JP2001110018A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び回転型磁気ヘッド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガード材としての基板に欠け等を生じさせな
いようにし、ヘリカルスキャン方式の再生用ヘッドとし
て好適なものとする。 【解決手段】 テープ摺動面１１の幅方向の両端部に、
その長さ方向に沿って形成された溝９，１０溝によっ
て、磁気テープに対する当たり幅が規制されると共に、
下層シールド薄膜３及び上層シールド薄膜７のテープ摺
動面１１側の幅Ｗ１，Ｗ２が規制されるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果を利
用して磁気記録媒体に記録された信号を読み取る磁気抵
抗効果型磁気ヘッド及びこれを用いた回転型磁気ヘッド
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、固定ドラムとこの固定ドラム
に対して回転可能に設けられた回転ドラムとを有し、回
転ドラムに磁気ヘッドが取り付けられてなる回転型磁気
ヘッド装置を用い、この回転型磁気ヘッド装置の外周面
に磁気テープを斜めに巻き付けて、回転ドラムの回転に
伴って移動する磁気ヘッドを磁気テープ上に斜めに摺動
させて、この磁気テープに対する信号の記録又は再生を
行うようにした、ヘリカルスキャン（Helical Scan：斜
め走査）と呼ばれる記録再生方式が提案されている。

【０００３】このヘリカルスキャン方式では、磁気ヘッ
ドが、走行する磁気テープ上を高速で摺動して信号の記
録及び再生を行うので、磁気テープと磁気ヘッドとの相
対摺動速度が速く、データ転送レートの向上が実現され
ている。

【０００４】近年、このヘリカルスキャン方式におい
て、ハードディスクドライブ等の再生用磁気ヘッドとし
て普及している磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドという。）を再生用ヘッドとして用いる技術が提
案されている。

【０００５】ＭＲヘッドは、磁気抵抗効果素子（以下、
ＭＲ素子という。）の磁気抵抗効果を利用して磁気記録
媒体に記録された信号を読み取る磁気ヘッドであり、一
対の基板がギャップを介して接合一体化され、ギャップ
中に磁気抵抗効果を発揮するＭＲ素子が薄膜形成されて
なる。このＭＲヘッドは、薄膜形成されるＭＲ素子の幅
によりトラック幅が決定されるので、狭トラック化が容
易であると共に、ＭＲ素子が磁気記録媒体と対向する面
から露出しているので再生感度が高いという特徴を有し
ている。

【０００６】したがって、ヘリカルスキャン方式の再生
用ヘッドとして以上のような特徴を有するＭＲヘッドを
用いることにより、記録トラックの狭トラック化を実現
して、より高密度で信号の記録再生を行うことが期待さ
れている。

【０００７】ところで、ＭＲヘッドとしては、一対の磁
気シールド部材間のシールド間ギャップ内にＭＲ素子が
配された、いわゆるシールド型ＭＲヘッドが普及してい
る。このシールド型ＭＲヘッドは、一対の非磁性材間に
ＭＲ素子が設けられたノンシールド型ＭＲヘッドに比較
し、周波数特性が良好であり、高い分解能が得られると
いう特徴を有している。

【０００８】このようなシールド型ＭＲヘッドとして
は、一対の磁気シールド部材を軟磁性薄膜により構成し
た、いわゆる薄膜シールドタイプのＭＲヘッドが知られ
ている。この薄膜シールドタイプのＭＲヘッドは、一対
の磁気シールド部材を軟磁性基板により構成した基板シ
ールドタイプのＭＲヘッドに比べて、一対の磁気シール
ド部材間の間隔、すなわちシールド間ギャップの厚さの
制御が容易で、良好な周波数特性を得やすいという利点
を有している。

【０００９】以上のような理由から、ヘリカルスキャン
方式の再生用ヘッドとして用いるには、薄膜シールドタ
イプのＭＲヘッドが最適と思われる。

【００１０】ヘリカルスキャン方式の再生用ヘッドとし
て構成された薄膜シールドタイプのＭＲヘッドの一例
を、図４０及び図４１に示す。この図４０及び図４１に
示すＭＲヘッド１００では、接合一体化された一対の基
板１０１，１０２によりリーディング側及びトレーディ
ング側のガード材が構成されている。そして、これら一
対の基板１０１，１０２の接合面間に、一対の軟磁性薄
膜１０３，１０４に挟持されたかたちで、第１のギャッ
プ膜１０５、ＭＲ素子１０６、第２のギャップ膜１０７
がそれぞれ設けられている。このＭＲヘッド１００で
は、一対の軟磁性薄膜１０３，１０４間に設けられた第
１のギャップ膜１０５及び第２のギャップ膜１０７によ
りシールド間ギャップが構成されており、このシールド
間ギャップ内にＭＲ素子１０６が配設されて感磁部とさ
れている。

【００１１】また、このＭＲヘッド１００には、ＭＲ素
子１０６の両端部に隣接して、このＭＲ素子１０６を単
磁区化してバルクハウゼンノイズの発生を抑えるための
安定化膜１０８，１０９が設けられている。また、この
安定化膜１０８，１０９上には、ＭＲ素子１０６及びＭ
Ｒ素子１０６に電気的に接続される部分の抵抗値を低く
するための一対の低抵抗化膜１１０，１１１が設けられ
ている。

【００１２】さらに、このＭＲヘッド１００には、安定
化膜１０８，１０９を介してＭＲ素子１０５に接続され
るように、ＭＲ素子１０５にセンス電流を供給するため
の一対の導体部１１２，１１３が設けられている。この
導体部１１２，１１３は、その一端部が外部に露出する
ようになされており、この外部に露出する導体部１１
２，１１３の一端部上に、外部回路に接続される接続端
子部１１４，１１５が形成されている。

【００１３】なお、図４０はヘリカルスキャン方式の再
生用ヘッドとして構成された薄膜シールドタイプのＭＲ
ヘッド１００を示す斜視図であり、図４１は図４０にお
けるＧ部をテープ摺動面１００ａ側から見た図である。
これら図４０及び図４１では、特徴を分かり易く示すた
めに、上記ＭＲヘッド１００の各部を実際のものとは異
なる比率で示している。

【００１４】この薄膜シールドタイプのＭＲヘッド１０
０は、ヘリカルスキャン方式の再生用ヘッドとして磁気
テープ上を高速で摺動することになるので、磁気テープ
に対する良好な当たりを確保することが重要となる。そ
して、このＭＲヘッド１００の磁気テープに対する当た
り特性は、磁気テープに対する摺動面（テープ摺動面）
の形状に依存することになる。そこで、このＭＲヘッド
１００においては、テープ摺動面１００ａに円筒研磨加
工が施され、磁気テープに対する良好な当たりが確保で
きるようになされている。また、このＭＲヘッド１００
においては、テープ摺動面１００ａの幅方向の両端部に
溝１１６，１１７が形成され、この溝１１６，１１７に
より、磁気テープに対する当たり幅が規制されるように
なされている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】以上のように構成され
たＭＲヘッド１００においては、図４１に示すように、
一対の軟磁性薄膜１０３，１０４のテープ摺動面１００
ａ側の幅Ｗ１０１，Ｗ１０２が、テープ摺動面１００ａ
における基板１０１，１０２の接合面に沿った方向の長
さＷ１０３よりも小さいと、軟磁性薄膜１０３，１０４
の幅方向の両側には、基板１０１，１０２を接合一体化
するための接着材１１８が流入することになる。

