JP3180906B2 - 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 - Google Patents

磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型複
合ヘッドの製造方法に係わり、特に、読み出しヘッドに
対して記録ヘッドを精度良く形成することを可能にした
抵抗効果型複合ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型
ヘッドは、近年のハード磁気ディスク装置の小型化、大
容量化を推進するキーデバイスであり、その中でも抵抗
変化が２枚の隣接する磁性層の磁化方向間の余弦と対応
するスピンバルブ効果を利用したものは、小さな信号磁
界に対し大きな抵抗変化を示すことから、盛んに開発が
進められている。
【０００３】最も実用的な構造は図３に示すように、一
対の対向する磁気シールド１及び磁気シールド６と、磁
気シールド１，６の間隙内に設けられた磁気記録媒体上
の磁界を感知する磁気抵抗効果素子３とが読み出し磁気
ギャップ２ａ，２ｂを介して設けられる磁気抵抗効果型
ヘッドと、磁気シールド６を一方の磁極とし、他方の磁
極８が磁極６に対し磁気抵抗効果素子３が設けられる側
と反対側に形成され、磁極６及び磁極８を励磁するため
のコイル（図示せず）が設けられ、磁極６及び磁極８間
に設けられた書き込み磁気ギャップ７から発生する磁界
により磁気記録媒体上に情報の書き込みを行なうインダ
クティブ型ヘッドとからなる複合化された磁気抵抗効果
型複合ヘッドが知られている。しかしながら、このよう
な構造の複合型ヘッドでは書き込み中に無視できないサ
イドフリンジ磁界を生じることがわかっている。これは
本来情報の書き込み幅を規定する磁極８の幅に対し磁気
シールドを兼用する磁極６の幅が幅広な構造となってい
るために、磁極８の幅を超えた磁極６部分への磁束の漏
れによって引き起こされる。このサイドフリンジ磁界
は、達成できる最小書き込み幅を制限するために、より
高い記録密度の実現に際してはサイドフリンジ磁界を極
力小さくする構造が必要である。このサイドフリンジ磁
界を低減する方法が特開平７−２６２５１９号公報に開
示されている。
【０００４】この公報に記載された方法では図４に示す
ように、磁極８をマスクとして磁極６を適当な深さまで
イオンビームミリングによりエッチングし、磁極６の書
き込みギャップ７に隣接する部分を磁極８と同一の幅に
切り揃えることによりサイドフリンジ磁界を抑制してい
る。ただしこの方法では図４に示すように、磁極８が磁
極６のエッチング時に同時にエッチングされるから、顕
著な膜減りを起こす。磁極８の膜減りは磁極の磁気飽和
現象等により書き込み特性の劣化を引き起こす可能性が
ある。したがって、所望の書き込み特性を得るに十分な
厚さの磁極８の厚みを最終的に得るためには、あらかじ
めこの膜減り分を見込みフレームメッキ法による磁極８
の形成膜厚を厚めに設定する、即ち、そのためにはフレ
ーム高さを大きくする必要があった。一般にフレーム高
さを高く確保することはフレーム間隔の狭幅化、即ち、
書き込み幅の狭幅化を妨げる要因となる。特開平７−２
６２５１９号公報ではこの方法による狭幅化の限界を２
μｍとしており、これ以下の書き込み幅を得ることは困
難であった。
【０００５】この問題を解決する方法としてウェハ工程
を終了したバー加工工程において、媒体対向面からイオ
ンビームエッチングにより書き込み幅を規定する方法が
特開平５−１４３９２７号公報に開示されている。この
方法では磁極８の厚みとは別個に所望の書き込み幅を形
成できるために、狭幅の書き込み幅とサイドフリンジ磁
界の低減を同時に達成する構造を容易に得ることができ
る。
【０００６】一方、情報の書き込みを行なうインダクテ
ィブヘッドの書き込みトラック位置と、情報の読み出し
を行なう磁気抵抗効果型ヘッドの読み出しトラック位置
の相対的な位置関係の管理を厳密に行なう必要性が高ま
ってきた。これは磁気ディスク装置における理想的な情
報の読み出し・書き込み動作を行なうには必須の事項
で、特に書き込み幅が１μｍ以下と狭幅化するにつれ
て、その位置関係の管理を０．１μｍの精度で行なう必
要性が生じている。この点について特開平５−１４３９
２７号公報では読み出しトラックの位置を示すマーク
を、イオンビームエッチングによる書き込み磁極の加工
時に観察可能な位置に設けることを述べている。更にマ
ークの形成法として読み出しトラックの位置決めに用い
たフォトマスクと同じパターンをもつフォトマスクを用
い、別工程において所定のマークを形成する方法が開示
されている。しかしこの方法ではマークの形成工程と読
み出しトラックの位置決め工程とが同一工程ではないた
