JPS6190405A - 垂直磁化膜の製造方法 - Google Patents
垂直磁化膜の製造方法Info
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- JPS6190405A JPS6190405A JP21223484A JP21223484A JPS6190405A JP S6190405 A JPS6190405 A JP S6190405A JP 21223484 A JP21223484 A JP 21223484A JP 21223484 A JP21223484 A JP 21223484A JP S6190405 A JPS6190405 A JP S6190405A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は高密度磁気記録、いわゆる垂直磁気記録媒体に
通用して好適なる磁性薄膜及びそれを製造する方法に関
する。
通用して好適なる磁性薄膜及びそれを製造する方法に関
する。
「従来の技術」
近年、高密度磁気記録の一方式として、膜面に対して垂
直方向に磁化容易軸を有する、いわゆる垂直磁化膜を用
いた垂直磁す録が検討されている０例えば媒体としてコ
バルト・、クロム合金垂直磁化膜が東北大学宮崎教授に
より、“Ｉ ＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ
Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 ” ＶＯ２，ＭＡＧ−１４，Ｐ
、８９４−８５１ （１９７８）に提案され・まり・
中村らによりて、部分酸化コバルト垂直磁化膜が“Ｊａ
ｐａｎｅｓｅ 、 。
直方向に磁化容易軸を有する、いわゆる垂直磁化膜を用
いた垂直磁す録が検討されている０例えば媒体としてコ
バルト・、クロム合金垂直磁化膜が東北大学宮崎教授に
より、“Ｉ ＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ
Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 ” ＶＯ２，ＭＡＧ−１４，Ｐ
、８９４−８５１ （１９７８）に提案され・まり・
中村らによりて、部分酸化コバルト垂直磁化膜が“Ｊａ
ｐａｎｅｓｅ 、 。
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ、 ” Ｖｏｌ、 ２３． Ｌ ３９７
。
ｓ、 ” Ｖｏｌ、 ２３． Ｌ ３９７
。
−３９９，（１９８４）に提案されている。
「発明が解決しようとする問題点」
コバルト・クロム合金スパッタ膜は垂直磁気異方性が大
きく、大きな飽和磁化を持った垂直磁化膜を得ることが
可能であり、優れた記録再生特性を示す、しかし、かか
る膜は金属から成るため、摩耗に弱いという欠点を有す
る。一方、部分酸化コバルトは酸化物であるため、摩耗
には強いが耐食性に欠けるという欠点を包蔵する。
きく、大きな飽和磁化を持った垂直磁化膜を得ることが
可能であり、優れた記録再生特性を示す、しかし、かか
る膜は金属から成るため、摩耗に弱いという欠点を有す
る。一方、部分酸化コバルトは酸化物であるため、摩耗
には強いが耐食性に欠けるという欠点を包蔵する。
「問題点を解決するための手段」
本発明は、かかる実情に鑑み、これらの問題点を解消す
るもので、ｆｌＩｉ雰囲気中でコバルトとクロムを同時
に蒸発させることにより、硬度ならびに耐食性の優れた
垂直磁化膜を提供せんとするものである。
るもので、ｆｌＩｉ雰囲気中でコバルトとクロムを同時
に蒸発させることにより、硬度ならびに耐食性の優れた
垂直磁化膜を提供せんとするものである。
即ち、本発明の第１はクロムの濃度が１〜２０原子パー
セントからなるコバルト・クロム合金の全金属の５０％
以上が酸化された部分酸化物からなり、飽和磁化が５０
〜６００ｅｍｕ／ｃｊであり、基板に対して垂直な方向
に磁化容易軸を有することを特徴とする基板上に保持さ
れた磁性膜を内容とし、本発明の第２はクロムの濃度が
１〜２０原子パーセントであり、コバルトとクロムをｔ
ａＸ−雰囲気中で全金属の５０％以上が酸化されるよう
に基板へ蒸着することを特徴とする、基板に対して垂直
な方向に磁化容易軸を有し、飽和磁化が５０〜６００
ｅ ｍ ｕ ／−である磁性膜の製造方法を内容とする
ものである。
セントからなるコバルト・クロム合金の全金属の５０％
