JPH0323513A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0323513A JPH0323513A JP15799589A JP15799589A JPH0323513A JP H0323513 A JPH0323513 A JP H0323513A JP 15799589 A JP15799589 A JP 15799589A JP 15799589 A JP15799589 A JP 15799589A JP H0323513 A JPH0323513 A JP H0323513A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、低温スパッタ法によって優れた磁気特性を得
ることができる磁気記録媒体及びその製造方法に関する
。
ることができる磁気記録媒体及びその製造方法に関する
。
(従来の技術)
一般に、ハードディスクを製造する際に用いられるドラ
イプロセスによる製造方法としては、尺別すると蒸着法
とスパッタ法とが知られている。
イプロセスによる製造方法としては、尺別すると蒸着法
とスパッタ法とが知られている。
上記蒸着法においては、一般に基盤の表面に114′;
i子を斜め方向から蒸着させる斜め蒸着の技術を用いる
必要があるが、この方法では原料となる磁性金属の使用
効率が極めて悪く、また、ディスク状の基盤に成膜する
場合には、円周方向の膜厚分niの制御及び配向方法の
制御の点から大変難かしいものであった。
i子を斜め方向から蒸着させる斜め蒸着の技術を用いる
必要があるが、この方法では原料となる磁性金属の使用
効率が極めて悪く、また、ディスク状の基盤に成膜する
場合には、円周方向の膜厚分niの制御及び配向方法の
制御の点から大変難かしいものであった。
これに対して、上記スパッタ法を用いた場合には、クロ
ム(C『)下地の表面にコバルト(Co)合金を成膜す
ることによって優れた磁気特性をffする磁気記録媒体
が得られることが知られている。
ム(C『)下地の表面にコバルト(Co)合金を成膜す
ることによって優れた磁気特性をffする磁気記録媒体
が得られることが知られている。
ただし、このスパッタ法を用いる場合には、Crによる
下地膜の結品性を向上させるとともに、この下地膜の表
面に成模するCo合金のエビタキシャル成長を促進して
保磁力(I{c)の高い記録媒体を得ようとすると、ス
パッタ時における基盤の加熱温度をある程度高くする必
要がある。
下地膜の結品性を向上させるとともに、この下地膜の表
面に成模するCo合金のエビタキシャル成長を促進して
保磁力(I{c)の高い記録媒体を得ようとすると、ス
パッタ時における基盤の加熱温度をある程度高くする必
要がある。
そこで、従来は例えばニッケル・リン(N i P)基
盤上にC oA金等を成膜する場合には、この基盤温度
を200℃程度に加熱している。
盤上にC oA金等を成膜する場合には、この基盤温度
を200℃程度に加熱している。
また、基盤の材料としても、このように加熱する必要が
あることから、NiPのみならずガラス(Si02)、
アルミニウム(i)、アルマイト等の耐熱性に優れたも
のが用いられている。
あることから、NiPのみならずガラス(Si02)、
アルミニウム(i)、アルマイト等の耐熱性に優れたも
のが用いられている。
(発明が解決すべき課題)
ところで、最近に至って、ハードディスクの基盤として
プラスチックを用いたフレキシブル基盤に金届薄膜を形
戊しようとする試みが行なわれている。
プラスチックを用いたフレキシブル基盤に金届薄膜を形
戊しようとする試みが行なわれている。
しかしながら、従来の技術においては、ブラスチソクや
フレキシブル基盤のような耐熱性の小さな基盤に加熱す
ることな(Co合金等の磁性材料を成膜しても充分な磁
気特性を得ることができないという問題があった。
フレキシブル基盤のような耐熱性の小さな基盤に加熱す
ることな(Co合金等の磁性材料を成膜しても充分な磁
気特性を得ることができないという問題があった。
(課題を解決するための手段)
