JPH06290424A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH06290424A JPH06290424A JP7320393A JP7320393A JPH06290424A JP H06290424 A JPH06290424 A JP H06290424A JP 7320393 A JP7320393 A JP 7320393A JP 7320393 A JP7320393 A JP 7320393A JP H06290424 A JPH06290424 A JP H06290424A
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- Japan
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- insulating layer
- layer
- head
- magnetoresistive effect
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成しているそ
れぞれの層、膜の寿命特性を向上させ、信頼性を向上さ
せる。 【構成】 16はMRヘッドを構成する多結晶フェライ
ト基板であり、この多結晶フェライト基板16の面17
は研磨加工によって平滑で鏡面に仕上げられ、この多結
晶フェライト基板16の面17に形成された非磁性体絶
縁層である。この非磁性体絶縁層20を矢印21に示す
上面側からの研磨加工によって点線22に示す所定の位
置を平滑に鏡面にした面23にする。
れぞれの層、膜の寿命特性を向上させ、信頼性を向上さ
せる。 【構成】 16はMRヘッドを構成する多結晶フェライ
ト基板であり、この多結晶フェライト基板16の面17
は研磨加工によって平滑で鏡面に仕上げられ、この多結
晶フェライト基板16の面17に形成された非磁性体絶
縁層である。この非磁性体絶縁層20を矢印21に示す
上面側からの研磨加工によって点線22に示す所定の位
置を平滑に鏡面にした面23にする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等の磁
気記録装置に用いられる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製
造方法に関するものである。
気記録装置に用いられる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体として高保磁力、高
残留磁束密度、低ノイズの特徴を有する金属薄膜ディス
クが開発され、磁気ヘッドとしてメタルインギャップヘ
ッドや薄膜ヘッド、さらに、金属磁性膜を積層した積層
型磁気ヘッド等が開発されてきている。しかし、これ等
の磁気ヘッドは全て電磁誘導現象を利用したものであ
り、その再生出力は磁気ヘッドと磁気ディスクとの相対
速度に比例する。磁気ディスクの径が小さくなると、十
分な再生出力を得ることができなくなってくる。そのた
め、磁気抵抗効果を利用して磁気ディスクからの磁束を
感磁する磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下MRヘッド)
が使用されている。
残留磁束密度、低ノイズの特徴を有する金属薄膜ディス
クが開発され、磁気ヘッドとしてメタルインギャップヘ
ッドや薄膜ヘッド、さらに、金属磁性膜を積層した積層
型磁気ヘッド等が開発されてきている。しかし、これ等
の磁気ヘッドは全て電磁誘導現象を利用したものであ
り、その再生出力は磁気ヘッドと磁気ディスクとの相対
速度に比例する。磁気ディスクの径が小さくなると、十
分な再生出力を得ることができなくなってくる。そのた
め、磁気抵抗効果を利用して磁気ディスクからの磁束を
感磁する磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下MRヘッド)
が使用されている。
【0003】以下、従来のMRヘッドの製造方法につい
て図を参照しながら説明する。図3はMRヘッドを示す
斜視図である。図4は図3のMRヘッドの断面図を示
す。図において、1はMnZnフェライト等の多結晶フ
ェライト基板であり、この多結晶フェライト基板1の面
2が研磨加工によって平滑で鏡面に仕上げられている。
多結晶フェライト基板1の面2の上にSiO2 ,Al2
O3 等をスパッタリング等で非磁性体絶縁層3を形成す
る。この非磁性体絶縁層3の上にスパッタリング等でバ
