JPH0877520A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0877520A JPH0877520A JP20896794A JP20896794A JPH0877520A JP H0877520 A JPH0877520 A JP H0877520A JP 20896794 A JP20896794 A JP 20896794A JP 20896794 A JP20896794 A JP 20896794A JP H0877520 A JPH0877520 A JP H0877520A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヘッド性能の低下を防止する薄膜磁気ヘッド
を提供する。 【構成】 ＭＲ層１上にＣｕがスパッタリングで成膜さ
れ、磁気記録媒体を臨ませる端面側ほど厚みが薄い電極
２ａ，２ｂが形成されている。このとき、電極２ａ，２
ｂの厚みは磁気記録媒体を臨ませるべき端面側近傍の厚
みｈが0.03μｍであり、長さ方向に徐々に厚みを増して
ＭＲ層１上での厚みＨは0.3 μｍである。ＡＢＳ９で研
磨加工され、磁気ディスクＭをＡＢＳ９に臨ませて情報
を読取る。
を提供する。 【構成】 ＭＲ層１上にＣｕがスパッタリングで成膜さ
れ、磁気記録媒体を臨ませる端面側ほど厚みが薄い電極
２ａ，２ｂが形成されている。このとき、電極２ａ，２
ｂの厚みは磁気記録媒体を臨ませるべき端面側近傍の厚
みｈが0.03μｍであり、長さ方向に徐々に厚みを増して
ＭＲ層１上での厚みＨは0.3 μｍである。ＡＢＳ９で研
磨加工され、磁気ディスクＭをＡＢＳ９に臨ませて情報
を読取る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置に用いら
れる磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関する。
れる磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの外部記録装置として広く
用いられている磁気ディスク装置のような磁気記録装置
は、近年、高密度に対する要求が強まっており、これに
伴って磁気記録媒体における記録トラック幅及び線記録
幅が益々狭小化する傾向にある。このような磁気記録媒
体の記録情報を確実に読取る再生手段として、磁気抵抗
効果（Magmeto-Resistive effect）を利用した磁気抵抗
効果型ヘッドが使用されている。
用いられている磁気ディスク装置のような磁気記録装置
は、近年、高密度に対する要求が強まっており、これに
伴って磁気記録媒体における記録トラック幅及び線記録
幅が益々狭小化する傾向にある。このような磁気記録媒
体の記録情報を確実に読取る再生手段として、磁気抵抗
効果（Magmeto-Resistive effect）を利用した磁気抵抗
効果型ヘッドが使用されている。
【０００３】図８は、従来の磁気抵抗効果型の薄膜磁気
ヘッドの電極長手方向の模式的端面図であり、研磨加工
後のものを示している。図９は図８のIX−IX線から見た
模式的縦断面図であり、図１０は図８のＸーＸ線から見
た模式的横断面図である。また、図１１は図１０の薄膜
磁気ヘッドの研磨加工前のものを示した模式的横断面図
である。
ヘッドの電極長手方向の模式的端面図であり、研磨加工
後のものを示している。図９は図８のIX−IX線から見た
模式的縦断面図であり、図１０は図８のＸーＸ線から見
た模式的横断面図である。また、図１１は図１０の薄膜
磁気ヘッドの研磨加工前のものを示した模式的横断面図
である。
【０００４】図１１に示すように、非磁性の基板７上に
絶縁材料からなる保護層８が形成され、この上に下部磁
気シールド層６、下部絶縁層４が順に形成されている。
下部絶縁層４上に磁気抵抗効果素子層（以下ＭＲ層１と
いう）が形成されている。ＭＲ層１は、パーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）合金のような高い磁気抵抗効果を有する材料か
らなり、図１１に示すように、保護層８の一端面１０に
沿って所定長離隔した位置に、磁界中で例えば蒸着法に
よってストライプ状に形成される。ＭＲ層１は、トラッ
ク幅方向即ちストライプ長手方向に磁化容易軸となるよ
うに一軸磁気異方性が誘起される。また、ＭＲ層１は図