本発明は上述のような実状に鑑みてなされたものであり
、低温スパッタによって製造されたにもかかわらず、充
分な磁気特性を得ることができる磁気記録媒体及びその
製造方法を提供することを目的とする。
、低温スパッタによって製造されたにもかかわらず、充
分な磁気特性を得ることができる磁気記録媒体及びその
製造方法を提供することを目的とする。
そして、本発明は、この目的を達或するために非磁性基
盤の表面にクロム、チタン、あるいはアルミニウムの下
地膜を介してコバルト・サマリウム合金による磁性膜を
設けて或る磁気記録媒体であって、上記下地膜を1 0
0Å〜3000人の厚さにするとともに、上記コバル
ト・サマリウム合金におけるサマリウムの量を10at
%〜30at%にしたことを特徴とする磁気記録媒体を
提供するものである。
盤の表面にクロム、チタン、あるいはアルミニウムの下
地膜を介してコバルト・サマリウム合金による磁性膜を
設けて或る磁気記録媒体であって、上記下地膜を1 0
0Å〜3000人の厚さにするとともに、上記コバル
ト・サマリウム合金におけるサマリウムの量を10at
%〜30at%にしたことを特徴とする磁気記録媒体を
提供するものである。
(実施例)
以下、本発明に係る磁気記録媒体及びその製造方法につ
いての好適な実施例を第1図ないし第5図を用いて詳細
に説明する。
いての好適な実施例を第1図ないし第5図を用いて詳細
に説明する。
本実施例は6φのCo夕一ゲット上にサマリウム(Sm
)チップを任意数置いてSmJ1(at%)を調整した
状態でDCマグネトロンスパッタを用いて基盤上に磁性
膜を成膜した。
)チップを任意数置いてSmJ1(at%)を調整した
状態でDCマグネトロンスパッタを用いて基盤上に磁性
膜を成膜した。
(丈施例】)
A& ffiとしてNiPにテクスチュア処理を施した
ものを用い、この基盤にCr下H!!膜をIOOOA成
膜するとともに、スベツタガス圧を7mTorr,.!
!Ji盤温度70℃に設定し、CoSm合金を650人
或膜した際のSmの添加量と保磁力(lie)及び飽和
磁化ffi(Xs)との各関係を調べた。
ものを用い、この基盤にCr下H!!膜をIOOOA成
膜するとともに、スベツタガス圧を7mTorr,.!
!Ji盤温度70℃に設定し、CoSm合金を650人
或膜した際のSmの添加量と保磁力(lie)及び飽和
磁化ffi(Xs)との各関係を調べた。
この結果、Smの添加量とHeとの関係は、第1図に示
すように約25at%で最高(約1.3000e)とな
り、約10〜32at%の範囲内で極めて優れた磁気特
性( 6 0 0 [Oel以上)を得た。
すように約25at%で最高(約1.3000e)とな
り、約10〜32at%の範囲内で極めて優れた磁気特
性( 6 0 0 [Oel以上)を得た。
また、Smの添加量とMSとの関係は、第2図に示すよ
うにSmの添加量に反比例して減少し、約:30at%
以下の範囲内で極めて優れた磁気特性(約5 0 0
[emu/cc])を得た。
うにSmの添加量に反比例して減少し、約:30at%
以下の範囲内で極めて優れた磁気特性(約5 0 0
[emu/cc])を得た。
これらの結果から、Smの添加量は10〜30at%に
設定すれば良いことが判明した。
設定すれば良いことが判明した。
(実施例2)
実施例1におけるSmの添加量を10at%、25at
%、30at%に設定して基盤温度を変化させたときの
Heを1凋べた。
%、30at%に設定して基盤温度を変化させたときの
Heを1凋べた。
この結果、Smの添加量を10〜30at%に段定した
場合においては、第3図に示すように、基盤温度を高く
すればするほどHcは低下し、基盤温度を約170℃以
下に設定した場合に極めて優れた磁気特性( 6 0
0 [Oe])以上を得た。
場合においては、第3図に示すように、基盤温度を高く
すればするほどHcは低下し、基盤温度を約170℃以
下に設定した場合に極めて優れた磁気特性( 6 0
0 [Oe])以上を得た。
よって、同一条件の場合には、基盤温度が低くければ低
いほど優れた磁気特性が得られることが判明した。
いほど優れた磁気特性が得られることが判明した。