イアス磁界を発生させる軟磁性膜4が形成される。
て図を参照しながら説明する。図3はMRヘッドを示す
斜視図である。図4は図3のMRヘッドの断面図を示
す。図において、1はMnZnフェライト等の多結晶フ
ェライト基板であり、この多結晶フェライト基板1の面
2が研磨加工によって平滑で鏡面に仕上げられている。
多結晶フェライト基板1の面2の上にSiO2 ,Al2
O3 等をスパッタリング等で非磁性体絶縁層3を形成す
る。この非磁性体絶縁層3の上にスパッタリング等でバ
イアス磁界を発生させる軟磁性膜4が形成される。
【0004】さらに軟磁性膜4を磁気的に分離するよう
にSiO2 ,Al2 O3 等をスパッタリング等で中間層
5を形成する。この中間層5の上にNiFe合金等から
なる磁気抵抗効果素子(以下MR素子と略す)6をスパ
ッタリング等で形成させる。さらにMR素子6の両端に
FeMn等からなる反強磁性膜7を設ける。この反強磁
性膜7の上に重ねてMR素子6に電流を流すリード部8
をスパッタリング等で形成させる。リード部8およびリ
ード部8との間のMR素子6の中央部の上にSiO2 ,
Al2 O3 等をスパッタリング等で酸化物絶縁層9を形
成する。
にSiO2 ,Al2 O3 等をスパッタリング等で中間層
5を形成する。この中間層5の上にNiFe合金等から
なる磁気抵抗効果素子(以下MR素子と略す)6をスパ
ッタリング等で形成させる。さらにMR素子6の両端に
FeMn等からなる反強磁性膜7を設ける。この反強磁
性膜7の上に重ねてMR素子6に電流を流すリード部8
をスパッタリング等で形成させる。リード部8およびリ
ード部8との間のMR素子6の中央部の上にSiO2 ,
Al2 O3 等をスパッタリング等で酸化物絶縁層9を形
成する。
【0005】さらに酸化物絶縁層9の上にNiFe合金
等からなる下部磁性層10をスパッタリング等で形成す
る。この下部磁性層10の上にSiO2 ,Al2 O3 等
をスパッタリング等で書き込み用の磁気ギャップ11が
形成される。又、下部磁性層10の上に書き込み用の電
流を流す為の銅膜からなるコイル12を設ける。このコ
イル12を絶縁する絶縁層13が形成される。さらに磁
気ギャップ11とコイル12を絶縁している絶縁層13
を覆うようにNiFe合金等からなる上部磁性層14を
スパッタリング等で形成する。この様にして下部磁性層
10を上部磁性層14との間に磁気ギャップ11とコイ
ル12を有した書き込み用の磁気回路が形成される。
等からなる下部磁性層10をスパッタリング等で形成す
る。この下部磁性層10の上にSiO2 ,Al2 O3 等
をスパッタリング等で書き込み用の磁気ギャップ11が
形成される。又、下部磁性層10の上に書き込み用の電
流を流す為の銅膜からなるコイル12を設ける。このコ
イル12を絶縁する絶縁層13が形成される。さらに磁
気ギャップ11とコイル12を絶縁している絶縁層13
を覆うようにNiFe合金等からなる上部磁性層14を
スパッタリング等で形成する。この様にして下部磁性層
10を上部磁性層14との間に磁気ギャップ11とコイ
ル12を有した書き込み用の磁気回路が形成される。
【0006】このように構成したMRヘッドの動作を説
明する。まず、書き込みについて説明する。回転してい
る磁気記録媒体と磁気ヘッドを浮上させた状態で、書き
込み用のコイル12に信号電流を流すことによって磁気
ギャップ11の近傍に信号電流に比例した磁界を発生さ
せて、記録された信号を消去すると共に磁気記録媒体の
磁性層を磁化させて磁気記録する。
明する。まず、書き込みについて説明する。回転してい
る磁気記録媒体と磁気ヘッドを浮上させた状態で、書き
込み用のコイル12に信号電流を流すことによって磁気
ギャップ11の近傍に信号電流に比例した磁界を発生さ
せて、記録された信号を消去すると共に磁気記録媒体の
磁性層を磁化させて磁気記録する。
【0007】次に再生について説明する。回転している
磁気記録媒体と磁気ヘッドを浮上させて、一方のリード
部8よりセンス電流は反強磁性膜7を介してMR素子6
に供給され他方のリード部8へと流れる。この時、MR
素子6に流れるセンス電流はMR素子6と軟磁性膜4と
中間層5との抵抗比により、MR素子6と軟磁性膜4と
中間層5とに分流することになる。通常、軟磁性膜4と
中間層5はMR素子6に比べて比抵抗の大きな材料を選
択するためセンス電流は略MR素子6に流れることにな
る。
磁気記録媒体と磁気ヘッドを浮上させて、一方のリード
部8よりセンス電流は反強磁性膜7を介してMR素子6