【００１６】この軟磁性薄膜１０３，１０４の幅方向の
両側に流入し硬化した接着材１１８は、その強度が、一
対の基板１０１，１０２と比較して著しく低い。したが
って、ＭＲヘッド１００の媒体摺動面１００ａの幅方向
の両端部に当たり幅を規制するための溝１１６，１１７
を形成する際に、軟磁性薄膜１０３，１０４の幅方向の
両側に流入し硬化した接着材１１８が剥がれ落ち、この
部分に隣接する基板１０１，１０２の媒体摺動面側の一
部に欠けが生じてしまう場合がある。

【００１７】以上のようにガード材となる基板１０１，
１０２の媒体摺動面１００ａ側の一部に欠けが生じたＭ
Ｒヘッド１００をヘリカルスキャン方式の再生用ヘッド
として用いると、基板１０１，１０２の欠けた部分のエ
ッジにより磁気テープを傷つけてしまう場合がある。特
に、ヘリカルスキャン方式では、磁気ヘッドが磁気テー
プ上を高速で摺動するので、ガード材となる基板１０
１，１０２の媒体摺動面１００ａ側の一部に欠けが生じ
たＭＲヘッド１００を再生用ヘッドとして用いると、磁
気テープの損傷を招く可能性が大きい。

【００１８】そこで、本発明は、ガード材としての基板
に欠け等を生じさせない構造で、ヘリカルスキャン方式
の再生用ヘッドとして用いて好適なＭＲヘッド及びこの
ＭＲヘッドを用いた回転型磁気ヘッド装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗効
果型磁気ヘッドは、一対のガード材の接合面間に一対の
磁気シールド薄膜を介してシールド間ギャップが形成さ
れ、このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果素子が配
されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記
録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、その長さ方
向に沿って溝が形成され、この溝により、磁気記録媒体
に対する当たり幅が規制されていると共に、上記一対の
磁気シールド薄膜の上記摺動面側の幅が規制されている
ことを特徴としている。

【００２０】すなわち、この磁気抵抗効果型磁気ヘッド
は、いわゆる薄膜シールドタイプの磁気抵抗効果型磁気
ヘッドとして構成され、一対の磁気シールド薄膜の媒体
摺動面側の幅が、当該磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気
記録媒体に対する当たり幅を規制するための溝により規
制されている。

【００２１】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドによれば、
磁気シールド薄膜の摺動面側の幅方向の両側に、一対の
ガード材を接合一体化するための接着材が流入すること
がない。したがって、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドで
は、磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に溝
を形成する際に、一対のガード材に欠け等を生じさせて
しまうといった不都合を有効に抑制することができる。

【００２２】また、本発明に係る回転型磁気ヘッド装置
は、固定ドラムとこの固定ドラムに対して回転可能に設
けられた回転ドラムとを有する装置本体と、この装置本
体の回転ドラム側に取り付けられた再生用磁気ヘッドと
を備えている。そして、この回転型磁気ヘッド装置にお
いて、再生用磁気ヘッドは、一対のガード材の接合面間
に一対の磁気シールド薄膜を介してシールド間ギャップ
が形成され、このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果
素子が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドであっ
て、磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、
その長さ方向に沿って溝が形成され、この溝により、磁
気記録媒体に対する当たり幅が規制されていると共に、
上記一対の磁気シールド薄膜の上記摺動面側の幅が規制
されていることを特徴としている。

【００２３】この回転型磁気ヘッド装置において、再生
用磁気ヘッドは、いわゆる薄膜シールドタイプの磁気抵
抗効果型磁気ヘッドとして構成され、回転ドラムに取り
付けられている。そして、この再生用磁気ヘッドは、回
転ドラムが回転操作されることにより円軌跡を描いて移
動し、装置本体の外周面に巻き付けられた磁気記録媒体
上を摺動する。これにより、磁気記録媒体に書き込まれ
ていた信号が読み出されることになる。

【００２４】この回転型磁気ヘッド装置において、薄膜
シールドタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘッドとして構成
された再生用磁気ヘッドは、一対の磁気シールド薄膜の
摺動面側の幅が、磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向
の両端部に形成された溝により規制されているので、磁
気シールド薄膜の摺動面側の幅方向の両側に、一対のガ
ード材を接合一体化するための接着材が流入することが
ない。したがって、この再生用磁気ヘッドでは、磁気記
録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に溝を形成する
際に、一対のガード材に欠け等を生じさせてしまうとい
った不都合を有効に抑制することができる。

【００２５】本発明に係る回転型磁気ヘッド装置は、以
上のように、一対のガード材に欠け等を生じさせない磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを再生用磁気ヘッドとして用い
ているので、再生用磁気ヘッドが磁気記録媒体上を摺動
する際に磁気記録媒体を傷つけてしまうことがなく、磁
気記録媒体に書き込まれていた信号を適切に読み出すこ
とができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００２７】本発明を適用した磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの一例を図１及び図２に示す。この磁気抵抗効果型磁
気ヘッド（以下、ＭＲヘッド１という。）は、第１の基
板２と、この第１の基板２上に形成された第１の軟磁性
薄膜（以下、下層シールド薄膜３という。）と、この下
層シールド薄膜３上に形成された非磁性非導電性膜（以
下、下層ギャップ膜４という。）と、この下層ギャップ
膜４上に形成された磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子
５という。）と、このＭＲ素子５上に形成された非磁性
非導電性膜（以下、上層ギャップ膜６という。）と、こ
の上層ギャップ膜６上に形成された第２の軟磁性薄膜
（以下、上層シールド薄膜７という。）と、この上層シ
ールド薄膜７上に接着材を介して接合された第２の基板
８とを備えている。

【００２８】このＭＲヘッド１は、接合一体化された一
対の基板２，８により一対のガード材が構成されてい
る。そして、これら一対の基板２，８の接合面間に、下
層シールド薄膜３と上層シールド薄膜７とにより挟持さ
れたかたちで、下層ギャップ膜４、ＭＲ素子５、上層ギ
ャップ膜６がそれぞれ設けられており、下層ギャップ膜
４及び上層ギャップ膜６によりシールド間ギャップが構
成されている。このシールド間ギャップ内には、ＭＲ素
子５が配設されており、このＭＲ素子５の一端部が、記
録媒体である磁気テープに対する摺動面（以下、テープ
摺動面１１という。）から外部に露出するようになさ
れ、感磁部とされている。

【００２９】なお、図１は本発明に係るＭＲヘッド１を
示す斜視図であり、図２は図１におけるＡ部をテープ摺
動面１１側から見た図である。これら図１及び図２で
は、特徴を分かり易く示すために、上記ＭＲヘッド１の
各部を実際のものとは異なる比率で示している。

【００３０】第１の基板２及び第２の基板８は、それぞ
れ平面形状が略長方形の薄板状に形成されてなり、その
上部端面が所定の曲率を有する円弧状に成形されてい
る。また、この円弧状に成形された第１の基板２及び第
２の基板８の上部端面には、その幅方向の両端部に、長
さ方向に沿って２本の溝９，１０が形成されており、こ
れら２本の溝９，１０間の領域がテープ摺動面１１とさ
れている。

