JPH0254642B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0254642B2 JPH0254642B2 JP57125043A JP12504382A JPH0254642B2 JP H0254642 B2 JPH0254642 B2 JP H0254642B2 JP 57125043 A JP57125043 A JP 57125043A JP 12504382 A JP12504382 A JP 12504382A JP H0254642 B2 JPH0254642 B2 JP H0254642B2
- Authority
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- Japan
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- film
- atoms
- magnetic recording
- base material
- magnetic
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
近年、新しい高密度記録方式として、垂直磁気
記録方式と光磁気記録方式が注目され、そのため
の記録媒体として垂直方向に磁気異方性を備えた
垂直磁化膜が開発され、特にCo−Cr系垂直磁化
膜が実用上優れて居り、これを基材面に析出させ
た磁気記録体は公知である。 然し乍ら、この磁気記録体を製造するために、
基材面に、蒸着法やマグネトロン型の高速スパツ
タ法等の析出速度が数千Å〜数μｍ／minの析出
速度でCo−Cr系磁化膜を生成せしめる場合は、
基材の温度を200℃付近に加熱しないと垂直磁化
膜が得られないことが分つてきた。このことは、
この製造法には、磁気テープやフロツピーデイス
ク等として一般に用いられるポリエチレンテレフ
タレート（PET）などの熱に弱い合成樹脂を基
材として用いることができない不利がある。一
方、工業生産規膜からみて、基材を加熱しない
で、一般に室温でCo−Cr系垂直磁化膜を高速析
出生成せしめ得ることが望ましい。 本発明は、常温でもCo−Cr系垂直磁化膜をも
つ新規な磁気記録体を提供するもので、基材面上
に、Ｃ、Ｎの少くとも１種の原子が２〜8at％含
有しているCo−Cr系垂直磁化膜を有することを
特徴とする。 更に本発明は、基材が常温でもこれにCo−Cr
系垂直磁化膜をもつ磁気記録体を製造し得るよう
にし、上記の要望を達成する製造法を提供するも
ので、真空処理容器内にＣ、Ｎの少くとも１種の
原子を含むガスを導入した状態で、基材面にCo
−Cr系磁性粒子を高速析出せしめることを特徴
とする。 次に本発明の実施例を説明する。 真空処理容器内の下部に、最も優れた垂直磁化
性を示すCo−20wt％Cr合金をターゲツトとして
設け、その上方にポリエチレンテレフタレート
（PET）のシート状基材を配し、該容器内にCrと
結合力の大きいＣ、Ｎ原子の少くとも１種を含む
ガスを導入し乍ら、通常のDCマグネトロンスパ
ツタ法により、その基材面に、5000〜8000Å／
minの析出速度で磁性粒子を析出させ、厚さ4000
ÅのCo−Cr系析出膜を得るが、その析出に於て、
該原子をCo−Cr磁生粒子の析出膜中に２〜8at％
含有せしめる。その結果該析出膜は、垂直磁化膜
として得られる。 この導入するガスとして、C2H2、N2、NH3、
CO2の４種について夫々実験した。その各ガスの
導入は、リーク弁を調節することにより、下記表
に示す分圧になるように行ない、その後Arガス
を分圧５×10-3Torrまで導入する。上記実験で
は、基材は、その冷却用保持板にその裏面を接着
させて、スパツタ熱による温度上昇を防止して常
温での高速析出を確実に行なえるようにしたが、
勿論、スパツタ熱による基材の昇温は差支えな
く、又従来のように200℃以上の基板加熱を行な
つてもよい。
記録方式と光磁気記録方式が注目され、そのため
の記録媒体として垂直方向に磁気異方性を備えた
垂直磁化膜が開発され、特にCo−Cr系垂直磁化
膜が実用上優れて居り、これを基材面に析出させ
た磁気記録体は公知である。 然し乍ら、この磁気記録体を製造するために、
基材面に、蒸着法やマグネトロン型の高速スパツ
タ法等の析出速度が数千Å〜数μｍ／minの析出
速度でCo−Cr系磁化膜を生成せしめる場合は、
基材の温度を200℃付近に加熱しないと垂直磁化
膜が得られないことが分つてきた。このことは、
この製造法には、磁気テープやフロツピーデイス
ク等として一般に用いられるポリエチレンテレフ
タレート（PET）などの熱に弱い合成樹脂を基
材として用いることができない不利がある。一
方、工業生産規膜からみて、基材を加熱しない
で、一般に室温でCo−Cr系垂直磁化膜を高速析
出生成せしめ得ることが望ましい。 本発明は、常温でもCo−Cr系垂直磁化膜をも
