JPH0582724B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0582724B2 JPH0582724B2 JP59212234A JP21223484A JPH0582724B2 JP H0582724 B2 JPH0582724 B2 JP H0582724B2 JP 59212234 A JP59212234 A JP 59212234A JP 21223484 A JP21223484 A JP 21223484A JP H0582724 B2 JPH0582724 B2 JP H0582724B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cobalt
- chromium
- film
- magnetic
- oxidized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 31
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 23
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 21
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 20
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 20
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Co] Chemical class [Cr].[Co] WAIPAZQMEIHHTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
「産業上の利用分野」
本発明は高密度磁気記録、いわゆる垂直磁気記
録媒体に適用して好適なる磁性薄膜を製造する方
法に関する。 「従来の技術」 近年、高密度磁気記録の一方式として、膜面に
対して垂直方向に磁化容易軸を有する、いわゆる
垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録が検討されてい
る。例えば媒体としてコバルト・クロム合金垂直
磁化膜が東北大学岩崎教授により、“アイ・イ
ー・イー・イー トランザクシヨンズ・オン・マ
グネテイクス（IEEE Transactions on
Magnetics）”Vol.MAG−14.P.894−P.851（1978）
に提案され、また、中村らによつて、部分酸化コ
バルト垂直磁化膜が“ジヤパニーズ・ジヤーナ
ル・オブ・アプライド・フイジツクス
（Japanese Journal of Applied Physics）”
Vol.23，L397−399，（1984）に提案されている。 「発明が解決しようとする問題点」 コバルト・クロム合金スパツタ膜は垂直磁気異
方性が大きく、大きな飽和磁化を持つた垂直磁化
膜を得ることが可能であり、優れた記録再生特性
を示す。しかし、かかる膜は金属から成るため、
摩耗に弱いという欠点を有する。一方、部分酸化
コバルトは酸化物であるため、摩耗には強いが耐
食性に欠けるという欠点を包蔵する。 「問題点を解決するための手段」 本発明は、かかる実情に鑑み、これらの問題点
を解消するもので、酸素雰囲気中でコバルトとク
ロムを同時にスパツタリング法により堆積させる
ことにより、硬度ならびに耐食性の優れた垂直磁
化膜を提供せんするものである。 即ち、本発明はクロムの濃度が１〜20原子パー
セントであり、コバルトとクロムを酸素雰囲気中
で全金属の50〜97％が酸化されるようにスパツタ
リング法により基板へ堆積することを特徴とす
る、基板に対して垂直な方向に磁化容易軸を有
し、飽和磁化が50〜600emu／cm3である磁性膜の
製造方法を内容とするものである。 本発明の磁性膜の化学組成を（Co1-xCrx）1-y
Oyと表わすなら、0.01≦χ≦0.20、0.16≦ｙ≦
0.48の領域で目的の磁性膜が得られる。更に、ク
ロムはほぼ完全に酸化され、コバルトは部分酸化
され、すなわちCoO、Cr2O3、Coの混合物から成
るものである。また構造は多くの場合、酸化コバ
ルトCoOが結晶成長している。この磁性膜は飽和
磁化が50〜600emu／cm3、垂直保磁力200〜
1500Oe（エルステツド）である。また垂直異方性
定数はKu＝0.1〜１×106erg／cm3（Ku＝Ｋ〓＋
2πMs2、Ｋ〓はトルク計で直接測定される見掛け
の垂直異方性定数、Msは飽和磁化）である。 このような磁性膜を得るにあたつて製法は極め
て重要である。すなわち、スパツタリング法を用
い、コバルトとクロムを同時に酸素雰囲気中で基
板上に堆積させることによつて初めて得られるも
のである。 以下、本発明の垂直磁化膜の製法について説明
する。 まず、基板としてはアルミニウム、ステンレス