示しないバイアス層及び非磁性層を備え、磁界変化によ
る出力を直線的に応答化するようになっている。
絶縁材料からなる保護層８が形成され、この上に下部磁
気シールド層６、下部絶縁層４が順に形成されている。
下部絶縁層４上に磁気抵抗効果素子層（以下ＭＲ層１と
いう）が形成されている。ＭＲ層１は、パーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）合金のような高い磁気抵抗効果を有する材料か
らなり、図１１に示すように、保護層８の一端面１０に
沿って所定長離隔した位置に、磁界中で例えば蒸着法に
よってストライプ状に形成される。ＭＲ層１は、トラッ
ク幅方向即ちストライプ長手方向に磁化容易軸となるよ
うに一軸磁気異方性が誘起される。また、ＭＲ層１は図
示しないバイアス層及び非磁性層を備え、磁界変化によ
る出力を直線的に応答化するようになっている。
【０００５】そして、図９に示すように、ＭＲ層１上に
はストライプ状の電極２ａ，２ｂが、ＭＲ層１に直交す
る方向に一端面１０側から他端面側へ延長させて形成さ
れており、電極間を所定長離隔させて長手方向に平行に
形成されている。そして、電極２ａ，２ｂ状には上部絶
縁層３、上部磁気シールド層５及び保護層８が順次積層
されている。
はストライプ状の電極２ａ，２ｂが、ＭＲ層１に直交す
る方向に一端面１０側から他端面側へ延長させて形成さ
れており、電極間を所定長離隔させて長手方向に平行に
形成されている。そして、電極２ａ，２ｂ状には上部絶
縁層３、上部磁気シールド層５及び保護層８が順次積層
されている。
【０００６】このような薄膜磁気ヘッドは１枚の非磁性
の基板７に複数個作成し、その基板７を所定の寸法、形
状に合わせて機械加工し、スライダを形成する。特に、
ＭＲ層１の長手方向に直交する幅方向の長さＷは記録情
報の再生感度に密接な関係があり、ＭＲ層１の長手方向
と平行に研磨加工することにより、所定の幅に形成され
る。図８，図９，図１０に示すように研磨後の一端面
（以下ＡＢＳ（Air Bearing Surface ）９という）には
電極２ａ，２ｂ、上部磁気シールド層５、下部磁気シー
ルド層６、ＭＲ層１、上部絶縁層３、下部絶縁層４及び
保護層８が露出している。
の基板７に複数個作成し、その基板７を所定の寸法、形
状に合わせて機械加工し、スライダを形成する。特に、
ＭＲ層１の長手方向に直交する幅方向の長さＷは記録情
報の再生感度に密接な関係があり、ＭＲ層１の長手方向
と平行に研磨加工することにより、所定の幅に形成され
る。図８，図９，図１０に示すように研磨後の一端面
（以下ＡＢＳ（Air Bearing Surface ）９という）には
電極２ａ，２ｂ、上部磁気シールド層５、下部磁気シー
ルド層６、ＭＲ層１、上部絶縁層３、下部絶縁層４及び
保護層８が露出している。
【０００７】このような薄膜磁気ヘッドを用いて記録情
報を再生する際には、図９に示すようにＡＢＳ９を磁気
記録媒体Ｍに臨ませ、電極２ａ，２ｂ間に形成されたＭ
Ｒ層１の作用領域１１に生じる電気抵抗変化が出力され
る。このような再生時には、ＭＲ層１及び電極２ａ，２
ｂの上下に形成された上部，下部磁気シールド５，６
は、隣接ビットから作用領域１１への漏洩磁界を遮断す
るために用いられている。
報を再生する際には、図９に示すようにＡＢＳ９を磁気
記録媒体Ｍに臨ませ、電極２ａ，２ｂ間に形成されたＭ
Ｒ層１の作用領域１１に生じる電気抵抗変化が出力され
る。このような再生時には、ＭＲ層１及び電極２ａ，２
ｂの上下に形成された上部，下部磁気シールド５，６
は、隣接ビットから作用領域１１への漏洩磁界を遮断す
るために用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上の如き構成の薄膜
磁気ヘッドにあっては、ＡＢＳ９に電極２ａ，２ｂがそ
の膜厚分だけ露出している。電極２ａ，２ｂには、電気
伝導度が高くコストが安価であるＣｕが用いられること
が多いが、反面Ｃｕは酸化され易く、ヘッドの腐食を生
じ易い。このために、電極２ａ，２ｂの露出面積が大き
い場合にはヘッドの性能劣化が早い。
磁気ヘッドにあっては、ＡＢＳ９に電極２ａ，２ｂがそ
の膜厚分だけ露出している。電極２ａ，２ｂには、電気
伝導度が高くコストが安価であるＣｕが用いられること
が多いが、反面Ｃｕは酸化され易く、ヘッドの腐食を生
じ易い。このために、電極２ａ，２ｂの露出面積が大き
い場合にはヘッドの性能劣化が早い。