に供給され他方のリード部8へと流れる。この時、MR
素子6に流れるセンス電流はMR素子6と軟磁性膜4と
中間層5との抵抗比により、MR素子6と軟磁性膜4と
中間層5とに分流することになる。通常、軟磁性膜4と
中間層5はMR素子6に比べて比抵抗の大きな材料を選
択するためセンス電流は略MR素子6に流れることにな
る。
【0008】MR素子6の端部と端部の間の再生部6a
の図中矢印15方向の磁化容易軸方向にセンス電流を流
し、このセンス電流により中間層5を介して配置された
軟磁性膜4が磁化される。そして磁化された軟磁性膜4
から発生する磁界によりMR素子6にバイアス磁界が印
加される。一方、MR素子6の再生部6aの磁化容易軸
方向に垂直な膜面内磁化困難軸方向に、磁気記録媒体に
記録された磁束の信号磁界を流入させると、流入した磁
束によってMR素子6の抵抗が変化する。この抵抗変化
を再生出力電圧として検出する。
の図中矢印15方向の磁化容易軸方向にセンス電流を流
し、このセンス電流により中間層5を介して配置された
軟磁性膜4が磁化される。そして磁化された軟磁性膜4
から発生する磁界によりMR素子6にバイアス磁界が印
加される。一方、MR素子6の再生部6aの磁化容易軸
方向に垂直な膜面内磁化困難軸方向に、磁気記録媒体に
記録された磁束の信号磁界を流入させると、流入した磁
束によってMR素子6の抵抗が変化する。この抵抗変化
を再生出力電圧として検出する。
【0009】このように磁気記録媒体から発生する磁束
を電圧として検出するときに相対速度に依存せずに再生
出力電圧を得ることができる。
を電圧として検出するときに相対速度に依存せずに再生
出力電圧を得ることができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の製造方法
では、図3に示すように多結晶フェライト基板1の面2
を研磨加工によって平滑で鏡面に仕上げられているが、
多結晶体であるために加工中の結晶粒の脱粒によって面
2にポアや結晶粒の脱粒に伴うスクラッチが残り、その
面2に次の工程のSiO2 ,Al2 O3 等をスパッタリ
ング等で非磁性体絶縁層3を形成するが、その際、非磁
性体絶縁層3を形成した面に、面2のポアやスクラッチ
がRa=150Å程度の表面荒さが残る。この表面荒さ
によってMRヘッドを構成する各種の膜の寿命特性が劣
化し、信頼性が低下するという問題点を有していた。
では、図3に示すように多結晶フェライト基板1の面2
を研磨加工によって平滑で鏡面に仕上げられているが、
多結晶体であるために加工中の結晶粒の脱粒によって面
2にポアや結晶粒の脱粒に伴うスクラッチが残り、その
面2に次の工程のSiO2 ,Al2 O3 等をスパッタリ
ング等で非磁性体絶縁層3を形成するが、その際、非磁
性体絶縁層3を形成した面に、面2のポアやスクラッチ
がRa=150Å程度の表面荒さが残る。この表面荒さ
によってMRヘッドを構成する各種の膜の寿命特性が劣
化し、信頼性が低下するという問題点を有していた。
【0011】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のMRヘッドの製造方法は、多結晶フェライト
基板に非磁性体絶縁層を形成した後に、非磁性体絶縁層
を研磨加工をして形成した構成を有している。
に本発明のMRヘッドの製造方法は、多結晶フェライト
基板に非磁性体絶縁層を形成した後に、非磁性体絶縁層
を研磨加工をして形成した構成を有している。
【0012】
【作用】この構成によって、残存していたポアやスクラ
ッチを無くした非磁性体絶縁層の面に他の層、膜を形成
したので他の層、膜の寿命特性が向上し、信頼性を向上
させたMRヘッドを得ることができる。
ッチを無くした非磁性体絶縁層の面に他の層、膜を形成
したので他の層、膜の寿命特性が向上し、信頼性を向上
させたMRヘッドを得ることができる。
【0013】
【実施例】以下本発明の一実施例について図を参照しな
がら説明する。図1において、16はMRヘッドを構成
するMnZnからなる多結晶フェライト基板であり、こ
の多結晶フェライト基板16の面17は研磨加工によっ
て平滑で鏡面に仕上げられている。18は面17に研磨
加工中に結晶粒の脱粒から生じたポア、19は研磨加工
中に脱粒した結晶粒が起因して生じたスクラッチであ
る。
がら説明する。図1において、16はMRヘッドを構成
するMnZnからなる多結晶フェライト基板であり、こ
の多結晶フェライト基板16の面17は研磨加工によっ
て平滑で鏡面に仕上げられている。18は面17に研磨