【００３１】すなわち、このＭＲヘッド１においては、
図１中矢印Ｂで示す当該ＭＲヘッド１の磁気テープに対
する摺動方向に沿って、第１の基板２及び第２の基板８
の上部端面の幅方向の両端部に２本の溝９，１０が形成
されることにより、テープ摺動面１１の幅、すなわち、
磁気テープに対する当たり幅が規制されるようになされ
ている。なお、このＭＲヘッド１においては、第１の基
板２と第２の基板８との接合面が、磁気テープに対する
摺動方向Ｂと直交する方向に対して所定のアジマス角を
もって傾斜するようになされており、テープ摺動面１１
における第１の基板２と第２の基板８との接合面に沿っ
た方向の長さが、磁気テープに対する当たり幅とは若干
異なっている。

【００３２】下層ギャップ膜４と上層ギャップ膜６は、
一対のシールド部材間のシールド間ギャップを構成する
ものである。そして、ＭＲヘッド１においては、ＭＲ素
子５がこれら下層ギャップ膜４と上層ギャップ膜６とに
より挟み込まれた状態で配設されている。

【００３３】ＭＲ素子５は、磁気抵抗効果によって磁気
テープ等の磁気記録媒体からの信号を検出するものであ
る。すなわち、ＭＲ素子５は、磁気記録媒体からの磁界
によって、その磁化方向が初めに磁化している方向から
変化することによって、その抵抗値を変化させる。ＭＲ
ヘッド１は、このＭＲ素子５の抵抗値変化を検出するこ
とにより、磁気記録媒体に記録された信号を読み取るよ
うにしている。

【００３４】ＭＲ素子５のトラック方向の両端には、こ
のＭＲ素子５の磁区を単磁区化するための一対の安定化
膜１２，１３が設けられている。また、この安定化膜１
２，１３上には、ＭＲ素子５及びＭＲ素子５に電気的に
接続される部分の抵抗値を低くするための一対の低抵抗
化膜１４，１５が設けられている。

【００３５】さらに、ＭＲヘッド１には、ＭＲ素子５に
センス電流を供給するための一対の導体部１６，１７
が、一方の端部が一対の安定化膜１２，１３と接続され
た形で設けられている。この一対の導体部１６，１７
は、一対の安定化膜１２，１３を介してＭＲ素子５に電
気的に接続されている。

【００３６】また、この一対の導体部１６，１７の他方
の端部上には、外部回路と接続される外部接続端子１
８，１９が設けられている。この外部接続端子１８，１
９は、端面が外部に露呈して、この端面にリード線等が
接続されるようになされている。

【００３７】下層シールド薄膜３と上層シールド薄膜７
は、一対の磁気シールド部材として機能するものであ
り、シールド間ギャップを構成する下層ギャップ膜４及
び上層ギャップ膜６とシールド間ギャップ内に配設され
たＭＲ素子５を挟み込むように、第１の基板２と第２の
基板８の接合面間に配設されている。

【００３８】これら下層シールド薄膜３と上層シールド
薄膜７は、そのテープ摺動面１１側の幅Ｗ１，Ｗ２が、
テープ摺動面１１における第１の基板２と第２の基板８
との接合面に沿った方向の長さＷ３と等しくされてい
る。すなわち、このＭＲヘッド１においては、第１の基
板２及び第２の基板８の上部端面の幅方向の両端部に、
磁気テープに対する当たり幅を規制するための２本の溝
９，１０が形成されることにより、下層シールド薄膜３
と上層シールド薄膜７のテープ摺動面１１側の幅、Ｗ
１，Ｗ２が規制されるようになされている。

【００３９】なお、下層シールド薄膜３と上層シールド
薄膜７のテープ摺動面１１から離間した部分では、その
幅Ｗ４は、図３に示すように、第１の基板２と第２の基
板８との接合面の幅Ｗ５と等しくされていてもよいし、
図４に示すように、第１の基板２と第２の基板８との接
合面の幅Ｗ５よりも小とされていてもよい。

【００４０】下層シールド薄膜３と上層シールド薄膜７
のテープ摺動面１１から離間した部分の幅Ｗ４を第１の
基板２と第２の基板８との接合面の幅Ｗ５と等しくした
場合には、後述する当該ＭＲヘッド１の製造工程におい
て、多数のＭＲヘッド１を単一の基板から一括して製造
する際に、基板上に短冊状の軟磁性薄膜を形成してお
き、これを分断することにより、横方向に隣接する多数
のＭＲヘッド１の下層シールド薄膜３或いは上層シール
ド薄膜７を形成することができる。したがって、この場
合には、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。特
に、この場合には、下層シールド薄膜３及び上層シール
ド薄膜７を構成する軟磁性薄膜を短冊状に形成すること
ができるので、この軟磁性薄膜に磁場をかけながら熱処
理を行うアニール処理を適切に行うことができ、下層シ
ールド薄膜３及び上層シールド薄膜７の磁気特性を非常
に良好なものとすることが可能であるという利点があ
る。

【００４１】但し、下層シールド薄膜３と上層シールド
薄膜７のテープ摺動面１１から離間した部分の幅Ｗ４が
大きいと、下層シールド薄膜３及び上層シールド薄膜７
の面積が大きくなる。これら下層シールド薄膜３及び上
層シールド薄膜７を構成する軟磁性薄膜は、第１の基板
２や第２の基板８と熱膨張係数に差があるため、下層シ
ールド薄膜３及び上層シールド薄膜７の面積があまり大
きいと、第１の基板２や第２の基板８との熱膨張係数の
差に起因して、ＭＲヘッド１にひび等が生じてしまう場
合がある。そこで、下層シールド薄膜３及び上層シール
ド薄膜７の面積を小さくして、このような不都合を回避
するためには、図４に示すように、下層シールド薄膜３
と上層シールド薄膜７のテープ摺動面１１から離間した
部分の幅Ｗ４を第１の基板２と第２の基板８との接合面
の幅Ｗ５よりも小とすることが有効である。

【００４２】以上のように構成されたＭＲヘッド１は、
薄膜形成されるＭＲ素子５の幅によりトラック幅が決定
されるので、狭トラック化が容易である。また、このＭ
Ｒヘッド１は、ＭＲ素子５がテープ摺動面１１から露出
しているので、高い再生感度が得られる。

【００４３】また、このＭＲヘッド１は、いわゆる薄膜
シールドタイプのＭＲヘッドとして構成されているの
で、シールド間ギャップの厚さの制御が容易で、良好な
周波数特性が得られる。

【００４４】さらに、このＭＲヘッド１は、下層シール
ド薄膜３及び上層シールド薄膜７のテープ摺動面１１側
の幅Ｗ１，Ｗ２が、磁気テープに対する当たり幅を規制
するための２本の溝９，１０により規制され、テープ摺
動面１１における第１の基板２と第２の基板８との接合
面に沿った方向の長さＷ３と等しくされているので、こ
れら下層シールド薄膜３及び上層シールド薄膜７の幅方
向の両側に、第１の基板２と第２の基板８とを接合一体
化するための接着材が流入することがない。したがっ
て、このＭＲヘッド１では、磁気テープに対する当たり
幅を規制するための２本の溝９，１０を形成する際に、
第１の基板２や第２の基板８に欠け等を生じさせてしま
うといった不都合を有効に抑制することができる。