め、たとえ同じパターンをもつフォトマスクを用いたと
しても両者のアライメントについてはある程度のばらつ
きがそのまま残存してしまう。したがって、上記マーク
を基準に書き込み磁極の加工を行なっても、読み出しト
ラックと書き込みトラックの位置関係を直接的に保証す
ることは出来ないという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、書き込み時のサイドフリ
ンジ磁界を低減すると共に、特に、書き込み幅が１μｍ
以下という狭幅の状態でも書き込みトラック位置と読み
出しトラック位置との位置関係を厳密に管理することを
可能にした新規な磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる磁
気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法の第１態様は、磁気
記録媒体上の磁界を感知する磁気抵抗効果素子と、この
磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する電極部とが、
磁気ギャップを介して対向して設けられた一対の第１の
磁気シールド及び第２の磁気シールド間に設けられた磁
気抵抗効果型ヘッドと、前記第２の磁気シールドを磁極
とする第１の磁極と、前記第２の磁気シールドに対して
前記磁気抵抗効果素子が設けられた側と反対側に形成さ
れた第２の磁極と、前記第１の磁極及び第２の磁極を励
磁するためのコイルとからなり、前記第１の磁極と第２
の磁極との間に設けられた書き込み磁気ギャップから発
生する磁界により前記磁気記録媒体上に情報の書き込み
を行なうインダクティブ型ヘッドとで構成した磁気抵抗
効果型複合ヘッドの製造方法において、磁気記録媒体と
対向する面に前記第１の磁極および第２の磁極の幅を規
定するための凹部を形成すると共に、前記凹部は前記電
極部の端部を基準に形成することを特徴とするものであ
り、又、第２態様は、前記電極部を、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、
Ｔａから選ばれる材料で形成することを特徴とするもの
であり、又、第３態様は、前記電極部を形成する工程
が、フォトレジストマスクを用いてスパッタ成膜後リフ
トオフする工程を含み、前記スパッタ成膜がスパッタ粒
子の指向性の高いスパッタ法を用いることを特徴とする
ものであり、又、第４態様は、前記電極部を形成するス
パッタ成膜法にイオンビームスパッタを用いることを特
徴とするものであり、又、第５態様は、前記凹部を形成
後、この凹部内に非磁性材料を充填し、その後、前記非
磁性膜が形成された面を研磨し所定の形状にすることを
特徴とするものであり、又、第６態様は、前記磁極の幅
が１μｍ以下となるように前記凹部を形成することを特
徴とするものであり、又、第７態様は、前記凹部の形成
は、集束イオンビームを用いて行なうことを特徴とする
ものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係わる磁気抵抗効果型複
合ヘッドの製造方法は、磁気記録媒体上の磁界を感知す
る磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子にセンス
電流を供給する電極部とが、磁気ギャップを介して対向
して設けられた一対の第１の磁気シールド及び第２の磁
気シールド間に設けられた磁気抵抗効果型ヘッドと、前
記第２の磁気シールドを磁極とする第１の磁極と、前記
第２の磁気シールドに対して前記磁気抵抗効果素子が設
けられた側と反対側に形成された第２の磁極と、前記第
１の磁極及び第２の磁極を励磁するためのコイルとから
なり、前記第１の磁極と第２の磁極との間に設けられた
書き込み磁気ギャップから発生する磁界により前記磁気
記録媒体上に情報の書き込みを行なうインダクティブ型
ヘッドとで構成した磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方
法において、磁気記録媒体と対向する面に前記第１の磁
極および第２の磁極の幅を規定するための凹部を形成す
ると共に、前記凹部は前記電極部の端部を基準に形成す
ることを特徴とするものであり、又、前記電極部を、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａから選ばれる材料で形成することを
特徴とするものである。
【００１０】又、本発明に係わる磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドは、磁気記録媒体上の磁界を感知する磁気抵抗効果
素子と、この磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する