以上が酸化された部分酸化物からなり、飽和磁化が５０
〜６００ｅｍｕ／ｃｊであり、基板に対して垂直な方向
に磁化容易軸を有することを特徴とする基板上に保持さ
れた磁性膜を内容とし、本発明の第２はクロムの濃度が
１〜２０原子パーセントであり、コバルトとクロムをｔ
ａＸ−雰囲気中で全金属の５０％以上が酸化されるよう
に基板へ蒸着することを特徴とする、基板に対して垂直
な方向に磁化容易軸を有し、飽和磁化が５０〜６００
ｅ ｍ ｕ ／−である磁性膜の製造方法を内容とする
ものである。
本発明の磁性膜の化学組成を（Ｃｏ１−ｘＣｒｘ）□−
ｙＯｙと表わすなら、０．０１≦χ≦０．２０．０．５
≦ｙ≦０．９の領域で目的の磁性膜が１ｑられる。更に
、クロムはほぼ完全に酸化され、コバルトは部分酸化さ
れ、すなわちＣｏｏ、Ｃ「２０３、ｃｏ の混合物か
ら成るものである。また構造は多くの場合、酸化コバル
トＣｏＯが結晶成長している。この磁性膜は飽和磁化が
５０〜６００ ｅｍｕ／ａＪ−１垂直保磁力２００〜１
５０ＱＯｅ （エルステッド）である、また垂直異方性
定数はＫｕ ＝０．１−１ ｘｌｏ’ｅｒｇ／ｃｄ （
Ｋｕ＝に山＋２πＭｓ、 Ｋ上はトルク針で直接測定さ
れる見掛けの垂直異方性定数、ＭＳは飽和磁化）である
。
ｙＯｙと表わすなら、０．０１≦χ≦０．２０．０．５
≦ｙ≦０．９の領域で目的の磁性膜が１ｑられる。更に
、クロムはほぼ完全に酸化され、コバルトは部分酸化さ
れ、すなわちＣｏｏ、Ｃ「２０３、ｃｏ の混合物か
ら成るものである。また構造は多くの場合、酸化コバル
トＣｏＯが結晶成長している。この磁性膜は飽和磁化が
５０〜６００ ｅｍｕ／ａＪ−１垂直保磁力２００〜１
５０ＱＯｅ （エルステッド）である、また垂直異方性
定数はＫｕ ＝０．１−１ ｘｌｏ’ｅｒｇ／ｃｄ （
Ｋｕ＝に山＋２πＭｓ、 Ｋ上はトルク針で直接測定さ
れる見掛けの垂直異方性定数、ＭＳは飽和磁化）である
。
このような磁性膜を得るにあたって製法は極めて重要で
ある。すなわち、スパッタリング法、真空蒸着法、イオ
ンブレーティング法のような広蓑の喜着法を用い、コバ
ルトとクロムを同時に酸素雰囲気中で蒸発させることに
よって初めて得られるものである。
ある。すなわち、スパッタリング法、真空蒸着法、イオ
ンブレーティング法のような広蓑の喜着法を用い、コバ
ルトとクロムを同時に酸素雰囲気中で蒸発させることに
よって初めて得られるものである。
以下、スパッタリング蒸着法を例にあげ、本発明のｆ！
ｌｉ！磁化１費の製法について説明する。
ｌｉ！磁化１費の製法について説明する。
まず、基板としてはアルミニウム、ステンレスなどの金
属板、あるいはポリエステル、ポリアミド、ポリメタク
リレートなどの板やシートまたはフィルムがあげられる
が、これらに限定されるものではなく、軟化点が５０℃
程度以上モ厚さが１０ミクロンないし１０ｍｍ程度のも
のであれば番で使用し得る。
属板、あるいはポリエステル、ポリアミド、ポリメタク
リレートなどの板やシートまたはフィルムがあげられる
が、これらに限定されるものではなく、軟化点が５０℃
程度以上モ厚さが１０ミクロンないし１０ｍｍ程度のも
のであれば番で使用し得る。
ターゲットとしてはコバルト・クロムからなる合金ター
ゲット又はコバルト板の上にクロム小片を配置した（又
は逆）複合ターゲットでも構わない、ただし、垂ｌ異方
性を持った磁化膜を得るには、クロムの割合は極めて重
要である。クロムの割合としては、】ないし２０Ｍ子％
、好ましくは５ないし１５原子％である必要がある。り
１１ム濃度がこれより低い場合には、垂直異方性を持っ
た膜を得ることは可能であるが、耐食性が劣る。またク
ロム濃度が上記値より大きい場合には飽和磁化が大きく
、且つ垂直異方性の大きい磁化膜はｆ！Ｊ ’−られ
ない、基板のｌＷ度としては、室温から３００℃程度ま
でのいずれの温度でも垂直磁化膜がＩＪられる。スパッ
タリング速度も特に制限はなく、映の成長速度にして毎
分１００＾ないし５ｏｏｏＸの速度で析出される。アル
ゴンガス圧は、前記クロム含量とならび垂直磁化膜を得
るうえで極めて重要な因子である。これは−律に規定す
ることができない、なぜなら、コバルトならびにクロム
原子の基板上への析出と雰囲気の酸素による酸化とは競
争反応であるために、膜の成長速度が速いようなスパッ
タリング条件下にあっては、酸素の分圧を上げる必要が
ある。結果として、クロムは完全に酸化され、コバルト
は５０ないし９０％酸化される必要がある。酸化の程度
は光電子分光法で測定することができる。しかしながら