【００４５】以上のように構成されたＭＲヘッド１は、
例えば図５に示すような回転型磁気ヘッド装置２０に搭
載される。

【００４６】この図５に示す回転型磁気ヘッド装置２０
は、ヘリカルスキャン方式により磁気テープＴに対して
信号の記録再生を行うように構成された記録再生装置に
用いられ、テープ走行系に案内されてこの記録再生装置
内を所定の経路で走行する磁気テープＴの記録面上に磁
気ヘッドを摺動させ、この磁気テープＴに対して信号を
書き込み、また、信号が書き込まれた磁気テープＴの記
録面上に磁気ヘッドを摺動させ、この磁気テープＴに書
き込まれた信号を読み出すものである。

【００４７】この回転型磁気ヘッド装置２０は、記録再
生装置内に固定されて設けられる固定ドラム２１と、こ
の固定ドラム２１と同軸上に設けられ、モータの駆動に
より回転操作される回転ドラム２２とを備え、全体略円
柱状に形成されている。

【００４８】固定ドラム２１は、アルミニウム等の金属
材料が所定の厚みを有する略円盤状に成形されてなり、
その外周面には、磁気テープＴの巻き付きを案内して、
その姿勢を維持するためのテープガイド溝２３が設けら
れている。このテープガイド溝２３は、固定ドラム２１
の中心軸と垂直な方向に対して所定の角度で傾斜して形
成されている。磁気テープＴは、この固定ドラム２１の
外周面に設けられたテープガイド溝２３に下端部を支持
された状態で、この回転型磁気ヘッド装置２０の外周面
に斜めに巻き付けられることになる。

【００４９】回転ドラム２２は、固定ドラム２１と同様
にアルミニウム等の金属材料が所定の厚みを有する略円
盤状に成形されてなる。そして、回転ドラム２２は、そ
の中心部にモータの軸部が挿通され、モータの駆動によ
り回転操作されるようになされている。

【００５０】また、回転ドラム２２には、磁気テープＴ
に対して信号を書き込む記録用の磁気ヘッドとしてイン
ダクティブ型の磁気ヘッド２４が取り付けられ、また、
磁気テープＴに書き込まれている信号を読み出す再生用
の磁気ヘッドとして上述したＭＲヘッド１が取り付けら
れている。これらの磁気ヘッドは、ヘッド支持基板に支
持された状態で、その先端部が回転型磁気ヘッド装置２
０の外周面から外方を臨むように、回転ドラム２２に取
り付けられている。

【００５１】以上のように構成される回転型磁気ヘッド
装置２０は、ヘリカルスキャン方式の記録再生装置内に
配設される。そして、この回転型磁気ヘッド装置２０の
外周面には、テープ走行系に案内されて図５中矢印Ｃで
示す方向へと走行する磁気テープＴが、例えば１８０度
の巻き付け角で巻き付けられる。このとき、磁気テープ
Ｔは、固定ドラム２１の外周面に形成されたテープガイ
ド溝２３に沿って巻き付けられることにより、回転型磁
気ヘッド装置２０の外周面に斜めに巻き付けられること
になる。

【００５２】回転型磁気ヘッド装置２０は、その外周面
に磁気テープＴが巻き付けられた状態で回転ドラム２２
が回転操作される。そして、この回転ドラム２２の回転
に伴って、回転ドラム２２に取り付けられた記録用の磁
気ヘッド２４や再生用のＭＲヘッド１が、回転型磁気ヘ
ッド装置２０の外周面に沿って図５中矢印Ｄ方向へ移動
し、回転型磁気ヘッド装置２０の外周面に巻き付けられ
た磁気テープＴの記録面上を斜めに摺動する。これによ
り、この磁気テープＴの信号記録面に信号が書き込ま
れ、また、信号が書き込まれた磁気テープＴの記録面か
ら信号が読み出される。

【００５３】この回転型磁気ヘッド装置２０において
は、再生用の磁気ヘッドとして、上述したＭＲヘッド１
が用いられているので、記録トラックの狭トラック化を
実現して、より高密度で信号の記録再生を行うことが可
能となる。

【００５４】また、この回転型磁気ヘッド装置２０にお
いて再生用の磁気ヘッドとして用いられるＭＲヘッド１
は、上述したように、ガード材となる第１の基板２や第
２の基板８に欠け等を生じさせない構造とされているの
で、このＭＲヘッド１を再生用の磁気ヘッドとして用い
た回転型磁気ヘッド装置２０では、磁気テープＴを傷つ
けてしまうことがなく、磁気テープＴに対する信号の記
録再生を適切に行うことができる。

【００５５】ここで、上述したＭＲヘッド１の製造方法
について以下に説明する。なお、ここでは、図３に示す
タイプのＭＲヘッド１の製造方法について説明するが、
図４に示すタイプのＭＲヘッド１を製造する場合にも、
下層シールド薄膜３となる軟磁性薄膜や上層シールド薄
膜７となる軟磁性薄膜を形成する際に、その大きさを所
定の大きさに設定するようにすれば、その他の工程は以
下に説明する工程と同様である。また、以下の説明で用
いる図面は、特徴を分かりやすく図示するために、図１
及び図２と同様に、特徴となる部分を拡大して示してい
る場合があり、各部材の寸法の比率が実際と同じである
とは限らない。

【００５６】また、以下の説明では、ＭＲヘッド１を構
成する各部材並びにその材料、大きさ及び膜厚等につい
て具体的な例を挙げるが、本発明は以下の例に限定され
るものではない。例えば、以下の説明では、ハードディ
スク装置等で実用化されているものと同様な構造を有す
る、いわゆるＳＡＬ（Soft Adjacent Layer）バイアス
方式のＭＲ素子４を用いた例を挙げるが、バイアス方法
はこの例に限定されるものではない。

【００５７】本発明に係るＭＲヘッド１を作製する際
は、まず、第１の基板２となる例えば直径４インチの円
盤状の第１の基板材３０を用意し、この第１の基板材３
０の表面に対して鏡面研磨加工を施す。この第１の基板
材３０上には、後述するように、最終的にＭＲヘッド１
となるヘッド素子が多数形成される。

【００５８】この第１の基板材３０は、最終的にガード
材としての第１の基板２となるものであり、その材料に
は高硬度の軟磁性フェライト材料を用いる。具体的に
は、例えばＮｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライ
トが好適である。

【００５９】次に、図６及び図７に示すように、第１の
基板材３０上に、最終的に下層シールド薄膜３となる軟
磁性薄膜３１をスパッタリング等により成膜する。ここ
で、軟磁性薄膜３１としては、例えば、Ｎｉ−Ｆｅ系の
合金膜が好適である。

【００６０】次に、図８及び図９に示すように、フォト
リソグラフィ技術を用いて、軟磁性薄膜３１上に、最終
的に得られる多数のＭＲヘッド１の下層シールド薄膜３
を横方向につなげた形の短冊状のレジスト膜３２を形成
する。そして、この短冊状のレジスト膜３２をマスクと
してドライエッチングを行った後、マスクとして用いた
レジスト膜３２を除去する。これにより、図１０及び図
１１に示すように、軟磁性薄膜３１がレジスト膜３２の
形状に応じた短冊状に成形されることになる。

【００６１】次に、短冊状に成形された軟磁性薄膜３１
に対して、アニール処理を行う。このアニール処理は、
軟磁性薄膜３１に磁場をかけながら熱処理を行うもので
あり、軟磁性薄膜３１の磁気特性の向上を図るためのも
のである。ここで、軟磁性薄膜３１は、最終的に得られ
る多数のＭＲヘッド１の下層シールド薄膜３を横方向に
つなげた形の短冊状に形成されているので、磁場をかけ
るのが非常に容易である。したがって、この軟磁性薄膜
３１は、アニール処理を適切に行って、その磁気特性を
非常に良好なものとすることが可能である。

