記空気支
持面の領域内で前記空気支持面から所定の深さまで物質
を除去することにより形成する工程と、少なくとも、前
記マスキング層の表面の特性を変える工程と、磁気記録
装置内で前記スライダが正常に動作している期間中、保
護被膜が磁気ヘッドと空気支持面とを摩耗及び腐食の損
傷から保護する働きをするように前記レール上に前記保
護被膜を保持する工程とから成ることを特徴とする磁気
ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項９】レールのパターンを形成する前記工程は、
エッチングプロセスにより行われることを特徴とする請
求項８に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項１０】前記エッチングプロセスは、反応性イオ
ンエッチングから成ることを特徴とする請求項９に記載
の磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項１１】前記接着層は、シリコンから成ることを
特徴とする請求項８に記載の磁気ヘッドスライダの製造
方法。 - 【請求項１２】前記接着層の厚さは、約１０〜５０オン
グストロームであることを特徴とする請求項１１に記載
の磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項１３】前記保護被膜の厚さは、約２５０オング
ストローム以下であることを特徴とする請求項１２に記
載の磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項１４】磁気ヘッドが所定寸法になるように形成
された空気支持面を備えている、磁気ヘッド支持用の磁
気ヘッドスライダを製造する方法であって、前記スライ
ダの前記空気支持面上に、薄い接着層と、薄いアモルフ
ァス水素添加炭素層と、薄いマスキング層と、厚いアモ
ルファス水素添加炭素層とから成る保護被膜を堆積する
工程と、前記空気支持面上に少なくとも一つのレールの
パターンを、前記レール以外の前記空気支持面の領域内
で前記空気支持面から、所定の深さまで物質を除去する
ことにより形成する工程と、パターンを有するスライダ
に酸素エッチングプロセスを施して前記厚いアモルファ
ス水素添加炭素層を除去し、前記マスキング層の少なく
とも表面の特性を変える工程と、磁気記録装置内で前記
スライダが正常に動作している期間中、保護被膜が磁気
ヘッドと空気支持面とを摩耗及び腐食の損傷から保護す
る働きをするよう、前記レール上に前記保護被膜を保持
にする工程とから成ることを特徴とする磁気ヘッドスラ
イダの製造方法。 - 【請求項１５】レールのパターンを形成する工程は、エ
ッチングプロセスにより行われることを特徴とする請求
項１４に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項１６】前記エッチングプロセスは、反応性イオ
ンエッチングから成ることを特徴とする請求項１５に記
載の磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項１７】前記接着層は、シリコンから成ることを
特徴とする請求項１４に記載の磁気ヘッドスライダの製
造方法。 - 【請求項１８】前記接着層の厚さは、約１０〜５０オン
グストロームであることを特徴とする請求項１７に記載
の磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項１９】前記酸素エッチング工程後の前記保護被
膜の厚さは、約２５０オングストローム以下であること
を特徴とする請求項１４に記載の磁気ヘッドスライダの
製造方法。
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