、光電子分光法で酸化の程度を精度良く定量するのは困
難であり、飽和磁化の測定から酸化の程度を推定する方
が容易なこともある。このようにして得られる磁性膜は
、前述したような垂直磁化膜となる０本発明において、
最も通した条件、即ちスパッタリング法においてはクロ
ム濃度ｌＯ原子％、堆積速度２００Ａ／分、酸素分圧３
．５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒの条件で製造された厚さ７
０００Ａのコバルト・クロム部分酸化重直磁化膜は、飽
和磁化２５０ｃｍｕ／ｄ以上、垂直磁気異方性定数 Ｋ
ｕ＝に工＋２πＭｓ（にＵは垂直磁気異方性定数、×は
トルク法によって測定される見掛けの異方性定数、Ｍｓ
は飽和磁化）５ ＸＩＯｅｒｇ／ｃｄ以」−１保磁力Ｈ
ｃｉ５００工ルステツド以上（磁界を楔面に対して垂直
に印加して磁化曲線を測定したときの保磁力）の垂直は
化成が得られる。
ゲット又はコバルト板の上にクロム小片を配置した（又
は逆）複合ターゲットでも構わない、ただし、垂ｌ異方
性を持った磁化膜を得るには、クロムの割合は極めて重
要である。クロムの割合としては、】ないし２０Ｍ子％
、好ましくは５ないし１５原子％である必要がある。り
１１ム濃度がこれより低い場合には、垂直異方性を持っ
た膜を得ることは可能であるが、耐食性が劣る。またク
ロム濃度が上記値より大きい場合には飽和磁化が大きく
、且つ垂直異方性の大きい磁化膜はｆ！Ｊ ’−られ
ない、基板のｌＷ度としては、室温から３００℃程度ま
でのいずれの温度でも垂直磁化膜がＩＪられる。スパッ
タリング速度も特に制限はなく、映の成長速度にして毎
分１００＾ないし５ｏｏｏＸの速度で析出される。アル
ゴンガス圧は、前記クロム含量とならび垂直磁化膜を得
るうえで極めて重要な因子である。これは−律に規定す
ることができない、なぜなら、コバルトならびにクロム
原子の基板上への析出と雰囲気の酸素による酸化とは競
争反応であるために、膜の成長速度が速いようなスパッ
タリング条件下にあっては、酸素の分圧を上げる必要が
ある。結果として、クロムは完全に酸化され、コバルト
は５０ないし９０％酸化される必要がある。酸化の程度
は光電子分光法で測定することができる。しかしながら
、光電子分光法で酸化の程度を精度良く定量するのは困
難であり、飽和磁化の測定から酸化の程度を推定する方
が容易なこともある。このようにして得られる磁性膜は
、前述したような垂直磁化膜となる０本発明において、
最も通した条件、即ちスパッタリング法においてはクロ
ム濃度ｌＯ原子％、堆積速度２００Ａ／分、酸素分圧３
．５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒの条件で製造された厚さ７
０００Ａのコバルト・クロム部分酸化重直磁化膜は、飽
和磁化２５０ｃｍｕ／ｄ以上、垂直磁気異方性定数 Ｋ
ｕ＝に工＋２πＭｓ（にＵは垂直磁気異方性定数、×は
トルク法によって測定される見掛けの異方性定数、Ｍｓ
は飽和磁化）５ ＸＩＯｅｒｇ／ｃｄ以」−１保磁力Ｈ
ｃｉ５００工ルステツド以上（磁界を楔面に対して垂直
に印加して磁化曲線を測定したときの保磁力）の垂直は
化成が得られる。
「作用」 「発明のりＪ果」
本発明の垂直磁化膜であるコバルト・クロム合金部分酸
化物磁性薄膜が、このような異方性と保磁力を有する原
因は今のところ明らかではないが、Ｃｏｏから成る結晶
性の酸化物柱状構造の間隙に金属コバルトが１１袋厚方
向に針状に充填した構造を形成し、この構造が垂直異方
性に寄与し°ζいるものと考えられる。
化物磁性薄膜が、このような異方性と保磁力を有する原
因は今のところ明らかではないが、Ｃｏｏから成る結晶
性の酸化物柱状構造の間隙に金属コバルトが１１袋厚方
向に針状に充填した構造を形成し、この構造が垂直異方
性に寄与し°ζいるものと考えられる。
本発明のコバルＩ・・クロム部分酸化物からなる垂直磁
化膜は・コバルト・クロム合金垂直磁化膜に比較して硬
く、コバルト部分酸化物に比較して耐食性が優れている
。
化膜は・コバルト・クロム合金垂直磁化膜に比較して硬
く、コバルト部分酸化物に比較して耐食性が優れている
。
以下、本発明の垂直磁化膜およびその製造法を実施例に
基づき説明するが、本発明はこれらにより何ら制限され
るものではない。
基づき説明するが、本発明はこれらにより何ら制限され
るものではない。
実施例１〜４、比較例１〜７
高周波２極スパツタ機を利用して、厚さ１ｍｍのガラス