【００６２】次に、短冊状の軟磁性薄膜３１が形成され
た第１の基板材３０上に非磁性非導電性膜３３をスパッ
タリング等により成膜し、表面を平坦化する。これによ
り、図１２及び図１３に示すように、隣接する軟磁性薄
膜３１間の隙間が非磁性非導電性膜３３で埋められるこ
とになる。

【００６３】次に、図１４及び図１５に示すように、非
磁性非導電性膜３３が成膜され、表面が平坦化された第
１の基板材３０上に、更に、最終的に下層ギャップ膜４
となる非磁性非導電性膜３４をスパッタリング等により
成膜する。ここで、非磁性非導電性膜３４の材料として
は、絶縁特性や耐摩耗性等の観点から、Ａｌ₂Ｏ₃が好適
である。なお、この非磁性非導電性膜４１の膜厚は、記
録信号の周波数等に応じて適切な値に設定すればよい。
本例においては、この非磁性非導電性膜４１の膜厚を１
９０ｎｍに設定している。

【００６４】次に、図１６及び図１７に示すように、非
磁性非導電性膜３４上に、ＳＡＬバイアス方式のＭＲ素
子５を構成する薄膜（以下、ＭＲ素子用薄膜３５とい
う。）をスパッタリング等により成膜する。具体的に
は、ＭＲ素子用薄膜３５は、例えば、膜厚約５ｎｍのＴ
ａ層、膜厚約４３ｎｍのＮｉＦｅＮｂ層、膜厚約５ｎｍ
のＴａ層、膜厚約４０ｎｍのＮｉＦｅ層及び膜厚約１ｎ
ｍのＴａ層が以上の順序でスパッタリングにより順次成
膜されることにより形成される。

【００６５】以上のＭＲ素子用薄膜３５においては、Ｎ
ｉＦｅ層が磁気抵抗効果を有する軟磁性膜であり、ＭＲ
素子５の感磁部となる。また、以上のＭＲ素子用薄膜３
５においては、ＮｉＦｅＮｂ層がＮｉＦｅ層に対してバ
イアス磁界を印加するためのいわゆるＳＡＬ膜となる。

【００６６】なお、ＭＲ素子用薄膜３５を構成する各層
の材料及びその膜厚は、以上の例に限定されるものでは
なく、ＭＲヘッド１の使用目的等に応じて適切な材料を
選択し、適切な膜厚に設定するようにすればよい。

【００６７】次に、図１８及び図１９示すように、フォ
トリソグラフィ技術を用いて、各ヘッド素子毎に２つの
矩形状の永久磁石膜３６ａ，３６ｂをＭＲ素子用薄膜３
５に埋め込む。この永久磁石膜３６ａ，３６ｂは、最終
的に上述したＭＲヘッド１の安定化膜１２，１３となる
ものであり、例えば、長辺方向の長さｔ１が約５０μ
ｍ、短辺方向の長さｔ２が約１０μｍとなり、２つの永
久磁石膜３６ａ，３６ｂ間の間隔ｔ３が約５μｍとなる
ように形成される。これら２つの永久磁石膜３６ａ，３
６ｂ間の間隔ｔ３が、最終的にＭＲ素子５のトラック幅
となる。すなわち、ＭＲヘッド１においては、ＭＲ素子
５のトラック幅が約５μｍとなる。

【００６８】なお、ＭＲ素子５のトラック幅は、以上の
例に限定されるものではなく、ＭＲヘッド１の使用目的
等に応じて適切な値に設定すればよい。

【００６９】次に、図２０及び図２１に示すように、Ｍ
Ｒ素子５及びＭＲ素子５に電気的に接続される部分の抵
抗値を減少させるために、永久磁石膜３６ａ，３６ｂ上
に、抵抗値の低い低抵抗化膜３７ａ，３７ｂを成膜す
る。この低抵抗化膜３７ａ，３７ｂは、最終的にＭＲヘ
ッド１の低抵抗化膜１４，１５となるものである。

【００７０】このような永久磁石膜３６ａ，３６ｂと低
抵抗化膜３７ａ，３７ｂをＭＲ素子用薄膜３５に埋め込
む際は、例えば、まず、フォトレジストにより、各ヘッ
ド素子毎に２つの長方形の開口部を有するマスクを形成
する。次に、エッチングを施して、開口部に露呈してい
たＭＲ素子用薄膜３５を除去する。なお、ここでのエッ
チングはドライ方式でもウェット方式でも構わないが、
加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチングが好
適である。

【００７１】次に、マスクが形成されたＭＲ素子用薄膜
３５上に、スパッタリング等により永久磁石膜３６ａ，
３６ｂを成膜する。なお、永久磁石膜３６ａ，３６ｂの
材料としては、保磁力が１０００［Ｏｅ］以上ある材料
が好ましく、例えば、ＣｏＮｉＰｔやＣｏＣｒＰｔ等が
好適である。

【００７２】次に、低抵抗化膜３７ａ，３７ｂをスパッ
タリング等により成膜する。なお、低抵抗化膜３７ａ，
３７ｂの材料としては、例えばＣｒ，Ｔａ等が好適であ
る。

【００７３】また、永久磁石膜３６ａ，３６ｂの膜厚及
び低抵抗化膜３７ａ，３７ｂの膜厚は、ＭＲヘッド１が
用いられる環境において必要とされる抵抗値やＭＲ素子
５のトラック幅等により決定される。本例においては、
永久磁石膜３６ａ，３６ｂの膜厚をＭＲ素子用薄膜３５
と同程度とし、低抵抗化膜３７ａ，３７ｂの膜厚を約６
０ｎｍとした。

【００７４】次に、マスクとなっていたフォトレジスト
を、このフォトレジスト上に成膜された永久磁石膜及び
低抵抗化膜とともに除去する。これにより、図２１に示
したように、所定のパターンの永久磁石膜３６ａ，３６
ｂ及び低抵抗化膜３７ａ，３７ｂが、ＭＲ素子用薄膜３
５に埋め込まれた状態とされる。なお、図１９乃至図２
１は、一つのＭＲ素子５に対応する部分、すなわち図１
８のＥ部に相当する部分を拡大して示している。また、
後掲する図２２乃至図３３も同様に一つのＭＲ素子５に
対応する部分、すなわち図１８中のＥ部に相当する部分
を拡大して示している。

【００７５】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図２２及び図２３に示すように、最終的にＭＲ素子５と
なる部分３５ａ及びこのＭＲ素子５にセンス電流を供給
するための導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃ
を残して、ＭＲ素子用薄膜３５をエッチング除去する。

【００７６】具体的には、例えば、まずフォトレジスト
により、各ヘッド素子毎に、最終的にＭＲ素子５となる
部分３５ａ及びこのＭＲ素子５にセンス電流を供給する
ための導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃとに
開口部を有するマスクを形成する。

【００７７】次に、エッチングを施して、開口部に露呈
していたＭＲ素子用薄膜３５を除去する。なお、ここで
のエッチングは、ドライ方式でもウェット方式でも構わ
ないが、加工のしやすさ等を考慮すると、イオンエッチ
ングが好適である。

【００７８】次に、マスクとなっていたフォトレジスト
を除去することにより、図２２及び図２３に示すよう
に、ＭＲ素子用薄膜３５のうち、最終的にＭＲ素子５と
なる部分３５ａ及び導体部１６，１７となる部分３５
ｂ，３５ｃとが残された状態となる。