なお、MSについては、基盤温度と関係ないため同様な
実験を行なわなかった。
実験を行なわなかった。
(実施例3)
実施例1において、基盤温度が70℃と170℃の場合
におけるスパッタ時のガス圧を変化させて、このガス圧
とIlcとの関係を調べた。
におけるスパッタ時のガス圧を変化させて、このガス圧
とIlcとの関係を調べた。
この結果、第4図に示すように、基盤温度の上限である
170℃の場合に、ガス圧を約3〜15mTorrの範
囲内に設定することによって極めて優れた磁気特性(
6 0 0 [Oeコ)を得、特に約7aTorrのと
きに最高であった。
170℃の場合に、ガス圧を約3〜15mTorrの範
囲内に設定することによって極めて優れた磁気特性(
6 0 0 [Oeコ)を得、特に約7aTorrのと
きに最高であった。
よって、スパッタ時におけるガス圧を3−1 5mTo
rr(特に、7 sTorr)に設定すれば良いことが
判明した。
rr(特に、7 sTorr)に設定すれば良いことが
判明した。
(実施例4)
実施例1において、基盤としてNiPの代わりにポリエ
チレンテレフタレート(PET)を用いた。
チレンテレフタレート(PET)を用いた。
この結果、lieが1 7 4 0 [Oel、Msが
5 0 0 [esu/cc] ,角型比(Rs)が0
.78、保磁力角型比(S本)が0.84となり、極め
て優れた磁気特性を有する磁気記録媒体を得ることがで
きた。
5 0 0 [esu/cc] ,角型比(Rs)が0
.78、保磁力角型比(S本)が0.84となり、極め
て優れた磁気特性を有する磁気記録媒体を得ることがで
きた。
(実施例5)
・実施例1において、C『下地膜の代わりにチタン(T
i)を用い、500人の下地膜を成膜した。
i)を用い、500人の下地膜を成膜した。
この結果、Ilcが2 0 8 0 [Oe]、MSが
5 0 0 [ewu/ec]、角型比(Rs)が0.
74、保磁力角型比(S本)が0.87となり、極めて
優れた磁気特性を有する磁気記録媒体を得ることができ
た。
5 0 0 [ewu/ec]、角型比(Rs)が0.
74、保磁力角型比(S本)が0.87となり、極めて
優れた磁気特性を有する磁気記録媒体を得ることができ
た。
また、Tiの代わりにANを用いて500人の下地膜を
成膜した場合にも同桟な優れた磁気記緑媒体を得ること
ができた。
成膜した場合にも同桟な優れた磁気記緑媒体を得ること
ができた。
よって、下地膜の材料としては、Cr,Ti、Aj7の
いずれかを用いればよいことが判明した。
いずれかを用いればよいことが判明した。
(実施例6)
実施例5において、Ti下地膜の厚さをスパッタガス圧
(3sTorr , 7mTorr , 1 5n
Torr ) fiに変化させてtieとの関係を1苅
べた。
(3sTorr , 7mTorr , 1 5n
Torr ) fiに変化させてtieとの関係を1苅
べた。
この結果、第5図に示すようにTi下地膜が約100〜
3000人の範囲内のときに、極めて優れた磁気特性(
6 0 0 [Oe])を得ることができた。
3000人の範囲内のときに、極めて優れた磁気特性(
6 0 0 [Oe])を得ることができた。
特に、各ガス圧を通じて、下地膜を約1000人程度と
したときに最高のtlc(ガス7 iTorrで約2
3 0 0 [Oel)を得ることができた。
したときに最高のtlc(ガス7 iTorrで約2
3 0 0 [Oel)を得ることができた。
以上の各実施例において、成膜したCoSm合金はアモ
ルファスであることがX線Aq折によって確認された。
ルファスであることがX線Aq折によって確認された。
また、下地膜を成膜した後に、一度大気中に取り出して
から再び真空槽に入れてCoSm合金を成膜しても同一
条件で連続的に成膜したものに比して磁気特性の劣化は
なく、このことからCoSm合金が下地膜にエビタキシ
ャル成長するしのではないことが確認された。
から再び真空槽に入れてCoSm合金を成膜しても同一
条件で連続的に成膜したものに比して磁気特性の劣化は
なく、このことからCoSm合金が下地膜にエビタキシ