電極部とが、磁気ギャップを介して対向して設けられた
一対の第１の磁気シールド及び第２の磁気シールド間に
設けられた磁気抵抗効果型ヘッドと、前記第２の磁気シ
ールドを磁極とする第１の磁極と、前記第２の磁気シー
ルドに対して前記磁気抵抗効果素子が設けられた側と反
対側に形成された第２の磁極と、前記第１の磁極及び第
２の磁極を励磁するためのコイルとからなり、前記第１
の磁極と第２の磁極との間に設けられた書き込み磁気ギ
ャップから発生する磁界により前記磁気記録媒体上に情
報の書き込みを行なうインダクティブ型ヘッドとで構成
した磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、磁気記録媒体
と対向する面に前記第１の磁極および第２の磁極の幅を
規定するための凹部を形成すると共に、前記凹部の端部
と前記電極部の端部とが所定の位置関係にあることを特
徴とするものである。
【００１１】本発明者は、書き込み幅が１μｍ以下と狭
い幅の磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、読み出しト
ラック位置と書き込みトラック位置の位置関係の管理を
０．１μｍの精度で行なうべく検討を重ねた結果、磁気
抵抗効果素子にセンス電流を供給する電極部の材料を最
適なものにすることにより、読み出しトラックの位置の
認識を飛躍的に向上させ、これにより、読み出しトラッ
ク位置を直接基準とした書き込み磁極の加工を可能にし
た。これは電極を形成する材料をＡｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ
から選ぶことにより画像認識信号の強度を例えばＣｕ等
の電極材料を用いたときに比べ大幅に改善することがで
きたためである。また、記録密度の向上に対応した読み
出しギャップの薄層化に伴い、電極膜は１００ｎｍ程度
以下に薄層化する必要があるが、このような薄い電極膜
厚においても、電極材料をＡｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａから選
ぶことにより、加工面から見た磁気抵抗効果型複合ヘッ
ドの構成部材であるＡｌ2 Ｏ3 膜やＮｉ−Ｆｅ膜に比べ
十分なコントラストが得られることを確認した。
【００１２】一方、特開平５−１４３９２７号公報にも
記載があるように、一般に電極部端部はテーパー形状を
有するため、電極部端部において読み出しトラック位置
を規定する構造の場合、その位置を正確に認識すること
は困難であった。これについても電極部の形成工程を最
適なものにすることにより、読み出しトラックの位置の
認識が飛躍的に向上し、読み出しトラック位置を直接基
準とした書き込み磁極の加工を可能にした。図２に電極
部を形成する工程を示す。フォトレジストマスクを用い
てスパッタ成膜後リフトオフする場合において、通常の
高周波スパッタ法やマグネトロンスパッタ法を用いた場
合（図２（ｂ））と、粒子の指向性の高いスパッタ法、
具体的には、イオンビームスパッタを用いた場合（図２
（ａ））の電極端部の形状模式図を示す。イオンビーム
スパッタを用いた場合、フォトレジストマスク２０下側
へのスパッタ粒子の回り込みが少なく、電極５の端部形
状を正確に確定することができ、又、読み出しトラック
位置の認識精度が格段に向上することがわかった。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明に係わる磁気抵抗効果型複合
ヘッドの製造方法の具体例を図面を参照しながら詳細に
説明する。図１は、本発明に係わる磁気抵抗効果型複合
ヘッドの製造方法の具体例の構造を示すずであって、こ
れらの図には、磁気記録媒体上の磁界を感知する磁気抵
抗効果素子３と、この磁気抵抗効果素子３にセンス電流
を供給する電極部５とが、磁気ギャップ２ａ，２ｂを介
して対向して設けられた一対の第１の磁気シールド１及
び第２の磁気シールド６間に設けられた磁気抵抗効果型
ヘッドと、前記第２の磁気シールド６を磁極とする第１
の磁極６と、前記第２の磁気シールド６に対して前記磁
気抵抗効果素子３が設けられた側と反対側に形成された
第２の磁極８と、前記第１の磁極６及び第２の磁極８を
励磁するためのコイルとからなり、前記第１の磁極６と
第２の磁極８との間に設けられた書き込み磁気ギャップ
７から発生する磁界により前記磁気記録媒体上に情報の
書き込みを行なうインダクティブ型ヘッドとで構成した
磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法において、磁気記
録媒体と対向する面に前記第１の磁極６および第２の磁
極８の幅を規定するための凹部１０を形成すると共に、
前記凹部１０は前記電極部５の端部５ａを基準に形成す