【０００９】また、電極２ａ，２ｂにＣｕよりも耐食性
に優れた材料を用いた場合は、性能劣化は抑制される
が、露出面積が大きいとゴミのような汚れが付着し易
く、付着したときには電極２ａ，２ｂと上下に形成され
た磁気シールドとの電気的短絡が生じる。またはヘッド
動作中にヘッドクラッシュを生じる虞がある。
に優れた材料を用いた場合は、性能劣化は抑制される
が、露出面積が大きいとゴミのような汚れが付着し易
く、付着したときには電極２ａ，２ｂと上下に形成され
た磁気シールドとの電気的短絡が生じる。またはヘッド
動作中にヘッドクラッシュを生じる虞がある。
【００１０】これらの問題を解決するために、ヘッド加
工後にＡＢＳを0.02〜0.03μｍの厚みの保護膜で被覆
し、異物付着によるヘッド性能の低下を防止する方法が
提案されている（特開平４−276367号公報）。この方法
により、ヘッドの腐食及び汚れの付着は防止できるが、
ＡＢＳ表面の被覆により浮上間隙が大きくなり、再生感
度が低減するという問題があった。
工後にＡＢＳを0.02〜0.03μｍの厚みの保護膜で被覆
し、異物付着によるヘッド性能の低下を防止する方法が
提案されている（特開平４−276367号公報）。この方法
により、ヘッドの腐食及び汚れの付着は防止できるが、
ＡＢＳ表面の被覆により浮上間隙が大きくなり、再生感
度が低減するという問題があった。
【００１１】また、ＭＲ層をストライプ状の矩形ではな
く、屈曲した形状に形成することにより、ＡＢＳにＭＲ
層の作用領域のみを露出した薄膜磁気ヘッドが「IEEE T
ransactions on Magnetics, Vol.27, No.6, 1991, pp.4
690-4692」に記載されている。この薄膜磁気ヘッドでは
電極がＡＢＳに露出していないので、ヘッド性能の低下
を抑制することができるが、ＭＲ層が屈曲した形状であ
るために、ＭＲ層の磁区構造が不安定になり易く、再生
時の再生出力にノイズが重畳し易い。
く、屈曲した形状に形成することにより、ＡＢＳにＭＲ
層の作用領域のみを露出した薄膜磁気ヘッドが「IEEE T
ransactions on Magnetics, Vol.27, No.6, 1991, pp.4
690-4692」に記載されている。この薄膜磁気ヘッドでは
電極がＡＢＳに露出していないので、ヘッド性能の低下
を抑制することができるが、ＭＲ層が屈曲した形状であ
るために、ＭＲ層の磁区構造が不安定になり易く、再生
時の再生出力にノイズが重畳し易い。
【００１２】これを解決するためには、ＭＲ層を矩形に
形成し、かつＡＢＳに電極を全く露出させない薄膜磁気
ヘッドが考えられる。図１２は、従来の薄膜磁気ヘッド
の模式的横断面図であり研磨後のものを示している。保
護層８上に矩形のＭＲ層１がＡＢＳ９に露出する態様で
形成されている。ＭＲ層１上には、ストライプ状の電極
２ａ，２ｂがＡＢＳ９から所定長離隔された位置から、
ＡＢＳ９の対向端面側へ延長する態様で形成されてい
る。ＭＲ層１の上には、上述したところと同様に磁気シ
ールド及び絶縁層が形成されている。
形成し、かつＡＢＳに電極を全く露出させない薄膜磁気
ヘッドが考えられる。図１２は、従来の薄膜磁気ヘッド
の模式的横断面図であり研磨後のものを示している。保
護層８上に矩形のＭＲ層１がＡＢＳ９に露出する態様で
形成されている。ＭＲ層１上には、ストライプ状の電極
２ａ，２ｂがＡＢＳ９から所定長離隔された位置から、
ＡＢＳ９の対向端面側へ延長する態様で形成されてい
る。ＭＲ層１の上には、上述したところと同様に磁気シ
ールド及び絶縁層が形成されている。
【００１３】このような構造の薄膜磁気ヘッドは、電極
２ａ，２ｂがＡＢＳ９に露出せず、またＭＲ層１が屈曲
していないので、再生出力によるノイズの重畳は生じな
い。しかしながら、電極２ａ，２ｂがＡＢＳ９から所定
長離隔しているために作用領域１１のＡＢＳ９側は両電
極が対向しておらず、このために作用領域１１の電流密
度が不均一になり、再生出力に悪影響を及ぼすという問
題があった。また、電極２ａ，２ｂのＡＢＳ９との離隔
距離を可能な限り小さくすることにより、作用領域１１
の電流密度がより均一になると考えられるが、実際の工
程では極めて困難であり、量産製造に適さないという問
題があった。
２ａ，２ｂがＡＢＳ９に露出せず、またＭＲ層１が屈曲
していないので、再生出力によるノイズの重畳は生じな
い。しかしながら、電極２ａ，２ｂがＡＢＳ９から所定
長離隔しているために作用領域１１のＡＢＳ９側は両電
