JPS5917216A - 磁気記録体並にその製造法 - Google Patents
磁気記録体並にその製造法Info
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- JPS5917216A JPS5917216A JP12504382A JP12504382A JPS5917216A JP S5917216 A JPS5917216 A JP S5917216A JP 12504382 A JP12504382 A JP 12504382A JP 12504382 A JP12504382 A JP 12504382A JP S5917216 A JPS5917216 A JP S5917216A
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
近年、高密度記録媒体として、垂直方向に磁気異方性を
備えた垂直磁化膜が開発され、特に０６− Ｏｒ系垂直
磁化膜が実用上優れて居り、これを基材面に析出させた
磁気記録体は公知である。
備えた垂直磁化膜が開発され、特に０６− Ｏｒ系垂直
磁化膜が実用上優れて居り、これを基材面に析出させた
磁気記録体は公知である。
然し乍ら、この磁気記録体を製造するに、基材面に、蒸
着法やマグネ）ｏン型の高速スパッタ法等の析出速度が
数千Ｘ〜数μ−／ｍｉｎの析出速度でＯｏ −Ｏｒ系磁
化膜を生成せしめる場合は、基材の温度を２００℃付近
に加熱しないと垂直磁化膜が得られないこ０とが分って
きた。このことは、この製造法には、磁気テープやフ四
ツビーディスク等として一般に用いられるポリエチレン
テレフタレー） （ｐｍＴ）などの熱に弱い合成樹脂を
基材として用シすることができない不利がある。
着法やマグネ）ｏン型の高速スパッタ法等の析出速度が
数千Ｘ〜数μ−／ｍｉｎの析出速度でＯｏ −Ｏｒ系磁
化膜を生成せしめる場合は、基材の温度を２００℃付近
に加熱しないと垂直磁化膜が得られないこ０とが分って
きた。このことは、この製造法には、磁気テープやフ四
ツビーディスク等として一般に用いられるポリエチレン
テレフタレー） （ｐｍＴ）などの熱に弱い合成樹脂を
基材として用シすることができない不利がある。
工業生産規模からみて、基材を加熱しないで、一般に室
温で０ｏ−Ｏｒｒ系垂直磁化膜高速析出生成せしめ得る
ことが望ましい。
温で０ｏ−Ｏｒｒ系垂直磁化膜高速析出生成せしめ得る
ことが望ましい。
本発明は、常温でもＧ ｏ −Ｏｒ系垂直磁化膜をもつ
新規な磁気記録体を提供するもので、基材面上に、Ｏ，
Ｎ、Ｏの少くとも１種の原子が約２〜８ ａｔ％偏析含
有しているＧｏ−Ｏｒｒ系垂直磁化膜有することを特徴
とする。
新規な磁気記録体を提供するもので、基材面上に、Ｏ，
Ｎ、Ｏの少くとも１種の原子が約２〜８ ａｔ％偏析含
有しているＧｏ−Ｏｒｒ系垂直磁化膜有することを特徴
とする。
更に本発明は、基材が常温でもこれにＯｏ −Ｏｒ系垂
直磁化膜をもつ磁気記録体を製造し得るようにし、上記
の要望を達成したその製造法を提供するもので、真空処
理容器内にＯ，Ｎ、Ｏの少くとも１種の原子を含むガス
を導入した状態で、基材面にＯｏ −Ｏｒ系磁性粒子を
高速析出せしめることを特徴とする。
直磁化膜をもつ磁気記録体を製造し得るようにし、上記
の要望を達成したその製造法を提供するもので、真空処
理容器内にＯ，Ｎ、Ｏの少くとも１種の原子を含むガス
を導入した状態で、基材面にＯｏ −Ｏｒ系磁性粒子を
高速析出せしめることを特徴とする。
次に本発明の詳細な説明する。
真空処理容器内の下部に、最も優れた垂直磁化特性を示
すＯｏ−２０ｗｔ％Ｏｒ合金をターゲットとして設け、
その上方にポリエチレンテレフタレ−） ’（ｐＨ；Ｔ
）のシート状基材を配し、該容器内にＯｒと結合力の大
きいＯ，Ｎ、Ｏ原子の少くとも１種を含むガスを導入し
乍ら、通常のＤｏマグネトカンスパッタ法により、その
基材面に、５０００〜８０００ Ａ／ ｍｉｎの析出速
度で磁性粒子を析出させ、厚さ４０００ＸのＯｏ −Ｏ
ｒ系析出膜を得るが、この析出に於て、該原子を０ｏ−
Ｏｒ磁性粒子の析出膜中に２〜８ ａｔ％含有せしめる
。その結果該析出膜は、垂直磁化膜として得られる。
すＯｏ−２０ｗｔ％Ｏｒ合金をターゲットとして設け、
その上方にポリエチレンテレフタレ−） ’（ｐＨ；Ｔ
）のシート状基材を配し、該容器内にＯｒと結合力の大
きいＯ，Ｎ、Ｏ原子の少くとも１種を含むガスを導入し
乍ら、通常のＤｏマグネトカンスパッタ法により、その
基材面に、５０００〜８０００ Ａ／ ｍｉｎの析出速
度で磁性粒子を析出させ、厚さ４０００ＸのＯｏ −Ｏ
ｒ系析出膜を得るが、この析出に於て、該原子を０ｏ−
Ｏｒ磁性粒子の析出膜中に２〜８ ａｔ％含有せしめる
。その結果該析出膜は、垂直磁化膜として得られる。
この導入するガスとして、０２Ｈ２＋ Ｎ２ ＋ ＮＨ
ｇ ＋Ｏ，、ａＯ，の５種について夫々実験した。その
各ガスの導入は、リーク弁を調節することにより、下記
表に示す分圧になるように行ない、その後Ａｒガスを分
圧５ Ｘ ｌ−０−３Ｔｏｒｒまで導入する。上記実験
では、基材は、その冷却用保持板にその裏面を接着させ
て、スパッタ熱による温度上昇を防止して常温での高速
析出を確実に行なえるようにしたが、勿論、スパッタ熱
による基材の昇温は差支えなく、又従来のように２００
℃以上の基板加熱を行なってもよい。
ｇ ＋Ｏ，、ａＯ，の５種について夫々実験した。その
各ガスの導入は、リーク弁を調節することにより、下記
表に示す分圧になるように行ない、その後Ａｒガスを分
圧５ Ｘ ｌ−０−３Ｔｏｒｒまで導入する。上記実験
では、基材は、その冷却用保持板にその裏面を接着させ