ることを特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方
法が示されている。
【００１４】以下に、本発明を更に詳細に説明する。実施例１ 図１は本発明の実施例の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製
造方法を示す図であり、それぞれの図は磁気ディスク装
置として組み立てられたときの、磁気記録媒体の表面に
平行な面で切ったときの断面図である。スピンバルブ素
子から成る磁気抵抗効果素子３と、これに隣接しセンス
電流を供給する電極部５と、これらを読み出しギャップ
２ａ，２ｂを介して挟み込むように形成された一対の磁
気シールド１，６とで、読み出し機能を有する磁気抵抗
効果型ヘッドが構成されている。ここでは磁気抵抗効果
素子３の磁区制御のために、バイアス磁界を印加するバ
イアス磁界印加部４を備えた構造を示している。又、磁
気シールド６を一方の書き込み磁極６として用い、その
上に書き込みギャップ７、更に、他方の書き込み磁極８
が形成され、書き込み機能を有するインダクティブ型ヘ
ッドが構成されている。その上部には全体を保護するた
めのオーバーコート（図示せず）が設けられている。
【００１５】なお、図１においては、励磁用のコイルは
省略しているので示されていない。次にこの実施例の磁
気抵抗効果型ヘッドを実際に作製する工程を図１を参照
しながら説明する。はじめにスピンバルブ効果を利用し
た読み出し機能を有する磁気抵抗効果型ヘッドの作製法
について述べる。最終工程にてスライダ形状に加工され
る基板（図示せず）にＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板を用い、
その上にスパッタ法により膜厚１μｍのＣｏ−Ｚｒ−Ｔ
ａ膜を形成した。その後、初期熱処理として磁気記録装
置として組み立てられたときのトラック幅方向に静磁場
を印加しながら３５０℃、１時間の熱処理を行なった。
これをパターニングし磁気シールド１を形成した後、読
み出しギャップ２ａとなる０．０５μｍ厚のＡｌ2 Ｏ3
膜をスパッタ法により形成した。続いてスパッタ法によ
り磁気シールド１側からＺｒ，Ｐｔ−Ｍｎ，ＣｏＦｅ，
Ｃｕ，Ｃｏ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｚｒの順に成膜し、ス
ピンバルブ積層体を形成した。膜厚はそれぞれ３，２
５，４，２．５，１，７，３ｎｍとした。この成膜後、
スピンバルブ積層体における磁化方向確定のために、磁
気シールド１の初期熱処理時と直交する方向の静磁場中
において、２５０℃、５時間の熱処理を行なった。次
に、これを所定形状にパターニングし、磁気抵抗効果素
子部３を形成した。さらに磁気抵抗効果素子部３の磁区
制御のためにバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加
部４を構成する永久磁石膜として２０ｎｍ厚のＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ膜と、磁気抵抗効果素子部３にセンス電流を供
給するための電極部５の５０ｎｍ厚のＡｕ膜をスパッタ
法により形成し、所定形状に加工した。特にＡｕ膜の成
膜についてはイオンビームスパッタ法を用い端部形状の
正確な確定に配慮した。次に読み出しギャップ２ｂとな
る０．０７μｍ厚のＡｌ2 Ｏ3 膜をスパッタ法により形
成した。その後磁気シールド６となる膜厚２μｍのＮｉ
−Ｆｅ膜をフレームメッキ法により形成した。
【００１６】続いて書き込み機能を有するインダクティ
ブ型ヘッドの作製法について述べる。前述の工程の後、
０．２μｍ厚のＡｌ2 Ｏ3 膜から成る書き込みギャップ
７をスパッタ法により形成した。次に書き込み磁極励磁
用のコイル部（図示せず）を形成した。具体的にはハー
ドキュアフォトレジストから成るコイル絶縁部、フレー
ムメッキ法によるＣｕコイル部、ハードキュアフォトレ
ジストから成るコイル絶縁部の順で、Ｃｕコイル部がハ
ードキュアフォトレジストに埋め込まれた構造を形成し
た。ここでフォトレジストのハードキュアのために２３
０℃、１時間の熱処理を行なった。続いてフレームメッ
キ法により書き込み磁極８となる膜厚３μｍのＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜を形成した。次に磁極６，８の磁化方向確定
のために、磁気記録装置として組み立てられたときのト
ラック幅方向の静磁場中において、２００℃、１時間の
熱処理を行なった。最後に全体をカバーするようにＡｌ
2Ｏ3 膜から成るオーバーコート（図示せず）を形成し
た。
【００１７】以上のウェハ工程を終えた後、ウェハをバ
ー形状に切り出す工程、バーの媒体対向面を研磨する工