加工中に結晶粒の脱粒から生じたポア、19は研磨加工
中に脱粒した結晶粒が起因して生じたスクラッチであ
る。
【0014】図2において、20は多結晶フェライト基
板16の面17にSiO2 ,Al2O3 等をスパッタリ
ング等で形成された非磁性体絶縁層である。この非磁性
体絶縁層20の上面21に非磁性体絶縁層20が点線2
2に示す厚さになるまで、研磨加工を施して、図2
(b)に示す様に非磁性体絶縁層20の面23を鏡面に
加工する。
板16の面17にSiO2 ,Al2O3 等をスパッタリ
ング等で形成された非磁性体絶縁層である。この非磁性
体絶縁層20の上面21に非磁性体絶縁層20が点線2
2に示す厚さになるまで、研磨加工を施して、図2
(b)に示す様に非磁性体絶縁層20の面23を鏡面に
加工する。
【0015】次に鏡面にした面23に従来技術の工程に
従って他の層、膜を形成してMRヘッドを形成するので
説明は省略する。
従って他の層、膜を形成してMRヘッドを形成するので
説明は省略する。
【0016】この様に本発明の実施例によれば、従来は
多結晶フェライト基板を研磨加工した面の表面荒さがR
a=150Åという状態でSiO2 ,Al2 O3 等をス
パッタリング等で非磁性体絶縁層20を形成し、更に、
それぞれの他の層、膜を形成してMRヘッドを構成して
いたので、MRヘッドを構成する膜の寿命特性が劣化さ
れ易かったが、多結晶フェライト基板16の面17にS
iO2 ,Al2 O3 等をスパッタリング等で非磁性体絶
縁層20を形成し、形成した際非磁性体絶縁層20に残
存した多結晶フェライト基板16の面17からのポア1
8やスクラッチ19を研磨加工することによって面23
には残存したポアやスクラッチが無くなる。この様な面
23に従来技術の工程に従って他の層、膜を形成すると
他の層、膜の寿命特性が向上し、MRヘッドの信頼性を
向上させる。
多結晶フェライト基板を研磨加工した面の表面荒さがR
a=150Åという状態でSiO2 ,Al2 O3 等をス
パッタリング等で非磁性体絶縁層20を形成し、更に、
それぞれの他の層、膜を形成してMRヘッドを構成して
いたので、MRヘッドを構成する膜の寿命特性が劣化さ
れ易かったが、多結晶フェライト基板16の面17にS
iO2 ,Al2 O3 等をスパッタリング等で非磁性体絶
縁層20を形成し、形成した際非磁性体絶縁層20に残
存した多結晶フェライト基板16の面17からのポア1
8やスクラッチ19を研磨加工することによって面23
には残存したポアやスクラッチが無くなる。この様な面
23に従来技術の工程に従って他の層、膜を形成すると
他の層、膜の寿命特性が向上し、MRヘッドの信頼性を
向上させる。
【0017】尚、本発明の実施例では書き込み用の磁気
ヘッドとMRヘッドとを一体にしたMRヘッドについて
説明したが、読みだし(再生)専用のMRヘッドについ
ても、形成した際非磁性体絶縁層に残存した多結晶フェ
ライト基板の面からのポアやスクラッチは、非磁性体絶
縁層を研磨加工すれば残存したポアやスクラッチを無く
すことができるので同じ効果が得られる。
ヘッドとMRヘッドとを一体にしたMRヘッドについて
説明したが、読みだし(再生)専用のMRヘッドについ
ても、形成した際非磁性体絶縁層に残存した多結晶フェ
ライト基板の面からのポアやスクラッチは、非磁性体絶
縁層を研磨加工すれば残存したポアやスクラッチを無く
すことができるので同じ効果が得られる。
【0018】図5,図6はそれぞれ本実施例と従来例と
のMR素子の磁気抵抗特性を示すグラフである。
のMR素子の磁気抵抗特性を示すグラフである。
【0019】図5,図6から判る様に、本実施例では従
来例に比べて抵抗値変化aが大きくなり、又Hk が小さ
くなっている事がわかる。
来例に比べて抵抗値変化aが大きくなり、又Hk が小さ
くなっている事がわかる。
【0020】これは本実施例ではMR素子の下地にポア
やスクラッチがないためにMR素子の一軸異方性が強化
され分散が小さくなったからだと考えられる。
やスクラッチがないためにMR素子の一軸異方性が強化
され分散が小さくなったからだと考えられる。
【0021】この様に本実施例では、再生出力が高くな
り、バイアス特性が改善される。
り、バイアス特性が改善される。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明は、非磁性体絶縁層
に残存した多結晶フェライト基板の面からのポアやスク
ラッチは、非磁性体絶縁層を研磨加工することによって
残存していたポアやスクラッチを無くしたので、研磨加
