JPH0323513A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体及びその製造方法

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JPH0323513A
JPH0323513A JP15799589A JP15799589A JPH0323513A JP H0323513 A JPH0323513 A JP H0323513A JP 15799589 A JP15799589 A JP 15799589A JP 15799589 A JP15799589 A JP 15799589A JP H0323513 A JPH0323513 A JP H0323513A
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JP
Japan
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recording medium
magnetic recording
alloy
film
samarium
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Application number
JP15799589A
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English (en)
Inventor
Makoto Mizukami
誠 水上
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Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、低温スパッタ法によって優れた磁気特性を得
ることができる磁気記録媒体及びその製造方法に関する
(従来の技術) 一般に、ハードディスクを製造する際に用いられるドラ
イプロセスによる製造方法としては、尺別すると蒸着法
とスパッタ法とが知られている。
上記蒸着法においては、一般に基盤の表面に114′;
i子を斜め方向から蒸着させる斜め蒸着の技術を用いる
必要があるが、この方法では原料となる磁性金属の使用
効率が極めて悪く、また、ディスク状の基盤に成膜する
場合には、円周方向の膜厚分niの制御及び配向方法の
制御の点から大変難かしいものであった。
これに対して、上記スパッタ法を用いた場合には、クロ
ム(C『)下地の表面にコバルト(Co)合金を成膜す
ることによって優れた磁気特性をffする磁気記録媒体
が得られることが知られている。
ただし、このスパッタ法を用いる場合には、Crによる
下地膜の結品性を向上させるとともに、この下地膜の表
面に成模するCo合金のエビタキシャル成長を促進して
保磁力(I{c)の高い記録媒体を得ようとすると、ス
パッタ時における基盤の加熱温度をある程度高くする必
要がある。
そこで、従来は例えばニッケル・リン(N i P)基
盤上にC oA金等を成膜する場合には、この基盤温度
を200℃程度に加熱している。
また、基盤の材料としても、このように加熱する必要が
あることから、NiPのみならずガラス(Si02)、
アルミニウム(i)、アルマイト等の耐熱性に優れたも
のが用いられている。
(発明が解決すべき課題) ところで、最近に至って、ハードディスクの基盤として
プラスチックを用いたフレキシブル基盤に金届薄膜を形
戊しようとする試みが行なわれている。
しかしながら、従来の技術においては、ブラスチソクや
フレキシブル基盤のような耐熱性の小さな基盤に加熱す
ることな(Co合金等の磁性材料を成膜しても充分な磁
気特性を得ることができないという問題があった。
(課題を解決するための手段) 本発明は上述のような実状に鑑みてなされたものであり
、低温スパッタによって製造されたにもかかわらず、充
分な磁気特性を得ることができる磁気記録媒体及びその
製造方法を提供することを目的とする。
そして、本発明は、この目的を達或するために非磁性基
盤の表面にクロム、チタン、あるいはアルミニウムの下
地膜を介してコバルト・サマリウム合金による磁性膜を
設けて或る磁気記録媒体であって、上記下地膜を1 0
 0Å〜3000人の厚さにするとともに、上記コバル
ト・サマリウム合金におけるサマリウムの量を10at
%〜30at%にしたことを特徴とする磁気記録媒体を
提供するものである。
(実施例) 以下、本発明に係る磁気記録媒体及びその製造方法につ
いての好適な実施例を第1図ないし第5図を用いて詳細
に説明する。
本実施例は6φのCo夕一ゲット上にサマリウム(Sm
)チップを任意数置いてSmJ1(at%)を調整した
状態でDCマグネトロンスパッタを用いて基盤上に磁性
膜を成膜した。
(丈施例】) A& ffiとしてNiPにテクスチュア処理を施した
ものを用い、この基盤にCr下H!!膜をIOOOA成
膜するとともに、スベツタガス圧を7mTorr,.!