程を順次行い、その後、媒体対向面に露出した書き込み
磁極８の幅を規定するための凹部１０の形成を行なっ
た。この凹部１０の形成は集束イオンビーム（ＦＩＢ）
を用いて行なった。具体的にはまずＡｕ電極部５の端部
５ａの位置の画像認識を行い、この位置を基準に凹部加
工ボックス１０を配置した後、Ｇａイオンビームを用
い、加速電圧５０ｋＶで所定のＤｏｓｅ量を凹部加工ボ
ックス１１の位置に照射した。このときＡｕ電極部５の
端部５ａと加工ボックス１１の位置関係は、読み出しト
ラック幅と書き込みトラック幅の位置ずれ量がゼロとな
るように設定した。また、書き込みトラック幅に相当す
る磁極８の残し幅は０．５μｍとし、凹部１０の深さは
１μｍとした。
【００１８】続いてＦＩＢにより形成された凹部１０を
埋め込むために媒体対向面に膜厚２μｍのＡｌ2 Ｏ3 膜
をスパッタ法により形成した。このとき基板バイアスを
印加することにより凹部１０内のＡｌ2 Ｏ3 膜の充填率
を高める施策を行なった。続いて再びバーの媒体対向面
の研磨（ポールハイト研磨）を行なった。再研磨量は
０．５μｍとし、結果的に凹部１０の深さは０．５μｍ
となった。最後にバーを所定のスライダ形状に加工・切
断し、サスペンションとのアセンブリ工程を経て磁気抵
抗効果型ヘッドの作製が完了した。比較例１ 実施例に示した磁気抵抗効果型複合ヘッドに対し、比較
のために書き込み磁極８の幅を規定する凹部形成を、書
き込み磁極８自身を基準として加工を行なった磁気抵抗
効果型複合ヘッドを作製した。なお、それ以外の工程は
上記実施例と全く同一である。作製された磁気抵抗効果
型複合ヘッドに対し、読み出しトラック位置と書き込み
トラック位置との位置関係、即ち、両者の位置ずれを評
価した。目的とする位置ずれ量に対し、本発明による磁
気抵抗効果型複合ヘッドではばらつきの標準偏差σの３
倍値が０．０８μｍであったのに対し、比較として作製
した磁気抵抗効果型複合ヘッドでは０．３μｍであり、
本発明における位置決め精度向上が顕著であった。これ
は本発明の場合は加工位置決め精度が主にＦＩＢ加工の
精度のみにより決定されるのに対し、比較例の場合はウ
ェハ工程での読み出しトラック位置と書き込みトラック
位置の位置関係のずれが重畳された結果によると考えら
れる。その結果、本発明による磁気抵抗効果型複合ヘッ
ドの製造方法においては、高い製造歩留まりが得られ
た。比較例２ 実施例に示した磁気抵抗効果型複合ヘッドに対し、比較
のために磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する電極
部５を構成する材料としてＣｕ膜を用いた磁気抵抗効果
型複合ヘッドを作製した。なお、それ以外の工程は上記
実施例と全く同一である。作製された磁気抵抗効果型複
合ヘッドに対し、読み出しトラック位置と書き込みトラ
ック位置の位置関係を評価した。目的とする位置ずれ量
に対し、本発明による磁気抵抗効果型複合ヘッドでは、
ばらつきの標準偏差σの３倍値が０．０８μｍであった
のに対し、比較として作製した磁気抵抗効果型複合ヘッ
ドでは０．３５μｍであり、本発明における位置決め精
度向上が顕著であった。これは本発明の場合は磁気抵抗
効果素子にセンス電流を供給する電極部５を構成する材
料としてＡｕ膜を用いているため、比較例で作製したＣ
ｕ膜を用いた場合に比べ読み出しトラック位置の画像認
識信号の強度が大きくなり、その結果より高精度に読み
出しトラック位置を認識できたためと考えられる。その
結果、本発明による磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方
法においては、高い製造歩留まりが得られた。
【００１９】以上に示した実施例及び比較例の結果か
ら、書き込み磁極８の幅を規定するための凹部１０を形
成する際に、磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する
電極部５の端部５ａを基準に行なうと共に、電極部５を
Ａｕ膜により形成することにより、読み出しトラック位
置と書き込みトラック位置の位置関係を高精度に規定で
きることがわかった。なお、電極部５を構成する材料は
Ａｕ以外に、Ｐｔ，Ｗ，Ｔａであっても同様の効果が得
られた。
【００２０】
【発明の効果】本発明に係わる磁気抵抗効果型複合ヘッ
ドの製造方法は、上述のように構成したので、書き込み
時のサイドフリンジ磁界を低減すると共に、特に、書き
込み幅が１μｍ以下という狭幅の状態でも、書き込みト
ラック位置と読み出しトラック位置との位置関係を厳密
に管理することが可能となり、著しく歩留まりを向上さ
せることが出来た。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の磁気抵抗効果型複合ヘッドの