基板上にコバルト・クロム部分酸化物磁性薄膜を堆積さ
せた。ターゲットは直径３インチで、厚さ０．５ ｍ
ｍのコバルト板上に５ Ｘ ７ ｍｍ角のクロムチップ
をのせたものである。基板とターゲットの距離はＳｅａ
、アルゴンガス圧２×１０Ｔｏｒｒ、基板温度室温、プ
レート電圧２ＫＶ、プレート電流１８０ｍＡ、酸素分圧
を０〜４×１０Ｔｏｒｒの間で変化させ、充分予備スパ
ッタリングを行ないターゲット表面を洗浄したのち、シ
ャッターを開き、３０分間基板上へ堆積させた。
基板上にコバルト・クロム部分酸化物磁性薄膜を堆積さ
せた。ターゲットは直径３インチで、厚さ０．５ ｍ
ｍのコバルト板上に５ Ｘ ７ ｍｍ角のクロムチップ
をのせたものである。基板とターゲットの距離はＳｅａ
、アルゴンガス圧２×１０Ｔｏｒｒ、基板温度室温、プ
レート電圧２ＫＶ、プレート電流１８０ｍＡ、酸素分圧
を０〜４×１０Ｔｏｒｒの間で変化させ、充分予備スパ
ッタリングを行ないターゲット表面を洗浄したのち、シ
ャッターを開き、３０分間基板上へ堆積させた。
得られた磁性薄膜の厚さは触針式膜厚計により、組成は
Ｘ線マイクロアナライザーにより、飽和磁化Ｍｓは試料
振動型磁力計により、見掛けの垂直異方性定数には磁気
トルク計により求め、垂直異方性定数Ｋｕは、Ｋｕ−Ｋ
ａ、＋２πＭｇの関係より求めた。
Ｘ線マイクロアナライザーにより、飽和磁化Ｍｓは試料
振動型磁力計により、見掛けの垂直異方性定数には磁気
トルク計により求め、垂直異方性定数Ｋｕは、Ｋｕ−Ｋ
ａ、＋２πＭｇの関係より求めた。
元素の結合状態は、アルゴンイオンにより約１０００久
エツチングしたのちＸ線光電子分光法で調べた。結晶構
造はＸ線回折法に依った。耐食性は、室温の濃塩酸なら
びに１．９モル濃度の塩化第２鉄水溶液中に浸漬し、そ
れぞれ熔解時間と磁化の経時変化を観察した。磁性膜の
硬さはＪＩ３５４０１−１９６９に定める鉛工硬度試験
機で評価した。第１表に得られた膜の組成、厚み、磁気
特性、硬度を示す。
エツチングしたのちＸ線光電子分光法で調べた。結晶構
造はＸ線回折法に依った。耐食性は、室温の濃塩酸なら
びに１．９モル濃度の塩化第２鉄水溶液中に浸漬し、そ
れぞれ熔解時間と磁化の経時変化を観察した。磁性膜の
硬さはＪＩ３５４０１−１９６９に定める鉛工硬度試験
機で評価した。第１表に得られた膜の組成、厚み、磁気
特性、硬度を示す。
Ｘ線光電子分光分析によれば、酸素を添加用ずとも微量
の残存酸素によりクロムの一部は酸化しているが、コバ
ルトは酸化されていない、酸素分圧をｌＸ１０Ｔｏｒｒ
導入するとクロムは全て酸化し、コバルトも一部酸化す
る。以後、酸素分圧４Ｘ ｌ ＯＴｏｒｒで完全酸化さ
れるまで、コバルトは徐々に酸化の度合を増す、飽和磁
化は、酸化の進行に従い減少する。一方、垂直磁気異方
性は、酸素分圧、２ Ｘ Ｉ ＯＴｏｒｒ 、即ちおお
よそ１６分の元素が酸化されるとき、最低になり、更に
酸化が進むと、最大の垂ｉ＋’ｉ磁気異方性を示し、完
全に酸化されると磁気特性を失う、Ｘ線回折によればＭ
ｕが増大をはじめる酸素分圧３Ｘ１０Ｔｏｒｒの点で、
酸化コバルトＣｏｏ （１１１）の回折ピークが出現し
、増大とともに異方性も増大する。しかし、酸化コバル
ト自身は強磁性体ではないので、酸化コバルトの結晶成
長は全屈コバルトの異方性を助長していると考えられる
。鉛筆硬度試験によれば、酸化の程度が進ｊテする程、
コバルト・クロム合金よりも明らかに硬度が大きいこと
を示している。
の残存酸素によりクロムの一部は酸化しているが、コバ
ルトは酸化されていない、酸素分圧をｌＸ１０Ｔｏｒｒ
導入するとクロムは全て酸化し、コバルトも一部酸化す
る。以後、酸素分圧４Ｘ ｌ ＯＴｏｒｒで完全酸化さ
れるまで、コバルトは徐々に酸化の度合を増す、飽和磁
化は、酸化の進行に従い減少する。一方、垂直磁気異方
性は、酸素分圧、２ Ｘ Ｉ ＯＴｏｒｒ 、即ちおお
よそ１６分の元素が酸化されるとき、最低になり、更に
酸化が進むと、最大の垂ｉ＋’ｉ磁気異方性を示し、完
全に酸化されると磁気特性を失う、Ｘ線回折によればＭ
ｕが増大をはじめる酸素分圧３Ｘ１０Ｔｏｒｒの点で、
酸化コバルトＣｏｏ （１１１）の回折ピークが出現し
、増大とともに異方性も増大する。しかし、酸化コバル
ト自身は強磁性体ではないので、酸化コバルトの結晶成
長は全屈コバルトの異方性を助長していると考えられる
。鉛筆硬度試験によれば、酸化の程度が進ｊテする程、
コバルト・クロム合金よりも明らかに硬度が大きいこと
を示している。
実施例５〜７、比較例８．９、参考例１．２ｒｌ！素分