つ新規な磁気記録体を提供するもので、基材面上
に、Ｃ、Ｎの少くとも１種の原子が２〜8at％含
有しているCo−Cr系垂直磁化膜を有することを
特徴とする。 更に本発明は、基材が常温でもこれにCo−Cr
系垂直磁化膜をもつ磁気記録体を製造し得るよう
にし、上記の要望を達成する製造法を提供するも
ので、真空処理容器内にＣ、Ｎの少くとも１種の
原子を含むガスを導入した状態で、基材面にCo
−Cr系磁性粒子を高速析出せしめることを特徴
とする。 次に本発明の実施例を説明する。 真空処理容器内の下部に、最も優れた垂直磁化
性を示すCo−20wt％Cr合金をターゲツトとして
設け、その上方にポリエチレンテレフタレート
（PET）のシート状基材を配し、該容器内にCrと
結合力の大きいＣ、Ｎ原子の少くとも１種を含む
ガスを導入し乍ら、通常のDCマグネトロンスパ
ツタ法により、その基材面に、5000〜8000Å／
minの析出速度で磁性粒子を析出させ、厚さ4000
ÅのCo−Cr系析出膜を得るが、その析出に於て、
該原子をCo−Cr磁生粒子の析出膜中に２〜8at％
含有せしめる。その結果該析出膜は、垂直磁化膜
として得られる。 この導入するガスとして、C2H2、N2、NH3、
CO2の４種について夫々実験した。その各ガスの
導入は、リーク弁を調節することにより、下記表
に示す分圧になるように行ない、その後Arガス
を分圧５×10-3Torrまで導入する。上記実験で
は、基材は、その冷却用保持板にその裏面を接着
させて、スパツタ熱による温度上昇を防止して常
温での高速析出を確実に行なえるようにしたが、
勿論、スパツタ熱による基材の昇温は差支えな
く、又従来のように200℃以上の基板加熱を行な
つてもよい。
【表】
上記表から明らかなように、対照例として示し
た従来の製造法、即ちガス導入のない場合は、膜
面に垂直方向に保磁力Hc⊥と平行方向の保持力
Hcとは同じ値で、垂直磁化膜になつていない
が、本発明により導入ガス中で作成された上記サ
ンプルNo.１〜４はいずれもHc⊥の値は増加し、
且つHc⊥／Hcの値が大きくなり、従て垂直磁
化膜となつていることが分る。尚、導入ガスの導
入量を増大して行くとHc⊥の値も増大して行く
ことが添付図面のグラフからも明らかである。又
該グラフから明らかなように、Ｃ、Ｎの含有量
と、垂直磁気特性との関係を調べた所、その含有
量が２〜8at％の範囲で有効で就中３〜7at％で特
に良好な結果を得た。 尚、本法のようにＣ、Ｎを特に導入しない上記
No.５の通常の製造法によれば、真空容器中に微量
の空気や水蒸気が含有する結果、蒸着膜中にＮ、
Ｏ原子合わせて1at％以下の微量混入するものが
得られるが、かゝる微量では全く垂直磁化効果は
もとより生じないことは該グラフより明らかであ
る。 上記の結果の原因は、かゝる導入ガスは、Co
に全く反応しないがCrに反応するか、Coに対し
てよりもCrに対しより反応性に富むため、粒界
にCr原子が偏析することを促進させ、又これら
Ｃ、Ｎ原子も粒界に偏析するためである。この結
果、Co粒子が孤立して単磁区粒子となり、形状
異方性が増大する。尚磁化過程が磁壁移動から回
転することにより垂直方向の保持力が更に増大す
る。上記ガス導入の効果は、Crが上記の含有量
に限らず通常使用される10〜30wt％含有のCo−
Cr合金やCo−Cr合金に少量のMo、Ｗ、Ti、Ｖ、
Rh等を添加したもの等Co−Cr合金系磁性体につ
いても同様に有し、そのＣ、Ｎの少くとも１種の
混入した垂直磁化膜が得られる。 又、スパツタ法の他、蒸着法やイオンプレーテ
イング法等の高速析出法その他の製膜法によつて
も同様にCo−Cr系垂直磁化膜をもつ磁気記録体
が得られる。 このように本発明によるときは、Ｃ、Ｎの少く
とも１種を導入した状態で、高速析出法を行なう
ときは基材を200℃以上に加熱しないでも、Co−
Cr系垂直磁化膜を生成でき、工業的生産が高能
率且つ有利に行なうことができ、基材として
PET等の合成樹脂等の熱に比較的弱いものを使
用して製造でき有利であり、Ｃ、Ｎの少くとも１
種の原子が混入した新規なCo−Cr系磁気記録体
を提供する等の効果を有する。
た従来の製造法、即ちガス導入のない場合は、膜
面に垂直方向に保磁力Hc⊥と平行方向の保持力
Hcとは同じ値で、垂直磁化膜になつていない
が、本発明により導入ガス中で作成された上記サ
ンプルNo.１〜４はいずれもHc⊥の値は増加し、
且つHc⊥／Hcの値が大きくなり、従て垂直磁
化膜となつていることが分る。尚、導入ガスの導
入量を増大して行くとHc⊥の値も増大して行く
ことが添付図面のグラフからも明らかである。又
該グラフから明らかなように、Ｃ、Ｎの含有量
と、垂直磁気特性との関係を調べた所、その含有
量が２〜8at％の範囲で有効で就中３〜7at％で特
に良好な結果を得た。 尚、本法のようにＣ、Ｎを特に導入しない上記
No.５の通常の製造法によれば、真空容器中に微量
の空気や水蒸気が含有する結果、蒸着膜中にＮ、