工した非磁性体絶縁層の面に従来技術の工程に従って他
の層、膜を形成したので他の層、膜の寿命特性が向上
し、信頼性を向上させたMRヘッドの提供が可能とな
る。
に残存した多結晶フェライト基板の面からのポアやスク
ラッチは、非磁性体絶縁層を研磨加工することによって
残存していたポアやスクラッチを無くしたので、研磨加
工した非磁性体絶縁層の面に従来技術の工程に従って他
の層、膜を形成したので他の層、膜の寿命特性が向上
し、信頼性を向上させたMRヘッドの提供が可能とな
る。
【図1】本発明の実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法を示す斜視図
ッドの製造方法を示す斜視図
【図2】本発明の実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法を示す斜視図
ッドの製造方法を示す斜視図
【図3】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図
【図4】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの断面図
【図5】本実施例のMR素子の磁気抵抗特性を示すグラ
フ
フ
【図6】従来例のMR素子の磁気抵抗特性を示すグラフ
16 多結晶フェライト基板 17 面 18 ポア 19 スクラッチ 20 非磁性体絶縁層 21 上面 22 点線 23 面
Claims (1)
- 【請求項1】多結晶フェライト基板の上に非磁性体絶縁
層を設け、前記非磁性体絶縁層の表面を研磨加工した後
に、この面にバイアス磁界を発生させる軟磁性膜を形成
し、前記軟磁性膜の上に磁気的に分離する中間層を設
け、前記中間層に磁気抵抗効果素子を形成し、前記磁気
抵抗効果素子の両端に反強磁性膜を設けると共に、前記
反強磁性膜に重ねて前記磁気抵抗効果素子へ電流を流す
リード部を設け、前記リード部と前記リード部との間の
前記磁気抵抗効果素子の中央部の上にそれぞれ酸化物絶
縁層を形成すると共に、前記酸化物絶縁層の上に下部磁
性層を形成し、前記下部磁性層に書き込み用の磁気ギャ
ップとなる磁気ギャップ部を設けると共に、書き込み用
の電流を流す銅膜からなるコイル部を設け、前記コイル
部を絶縁する絶縁層を設け、前記磁気ギャップを介して
前記コイル部の絶縁層を覆うように上部磁性層を形成し
たことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7320393A JPH06290424A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7320393A JPH06290424A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06290424A true JPH06290424A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=13511361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7320393A Pending JPH06290424A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06290424A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002063641A1 (fr) | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Aimant permanent et procede de production dudit aimant |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP7320393A patent/JPH06290424A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002063641A1 (fr) | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Aimant permanent et procede de production dudit aimant |
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