て、スパッタ熱による温度上昇を防止して常温での高速
析出を確実に行なえるようにしたが、勿論、スパッタ熱
による基材の昇温は差支えなく、又従来のように２００
℃以上の基板加熱を行なってもよい。
上記表から明らかなように、対照例として示した従来の
製造法、即ちガス導入のない場合は、膜面に垂直方向の
保磁力Ｈａ工と平行方向の保持力ＨＯ７とは同じ値で、
垂直磁化膜になっていないが、本発明により壜入ガス中
で作成された上記ザンプル屋１〜５はいづれもＨＯ五の
値は増加し、且つＨａ工／ Ｈａｚの値が大きくなり、
従で垂直磁化膜となっていることが分る。尚、導入ガス
の導入量を増大して行くとＨａ上の値も増大して行くこ
とが添付図面のグラフか゛らも朋らがである。又該グラ
フから明らかなように、’ａ 、 ｏ。
製造法、即ちガス導入のない場合は、膜面に垂直方向の
保磁力Ｈａ工と平行方向の保持力ＨＯ７とは同じ値で、
垂直磁化膜になっていないが、本発明により壜入ガス中
で作成された上記ザンプル屋１〜５はいづれもＨＯ五の
値は増加し、且つＨａ工／ Ｈａｚの値が大きくなり、
従で垂直磁化膜となっていることが分る。尚、導入ガス
の導入量を増大して行くとＨａ上の値も増大して行くこ
とが添付図面のグラフか゛らも朋らがである。又該グラ
フから明らかなように、’ａ 、 ｏ。
Ｎの含有量と、垂直磁気特性との関係を調べた所、その
含有量が約２〜８ ａｔ％の範囲で有効で就中５〜７
ａｔ％で特に良好な結果を得た。
含有量が約２〜８ ａｔ％の範囲で有効で就中５〜７
ａｔ％で特に良好な結果を得た。
尚、拳法のようにＯｌＯ，Ｎを特に導入しない上記屋６
の通常の製造法によれば、真空容器中に微量の空気や水
蒸気が含有する結果、蒸着膜中にＮ、Ｏ原子合わせて１
ａｔ％以下の微量混入するものが得られるが、か＼る
微量では全く垂直磁化効果はもとより生じないことは該
グラフより明らかである。
の通常の製造法によれば、真空容器中に微量の空気や水
蒸気が含有する結果、蒸着膜中にＮ、Ｏ原子合わせて１
ａｔ％以下の微量混入するものが得られるが、か＼る
微量では全く垂直磁化効果はもとより生じないことは該
グラフより明らかである。
上記の効果の原因は、か＼る導入ガスは、００に全く反
応しないがＯｒに反応するか００に対してよりＯｒに対
しより反応性に富むため、粒界にＯｒ原子が偏析するこ
とを促進させ、又これら０゜１１１、Ｏ原子も粒界に偏
析するためである。この結果、粒子が孤立して単磁区粒
子となり、形状異方性が増大する。尚磁化過程が磁壁移
動から回転になることにより垂直方向の保持力が更に増
大する。上記ガス導入の効果は、Ｏｒが上記の含有量に
限らず通常使用される１０〜３０ ｗｔ％含有の０Ｏ−
Ｏｒｒ合金Ｏｏ −Ｏｒ合金に少量のＭｏ、Ｗ。
応しないがＯｒに反応するか００に対してよりＯｒに対
しより反応性に富むため、粒界にＯｒ原子が偏析するこ
とを促進させ、又これら０゜１１１、Ｏ原子も粒界に偏
析するためである。この結果、粒子が孤立して単磁区粒
子となり、形状異方性が増大する。尚磁化過程が磁壁移
動から回転になることにより垂直方向の保持力が更に増
大する。上記ガス導入の効果は、Ｏｒが上記の含有量に
限らず通常使用される１０〜３０ ｗｔ％含有の０Ｏ−
Ｏｒｒ合金Ｏｏ −Ｏｒ合金に少量のＭｏ、Ｗ。
Ｔｉ、Ｖ、Ｒｈ等を添加したもの等Ｏｏ −Ｏｒ合金系
磁性体についても同様に有し、そのＯ、Ｎ、Ｏの少くと
も１種の混入した垂直磁化膜が得られる。
磁性体についても同様に有し、そのＯ、Ｎ、Ｏの少くと
も１種の混入した垂直磁化膜が得られる。
又、スパッタ法の他、蒸着法やイオンブレーティング法
等の高速析出法その他の製膜法によっても同様にＧ ｏ
−Ｏｒ系垂直磁化膜をもつ磁気記録体が得られる。
等の高速析出法その他の製膜法によっても同様にＧ ｏ
−Ｏｒ系垂直磁化膜をもつ磁気記録体が得られる。
このように本発明によるとぎは、Ｏ，ＮＱＯの少くとも
１種を導入した状態で、高速析出法を行なうときは基材
を２００℃以上に加熱しないでも、ｃｏ−Ｏｒｒ系垂直
磁化膜生成でき、工業的生産が高能率且つ有利に行なう
ことができ、基材としてＰ］ｌ！ｉＴ等の合成樹脂等の
熱に比較的弱いものを使用して製造でき有利であり、Ｏ
，Ｎ。
１種を導入した状態で、高速析出法を行なうときは基材
を２００℃以上に加熱しないでも、ｃｏ−Ｏｒｒ系垂直
磁化膜生成でき、工業的生産が高能率且つ有利に行なう
ことができ、基材としてＰ］ｌ！ｉＴ等の合成樹脂等の
熱に比較的弱いものを使用して製造でき有利であり、Ｏ
，Ｎ。
０の少くとも１種の原子が混入した新規な０ｏ−ｏｒ系
磁気記録体を提供する等の効果を有する。
磁気記録体を提供する等の効果を有する。
図面はＯ，Ｎ、Ｏの混入量と生成膜の磁気特性の関係を
示すグラフである。 外２名 手続補正書 １．事件の表示 昭和５７年特許願第１２５０４３列 ２、発明の名称 磁気記録体並にその製造法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 日本真空技術株式会社 ４、代 理 人 ５、補正命令の日付（自発） ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、 補正の内容 明細書第１頁１４行目の「高密度記録体として」を「新
しい高密度記録方式として１垂直磁気記録方式と光磁気
記録方式が注目され、そのための記録媒体として」に補
正します。