【００７９】なお、最終的にＭＲ素子５となる部分３５
ａの幅、すなわちＭＲ素子５の幅ｔ４や導体部１６，１
７となる部分３５ｂ，３５ｃの長さｔ５及び幅ｔ６、さ
らに一対の導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃ
間の間隔ｔ７は、ＭＲヘッド１が用いられる環境に応じ
て最適な値に設定するようにすればよい。本例において
は、ＭＲ素子５の幅ｔ４を約４μｍとした。ＭＲ素子５
の幅ｔ４は、テープ摺動面１１の端部から他端までの長
さ、すなわちＭＲ素子５のデプス長に相当する。したが
って、本例のＭＲヘッド１においては、ＭＲ素子５のデ
プス長は、約４μｍとなる。

【００８０】また、本例においては、導体部１６，１７
となる部分３５ｂ，３５ｃのそれぞれの長さｔ５を約２
ｍｍとし、それぞれの幅ｔ６を約８０μｍとし、それら
の間隔ｔ７を約４０μｍとした。

【００８１】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図２４及び図２５に示すように、ＭＲ素子用薄膜３５の
導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃを、ＭＲ素
子用薄膜３５よりも電気抵抗の小さい導電膜に置き換え
て、導体部１６，１７を形成する。

【００８２】具体的には、まず、フォトレジストによ
り、ＭＲ素子用薄膜３５の導体部１６，１７となる部分
３５ｂ，３５ｃに開口部を有するマスクを形成する。次
に、エッチングを施して、開口部に露呈している部分、
すなわち導体部１６，１７となる部分３５ｂ，３５ｃに
残されていたＭＲ素子用薄膜３５を除去する。次に、フ
ォトレジストのマスクをそのまま残した状態でその上に
導電膜を成膜する。ここで、導電膜は、例えば、膜厚１
５ｎｍのＴｉ膜、膜厚４μｍのＣｕ膜、膜厚１５ｎｍの
Ｔｉ膜が以上の順序でスパッタリングにより順次成膜さ
れることにより形成される。その後、マスクとなってい
たフォトレジストを、このフォトレジスト上に成膜され
た導電膜とともに除去する。これにより、図２４及び図
２５に示したように、一対の導体部１６，１７が形成さ
れる。

【００８３】次に、図２６及び図２７に示すように、最
終的にＭＲヘッド１の上層ギャップ膜６となる非磁性非
導電性膜３８をスパッタリング等により成膜する。ここ
で、非磁性非導電成膜３８の材料には、絶縁特性や耐磨
耗性等の観点から、Ａｌ₂Ｏ₃が好適である。また、この
非磁性非導電成膜３８の膜厚は、記録信号の周波数等に
応じて適切な値に設定すればよく、本例においては１８
０ｎｍ程度とした。

【００８４】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図２８及び図２９に示すように、非磁性非導電性膜３８
上に、最終的にＭＲヘッド１の上層シールド薄膜７とな
る軟磁性薄膜３９を形成する。

【００８５】具体的には、まず、フォトレジストによ
り、下層シールド薄膜３となる軟磁性薄膜３１が形成さ
れた部分の直上に短冊状の開口部を有するマスクを形成
する。次に、上層シールド薄膜７となる軟磁性薄膜３９
をスパッタリング等により成膜する。なお、軟磁性薄膜
３９の材料としては、例えばＣｏＺｒＮｂＴａ等のアモ
ルファス積層膜が好適である。また、軟磁性薄膜３９の
膜厚は、磁気シールド効果を発揮するのに十分な膜厚と
されていればよく、本例においては約２．３μｍとし
た。

【００８６】次に、マスクとなっていたフォトレジスト
を、このフォトレジスト上に成膜された軟磁性薄膜とと
もに除去する。これにより、図２８及び図２９に示すよ
うに、最終的に得られる多数のＭＲヘッド１の上層シー
ルド薄膜７を横方向につなげた形の短冊状の軟磁性薄膜
３９が形成される。

【００８７】なお、上層シールド薄膜７となる軟磁性薄
膜３９の材料には、ＭＲ素子５等を構成する膜に影響を
与えないものであれば、上記アモルファス積層膜以外の
材料も使用可能である。また、その形成方法も、上述の
ようなスパッタリング法以外によるものであってもよ
く、例えば蒸着等によって形成するようにしてもよい。

【００８８】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
図３０及び図３１に示すように、導体部１６，１７の端
部上に外部接続端子１８，１９を形成する。

【００８９】具体的には、例えば、まずフォトレジスト
により、外部接続端子１８，１９が形成される導体部１
６，１７の端部上に開口部を有するマスクを形成する。
次に、エッチングを施して、開口部に露呈している部
分、すなわち外部接続端子１８，１９が形成される部分
の非磁性非導電性膜３８を除去し、上記導体部１６，１
７の端部を露出させる。次に、フォトレジストのマスク
をそのまま残した状態で、その上に導電膜を成膜する。
ここで導電膜は、例えば、硫酸銅溶液を用いた電解めっ
きにより、Ｃｕを６μｍ程度の膜厚となるように形成す
る。この導電膜の形成方法は、他の膜に影響を与えない
ものであれば、電解めっき以外の方法であってもよい。
その後、マスクとなっていたフォトレジストを、このフ
ォトレジスト上に成膜された導電膜とともに除去する。
これにより、図３０及び図３１に示すように、導体部１
６，１７の端部上に外部接続端子１８，１９が形成され
る。

【００９０】なお、この外部接続端子１８，１９の長さ
ｔ８は、例えば約５０μｍとされる。また、この外部接
続端子１８，１９の幅ｔ９は、導体部１６，１７の幅ｔ
６と同じであり、例えば約８０μｍとされる。

【００９１】次に、図３２及び図３３に示すように、Ｍ
Ｒヘッド１全体を外部と遮断するとともに表面の平坦化
を図るために、Ａ_l２Ｏ₃等よりなる平坦化膜４０を全面
に成膜し、一対の外部接続端子１８，１９が表面に露出
するまで、この平坦化膜４０を研磨する。ここでの研磨
は、例えば、粒径が約２μｍのダイヤモンド砥粒によ
り、外部接続端子１８，１９の表面が露出するまで粗研
磨した後、シリコン砥粒によるバフ研磨を施して、表面
を鏡面状態に仕上げるようにする。なお、この平坦化膜
４０の材料は、非磁性非導電性の材料であればＡ_l２Ｏ₃
以外も使用可能であるが、耐環境性や耐摩耗性等を考慮
するとＡｌ₂Ｏ₃が好適である。また、この平坦化膜４０
の形成方法は、スパッタリング以外の方法によるもので
あってもよく、例えば、蒸着等によって形成するように
してもよい。

【００９２】以上の工程を経ることにより、第１の基板
材３０上に、最終的にＭＲヘッド１となる多数のヘッド
素子が形成された状態となる。

【００９３】次に、多数のヘッド素子が形成された第１
の基板材３０を、横方向にヘッド素子が並ぶ短冊状に切
り分け、図３４に示すような磁気ヘッドブロック５０を
形成する。ここで、横方向に並ぶヘッド素子の数は生産
性を考慮するとできる限り多い方がよい。図３４におい
ては、ヘッド素子が横方向に５個並ぶ磁気ヘッドブロッ
ク５０を図示しているが、実際は、磁気ヘッドブロック
５０は、これ以上のヘッド素子が並ぶようにしても構わ
ない。また、本例においては、磁気ヘッドブロック５０
の高さｔ１０は約２ｍｍとしている。