などの金属板、あるいはポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリメタクリレートなどの板や
シートまたはフイルムがあげられるが、これらに
限定されるものではなく、軟化点が50℃程度以上
で厚さが10ミクロンないし10mm程度のものであれ
ば全て使用し得る。 ターゲツトとしてはコバルト・クロムからなる
合金ターゲツト又はコバルト板の上にクロム小片
を配置した（又は逆）複合ターゲツトでも構わな
い。ただし、垂直異方性を持つた磁化膜を得るに
は、クロムの割合は極めて重要である。クロムの
割合としては、１ないし20原子％、好ましくは５
ないし１原子％である必要がある。クロム濃度が
これより低い場合には、垂直異方性を持つた膜を
得ることは可能であるが、耐食性が劣る。またク
ロム濃度が上記値より大きい場合には飽和磁化が
大きく、且つ垂直異方性の大きい磁化膜は得られ
ない。基板の温度としては、室温から300℃程度
までのいずれの温度でも垂直磁化膜が得られる。
スパツタリング速度も特に制限はなく、膜の成長
速度にして毎分100Åないし5000Åの速度で析出
される。アルゴンガス圧は、前記クロム含量とな
らび垂直磁化膜を得るうえで極めて重要な因子で
ある。これは一律に規定することができない。な
ぜなら、コバルトならびにクロム原子の基板上へ
の析出と雰囲気の酸素による酸化とは競争反応で
あるために、膜の成長速度が速いようなスパツタ
リング条件下にあつては、酸素の分圧を上げる必
要がある。結果として、コバルトとクロムの全金
属の50％以上が酸化される。クロムは完全に酸化
され、コバルトは50ないし90％酸化される必要が
ある。酸化の程度は光電子分光法で測定すること
ができる。しかしながら、光電子分光法で酸化の
程度を精度良く定量するのは困難であり、飽和磁
化の測定から酸化の程度を推定する方が容易なこ
ともある。このようにして得られる磁性膜は、前
述したような垂直磁化膜となる。本発明におい
て、最も適した条件、即ちスパツタリング法にお
いてはクロム濃度10原子％、堆積速度200Å／分、
酸素分圧3.5×10-5Torrの条件で製造された厚さ
7000Åのコバルト・クロム部分酸化垂直磁化膜
は、飽和磁化250emu／cm3以上、垂直磁気異方性
定数Ku＝Ｋ〓＋2πMs2（Kuは垂直磁気異方性定
数、Ｋ〓はトルク法によつて測定される見掛けの
異方性定数、Msは飽和磁化）５×105erg／cm3以
上、保磁力Hc〓500エルステツド以上（磁界を膜
面に対して垂直に印加して磁化曲線を測定したと
きの保磁力）の垂直磁化膜が得られる。 「作用」「発明の効果」 本発明により得られるの垂直磁化膜であるコバ
ルト・クロム合金部分酸化物磁性薄膜が、このよ
うな異方性と保磁力を有する原因は今のところ明
らかではないが、CoOから成る結晶性の酸化物柱
状構造の間隙に金属コバルトが膜厚方向に針状に
充填した構造を形成し、この構造が垂直異方性に
寄与しているものと考えられる。 本発明で得られる、コバルト・クロム部分酸化
物からなる垂直磁化膜は・コバルト・クロム合金
垂直磁化膜に比較して硬く、コバルト部分酸化物
に比較して耐食性が優れている。 以下、本発明を実施例に基づき説明するが、本
発明はこれらにより何ら制限されるものではな
い。 実施例１〜４、比較例１〜７ 高周波２極スパツタ機を利用して、厚さ１mmの
ガラス基板上にコバルト・クロム部分酸化物磁性
薄膜を堆積させた。ターゲツトは直径３インチ
で、厚さ0.5mmのコバルト板上に５×７mm角のク
ロムチツプをのせたものである。基板とターゲツ
トの距離は５cm、アルゴンガス圧２×10-3Torr、
基板温度室温、プレート電圧2KV、プレート電
流180mA、酸素分圧を０〜４×10-5Torrの間で
変化させ、充分予備スパツタリングを行ないター
ゲツト表面を洗浄したのち、シヤツターを開き、
30分間基板上へ堆積させた。 得られた磁性薄膜の厚さは触針式膜厚計によ
り、組成はＸ線マイクロアナライザーにより、飽
和磁化Msは試料振動型磁力計により、見掛けの
垂直異方性定数Ｋは磁気トルク計により求め、垂
直異方性定数Kuは、Ku＝Ｋ〓＋2πMs2の関係よ
り求めた。元素の結合状態は、アルゴンイオンに
より約1000ÅエツチングしたのちＸ線光電子分光
法で調べた。結晶構造はＸ線解回折に依つた。耐
食性は、室温の濃塩酸ならびに1.9モル濃度の塩
化第２鉄水溶液中に浸漬し、それぞれ溶解時間と
磁化の経時変化を観察した。磁性幕の硬さは
JIS5401−1969に定める鉛筆硬度試験機で評価し
た。またコバルト・クロム合金部分酸化物磁性薄
膜の酸化率ａはCr濃度と飽和磁化から求めた。
第１表に得られた幕の組成、厚み、酸化率、磁気
特性、硬度を示す。
録媒体に適用して好適なる磁性薄膜を製造する方
法に関する。 「従来の技術」 近年、高密度磁気記録の一方式として、膜面に
対して垂直方向に磁化容易軸を有する、いわゆる
垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録が検討されてい
る。例えば媒体としてコバルト・クロム合金垂直
磁化膜が東北大学岩崎教授により、“アイ・イ
ー・イー・イー トランザクシヨンズ・オン・マ
グネテイクス（IEEE Transactions on
Magnetics）”Vol.MAG−14.P.894−P.851（1978）
に提案され、また、中村らによつて、部分酸化コ
バルト垂直磁化膜が“ジヤパニーズ・ジヤーナ
ル・オブ・アプライド・フイジツクス
（Japanese Journal of Applied Physics）”
Vol.23，L397−399，（1984）に提案されている。 「発明が解決しようとする問題点」 コバルト・クロム合金スパツタ膜は垂直磁気異
方性が大きく、大きな飽和磁化を持つた垂直磁化
膜を得ることが可能であり、優れた記録再生特性
を示す。しかし、かかる膜は金属から成るため、
摩耗に弱いという欠点を有する。一方、部分酸化
コバルトは酸化物であるため、摩耗には強いが耐
食性に欠けるという欠点を包蔵する。 「問題点を解決するための手段」 本発明は、かかる実情に鑑み、これらの問題点
を解消するもので、酸素雰囲気中でコバルトとク
ロムを同時にスパツタリング法により堆積させる
ことにより、硬度ならびに耐食性の優れた垂直磁
化膜を提供せんするものである。 即ち、本発明はクロムの濃度が１〜20原子パー
セントであり、コバルトとクロムを酸素雰囲気中
で全金属の50〜97％が酸化されるようにスパツタ
リング法により基板へ堆積することを特徴とす
る、基板に対して垂直な方向に磁化容易軸を有
し、飽和磁化が50〜600emu／cm3である磁性膜の
製造方法を内容とするものである。 本発明の磁性膜の化学組成を（Co1-xCrx）1-y
Oyと表わすなら、0.01≦χ≦0.20、0.16≦ｙ≦
0.48の領域で目的の磁性膜が得られる。更に、ク
ロムはほぼ完全に酸化され、コバルトは部分酸化
され、すなわちCoO、Cr2O3、Coの混合物から成
るものである。また構造は多くの場合、酸化コバ
ルトCoOが結晶成長している。この磁性膜は飽和
磁化が50〜600emu／cm3、垂直保磁力200〜
1500Oe（エルステツド）である。また垂直異方性
定数はKu＝0.1〜１×106erg／cm3（Ku＝Ｋ〓＋
2πMs2、Ｋ〓はトルク計で直接測定される見掛け
の垂直異方性定数、Msは飽和磁化）である。 このような磁性膜を得るにあたつて製法は極め
て重要である。すなわち、スパツタリング法を用
い、コバルトとクロムを同時に酸素雰囲気中で基
板上に堆積させることによつて初めて得られるも
のである。 以下、本発明の垂直磁化膜の製法について説明
する。 まず、基板としてはアルミニウム、ステンレス
などの金属板、あるいはポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリメタクリレートなどの板や
シートまたはフイルムがあげられるが、これらに
限定されるものではなく、軟化点が50℃程度以上
で厚さが10ミクロンないし10mm程度のものであれ
ば全て使用し得る。 ターゲツトとしてはコバルト・クロムからなる
合金ターゲツト又はコバルト板の上にクロム小片
を配置した（又は逆）複合ターゲツトでも構わな
い。ただし、垂直異方性を持つた磁化膜を得るに
は、クロムの割合は極めて重要である。クロムの
割合としては、１ないし20原子％、好ましくは５
ないし１原子％である必要がある。クロム濃度が
これより低い場合には、垂直異方性を持つた膜を
得ることは可能であるが、耐食性が劣る。またク
ロム濃度が上記値より大きい場合には飽和磁化が
大きく、且つ垂直異方性の大きい磁化膜は得られ
ない。基板の温度としては、室温から300℃程度
までのいずれの温度でも垂直磁化膜が得られる。
スパツタリング速度も特に制限はなく、膜の成長
速度にして毎分100Åないし5000Åの速度で析出
される。アルゴンガス圧は、前記クロム含量とな
らび垂直磁化膜を得るうえで極めて重要な因子で
ある。これは一律に規定することができない。な
ぜなら、コバルトならびにクロム原子の基板上へ
の析出と雰囲気の酸素による酸化とは競争反応で
あるために、膜の成長速度が速いようなスパツタ
リング条件下にあつては、酸素の分圧を上げる必
要がある。結果として、コバルトとクロムの全金
属の50％以上が酸化される。クロムは完全に酸化
され、コバルトは50ないし90％酸化される必要が
ある。酸化の程度は光電子分光法で測定すること
ができる。しかしながら、光電子分光法で酸化の
程度を精度良く定量するのは困難であり、飽和磁
化の測定から酸化の程度を推定する方が容易なこ
ともある。このようにして得られる磁性膜は、前
述したような垂直磁化膜となる。本発明におい
て、最も適した条件、即ちスパツタリング法にお
いてはクロム濃度10原子％、堆積速度200Å／分、