示すグラフである。 外２名 手続補正書 １．事件の表示 昭和５７年特許願第１２５０４３列 ２、発明の名称 磁気記録体並にその製造法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 日本真空技術株式会社 ４、代 理 人 ５、補正命令の日付（自発） ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、 補正の内容 明細書第１頁１４行目の「高密度記録体として」を「新
しい高密度記録方式として１垂直磁気記録方式と光磁気
記録方式が注目され、そのための記録媒体として」に補
正します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基材面上に、Ｏ，Ｎ、Ｏの少くとも１種の原子が
約２〜８ａｔ％偏析含有している０ｏ−Ｏｒｒ系垂直磁
化膜有することを特徴とする磁気記録体。 ２ 真空処理容器内に０．Ｈ，Ｏの少くとも１種の原子
を含むガスを導入した状態で、基材面にＧｏ−Ｏｒ系磁
性粒子を高速析出せしめることを特徴とする磁気記録体
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12504382A JPS5917216A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録体並にその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12504382A JPS5917216A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録体並にその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917216A true JPS5917216A (ja) | 1984-01-28 |
| JPH0254642B2 JPH0254642B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=14900418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12504382A Granted JPS5917216A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録体並にその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917216A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170213A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Yoshifumi Sakurai | 磁性薄膜およびその製法 |
| JPS6190405A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Yoshifumi Sakurai | 垂直磁化膜の製造方法 |
| US4711810A (en) * | 1984-10-29 | 1987-12-08 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetic medium for horizontal magnetization recording and method for making same |
| JPS6326818A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5068158A (en) * | 1986-03-07 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and process for preparing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12504382A patent/JPS5917216A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170213A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Yoshifumi Sakurai | 磁性薄膜およびその製法 |
| JPS6190405A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Yoshifumi Sakurai | 垂直磁化膜の製造方法 |
| JPH0582724B2 (ja) * | 1984-10-09 | 1993-11-22 | Yoshifumi Sakurai | |
| US4711810A (en) * | 1984-10-29 | 1987-12-08 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetic medium for horizontal magnetization recording and method for making same |
| US5068158A (en) * | 1986-03-07 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and process for preparing the same |
| JPS6326818A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254642B2 (ja) | 1990-11-22 |
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