極が対向しておらず、このために作用領域１１の電流密
度が不均一になり、再生出力に悪影響を及ぼすという問
題があった。また、電極２ａ，２ｂのＡＢＳ９との離隔
距離を可能な限り小さくすることにより、作用領域１１
の電流密度がより均一になると考えられるが、実際の工
程では極めて困難であり、量産製造に適さないという問
題があった。
【００１４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、磁気抵抗効果素子層を湾曲させずに磁気記録
媒体に臨ませる面に電極の端面の面積をより小さくする
ことにより、電極の耐食性を向上させ、異物付着による
ヘッド性能の低下を防止する薄膜磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
のであり、磁気抵抗効果素子層を湾曲させずに磁気記録
媒体に臨ませる面に電極の端面の面積をより小さくする
ことにより、電極の耐食性を向上させ、異物付着による
ヘッド性能の低下を防止する薄膜磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、磁気抵抗効果素子の一面に一対の電極がその長
手方向に交差する方向に並設して積層され、前記磁気抵
抗効果素子の磁気記録媒体に臨ませるべき端面側に前記
両電極の長手方向の端面を位置させてなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記電極はその長手方向に厚みを異なら
せ、前記磁気記録媒体に臨ませるべき端面側の厚みを薄
く形成してあることを特徴とする。
ッドは、磁気抵抗効果素子の一面に一対の電極がその長
手方向に交差する方向に並設して積層され、前記磁気抵
抗効果素子の磁気記録媒体に臨ませるべき端面側に前記
両電極の長手方向の端面を位置させてなる薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記電極はその長手方向に厚みを異なら
せ、前記磁気記録媒体に臨ませるべき端面側の厚みを薄
く形成してあることを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素
子上に形成された電極の厚みが磁気記録媒体に臨む端面
側で薄く、露出部分の面積が従来よりも小さいので露出
による性能低下が防止され、且つ前記電極が磁気記録媒
体に臨む端面に露出しているので、磁気抵抗効果素子上
の作用領域の電流密度を均一にする。
子上に形成された電極の厚みが磁気記録媒体に臨む端面
側で薄く、露出部分の面積が従来よりも小さいので露出
による性能低下が防止され、且つ前記電極が磁気記録媒
体に臨む端面に露出しているので、磁気抵抗効果素子上
の作用領域の電流密度を均一にする。
【００１７】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドの磁気記録媒体に臨む側の模式的端面図であり、研
磨加工後のものを示している。図２は図１のII−II線か
ら見た模式的横断面図である。また、図３は図２の薄膜
磁気ヘッドの研磨加工前のものを示した模式的横断面図
である。図中７はアルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）か
らなる非磁性の基板であり、基板７上にＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 等の絶縁膜からなる保護層８がスパッタリングに
より所定の厚みで成膜されている。保護層８上の所定位
置には、パーマロイ合金（ＮｉＦｅ）からなる下部磁気
シールド層６が、メッキ法により１μｍの厚みに積層さ
れている。そして、下部磁気シールド層６上には、Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の絶縁膜からなる0.15μｍの厚みの
下部絶縁層４がスパッタリングにより積層されている。
き具体的に説明する。図１は、本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドの磁気記録媒体に臨む側の模式的端面図であり、研
磨加工後のものを示している。図２は図１のII−II線か
ら見た模式的横断面図である。また、図３は図２の薄膜
磁気ヘッドの研磨加工前のものを示した模式的横断面図