ャル成長するしのではないことが確認された。
(比較例1)
テクスチャ処理を施したNiP基盤にC「下地膜を10
00人、CoCrTaを750人、スパッタガス圧を7
1IITorr,基盤温度を25℃で製造した磁気記録
媒体におけるHcは3 0 0 [Oe]と低い値であ
った。
00人、CoCrTaを750人、スパッタガス圧を7
1IITorr,基盤温度を25℃で製造した磁気記録
媒体におけるHcは3 0 0 [Oe]と低い値であ
った。
(比較例2)
比較例1において、CrT地膜を成膜しなかった場合に
は、tlcが5 0 [Oe]と低い値であった。
は、tlcが5 0 [Oe]と低い値であった。
(発明の効果)
上述の各実施例及び比較例から明らかなように、本発明
に係る磁気記録媒体によれば、その磁気特性を極めて優
れたものとすることができる。
に係る磁気記録媒体によれば、その磁気特性を極めて優
れたものとすることができる。
また、本発明に係る磁気記U媒体の製造方法によれば、
低温スパッタ広により、優れた磁気特性を有する磁気記
な媒体を得ることができ、基盤として耐熱性が低いプラ
スチック等を用いることができる。
低温スパッタ広により、優れた磁気特性を有する磁気記
な媒体を得ることができ、基盤として耐熱性が低いプラ
スチック等を用いることができる。
第1図は本発明に係る磁気記録媒体のサマリウムの量と
保磁力との関係を示すグラフ、第2図は同じくサマリウ
ム量と飽和磁化量との関係を示すグラフ、第3図は本発
明に係る磁気記録媒体の製造方法における基盤温度と保
磁力との関係を示すグラフ、第4図は同じくスパッタガ
ス圧と保磁力との関係を示すグラフ、第5図は本発明に
係る磁気記録媒体の下地膜の厚さと保磁力との関係を示
すグラフである。
保磁力との関係を示すグラフ、第2図は同じくサマリウ
ム量と飽和磁化量との関係を示すグラフ、第3図は本発
明に係る磁気記録媒体の製造方法における基盤温度と保
磁力との関係を示すグラフ、第4図は同じくスパッタガ
ス圧と保磁力との関係を示すグラフ、第5図は本発明に
係る磁気記録媒体の下地膜の厚さと保磁力との関係を示
すグラフである。
Claims (2)
- (1)非磁性基盤の表面にクロム、チタン、あるいはア
ルミニウムの下地膜を介してコバルト・サマリウム合金
による磁性膜を設けて成る磁気記録媒体であって、 上記下地膜を100Å〜3000Åの厚さにするととも
に、 上記コバルト・サマリウム合金におけるサマリウムの量
を10at%〜30at%にしたことを特徴とする磁気
記録媒体。 - (2)請求項(1)記載の磁気記録媒体のスパッタ法に
る製造方法であって、 スパッタガス圧を3mTorr〜15mTorrにする
とともに、 スパッタ時における基盤温度を170℃以下にしたこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15799589A JPH0323513A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15799589A JPH0323513A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0323513A true JPH0323513A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15661942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15799589A Pending JPH0323513A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0323513A (ja) |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP15799589A patent/JPH0323513A/ja active Pending
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