酸素分圧3.5×10-5Torrの条件で製造された厚さ
7000Åのコバルト・クロム部分酸化垂直磁化膜
は、飽和磁化250emu／cm3以上、垂直磁気異方性
定数Ku＝Ｋ〓＋2πMs2（Kuは垂直磁気異方性定
数、Ｋ〓はトルク法によつて測定される見掛けの
異方性定数、Msは飽和磁化）５×105erg／cm3以
上、保磁力Hc〓500エルステツド以上（磁界を膜
面に対して垂直に印加して磁化曲線を測定したと
きの保磁力）の垂直磁化膜が得られる。 「作用」「発明の効果」 本発明により得られるの垂直磁化膜であるコバ
ルト・クロム合金部分酸化物磁性薄膜が、このよ
うな異方性と保磁力を有する原因は今のところ明
らかではないが、CoOから成る結晶性の酸化物柱
状構造の間隙に金属コバルトが膜厚方向に針状に
充填した構造を形成し、この構造が垂直異方性に
寄与しているものと考えられる。 本発明で得られる、コバルト・クロム部分酸化
物からなる垂直磁化膜は・コバルト・クロム合金
垂直磁化膜に比較して硬く、コバルト部分酸化物
に比較して耐食性が優れている。 以下、本発明を実施例に基づき説明するが、本
発明はこれらにより何ら制限されるものではな
い。 実施例１〜４、比較例１〜７ 高周波２極スパツタ機を利用して、厚さ１mmの
ガラス基板上にコバルト・クロム部分酸化物磁性
薄膜を堆積させた。ターゲツトは直径３インチ
で、厚さ0.5mmのコバルト板上に５×７mm角のク
ロムチツプをのせたものである。基板とターゲツ
トの距離は５cm、アルゴンガス圧２×10-3Torr、
基板温度室温、プレート電圧2KV、プレート電
流180mA、酸素分圧を０〜４×10-5Torrの間で
変化させ、充分予備スパツタリングを行ないター
ゲツト表面を洗浄したのち、シヤツターを開き、
30分間基板上へ堆積させた。 得られた磁性薄膜の厚さは触針式膜厚計によ
り、組成はＸ線マイクロアナライザーにより、飽
和磁化Msは試料振動型磁力計により、見掛けの
垂直異方性定数Ｋは磁気トルク計により求め、垂
直異方性定数Kuは、Ku＝Ｋ〓＋2πMs2の関係よ
り求めた。元素の結合状態は、アルゴンイオンに
より約1000ÅエツチングしたのちＸ線光電子分光
法で調べた。結晶構造はＸ線解回折に依つた。耐
食性は、室温の濃塩酸ならびに1.9モル濃度の塩
化第２鉄水溶液中に浸漬し、それぞれ溶解時間と
磁化の経時変化を観察した。磁性幕の硬さは
JIS5401−1969に定める鉛筆硬度試験機で評価し
た。またコバルト・クロム合金部分酸化物磁性薄
膜の酸化率ａはCr濃度と飽和磁化から求めた。
第１表に得られた幕の組成、厚み、酸化率、磁気
特性、硬度を示す。
【表】
Ｘ線光電子分光分析によれば、酸素を添加せず
とも微量の残存酸素によりクロムの一部は酸化し
ているが、コバルトは酸化されていない。酸素分
圧を１×10-5Torr導入するとクロムは全て酸化
し、コバルトも一部酸化する。以後、酸素分圧４
×10-5Torrで完全酸化されるまで、コバルトは
徐々に酸化の度合を増す。飽和磁化は、酸化の進
行に従い減少する。一方、垂直磁気異方性は、酸
素分圧、２×10-5Torr、即ちおおよそ半分の元
素が酸化されるとき、最低になり、更に酸化が進
むと、最大の垂直磁気異方性を示し、完全に酸化
されると磁気特性を失う。Ｘ線回折によればKu
が増大をはじめる酸素分圧３×10-4Torrの点で、
酸化コバルトCoO（111）の回折ピークが出現し、
増大とともに異方性も増大する。しかし、酸化コ
バルト自身は強磁性体ではないので、酸化コバル
トの結晶成長は金属コバルトの異方性を助長して
いると考えられる。鉛筆硬度試験によれば、酸化
の程度が進行する程、コバルト・クロム合金より
も明らかに硬度が大きいことを示している。 実施例５〜７、比較例８，９、参考例１，２ 酸素分圧を３〜４×10-5Torrと一定とし、コ
バルト板ターゲツト上に配置するクロムチツプの
数を変えてクロムの濃度を変えた点以外は実施例
１と同様な条件でコバルト・クロム部分酸化膜を
作成した。得られた膜の磁気特性等を第２表に示
す。
とも微量の残存酸素によりクロムの一部は酸化し
ているが、コバルトは酸化されていない。酸素分
圧を１×10-5Torr導入するとクロムは全て酸化
し、コバルトも一部酸化する。以後、酸素分圧４
×10-5Torrで完全酸化されるまで、コバルトは
徐々に酸化の度合を増す。飽和磁化は、酸化の進
行に従い減少する。一方、垂直磁気異方性は、酸
素分圧、２×10-5Torr、即ちおおよそ半分の元
素が酸化されるとき、最低になり、更に酸化が進
むと、最大の垂直磁気異方性を示し、完全に酸化
されると磁気特性を失う。Ｘ線回折によればKu
が増大をはじめる酸素分圧３×10-4Torrの点で、
酸化コバルトCoO（111）の回折ピークが出現し、
増大とともに異方性も増大する。しかし、酸化コ
バルト自身は強磁性体ではないので、酸化コバル
トの結晶成長は金属コバルトの異方性を助長して