である。図中７はアルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）か
らなる非磁性の基板であり、基板７上にＡｌ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 等の絶縁膜からなる保護層８がスパッタリングに
より所定の厚みで成膜されている。保護層８上の所定位
置には、パーマロイ合金（ＮｉＦｅ）からなる下部磁気
シールド層６が、メッキ法により１μｍの厚みに積層さ
れている。そして、下部磁気シールド層６上には、Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の絶縁膜からなる0.15μｍの厚みの
下部絶縁層４がスパッタリングにより積層されている。
【００１８】下部絶縁層４上には、フォトリソグラフィ
法とイオンミリング又はリアクティブイオンエッチング
等のドライエッチング法とを用いてストライプ状のＭＲ
層１が形成されている。このＭＲ層１は、ＮｉＦｅ合
金、ＮｉＣｏ合金等の強磁性材料からなる0.05μｍの磁
気抵抗効果膜、Ｔｉからなる0.02μｍの非磁性膜、及び
ＣｏＺｒ系の非晶質合金からなる0.03μｍの軟磁性膜が
磁界中で連続蒸着により順次積層されてなり、磁気記録
媒体に臨む端面に沿う長さ方向Ｌが50μｍであり、長さ
方向に直交する幅方向Ｗが10μｍであり、厚みが 0.1μ
ｍである。ＭＲ層１は、この成膜中に長さ方向を磁化容
易軸にするために、一軸異方性を誘起させて完成する。
法とイオンミリング又はリアクティブイオンエッチング
等のドライエッチング法とを用いてストライプ状のＭＲ
層１が形成されている。このＭＲ層１は、ＮｉＦｅ合
金、ＮｉＣｏ合金等の強磁性材料からなる0.05μｍの磁
気抵抗効果膜、Ｔｉからなる0.02μｍの非磁性膜、及び
ＣｏＺｒ系の非晶質合金からなる0.03μｍの軟磁性膜が
磁界中で連続蒸着により順次積層されてなり、磁気記録
媒体に臨む端面に沿う長さ方向Ｌが50μｍであり、長さ
方向に直交する幅方向Ｗが10μｍであり、厚みが 0.1μ
ｍである。ＭＲ層１は、この成膜中に長さ方向を磁化容
易軸にするために、一軸異方性を誘起させて完成する。
【００１９】次に、電極の材料となる高導電性を有する
金属、例えばＣｕがスパッタリングで成膜され、電極２
ａ，２ｂが形成される。電極２ａ，２ｂは、磁気記録媒
体を臨ませる端面側ほど厚みが薄く形成されている。こ
のとき、電極２ａ，２ｂの厚みは磁気記録媒体を臨ませ
るべき端面側近傍の厚みｈは0.03μｍであり、長さ方向
に徐々に厚みを増してＭＲ層１上での厚みＨは0.3 μｍ
である。これは、ＭＲ層１を適正に動作させるための直
流電流を流せるだけの膜厚である。
金属、例えばＣｕがスパッタリングで成膜され、電極２
ａ，２ｂが形成される。電極２ａ，２ｂは、磁気記録媒
体を臨ませる端面側ほど厚みが薄く形成されている。こ
のとき、電極２ａ，２ｂの厚みは磁気記録媒体を臨ませ
るべき端面側近傍の厚みｈは0.03μｍであり、長さ方向
に徐々に厚みを増してＭＲ層１上での厚みＨは0.3 μｍ
である。これは、ＭＲ層１を適正に動作させるための直
流電流を流せるだけの膜厚である。
【００２０】図４〜図７は電極の製造段階における模式
的断面図であり、上述のように電極２ａ，２ｂを厚みを
異ならせて形成する方法を次に述べる。図４に示すよう
に、ＭＲ層１上に電極２ａ，２ｂをスパッタリング又は
フォトリソグラフィにより形成し、その後図５に示すよ
うに、フォトレジスト膜１２をフォトリソグラフィによ
り所望のパターンに塗布する。そして図６に示すよう
に、イオンミリング等のドライエッチングを行って磁気
記録媒体を臨ませるべき端面側を薄くした、断面傾斜状
の電極２ａ，２ｂを形成し、フォトレジスト層１２を除
去する。
的断面図であり、上述のように電極２ａ，２ｂを厚みを
異ならせて形成する方法を次に述べる。図４に示すよう
に、ＭＲ層１上に電極２ａ，２ｂをスパッタリング又は
フォトリソグラフィにより形成し、その後図５に示すよ
うに、フォトレジスト膜１２をフォトリソグラフィによ
り所望のパターンに塗布する。そして図６に示すよう
に、イオンミリング等のドライエッチングを行って磁気
記録媒体を臨ませるべき端面側を薄くした、断面傾斜状
の電極２ａ，２ｂを形成し、フォトレジスト層１２を除
去する。
【００２１】このように形成された電極２ａ，２ｂ上に