【００９４】次に、図３５に示すように、磁気ヘッドブ
ロック５０上に、最終的にＭＲヘッド１の第２の基板８
となる、例えば、厚さｔ１１が約０．７ｍｍの第２の基
板材６０を貼り付け、これらを接合一体化する。この第
２の基板材６０の貼り付けには、例えば樹脂等の接着材
が用いられる。このとき、第２の基板材６０の高さｔ１
２を磁気ヘッドブロック５０の高さｔ１０よりも低くし
て、外部接続端子１６，１７を外部に露出させ、これら
の外部接続端子１６，１７に外部から接続することがで
きるようにする。この第２の基板材６０には硬質の非磁
性材料が使用される。この非磁性材料の具体的な例とし
ては、アルミナ−チタン−カーバイト（アルチック）等
が挙げられる。

【００９５】このＭＲヘッド１の製造方法では、上述し
たように、下層シールド薄膜４となる軟磁性薄膜３１を
最終的に得られる多数のＭＲヘッド１の下層シールド薄
膜３を横方向につなげた形の短冊状に形成し、上層シー
ルド薄膜７となる軟磁性薄膜３９を最終的に得られる多
数のＭＲヘッド１の上層シールド薄膜７を横方向につな
げた形の短冊状に形成しているので、磁気ヘッドブロッ
ク５０と第２の基板材６０とを接合するための接着材
が、個々のＭＲヘッド１の下層シールド薄膜４或いは上
層シールド薄膜７の両側に入り込むことがない。

【００９６】次に、最終的にＭＲヘッド１のテープ摺動
面１１となる面に対して円筒研磨加工を施し、この面を
円弧状に成形する。具体的には、ＭＲ素子５の前端がテ
ープ摺動面１１に露呈するとともに、このＭＲ素子５の
デプス長が所定の長さとなるまで円筒研磨を施す。これ
により、図３６に示すように、最終的にＭＲヘッド１の
テープ摺動面１１となる面が円弧状の曲面とされる。な
お、この円筒研磨によって形成されるテープ摺動面１１
となる面の曲面形状はテープテンション等に応じて最適
な形状とすればよく、特に限定されるものではない。

【００９７】次に、図３７に示すように、円筒研磨加工
により円弧状の曲面とされた面に砥石による研削加工を
施し、ＭＲヘッド１の当たり幅を規制するための溝９，
１０となる複数条の溝７０を形成する。これらの溝７０
は、隣接するヘッド素子間に位置して、磁気ヘッドブロ
ック５０と第２の基板材６０との接合面と直交する方向
に対して所定のアジマス角θをもって傾斜する方向に形
成される。これら複数条の溝７０が形成された面におい
て、隣接する溝７０間の領域が、最終的にＭＲヘッド１
のテープ摺動面１１となる。そして、この領域の幅が、
磁気テープに対する当たり幅とされる。したがって、こ
の溝７０の溝幅を最適な値に設定することにより、最終
的に得られるＭＲヘッド１の当たり幅を所望の値とする
ことができる。

【００９８】ここで、磁気ヘッドブロック５０に形成さ
れた下層シールド薄膜４となる軟磁性薄膜３１は、上述
したように、最終的に得られる多数のＭＲヘッド１の下
層シールド薄膜３を横方向につなげた形の短冊状とされ
ている。また、磁気ヘッドブロック５０に形成された上
層シールド薄膜７となる軟磁性薄膜３９は、上述したよ
うに、最終的に得られる多数のＭＲヘッド１の上層シー
ルド薄膜７を横方向につなげた形の短冊状とされてい
る。したがって、テープ摺動面１１となる面に溝７０を
形成することによって、図３８に示すように、これら短
冊状の軟磁性薄膜３１及び軟磁性薄膜３９のテープ摺動
面１１側の一部が削られることになる。

【００９９】そして、最終的に得られるＭＲヘッド１の
下層シールド薄膜４及び上層シールド薄膜７は、軟磁性
薄膜３１及び軟磁性薄膜３９のテープ摺動面１１側の一
部が削られることによって、そのテープ摺動面１１側の
幅Ｗ１，Ｗ２が所定の幅に規制されることになる。この
下層シールド薄膜４及び上層シールド薄膜７のテープ摺
動面１１側の幅Ｗ１，Ｗ２は、最終的に得られるＭＲヘ
ッド１のテープ摺動面１１における第１の基板２と第２
の基板８との接合面に沿った方向の長さＷ３と等しい寸
法である。すなわち、このＭＲヘッド１においては、下
層シールド薄膜４及び上層シールド薄膜７が、磁気テー
プに対する当たり幅の全域に亘って設けられることにな
る。なお、図３８は、複数条の溝７０が形成された状態
の磁気ヘッドブロック５０と第２の基板材６０の接合面
間における軟磁性薄膜３１（軟磁性薄膜３９）の様子を
模式的に示す図である。

【０１００】ところで、下層シールド薄膜４となる軟磁
性薄膜３１及び上層シールド薄膜７となる軟磁性薄膜３
９が短冊状に形成されおらず、各ＭＲヘッド１毎に分断
されて形成されている場合には、上述した磁気ヘッドブ
ロック５０と第２の基板材６０とを接合する工程におい
て、これらを接合するための接着材が、隣接する軟磁性
薄膜３１間或いは隣接する軟磁性薄膜３９間に入り込ん
で接着層が形成されることがある。そして、このように
隣接する軟磁性薄膜３１間或いは隣接する軟磁性薄膜３
９間に接着層が形成された状態で、上述したように、テ
ープ摺動面１１となる面に砥石による研削加工を施して
複数条の溝７０を形成しようとすると、テープ摺動面１
１側の接着層が剥がれ落ち、その付近の基板材に欠け等
の欠損が生じてしまう場合がある。

【０１０１】しかしながら、このＭＲヘッド１の製造方
法においては、下層シールド薄膜４となる軟磁性薄膜３
１及び上層シールド薄膜７となる軟磁性薄膜３９を短冊
状に形成するようにしているので、磁気ヘッドブロック
５０と第２の基板材６０とを接合するための接着材が入
り込むことがないので、以上のような不都合を生じさせ
ることなく、適切にＭＲヘッド１を製造することができ
る。

【０１０２】最後に、図３９に示すように、第２の基板
材６０が接合された磁気ヘッドブロック５０を、溝７０
の中心線（図３９中の一点鎖線）に沿って分断されるよ
うに切断し、切断された各ＭＲヘッド１を成形する。具
体的には、例えば、ＭＲヘッド１の磁気テープ走行方向
の長さが約０．８ｍｍ、幅が約３００μｍ、高さが約２
ｍｍとなるように、第２の基板材６０が接合された磁気
ヘッドブロック５０を、各ＭＲヘッド１毎に切断して成
形する。これにより、先に図１にて示したＭＲヘッド１
が多数得られる。

【０１０３】以上のように製造されたＭＲヘッド１は、
ヘッドベースに搭載され、外部接続端子１８，１９がヘ
ッドベースに設けられた端子部に電気的に接続される。
そして、ＭＲヘッド１は、ヘッドベースに搭載された状
態で回転ドラム２２に取り付けられ、回転型磁気ヘッド
装置２０の再生用の磁気ヘッドとして用いられることに
なる。