製造方法を示す図であり、（ａ）〜（ｄ）は、磁気ディ
スク装置として組み立てられたときの、磁気記録媒体の
表面に平行な面で切ったときの断面図である。
【図２】磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する電極
部を形成する際の工程を示し、フォトレジストマスクを
用いてスパッタ成膜後リフトオフする工程において、
（ａ）は粒子の指向性の高いイオンビームスパッタを用
いた場合の電極端部の形状を説明する断面図、（ｂ）は
通常の高周波スパッタ法を用いた場合の電極端部の形状
を説明する断面図である。
【図３】読み出し用の磁気抵抗効果型ヘッドと書き込み
用のインダクティブヘッドが複合された従来の磁気抵抗
効果型複合ヘッドを説明する図である。
【図４】従来の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法を
示す図である。
【符号の説明】 １ 磁気シールド ２ａ，２ｂ 読み出しギャップ ３ 磁気抵抗効果素子 ４ バイアス磁界印加部 ５ 電極部 ５ａ 電極部の端部 ６ 磁気シールド兼第１の磁極 ７ 書き込みギャップ ８ 第２の磁極 １０ 凹部 １１ 凹部加工ボックス ２０ フォトレジスト

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気記録媒体上の磁界を感知する磁気抵
    抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子にセンス電流を供
    給する電極部とが、磁気ギャップを介して対向して設け
    られた一対の第１の磁気シールド及び第２の磁気シール
    ド間に設けられた磁気抵抗効果型ヘッドと、 前記第２の磁気シールドを磁極とする第１の磁極と、前
    記第２の磁気シールドに対して前記磁気抵抗効果素子が
    設けられた側と反対側に形成された第２の磁極と、前記
    第１の磁極及び第２の磁極を励磁するためのコイルとか
    らなり、前記第１の磁極と第２の磁極との間に設けられ
    た書き込み磁気ギャップから発生する磁界により前記磁
    気記録媒体上に情報の書き込みを行なうインダクティブ
    型ヘッドとで構成した磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造
    方法において、 磁気記録媒体と対向する面に前記第１の磁極および第２
    の磁極の幅を規定するための凹部を形成すると共に、前
    記凹部は前記電極部の端部を基準に形成することを特徴
    とする磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記電極部を、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａか
    ら選ばれる材料で形成することを特徴とする請求項１記
    載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記電極部を形成する工程が、フォトレ
    ジストマスクを用いてスパッタ成膜後リフトオフする工
    程を含み、前記スパッタ成膜がスパッタ粒子の指向性の
    高いスパッタ法を用いることを特徴とする請求項１又は
    ２記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記電極部を形成するスパッタ成膜法に
    イオンビームスパッタを用いることを特徴とする請求項
    １乃至３の何れかに記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの
    製造方法。
  5. 【請求項５】 前記凹部を形成後、この凹部内に非磁性
    材料を充填し、その後、前記非磁性膜が形成された面を
    研磨し所定の形状にすることを特徴とする請求項１乃至
    ４の何れかに記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方
    法。
  6. 【請求項６】 前記磁極の幅が１μｍ以下となるように
    前記凹部を形成することを特徴とする請求項１乃至５の
    何れかに記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記凹部の形成は、集束イオンビームを
    用いて行なうことを特徴とする請求項１乃至６の何れか
    に記載の磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法。
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