は、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の絶縁膜からなる0.15μｍ
の厚みの上部絶縁層３が形成され、上部絶縁層３上には
ＮｉＦｅ合金からなる上部磁気シールド層５が１μｍの
厚みで形成されている。そして上部磁気シールド層５上
に絶縁膜である保護層８が形成され、基板７上に形成さ
れた層が保護層８で覆われている。
は、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等の絶縁膜からなる0.15μｍ
の厚みの上部絶縁層３が形成され、上部絶縁層３上には
ＮｉＦｅ合金からなる上部磁気シールド層５が１μｍの
厚みで形成されている。そして上部磁気シールド層５上
に絶縁膜である保護層８が形成され、基板７上に形成さ
れた層が保護層８で覆われている。
【００２２】なお、本実施例では電極２ａ，２ｂの断面
が傾斜状になるように形成しているが、これに限るもの
ではなく、断面が階段状になるように形成しても良い。
但し、この場合は上部絶縁層３が電極２ａ，２ｂの段差
の角部上の部分が他の部分に比べて薄くなるために、上
部磁気シールド層５との間の電気的短絡が発生する虞が
あり、電極２ａ，２ｂの膜厚はその変化を傾斜状に形成
することが望ましい。
が傾斜状になるように形成しているが、これに限るもの
ではなく、断面が階段状になるように形成しても良い。
但し、この場合は上部絶縁層３が電極２ａ，２ｂの段差
の角部上の部分が他の部分に比べて薄くなるために、上
部磁気シールド層５との間の電気的短絡が発生する虞が
あり、電極２ａ，２ｂの膜厚はその変化を傾斜状に形成
することが望ましい。
【００２３】次に、以上の如く形成された薄膜磁気ヘッ
ドを所定の寸法及び形状に研磨加工する。図２に示すよ
うに、ＭＲ層１の幅寸法がＷ＝８μｍになるように研磨
してＡＢＳ９を形成する。このとき、ＡＢＳ９での加工
精度が高い場合は、電極２ａ，２ｂの断面傾斜付近で研
磨を行い、厚みが0.03μｍの領域を少なくする。また、
ＡＢＳ９での加工精度が低い場合は、電極２ａ，２ｂの
断面傾斜付近で研磨を行うと、電極２ａと電極２ｂとで
端面面積にばらつきが生じるので、膜厚が0.03μｍ均一
の部分で研磨を行うようにする。なお、電極膜厚はＭＲ
層１の熱的安定性に関与しているので、ＡＢＳ９研磨後
には膜厚が薄い領域ができる限り少ない方が望ましい。
ドを所定の寸法及び形状に研磨加工する。図２に示すよ
うに、ＭＲ層１の幅寸法がＷ＝８μｍになるように研磨
してＡＢＳ９を形成する。このとき、ＡＢＳ９での加工
精度が高い場合は、電極２ａ，２ｂの断面傾斜付近で研
磨を行い、厚みが0.03μｍの領域を少なくする。また、
ＡＢＳ９での加工精度が低い場合は、電極２ａ，２ｂの
断面傾斜付近で研磨を行うと、電極２ａと電極２ｂとで
端面面積にばらつきが生じるので、膜厚が0.03μｍ均一
の部分で研磨を行うようにする。なお、電極膜厚はＭＲ
層１の熱的安定性に関与しているので、ＡＢＳ９研磨後
には膜厚が薄い領域ができる限り少ない方が望ましい。
【００２４】以上のように製造された薄膜磁気ヘッドの
ＡＢＳ９に磁気記録媒体である磁気ディスクＭを臨ませ
て、ＭＲ層１の作用領域に生じる電気抵抗変化が出力さ
れて、磁気ディスクに記録されている情報を読取る。こ
の薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ層１の作用領域の電流密度が
均一で、電極２ａ，２ｂの露出面積が小さいのでヘッド
性能が高い。
ＡＢＳ９に磁気記録媒体である磁気ディスクＭを臨ませ
て、ＭＲ層１の作用領域に生じる電気抵抗変化が出力さ
れて、磁気ディスクに記録されている情報を読取る。こ
の薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ層１の作用領域の電流密度が
均一で、電極２ａ，２ｂの露出面積が小さいのでヘッド
性能が高い。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、露出
部分の面積が従来よりも小さいので露出による性能低下
が防止され、電極が作用領域の全域を挟んで対向形成さ
れているので作用領域の電流密度が均一になる等、本発
明は優れた効果を奏するものである。
部分の面積が従来よりも小さいので露出による性能低下
が防止され、電極が作用領域の全域を挟んで対向形成さ
れているので作用領域の電流密度が均一になる等、本発