いると考えられる。鉛筆硬度試験によれば、酸化
の程度が進行する程、コバルト・クロム合金より
も明らかに硬度が大きいことを示している。 実施例５〜７、比較例８，９、参考例１，２ 酸素分圧を３〜４×10-5Torrと一定とし、コ
バルト板ターゲツト上に配置するクロムチツプの
数を変えてクロムの濃度を変えた点以外は実施例
１と同様な条件でコバルト・クロム部分酸化膜を
作成した。得られた膜の磁気特性等を第２表に示
す。
【表】
また、25℃の濃塩酸中に浸漬したときの、磁性
膜の溶解までに要する時間を第１図に示す。更
に、比較例８の試料と実施例７の試料を25℃の
1.9モル濃度塩化第２鉄水溶液に浸漬したときの
磁化量の経時変化を第２図に示す。 クロム濃度を高めると垂直異方性を減少する
が、耐食性は大巾に向上することが分かる。 第３図は、酸化率と垂直磁気異方性定数Kuと
の関係をプロツトした図である（但し、比較例４
はプロツトしていない。）同図から、Kuが負から
正に変わるのは0.47＜ａ＜0.57（斜線で示した部
分）の領域であり、即ち約「0.5（50％）」と見做
することができる。一方、上限は同図よりａ＝
0.97（97％）付近である。
膜の溶解までに要する時間を第１図に示す。更
に、比較例８の試料と実施例７の試料を25℃の
1.9モル濃度塩化第２鉄水溶液に浸漬したときの
磁化量の経時変化を第２図に示す。 クロム濃度を高めると垂直異方性を減少する
が、耐食性は大巾に向上することが分かる。 第３図は、酸化率と垂直磁気異方性定数Kuと
の関係をプロツトした図である（但し、比較例４
はプロツトしていない。）同図から、Kuが負から
正に変わるのは0.47＜ａ＜0.57（斜線で示した部
分）の領域であり、即ち約「0.5（50％）」と見做
することができる。一方、上限は同図よりａ＝
0.97（97％）付近である。
第１図は、コバルト・クロム部分酸化物の濃塩
酸中での耐食性を示すグラフ、第２図は、コバル
ト・クロム部分酸化物とコバルト部分酸化物の塩
化第２鉄水溶液中での耐食性を示すグラフ、第３
図は酸化率ａと異方性定数Kuとの関係をプロツ
トしたグラフである。
酸中での耐食性を示すグラフ、第２図は、コバル
ト・クロム部分酸化物とコバルト部分酸化物の塩
化第２鉄水溶液中での耐食性を示すグラフ、第３
図は酸化率ａと異方性定数Kuとの関係をプロツ
トしたグラフである。
Claims (1)
- １ クロムの濃度が１〜20原子パーセントであ
り、コバルトとクロムを酸素雰囲気中で全金属の
50〜97％が酸化されるようにスパツタリング法に
より基板へ堆積することを特徴とする、基板に対
して垂直な方向に磁化容易軸を有し、飽和磁化が
50〜600emu／cm3である磁性膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21223484A JPS6190405A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 垂直磁化膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21223484A JPS6190405A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 垂直磁化膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190405A JPS6190405A (ja) | 1986-05-08 |
| JPH0582724B2 true JPH0582724B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=16619178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21223484A Granted JPS6190405A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 垂直磁化膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190405A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050244680A1 (en) * | 2004-05-03 | 2005-11-03 | Imation Corp. | Environmentally stable metal-evaporated recording media |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197813A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