!Ji盤温度70℃に設定し、CoSm合金を650人
或膜した際のSmの添加量と保磁力(lie)及び飽和
磁化ffi(Xs)との各関係を調べた。
この結果、Smの添加量とHeとの関係は、第1図に示
すように約25at%で最高(約1.3000e)とな
り、約10〜32at%の範囲内で極めて優れた磁気特
性( 6 0 0 [Oel以上)を得た。
また、Smの添加量とMSとの関係は、第2図に示すよ
うにSmの添加量に反比例して減少し、約:30at%
以下の範囲内で極めて優れた磁気特性(約5 0 0 
[emu/cc])を得た。
これらの結果から、Smの添加量は10〜30at%に
設定すれば良いことが判明した。
(実施例2) 実施例1におけるSmの添加量を10at%、25at
%、30at%に設定して基盤温度を変化させたときの
Heを1凋べた。
この結果、Smの添加量を10〜30at%に段定した
場合においては、第3図に示すように、基盤温度を高く
すればするほどHcは低下し、基盤温度を約170℃以
下に設定した場合に極めて優れた磁気特性( 6 0 
0 [Oe])以上を得た。
よって、同一条件の場合には、基盤温度が低くければ低
いほど優れた磁気特性が得られることが判明した。
なお、MSについては、基盤温度と関係ないため同様な
実験を行なわなかった。
(実施例3) 実施例1において、基盤温度が70℃と170℃の場合
におけるスパッタ時のガス圧を変化させて、このガス圧
とIlcとの関係を調べた。
この結果、第4図に示すように、基盤温度の上限である
170℃の場合に、ガス圧を約3〜15mTorrの範
囲内に設定することによって極めて優れた磁気特性( 
6 0 0 [Oeコ)を得、特に約7aTorrのと
きに最高であった。
よって、スパッタ時におけるガス圧を3−1 5mTo
rr(特に、7 sTorr)に設定すれば良いことが
判明した。
(実施例4) 実施例1において、基盤としてNiPの代わりにポリエ
チレンテレフタレート(PET)を用いた。
この結果、lieが1 7 4 0 [Oel、Msが
5 0 0 [esu/cc] ,角型比(Rs)が0
.78、保磁力角型比(S本)が0.84となり、極め
て優れた磁気特性を有する磁気記録媒体を得ることがで
きた。
(実施例5) ・実施例1において、C『下地膜の代わりにチタン(T
i)を用い、500人の下地膜を成膜した。
この結果、Ilcが2 0 8 0 [Oe]、MSが
5 0 0 [ewu/ec]、角型比(Rs)が0.
74、保磁力角型比(S本)が0.87となり、極めて
優れた磁気特性を有する磁気記録媒体を得ることができ
た。
また、Tiの代わりにANを用いて500人の下地膜を
成膜した場合にも同桟な優れた磁気記緑媒体を得ること
ができた。
よって、下地膜の材料としては、Cr,Ti、Aj7の
いずれかを用いればよいことが判明した。
(実施例6) 実施例5において、Ti下地膜の厚さをスパッタガス圧
(3sTorr ,  7mTorr ,  1 5n
Torr ) fiに変化させてtieとの関係を1苅
べた。
この結果、第5図に示すようにTi下地膜が約100〜
3000人の範囲内のときに、極めて優れた磁気特性(
 6 0 0 [Oe])を得ることができた。
特に、各ガス圧を通じて、下地膜を約1000人程度と
したときに最高のtlc(ガス7 iTorrで約2 
3 0 0 [Oel)を得ることができた。
以上の各実施例において、成膜したCoSm合金はアモ
ルファスであることがX線Aq折によって確認された。
また、下地膜を成膜した後に、一度大気中に取り出して
から再び真空槽に入れてCoSm合金を成膜しても同一
条件で連続的に成膜したものに比して磁気特性の劣化は
なく、このことからCoSm合金が下地膜にエビタキシ
ャル成長するしのではないことが確認された。
(比較例1) テクスチャ処理を施したNiP基盤にC「下地膜を10
00人、CoCrTaを750人、スパッタガス圧を7
1IITorr,基盤温度を25℃で製造した磁気記録
媒体におけるHcは3 0 0 [Oe]と低い値であ
った。
(比較例2) 比較例1において、CrT地膜を成膜しなかった場合に
は、tlcが5 0 [Oe]と低い値であった。
(発明の効果) 上述の各実施例及び比較例から明らかなように、本発明
に係る磁気記録媒体によれば、その磁気特性を極めて優
れたものとすることができる。
また、本発明に係る磁気記U媒体の製造方法によれば、
低温スパッタ広により、優れた磁気特性を有する磁気記
な媒体を得ることができ、基盤として耐熱性が低いプラ
スチック等を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る磁気記録媒体のサマリウムの量と
保磁力との関係を示すグラフ、第2図は同じくサマリウ
ム量と飽和磁化量との関係を示すグラフ、第3図は本発
明に係る磁気記録媒体の製造方法における基盤温度と保
磁力との関係を示すグラフ、第4図は同じくスパッタガ
ス圧と保磁力との関係を示すグラフ、第5図は本発明に
係る磁気記録媒体の下地膜の厚さと保磁力との関係を示
すグラフである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非磁性基盤の表面にクロム、チタン、あるいはア
    ルミニウムの下地膜を介してコバルト・サマリウム合金
    による磁性膜を設けて成る磁気記録媒体であって、 上記下地膜を100Å〜3000Åの厚さにするととも
    に、 上記コバルト・サマリウム合金におけるサマリウムの量
    を10at%〜30at%にしたことを特徴とする磁気
    記録媒体。
  2. (2)請求項(1)記載の磁気記録媒体のスパッタ法に
    る製造方法であって、 スパッタガス圧を3mTorr〜15mTorrにする
    とともに、 スパッタ時における基盤温度を170℃以下にしたこと
    を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
JP15799589A 1989-06-20 1989-06-20 磁気記録媒体及びその製造方法 Pending JPH0323513A (ja)

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