【０１０４】

【発明の効果】本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッド
は、一対の磁気シールド薄膜の媒体摺動面側の幅が、当
該磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気記録媒体に対する当
たり幅を規制するための溝により規制されているので、
磁気シールド薄膜の摺動面側の幅方向の両側に、一対の
ガード材を接合一体化するための接着材が流入すること
がない。したがって、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドで
は、磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に溝
を形成する際に、一対のガード材に欠け等を生じさせて
しまうといった不都合を有効に抑制することができる。

【０１０５】また、本発明に係る回転型磁気ヘッド装置
は、一対のガード材に欠け等を生じさせない磁気抵抗効
果型磁気ヘッドを再生用磁気ヘッドとして用いているの
で、再生用磁気ヘッドが磁気記録媒体上を摺動する際に
磁気記録媒体を傷つけてしまうことがなく、磁気記録媒
体に書き込まれていた信号を適切に読み出すことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドを示す斜視図である。

【図２】図１におけるＡ部をテープ摺動面側からみた様
子を示す模式図である。

【図３】上記ＭＲヘッドの一例を示す図であり、下層シ
ールド薄膜及び上層シールド薄膜のテープ摺動面から離
間した部分の幅が、第１の基板と第２の基板との接合面
の幅と等しくされている様子を示す模式図である。

【図４】上記ＭＲヘッドの一例を示す図であり、下層シ
ールド薄膜及び上層シールド薄膜のテープ摺動面から離
間した部分の幅が、第１の基板と第２の基板との接合面
の幅よりも小とされている様子を示す模式図である。

【図５】上記ＭＲヘッドを再生用磁気ヘッドとして用い
た回転型磁気ヘッド装置を示す斜視図である。

【図６】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第１の基板材上に下層シールド薄膜となる軟磁性薄
膜を成膜した状態を示す平面図である。

【図７】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図６におけるＸ１−Ｘ２線断面図である。

【図８】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、下層シールド薄膜となる軟磁性薄膜上にレジスト層
を成膜した状態を示す平面図である。

【図９】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図８におけるＸ３−Ｘ４線断面図である。

【図１０】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、下層シールド薄膜となる軟磁性薄膜を短冊状に成形
した状態を示す平面図である。

【図１１】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１０におけるＸ５−Ｘ６線断面図である。

【図１２】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、短冊状に成形した軟磁性薄膜間の隙間を埋めるよう
に非磁性非導電性膜を成膜した状態を示す平面図であ
る。

【図１３】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１２におけるＸ７−Ｘ８線断面図である。

【図１４】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、下層ギャップ膜となる非磁性非導電性膜が成膜され
た状態を示す平面図である。

【図１５】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１４におけるＸ９−Ｘ１０線断面図である。

【図１６】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、下層ギャップ膜となる非磁性非導電性膜上にＭＲ素
子用薄膜を成膜した状態を示す平面図である。

【図１７】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１６におけるＸ１１−Ｘ１２線断面図である。

【図１８】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、一対の永久磁石膜を形成した状態を示す平面図であ
る。

【図１９】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図１８におけるＥ部を拡大して示す平面図である。

【図２０】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、一対の永久磁石膜上に一対の低抵抗化膜を形成した
状態を示す平面図である。

【図２１】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２０におけるＸ１３−Ｘ１４線断面図である。

【図２２】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、ＭＲ素子となる部分及び一対の導体部となる部分以
外のＭＲ素子用薄膜を除去した状態を示す平面図であ
る。

【図２３】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２２におけるＸ１５−Ｘ１６線断面図である。

【図２４】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、一対の導体部を形成した状態を示す平面図である。

【図２５】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２４におけるＸ１７−Ｘ１８線断面図である。

【図２６】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、上層ギャップ膜となる非磁性非導電成膜を形成した
状態を示す平面図である。

【図２７】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２６におけるＸ１９−Ｘ２０線断面図である。

【図２８】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、上層シールド薄膜となる軟磁性薄膜を短冊状に形成
した状態を示す平面図である。

【図２９】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図２８におけるＸ２１−Ｘ２２線断面図である。

【図３０】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、導体部の端部に外部接続端子を形成した状態を示す
平面図である。

【図３１】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３０におけるＸ２３−Ｘ２４線断面図である。

【図３２】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、平坦化膜を形成した状態を示す平面図である。

【図３３】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、図３２におけるＸ２５−Ｘ２６線断面図である。

【図３４】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、多数のヘッド素子が形成された第１の基板材が横方
向にヘッド素子が並ぶ短冊状に切り分けられてなる磁気
ヘッドブロックを示す平面図である。

【図３５】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、上記磁気ヘッドブロックに第２の基板材を接合した
状態を示す斜視図である。

【図３６】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の基板材が接合された磁気ヘッドブロックのテ
ープ摺動面となる面に円筒研磨加工を施した状態を示す
斜視図である。

【図３７】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の基板材が接合された磁気ヘッドブロックの円
筒研磨加工が施された面に複数条の溝を形成した状態を
示す平面図である。

【図３８】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、複数条の溝が形成された状態の磁気ヘッドブロック
と第２の基板材との接合面間における軟磁性薄膜の様子
を示す模式図である。

【図３９】上記ＭＲヘッドの製造工程を説明する図であ
り、第２の基板材が接合された磁気ヘッドブロックを各
ＭＲヘッド毎に分断する様子を示す平面図である。

【図４０】ヘリカルスキャン方式の再生用ヘッドとして
構成された従来の薄膜シールドタイプのＭＲヘッドを示
す斜視図である。

【図４１】図４０におけるＧ部をテープ摺動面側からみ
た様子を示す模式図である。

【符号の説明】

１ ＭＲヘッド、２ 第１の基板、３ 下層シールド薄
膜、４ 下層ギャップ膜、５ ＭＲ素子、６ 上層ギャ
ップ膜、７ 上層シールド薄膜、８ 第２の基板、９，
１０ 溝、１１ テープ摺動面、２０ 回転型磁気ヘッ
ド装置、２１固定ドラム、２２ 回転ドラム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大沼 一紀 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D034 AA03 BA02 BA08 BA17 BA18 BA19 BB08 DA07

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対のガード材の接合面間に一対の磁気
   シールド薄膜を介してシールド間ギャップが形成され、
   このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果素子が配され
   てなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、 磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、その
   長さ方向に沿って溝が形成されており、この溝によっ
   て、磁気記録媒体に対する当たり幅が規制されていると
   共に上記一対の磁気シールド薄膜の上記摺動面側の幅が
   規制されていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
   ッド。
2. 【請求項２】 固定ドラムとこの固定ドラムに対して回
   転可能に設けられた回転ドラムとを有する装置本体と、 上記装置本体の回転ドラム側に取り付けられた再生用磁
   気ヘッドとを備え、 上記再生用磁気ヘッドは、一対のガード材の接合面間に
   一対の磁気シールド薄膜を介してシールド間ギャップが
   形成され、このシールド間ギャップ内に磁気抵抗効果素
   子が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、
   磁気記録媒体に対する摺動面の幅方向の両端部に、その
   長さ方向に沿って溝が形成されており、この溝によっ
   て、磁気記録媒体に対する当たり幅が規制されていると
   共に上記一対の磁気シールド薄膜の上記摺動面側の幅が
   規制されていることを特徴とする回転型磁気ヘッド装
   置。