| JPS5917216A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Ulvac Corp | 磁気記録体並にその製造法 |
| JPS59140629A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21223484A patent/JPS6190405A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57197813A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Nippon Gakki Seizo Kk | Magnetic recording tape |
| JPS5917216A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Ulvac Corp | 磁気記録体並にその製造法 |
| JPS59140629A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6190405A (ja) | 1986-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1135411A (en) | Thin film head having negative magnetostriction | |
| JPH0666087B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| CA1315612C (en) | Perpendicular magnetic storage medium | |
| US4587178A (en) | Magnetic recording medium | |
| US7105240B2 (en) | Perpendicular media with improved corrosion performance | |
| US4325733A (en) | Amorphous Co-Ti alloys | |
| EP0441186A2 (en) | Magnetic film laminate and magnetic secondary head thereof | |
| US5316631A (en) | Method for fabricating a magnetic recording medium | |
| JPH0582724B2 (ja) | ||
| JPH056738B2 (ja) | ||
| JPH01124108A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS59178617A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH03155606A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| US4156037A (en) | Process for producing a magnetic recording medium | |
| US4215158A (en) | Magnetic recording medium and process for producing the same | |
| JPH0689422A (ja) | コバルト−鉄−ニッケル磁性膜の製造方法 | |
| JPS61276116A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| US20080085427A1 (en) | Amorphous soft magnetic layers for perpendicular magnetic recording media | |
| Katori et al. | Wear and corrosion resistance of Fe-N based micrograin soft magnetic thin films | |
| JP2005108407A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体用基板 | |
| Shiomi et al. | Perpendicular anisotropy in electrodeposited Co-Pd alloy films | |
| JPS63124213A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP2773477B2 (ja) | 磁気記録体の製造方法 | |
| EP0076142B1 (en) | Post treatment of perpendicular magnetic recording media | |
| JPH0417648A (ja) | 耐熱性軟磁性薄膜 |