明は優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体に
臨む側の模式的端面図である。
臨む側の模式的端面図である。
【図２】図１のII−II線から見た模式的横断面図であ
る。
る。
【図３】図２の薄膜磁気ヘッドの研磨加工前のものを示
した模式的横断面図である。
した模式的横断面図である。
【図４】電極の製造段階における模式的横断面図であ
る。
る。
【図５】電極の製造段階における模式的横断面図であ
る。
る。
【図６】電極の製造段階における模式的横断面図であ
る。
る。
【図７】電極の製造段階における模式的横断面図であ
る。
る。
【図８】従来の磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドの電極
長手方向の模式的端面図である。
長手方向の模式的端面図である。
【図９】図８のIX−IX線から見た模式的縦断面図であ
る。
る。
【図１０】図８のＸ−Ｘ線から見た模式的横断面図であ
る。
る。
【図１１】図１０の薄膜磁気ヘッドの研磨加工前のもの
を示した模式的横断面図である。
を示した模式的横断面図である。
【図１２】従来の薄膜磁気ヘッドの模式的縦断面図であ
り研磨後のものを示している。
り研磨後のものを示している。
１ ＭＲ層 ２ａ，２ｂ 電極 ３ 上部絶縁層 ４ 下部絶縁層 ５ 上部磁気シールド層 ６ 下部磁気シールド層 ７ 基板 ８ 保護層 ９ ＡＢＳ １１ 作用領域 １２ フォトレジスト層
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子の一面に一対の電極が
その長手方向に交差する方向に並設して積層され、前記
磁気抵抗効果素子の磁気記録媒体に臨ませるべき端面側
に前記両電極の長手方向の端面を位置させてなる薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記電極はその長手方向に厚みを異
ならせ、前記磁気記録媒体に臨ませるべき端面側の厚み
を薄く形成してあることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20896794A JPH0877520A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20896794A JPH0877520A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0877520A true JPH0877520A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16565131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20896794A Pending JPH0877520A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0877520A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7469465B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-12-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of providing a low-stress sensor configuration for a lithography-defined read sensor |
-
1994
- 1994-09-01 JP JP20896794A patent/JPH0877520A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7469465B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-12-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of providing a low-stress sensor configuration for a lithography-defined read sensor |
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