Ｏ原子合わせて1at％以下の微量混入するものが
得られるが、かゝる微量では全く垂直磁化効果は
もとより生じないことは該グラフより明らかであ
る。 上記の結果の原因は、かゝる導入ガスは、Co
に全く反応しないがCrに反応するか、Coに対し
てよりもCrに対しより反応性に富むため、粒界
にCr原子が偏析することを促進させ、又これら
Ｃ、Ｎ原子も粒界に偏析するためである。この結
果、Co粒子が孤立して単磁区粒子となり、形状
異方性が増大する。尚磁化過程が磁壁移動から回
転することにより垂直方向の保持力が更に増大す
る。上記ガス導入の効果は、Crが上記の含有量
に限らず通常使用される10〜30wt％含有のCo−
Cr合金やCo−Cr合金に少量のMo、Ｗ、Ti、Ｖ、
Rh等を添加したもの等Co−Cr合金系磁性体につ
いても同様に有し、そのＣ、Ｎの少くとも１種の
混入した垂直磁化膜が得られる。 又、スパツタ法の他、蒸着法やイオンプレーテ
イング法等の高速析出法その他の製膜法によつて
も同様にCo−Cr系垂直磁化膜をもつ磁気記録体
が得られる。 このように本発明によるときは、Ｃ、Ｎの少く
とも１種を導入した状態で、高速析出法を行なう
ときは基材を200℃以上に加熱しないでも、Co−
Cr系垂直磁化膜を生成でき、工業的生産が高能
率且つ有利に行なうことができ、基材として
PET等の合成樹脂等の熱に比較的弱いものを使
用して製造でき有利であり、Ｃ、Ｎの少くとも１
種の原子が混入した新規なCo−Cr系磁気記録体
を提供する等の効果を有する。
図面はＣ、Ｎの混入量と生成膜の磁気特性の関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基材面上に、Ｃ、Ｎの少くとも１種の原子が
２〜8at％含有しているCo−Cr系垂直磁化膜を有
することを特徴とする磁気記録体。 ２ 真空処理容器内にＣ、Ｎの少くとも１種の原
子を含むガスを導入した状態で、基材面にCo−
Cr系磁性粒子を高速析出せしめることを特徴と
する磁気記録体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12504382A JPS5917216A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録体並にその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12504382A JPS5917216A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録体並にその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917216A JPS5917216A (ja) | 1984-01-28 |
| JPH0254642B2 true JPH0254642B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=14900418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12504382A Granted JPS5917216A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁気記録体並にその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917216A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170213A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Yoshifumi Sakurai | 磁性薄膜およびその製法 |
| JPS6190405A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Yoshifumi Sakurai | 垂直磁化膜の製造方法 |
| KR890004257B1 (ko) * | 1984-10-29 | 1989-10-28 | 니뽕 빅터 가부시끼가이샤 | 자기 기록매체 및 그 제조법 |
| JPS62208412A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPS6326818A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12504382A patent/JPS5917216A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5917216A (ja) | 1984-01-28 |
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