圧を３〜４ｘｌＱＴｏｒｒと一定とし、鉄板ターゲット
上に配置するクロムチップの数を変えてクロムの濃度を
変えた点以外は実施例１と同様な条件でコバルト・クロ
ム部分酸化膜を作成した。得られた股の磁気特性等を第
２表に示す。
圧を３〜４ｘｌＱＴｏｒｒと一定とし、鉄板ターゲット
上に配置するクロムチップの数を変えてクロムの濃度を
変えた点以外は実施例１と同様な条件でコバルト・クロ
ム部分酸化膜を作成した。得られた股の磁気特性等を第
２表に示す。
また、２５℃の濃塩酸中に浸漬したときの、磁性膜の溶
解までに要する時間を第１図に示す、更に、比較例８の
試料と実施例７の試料を２５℃の１．９モル濃度塩化第
２鉄水溶液に浸漬したときの磁化量の経時変化を第２図
に示す。
解までに要する時間を第１図に示す、更に、比較例８の
試料と実施例７の試料を２５℃の１．９モル濃度塩化第
２鉄水溶液に浸漬したときの磁化量の経時変化を第２図
に示す。
クロム濃度を高めると垂直異方性を減少するが、耐食性
は大巾に向上することが分かる。
は大巾に向上することが分かる。
第１図は、コバルト・りａ上部分酸化物の１塩酸中での
耐食性を示すグラフ、第２図は、コバルト・クロム部分
酸化物とコバルト部分酸化物の塩化第２鉄水溶液中での
耐食性を示すグラフである。 特許出願人 桜 井 良 文 Ｏ，Ｏｚ。 ｏ、ｓ友（屓＆ヅ・） 詩Ｍ ｔ４Ｆ） 手続ネ市正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年特許願第２１２２３４号 ２、発明の名称 垂直磁化膜及びその製造方法 ３、？Ｊ正をする者 事件との関係：特許出願人 住所 大阪府箕面市箕面２丁目９−１８氏名 桜 井
良 文 （他１名） ４、代理人 住所 大阪市北区西天満３丁目２番４号５、補正命令の
日付 ７、補正の内容 ■明細書第２頁、７〜８行目に” ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ Ｋａｇｎｅｔｉｃｓ＋ ”と
あるを削除し、′アイ・イー・イー・イー トランザク
シロンズ・オン・マグネティクス（ＩＥＨＥ Ｔｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ）
”を挿入する。 ■同ＩＱ〜１１行目に、“Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ＾ｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ＋ ”と
あるをＩＩ除し、“ジャパニーズ・ジャーナｌし・オフ
゛・アワ０ライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ
） ″を挿入する命 以上
耐食性を示すグラフ、第２図は、コバルト・クロム部分
酸化物とコバルト部分酸化物の塩化第２鉄水溶液中での
耐食性を示すグラフである。 特許出願人 桜 井 良 文 Ｏ，Ｏｚ。 ｏ、ｓ友（屓＆ヅ・） 詩Ｍ ｔ４Ｆ） 手続ネ市正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年特許願第２１２２３４号 ２、発明の名称 垂直磁化膜及びその製造方法 ３、？Ｊ正をする者 事件との関係：特許出願人 住所 大阪府箕面市箕面２丁目９−１８氏名 桜 井
良 文 （他１名） ４、代理人 住所 大阪市北区西天満３丁目２番４号５、補正命令の
日付 ７、補正の内容 ■明細書第２頁、７〜８行目に” ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ Ｋａｇｎｅｔｉｃｓ＋ ”と
あるを削除し、′アイ・イー・イー・イー トランザク
シロンズ・オン・マグネティクス（ＩＥＨＥ Ｔｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ）
”を挿入する。 ■同ＩＱ〜１１行目に、“Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ＾ｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ＋ ”と
あるをＩＩ除し、“ジャパニーズ・ジャーナｌし・オフ
゛・アワ０ライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ
） ″を挿入する命 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、クロムの濃度が１〜２０原子パーセントからなるコ
バルト・クロム合金の全金属の５０％以上が酸化された
部分酸化物からなり、飽和磁化が５０〜６００ｅｍｕ／
ｃｍ＾３であり、基板に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有することを特徴とする基板上に保持された磁性膜。 ２、クロムの濃度が１〜２０原子パーセントであり、コ
バルトとクロムを酸素雰囲気中で全金属の５０％以上が
酸化されるように基板へ蒸着することを特徴とする、基
板に対して垂直な方向に磁化容易軸を有し、飽和磁化が
５０〜６００ｅｍｕ／ｃｍ＾３である磁性膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21223484A JPS6190405A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 垂直磁化膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21223484A JPS6190405A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 垂直磁化膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190405A true JPS6190405A (ja) | 1986-05-08 |
| JPH0582724B2 JPH0582724B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=16619178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21223484A Granted JPS6190405A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 垂直磁化膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190405A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005109406A1 (en) * | 2004-05-03 | 2005-11-17 | Imation Corp. | Environmentally stable metal-evaporated recording media |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197813A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
| JPS5917216A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Ulvac Corp | 磁気記録体並にその製造法 |
| JPS59140629A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21223484A patent/JPS6190405A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197813A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
| JPS5917216A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Ulvac Corp | 磁気記録体並にその製造法 |
| JPS59140629A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005109406A1 (en) * | 2004-05-03 | 2005-11-17 | Imation Corp. | Environmentally stable metal-evaporated recording media |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582724B2 (ja) | 1993-11-22 |
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